JPS59168621A - フイルムコンデンサ - Google Patents
フイルムコンデンサInfo
- Publication number
- JPS59168621A JPS59168621A JP4201683A JP4201683A JPS59168621A JP S59168621 A JPS59168621 A JP S59168621A JP 4201683 A JP4201683 A JP 4201683A JP 4201683 A JP4201683 A JP 4201683A JP S59168621 A JPS59168621 A JP S59168621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film capacitor
- absorption rate
- film
- infrared absorption
- exterior
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はモールド外装のフィルムコンデンサ、！Ｉ’４
ｊに近赤外線にょろりフロ一方式の半Ｒ１付けを可能に
した、フィルムコンデンサに関する。
ｊに近赤外線にょろりフロ一方式の半Ｒ１付けを可能に
した、フィルムコンデンサに関する。
従来例の構成とその問題点
従来電子部品はＩＪ −Ｆ線イ」きの部品であり、この
リード線をプリント基板のリード挿入孔に挿入し！ｌ’
−ＩＴＩ （＝Ｊけし−Ｃいた。ところか機器の小型・
軽量化か望まれろ今１１．’Ｊ−１・線無しの電子部品
すなわちチップ電子部品が出現し、この要望を満しつつ
ある。
リード線をプリント基板のリード挿入孔に挿入し！ｌ’
−ＩＴＩ （＝Ｊけし−Ｃいた。ところか機器の小型・
軽量化か望まれろ今１１．’Ｊ−１・線無しの電子部品
すなわちチップ電子部品が出現し、この要望を満しつつ
ある。
このチップ″ｌ：Ｌ Ｔ一部品（ｌこは次の特徴か有る
。
。
（１）抵抗、コンデンリ、コイル、グイＡ−ド、トラン
ジスタなと多くの′電子部品が同−ｊ１ｆ状のため、プ
リント配線基板の設δ１を標７＜Ｃ４化できろ。
ジスタなと多くの′電子部品が同−ｊ１ｆ状のため、プ
リント配線基板の設δ１を標７＜Ｃ４化できろ。
（２） 自動装着機の機種切り替えが設ｄ１データを
Ｊ、１゜にして作ったＮ Ｏテープ（数値制御テープ）
たけてできるため短時間で行なえる。
Ｊ、１゜にして作ったＮ Ｏテープ（数値制御テープ）
たけてできるため短時間で行なえる。
（３） さらに、このチップ電子部品にはリード線が
チ（′（いため、プリント基板の両面に実装でき、かつ
高さが低いこともあり、高密度実装がｉ＋Ｊ能である。
チ（′（いため、プリント基板の両面に実装でき、かつ
高さが低いこともあり、高密度実装がｉ＋Ｊ能である。
プリント基板への半田付方法としては、チップ電子部品
をプリント基板へ接着剤などて接着した後で、半田槽に
電子部品を漬けて一’ｌ′ｌｉｔ伺ＩＪする方法と、プ
リント基板にクリーム半田を印刷してからチップ電子部
品を配置し、近赤外線の熱によりクリーム半田を溶融し
て半田刊＆−１ずろ２つの方法が用いられている。しか
し、部品の高密度化及び接着剤不要などのメリツトが大
きいことから、後者の方法が主流となりつつある（後者
の方法は一般的にはりフロ一方式と呼ばれている。以下
単にリフロ一方式と記入する。）。
をプリント基板へ接着剤などて接着した後で、半田槽に
電子部品を漬けて一’ｌ′ｌｉｔ伺ＩＪする方法と、プ
リント基板にクリーム半田を印刷してからチップ電子部
品を配置し、近赤外線の熱によりクリーム半田を溶融し
て半田刊＆−１ずろ２つの方法が用いられている。しか
し、部品の高密度化及び接着剤不要などのメリツトが大
きいことから、後者の方法が主流となりつつある（後者
の方法は一般的にはりフロ一方式と呼ばれている。以下
単にリフロ一方式と記入する。）。
ところが従来のフィルムコンデンサは、誘電体として使
用されているポリエステルフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルムなとの耐熱性が低く
、前述のりフロ一方式の半［ＩＩ耐熱に耐えることがで
きず、チップタイプのフィルムコンデンサの出現に至ら
なかった。
用されているポリエステルフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルムなとの耐熱性が低く
、前述のりフロ一方式の半［ＩＩ耐熱に耐えることがで
きず、チップタイプのフィルムコンデンサの出現に至ら
なかった。
第１図に従来の絶縁性樹脂によりモールド外装を施した
フィルムコンデンサの斜視図を示す。
フィルムコンデンサの斜視図を示す。
図において、（１）は絶縁性樹脂、（２）は電極を示ず
。
。
発明の目的
本発明は、誘電体として一般的に使用されている従来の
プラスデックフィルムをそのまま使用して前述のりフロ
一方式ての半ｍ ｆＪ’ ４Ｊが０丁能な、チンブタイ
ブのフィルムコンデンサを得るにある。
プラスデックフィルムをそのまま使用して前述のりフロ
一方式ての半ｍ ｆＪ’ ４Ｊが０丁能な、チンブタイ
ブのフィルムコンデンサを得るにある。
発明のｌ’ｆ／／成
本発明は従来のチップタイプフィルムコンデンサに絶縁
性樹脂外装を施し、前記絶縁性樹脂外装の表面の少く共
−表面に近赤外線（波長０８〜′（０μｍ）の吸収率が
５５％以下の材料でできた層を設けたことを特徴とする
。
性樹脂外装を施し、前記絶縁性樹脂外装の表面の少く共
−表面に近赤外線（波長０８〜′（０μｍ）の吸収率が
５５％以下の材料でできた層を設けたことを特徴とする
。
実施例の説明
第２図に本発明のフィルムコンデンサの斜視図を示す。
図において、第１図と同一符号は同一部品、同一部分を
示す。
示す。
本発明は従来のモールド外装コンデンザの絶縁性樹脂ｉ
１１の一面に、赤外線（波長＝０８〜３０μｍ）の吸収
率が５５％以下の材質の層（３）を設けたものである。
１１の一面に、赤外線（波長＝０８〜３０μｍ）の吸収
率が５５％以下の材質の層（３）を設けたものである。
各種材料の近赤外線吸収率を測定した結果の代表的なも
のを表１に示す。
のを表１に示す。
表 １
Ａは近赤外線吸収率が少ないものでありＢ−＋Ｑ→Ｊ〕
と順に吸収率が多くなっている。第３図はこれらの月利
を用いて、波長が］、１７ｒｍの近赤外線を照射した時
の、照射時間とそれぞれの材料の温度上昇との関係を示
した。この結果によると、近赤外線吸収率が１０％のＡ
は９０％のＤに比へ約７５℃温度が低くなること、及び
近赤外線吸収率が５５％を越えると、急に温度上昇が大
きくなることが明らかである。又第４図にこれらのＡ
−Ｄの４Ｊ判を用いて第２図に示された層（３）を構成
してコンデンサを作り、リフロ一方式による半ＩＪＩ（
」けを行なった場合の容量変化率特性を示した。容量変
化率とは、リフロ一方式の小口」付０１１後の静電容量
の変化率を示す。への４１料を用いた物を試Ｐ＋ １、
Ｂの材料を用いた物を試料２、Ｃの材料を用いたものを
試料３、Ｄの材料を用いた物を試料４、第１図に示した
従来構造の物を試料５、とした。近赤外線吸収率が１０
％のＡを用いた試料１と、近赤外線吸収率が５５％のＢ
を用いた試料２０本発明ノコンデンづに１６いては容量
変化率が少ない。
と順に吸収率が多くなっている。第３図はこれらの月利
を用いて、波長が］、１７ｒｍの近赤外線を照射した時
の、照射時間とそれぞれの材料の温度上昇との関係を示
した。この結果によると、近赤外線吸収率が１０％のＡ
は９０％のＤに比へ約７５℃温度が低くなること、及び
近赤外線吸収率が５５％を越えると、急に温度上昇が大
きくなることが明らかである。又第４図にこれらのＡ
−Ｄの４Ｊ判を用いて第２図に示された層（３）を構成
してコンデンサを作り、リフロ一方式による半ＩＪＩ（
」けを行なった場合の容量変化率特性を示した。容量変
化率とは、リフロ一方式の小口」付０１１後の静電容量
の変化率を示す。への４１料を用いた物を試Ｐ＋ １、
Ｂの材料を用いた物を試料２、Ｃの材料を用いたものを
試料３、Ｄの材料を用いた物を試料４、第１図に示した
従来構造の物を試料５、とした。近赤外線吸収率が１０
％のＡを用いた試料１と、近赤外線吸収率が５５％のＢ
を用いた試料２０本発明ノコンデンづに１６いては容量
変化率が少ない。
このことは耐熱性のないフィルムを使用した）・ｒルム
コンデンサにおいても、前述Ａ、Ｂの４Ｉ ｌ’ｌを用
いた層を設けることにより、フィルムコンデンサ素子へ
伝わる熱エネルギーを減少させろために、特性−１−変
化が少ない結果となっている。このようにモールド外装
されたフィルムコンデンサの、絶縁性樹脂表面の少なく
とも一面以」−に、近赤外線吸収率が５５％以下の層を
設けることにより、耐熱性のすぐれたフィルムコンデン
サの提供をｌ’Ｔ 能にするものである。
コンデンサにおいても、前述Ａ、Ｂの４Ｉ ｌ’ｌを用
いた層を設けることにより、フィルムコンデンサ素子へ
伝わる熱エネルギーを減少させろために、特性−１−変
化が少ない結果となっている。このようにモールド外装
されたフィルムコンデンサの、絶縁性樹脂表面の少なく
とも一面以」−に、近赤外線吸収率が５５％以下の層を
設けることにより、耐熱性のすぐれたフィルムコンデン
サの提供をｌ’Ｔ 能にするものである。
又同時にリフロ一方式の半１１１伺けを行なった、材料
０．Ｄを用いて層を設けたコンデンサ（すなわち近赤外
線吸収率が５５％以」二の層を設けた物）及び従来構造
のコンデンサにおいては、容量変化率が大きく、リフロ
一方式の小口」付による基板数例方法では使用出来ない
結果であった。
０．Ｄを用いて層を設けたコンデンサ（すなわち近赤外
線吸収率が５５％以」二の層を設けた物）及び従来構造
のコンデンサにおいては、容量変化率が大きく、リフロ
一方式の小口」付による基板数例方法では使用出来ない
結果であった。
従来構造のコンデンサの容量変化率が大きいのは、モー
ルド外装に使用される絶縁性樹脂の、近赤外線吸収率が
５５％以上のためであり、モールド外装用樹脂層自身を
近赤外線吸収率を５５％以トーにずろことによっても、
本発明とほぼ同し結果が？ＩＩられるが、周知のごとく
近赤外線吸収率が５５％以下のモールド材料を開発する
ことは極めて困難であること、又極端に高価となり実用
化が極めて困ｑイＥである。したがって本発明では、近
赤外線（波長＝０８〜３．０７１ｍ）の吸収率が５５％
以下の層をモールド外装とは別に設けることにより、容
易に安価で実用的なチップタイプのフィルムコンデンサ
の提供を可能にした。
ルド外装に使用される絶縁性樹脂の、近赤外線吸収率が
５５％以上のためであり、モールド外装用樹脂層自身を
近赤外線吸収率を５５％以トーにずろことによっても、
本発明とほぼ同し結果が？ＩＩられるが、周知のごとく
近赤外線吸収率が５５％以下のモールド材料を開発する
ことは極めて困難であること、又極端に高価となり実用
化が極めて困ｑイＥである。したがって本発明では、近
赤外線（波長＝０８〜３．０７１ｍ）の吸収率が５５％
以下の層をモールド外装とは別に設けることにより、容
易に安価で実用的なチップタイプのフィルムコンデンサ
の提供を可能にした。
今回の実施例では絶縁性樹脂の一面のみ前述層を設けた
が、層を設ける面は一面に限定するものではない。
が、層を設ける面は一面に限定するものではない。
１）ｉＩ述の層を設ける方法としては、塗布方法、シー
トの貼イ」方法、転写方法などが考えられるが、いづれ
の方法によるかを限定するものではない。
トの貼イ」方法、転写方法などが考えられるが、いづれ
の方法によるかを限定するものではない。
発明の効果
本発明は前記構成により近赤外線吸収率が５５％以下の
モールド拐料を必要とせず、容易に、安価に実用的に構
成できる効果を生ずる。
モールド拐料を必要とせず、容易に、安価に実用的に構
成できる効果を生ずる。
第１図は従来のモールド外装フイルムコンデン世の斜視
図、第２図は本発明の一実施例のモールド外装フイルム
コンデン世の斜視図、第３図は近赤外線吸収率の異なる
材料側に近赤外線による加熱を行なった時の温度上昇を
示すグラフ、第４図は本発明のフィルムコンデンサの容
蹴変化の特性図、を示ず。 １：モールド外装樹脂 ２：電極 ３ 近赤外線吸収率
５５％以下の材料で作られた層 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功−一叶閏□
図、第２図は本発明の一実施例のモールド外装フイルム
コンデン世の斜視図、第３図は近赤外線吸収率の異なる
材料側に近赤外線による加熱を行なった時の温度上昇を
示すグラフ、第４図は本発明のフィルムコンデンサの容
蹴変化の特性図、を示ず。 １：モールド外装樹脂 ２：電極 ３ 近赤外線吸収率
５５％以下の材料で作られた層 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功−一叶閏□
Claims (1)
- 絶縁性樹・脂によりモールド外装されたフィルムコンデ
ンサにおいて、ｉｆＪ記外装樹脂表曲の少なくとも一表
面に、近赤外線（波長−０８〜３．０７１ｍ）の吸収率
が５５％以下のｔＡ質でてきた層を設けたことを特徴と
するフィルムコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201683A JPS59168621A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | フイルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201683A JPS59168621A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | フイルムコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168621A true JPS59168621A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12624371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4201683A Pending JPS59168621A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | フイルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168621A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031218A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | 日本ケミコン株式会社 | リ−ドレス電子部品 |
| JPS622511A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | 日立エーアイシー株式会社 | 樹脂外装型コンデンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619028B2 (ja) * | 1973-03-06 | 1981-05-02 |
-
1983
- 1983-03-14 JP JP4201683A patent/JPS59168621A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619028B2 (ja) * | 1973-03-06 | 1981-05-02 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031218A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | 日本ケミコン株式会社 | リ−ドレス電子部品 |
| JPS622511A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | 日立エーアイシー株式会社 | 樹脂外装型コンデンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2274339A1 (en) | Method for laser soldering | |
| JPS59168621A (ja) | フイルムコンデンサ | |
| JPS60260192A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPS59197120A (ja) | 微小フイルムコンデンサ | |
| JPS6153852B2 (ja) | ||
| JPS6020596A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPS60192318A (ja) | フイルムコンデンサ | |
| JPH0423807B2 (ja) | ||
| JP2000114090A (ja) | コンデンサおよびコンデンサ製造方法およびプリント回路板およびプリント回路板の製造方法 | |
| JPH02114697A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH05206376A (ja) | 積層マルチチップ半導体装置 | |
| JPS6216040B2 (ja) | ||
| JPS6293993A (ja) | 電子回路装置とその実装方法 | |
| JPS636898A (ja) | リ−ドレス電子部品の半田付け方法 | |
| JPH03114251A (ja) | 複合回路基板 | |
| JP2021163788A (ja) | 電子モジュールの製造方法及び電子モジュール | |
| JP2793002B2 (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JPH0719717B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPS60140785A (ja) | ハイブリッドｉｃの実装構造 | |
| JPS60192317A (ja) | フイルムコンデンサ | |
| JPH02871B2 (ja) | ||
| JPS59204265A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPS63236398A (ja) | 混成集積回路の実装方法 | |
| JPS6076186A (ja) | 印刷回路基板 | |
| JPH0215697A (ja) | 表面実装方法 |