JPH03114251A - 複合回路基板 - Google Patents
複合回路基板Info
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- JPH03114251A JPH03114251A JP1250434A JP25043489A JPH03114251A JP H03114251 A JPH03114251 A JP H03114251A JP 1250434 A JP1250434 A JP 1250434A JP 25043489 A JP25043489 A JP 25043489A JP H03114251 A JPH03114251 A JP H03114251A
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Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は複合回路基板に関し、特にレーザ照射によりト
リミング可能な抵抗体を内蔵した部品ブロックを有した
複合回路基板に係わる。
リミング可能な抵抗体を内蔵した部品ブロックを有した
複合回路基板に係わる。
（従来の技術）
電子機器の軽薄短小化の要求は、−ＶＴＲや液晶ＴＶ無
線機器のポータプル化等により年々太きくなってきてい
る。そして、こうした要求により、多層プリント基板や
多層プラスチック基板等各種高密度実装回路基板の開発
が推進されている。
線機器のポータプル化等により年々太きくなってきてい
る。そして、こうした要求により、多層プリント基板や
多層プラスチック基板等各種高密度実装回路基板の開発
が推進されている。
ところで、電子回路基板に着目すると、一般的にガラス
、エポキシ基板が多く用いられているが、更に高密度実
装が要求される場合には多層プラスチック基板等の併用
で対応している。
、エポキシ基板が多く用いられているが、更に高密度実
装が要求される場合には多層プラスチック基板等の併用
で対応している。
第２図は、従来の複合回路基板の一例を示す断面図であ
る。図中の１は樹脂基板である。この樹脂基板１は、表
面に熱変形性樹脂をバインダーとした配線パターン２を
印刷により形成した熱可塑性樹脂フィルム３を複数枚積
層し、熱圧着して得られる。なお、図中の４は、前記配
線パターン２同士を接続するスルホールである。前記樹
脂基板１の上側には、熱変形性樹脂からなる樹脂体６内
部に電気部品７．８が埋設した部品ブロック９が一体化
されている。前記電気部品７，８等のリード端子等の接
続端子は、部品ブロック９を樹脂基板に圧着した際例え
ば該基板１中のスルホール４と接続するようになってい
る。前記樹脂基板１の下側には、表面に抵抗体１０ａを
形成したフィルムＩＯが適宜必要に応じて一体化されて
いる。
る。図中の１は樹脂基板である。この樹脂基板１は、表
面に熱変形性樹脂をバインダーとした配線パターン２を
印刷により形成した熱可塑性樹脂フィルム３を複数枚積
層し、熱圧着して得られる。なお、図中の４は、前記配
線パターン２同士を接続するスルホールである。前記樹
脂基板１の上側には、熱変形性樹脂からなる樹脂体６内
部に電気部品７．８が埋設した部品ブロック９が一体化
されている。前記電気部品７，８等のリード端子等の接
続端子は、部品ブロック９を樹脂基板に圧着した際例え
ば該基板１中のスルホール４と接続するようになってい
る。前記樹脂基板１の下側には、表面に抵抗体１０ａを
形成したフィルムＩＯが適宜必要に応じて一体化されて
いる。
前記樹脂基板１、部品ブロック９及びフィルムＩＯは熱
プレス工程によって加熱されて一体化され、これにより
樹脂の流動が生じて配線パターン２゜電気部品７などが
電気的に接続され、複合回路基板となる。
プレス工程によって加熱されて一体化され、これにより
樹脂の流動が生じて配線パターン２゜電気部品７などが
電気的に接続され、複合回路基板となる。
しかしながら、従来の複合回路基板は、この基板と圧着
された部品ブロックの機能維持のために行う抵抗値の調
整ができず、電気特性等の手直しができないという問題
点を有する。
された部品ブロックの機能維持のために行う抵抗値の調
整ができず、電気特性等の手直しができないという問題
点を有する。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、部品ブロッ
ク内にレーザ照射によりトリミング可能な抵抗体を配設
することにより、多層化後前記抵抗体にレーザを照射す
ることにより抵抗値を変更できる複合回路基板を提供す
ることを目的とする。
ク内にレーザ照射によりトリミング可能な抵抗体を配設
することにより、多層化後前記抵抗体にレーザを照射す
ることにより抵抗値を変更できる複合回路基板を提供す
ることを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、配線パターンを形成した熱変形性樹脂フィル
ムを複数枚積層した樹脂基板と、この樹脂基板と熱圧着
により一体化され、樹脂体内部に電気部品を埋設した部
品ブロックとを具備した複合回路基板において、前記部
品ブロック内にレーザ照射によりトリミング可能な抵抗
体を配設した事を特徴とする複合回路基板である。
ムを複数枚積層した樹脂基板と、この樹脂基板と熱圧着
により一体化され、樹脂体内部に電気部品を埋設した部
品ブロックとを具備した複合回路基板において、前記部
品ブロック内にレーザ照射によりトリミング可能な抵抗
体を配設した事を特徴とする複合回路基板である。
本発明に係る電気部品としては、例えばＤＩＰ型ＩＣ，
ＦＰ型ＩＣ等やコンデンサなどリード端子などの接続端
子を有した部品が挙げられる。
ＦＰ型ＩＣ等やコンデンサなどリード端子などの接続端
子を有した部品が挙げられる。
（作用）
本発明は、部品ブロック内にレーザ照射によりトリミン
グ可能な抵抗体を形成するため、複合回路基板の電気特
性を外部から計測しながら外部からレーザ光をこの抵抗
体に照射することにより前記抵抗体のトリミング可能と
なり、電気的特性を所望の値に合わせる事が可能となる （実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
グ可能な抵抗体を形成するため、複合回路基板の電気特
性を外部から計測しながら外部からレーザ光をこの抵抗
体に照射することにより前記抵抗体のトリミング可能と
なり、電気的特性を所望の値に合わせる事が可能となる （実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１１は、樹脂基板である。この樹脂基板１は、そ
の面に例えば前記樹脂基板を構成する樹脂、他の熱変山
脂をバインダーとし、これに例えハ銀、胴、ニッケル、
金、白金、アルミニウム等の金属微粉末を混練りし、必
要に応じて溶媒を適宜添加した組成からなる厚膜導電ペ
ーストを印刷した配線パターン１２が形成された熱変形
性可塑性樹脂フィルム１３を複数枚積層し、熱圧着して
得られる。ここで、前記熱変形性樹脂としては、ポリカ
ーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、飽和ポリ
スチル樹脂、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェ
ニレンオキシド、ポリスルフォン、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリアセタール、ポリアミド等が挙げられる
。なお、図中の１４は、前記配線パターン１２同士を接
続するスルホールである。
の面に例えば前記樹脂基板を構成する樹脂、他の熱変山
脂をバインダーとし、これに例えハ銀、胴、ニッケル、
金、白金、アルミニウム等の金属微粉末を混練りし、必
要に応じて溶媒を適宜添加した組成からなる厚膜導電ペ
ーストを印刷した配線パターン１２が形成された熱変形
性可塑性樹脂フィルム１３を複数枚積層し、熱圧着して
得られる。ここで、前記熱変形性樹脂としては、ポリカ
ーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、飽和ポリ
スチル樹脂、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリフェ
ニレンオキシド、ポリスルフォン、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリアセタール、ポリアミド等が挙げられる
。なお、図中の１４は、前記配線パターン１２同士を接
続するスルホールである。
前記樹脂基板１１の上側には、複数の電気部品を一体的
に保持するための部品ブロック１５が配置されている。
に保持するための部品ブロック１５が配置されている。
この部品ブロック１５は、上記のような熱変形性樹脂か
らなる樹脂体１８と、この樹脂体１６内に埋設された例
えばＤＩＰ型ＩＣ（電気部品）１７やトリミング可能な
抵抗体１８とから構成されている。ここで、前記ＩＣ１
７や抵抗体のリード端子１７ａ、 １７ｂは例えば樹脂
体１６の下面から露出して折り、上記樹脂基板１１、部
品ブロック１５及びフィルム２０は、ＩＣ１７や抵抗体
１８のリード端子１７ａ、 １７ｂが樹脂基板１１に形
成されたスルホール１４と位置合わせた状態で熱圧着な
どにより一体化され、第１図に示す複合回路基板が構成
される。個々で、部品ブロックに配設された抵抗体１８
の主面は上方向（樹脂基板とは反対方向）を向いている
。
らなる樹脂体１８と、この樹脂体１６内に埋設された例
えばＤＩＰ型ＩＣ（電気部品）１７やトリミング可能な
抵抗体１８とから構成されている。ここで、前記ＩＣ１
７や抵抗体のリード端子１７ａ、 １７ｂは例えば樹脂
体１６の下面から露出して折り、上記樹脂基板１１、部
品ブロック１５及びフィルム２０は、ＩＣ１７や抵抗体
１８のリード端子１７ａ、 １７ｂが樹脂基板１１に形
成されたスルホール１４と位置合わせた状態で熱圧着な
どにより一体化され、第１図に示す複合回路基板が構成
される。個々で、部品ブロックに配設された抵抗体１８
の主面は上方向（樹脂基板とは反対方向）を向いている
。
なお、前記樹脂基板１１の下側には、必要に応じて表面
に抵抗体１９を形成したフィルム２０を適宜−体化して
もよい。
に抵抗体１９を形成したフィルム２０を適宜−体化して
もよい。
しかるに、上記実施例に係る複合回路基板は、部品ブロ
ック１５内にレーザ光照射によりトリミング可能な抵抗
体１８が形成された構成となっているため、複合回路基
板の電気特性を外部から計測しながら前記抵抗体１８に
レーザ光を照射することにより、抵抗体１８のトリミン
グ可能となり、部品ブロックの電気的特性を所望の値に
合わせる事が可能となる。
ック１５内にレーザ光照射によりトリミング可能な抵抗
体１８が形成された構成となっているため、複合回路基
板の電気特性を外部から計測しながら前記抵抗体１８に
レーザ光を照射することにより、抵抗体１８のトリミン
グ可能となり、部品ブロックの電気的特性を所望の値に
合わせる事が可能となる。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、部品ブロック内にレ
ーザ照射によりトリミング可能な抵抗体を形成すること
により、多層化後前記抵抗体にレーザを照射することに
より抵抗値を変更できる複合回路基板を提供できる。
ーザ照射によりトリミング可能な抵抗体を形成すること
により、多層化後前記抵抗体にレーザを照射することに
より抵抗値を変更できる複合回路基板を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係る複合回路基板の略断面
図、第２図は従来の複合回路基板の略断面図である。 １１・・・樹脂基板、１２・・・配線パターン、１３・
・・熱変形性樹脂フィルム、１４・・・スルホール、１
５・・・部品ブロック、ｔｅ・・・樹脂体、１８・・・
抵抗体。
図、第２図は従来の複合回路基板の略断面図である。 １１・・・樹脂基板、１２・・・配線パターン、１３・
・・熱変形性樹脂フィルム、１４・・・スルホール、１
５・・・部品ブロック、ｔｅ・・・樹脂体、１８・・・
抵抗体。
Claims (1)
- 配線パターンを形成した熱変形性樹脂フィルムを複数枚
積層した樹脂基板と、この樹脂基板と熱圧着により一体
化され、樹脂体内部に電気部品を埋設した部品ブロック
とを具備した複合回路基板であって、前記部品ブロック
内にレーザ照射によりトリミング可能な抵抗体を埋設し
た事を特徴とする複合回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250434A JPH03114251A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 複合回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250434A JPH03114251A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 複合回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03114251A true JPH03114251A (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=17207824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250434A Pending JPH03114251A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 複合回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03114251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1069618A4 (en) * | 1998-04-01 | 2001-08-22 | Ricoh Kk | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND PRODUCTION METHOD |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1250434A patent/JPH03114251A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1069618A4 (en) * | 1998-04-01 | 2001-08-22 | Ricoh Kk | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND PRODUCTION METHOD |
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