JPS59167072A - 直列接続形薄膜太陽電池 - Google Patents
直列接続形薄膜太陽電池Info
- Publication number
- JPS59167072A JPS59167072A JP58040042A JP4004283A JPS59167072A JP S59167072 A JPS59167072 A JP S59167072A JP 58040042 A JP58040042 A JP 58040042A JP 4004283 A JP4004283 A JP 4004283A JP S59167072 A JPS59167072 A JP S59167072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- substrate
- layer
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 9
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁透明基板上に形成された直列接続形薄膜太
陽電池に関する。
陽電池に関する。
第１図にアモルファスシリコン（以下ａ−８ｔとと記す
）を用いたそのような太陽電池を示す。この薄膜太陽電
池は共通のガラス基板１の上に形成された複数の太陽電
池ユニット１０から成る。各ユニット１０は基板１上に
分離形成された透明電極２とその一部を帯状に露出させ
た Ｓ ｉ 、＜ターン３を有する。透明電極２には
ＩＴＯ（インジウムすず酸化物）、５ｎ０２（すず酸化
物）膜が使用されている。ａ−Ｓｉ層３はｐ形、ｉ形（
ノンドープＬ”形層の３層からなり、それぞれ１００Ａ
。
）を用いたそのような太陽電池を示す。この薄膜太陽電
池は共通のガラス基板１の上に形成された複数の太陽電
池ユニット１０から成る。各ユニット１０は基板１上に
分離形成された透明電極２とその一部を帯状に露出させ
た Ｓ ｉ 、＜ターン３を有する。透明電極２には
ＩＴＯ（インジウムすず酸化物）、５ｎ０２（すず酸化
物）膜が使用されている。ａ−Ｓｉ層３はｐ形、ｉ形（
ノンドープＬ”形層の３層からなり、それぞれ１００Ａ
。
０．５μｍ 、 ５００Ａの厚さをもっており、シラ
ンガコ１のグロー放電分解により作成される。ｐ形層。
ンガコ１のグロー放電分解により作成される。ｐ形層。
ｆ１ＭＩ形層の生成にはそれぞれＢ２Ｈ６とＳｉＨ，の
混合掴ス、 ＰＨ３と８ｉＨ，の混合ガスを用いること
は周分の技術である。さらにａ−８ｉパターン３の上、
亀傘属電原パターン４が形成され、また同時に端部金属
電極５が形成される。この場合電極５を端の１禾陽電池
ユニツト１の透明電極２と、各ユニットの上部電極４を
隣接ユニットの透明電極２と電気的に接続することによ
って各太陽電池ユニットが直列接続され、端部電極５と
他端の上部電極４０とが外部出力電極として利用される
。
混合掴ス、 ＰＨ３と８ｉＨ，の混合ガスを用いること
は周分の技術である。さらにａ−８ｉパターン３の上、
亀傘属電原パターン４が形成され、また同時に端部金属
電極５が形成される。この場合電極５を端の１禾陽電池
ユニツト１の透明電極２と、各ユニットの上部電極４を
隣接ユニットの透明電極２と電気的に接続することによ
って各太陽電池ユニットが直列接続され、端部電極５と
他端の上部電極４０とが外部出力電極として利用される
。
ところで、このような直列形薄膜太陽電池をモジュール
に組み込む場合他の太陽電池と電気的に接続する必要が
ある。この場合電極５および４０が用いられるが、電極
５は隣接の上部電極４１と近いので、リード付けに対し
て電極５は電極４１と短絡しないように十分な大きさを
持っている必要がある。端部電極５に十分の大きさを持
たせると轟然ガラス基板上に占める太陽電池の有効面積
が減少し、ガラス基板面積当たりの太陽電池出力が減少
してしまう。
に組み込む場合他の太陽電池と電気的に接続する必要が
ある。この場合電極５および４０が用いられるが、電極
５は隣接の上部電極４１と近いので、リード付けに対し
て電極５は電極４１と短絡しないように十分な大きさを
持っている必要がある。端部電極５に十分の大きさを持
たせると轟然ガラス基板上に占める太陽電池の有効面積
が減少し、ガラス基板面積当たりの太陽電池出力が減少
してしまう。
本発明は以上の欠点を除去し、絶縁透明基板の有効面積
を大きくとりかつ電極間の短絡を防ぐ構造をもつ直列接
続形薄膜太陽電池を提供すること管目的とする。
を大きくとりかつ電極間の短絡を防ぐ構造をもつ直列接
続形薄膜太陽電池を提供すること管目的とする。
この目的は、共通の絶縁透明基板上に基板側か七順に透
明電極層、半導体層、金属電極層が積層されてなる太陽
電池ユニットが複数段けられ、一つ１のユニットの金属
電極層の端部と隣接ユニットメ１：■明電極層の端部と
が順次接触するものにおいて（一端のユニットの透明電
極層の端に設けられた端部電極と他端のユニットの金属
電極層の端に設けられる端部電極とを除いて各ユニット
が耐熱性か絶縁層で覆われることによって達成さ１ｌｉ
ｌｈ ｉ＝・以下図を引用して本発明の実施例についソ
禰揃する。以下の各図において第１図を含めて共通の部
分には同一の符号が付されている。第２図は第一の実施
例を示す。このａ −８４太陽電池は、ガラス基板の端
まで残さず利用し、また電極５と隣接の上部電極４１が
短絡しないように電極５と電極４０の一部を除いて耐熱
性絶縁層で各ユニットの電極４を覆うものである。こう
することによって、はんだが電極５からはみ出してもは
んだと電極４１との間の絶縁が保たれるので、電極５と
電極４１の短絡による直列数の減少および電極５の面積
を大きくするために生ずる有効面積の減少から免かれる
。耐熱性絶縁層６は金属電極形成後被覆されるので高温
になるのを避けるため、例えばγラズマＯＶＤ法により
形成される８ｉ０．あるい１←８ｉ３Ｖ４よりなり、電
極５および４１への接続の”トめのろう付は温度に耐え
る。
明電極層、半導体層、金属電極層が積層されてなる太陽
電池ユニットが複数段けられ、一つ１のユニットの金属
電極層の端部と隣接ユニットメ１：■明電極層の端部と
が順次接触するものにおいて（一端のユニットの透明電
極層の端に設けられた端部電極と他端のユニットの金属
電極層の端に設けられる端部電極とを除いて各ユニット
が耐熱性か絶縁層で覆われることによって達成さ１ｌｉ
ｌｈ ｉ＝・以下図を引用して本発明の実施例についソ
禰揃する。以下の各図において第１図を含めて共通の部
分には同一の符号が付されている。第２図は第一の実施
例を示す。このａ −８４太陽電池は、ガラス基板の端
まで残さず利用し、また電極５と隣接の上部電極４１が
短絡しないように電極５と電極４０の一部を除いて耐熱
性絶縁層で各ユニットの電極４を覆うものである。こう
することによって、はんだが電極５からはみ出してもは
んだと電極４１との間の絶縁が保たれるので、電極５と
電極４１の短絡による直列数の減少および電極５の面積
を大きくするために生ずる有効面積の減少から免かれる
。耐熱性絶縁層６は金属電極形成後被覆されるので高温
になるのを避けるため、例えばγラズマＯＶＤ法により
形成される８ｉ０．あるい１←８ｉ３Ｖ４よりなり、電
極５および４１への接続の”トめのろう付は温度に耐え
る。
第３図は第二の実施例を示す。この太陽電池では耐熱性
絶縁層６を形成後金属電極７１．７２を９５ 、 ４０
と電気的に接続した形で形成するものである。この金属
電極７１．−７２は真空蒸着まだはスクリーン印刷によ
って形成される。こうして金属電極７１．７２を設ける
ことにより、リード付けの電極面積を大きく確保するこ
とができる。
絶縁層６を形成後金属電極７１．７２を９５ 、 ４０
と電気的に接続した形で形成するものである。この金属
電極７１．−７２は真空蒸着まだはスクリーン印刷によ
って形成される。こうして金属電極７１．７２を設ける
ことにより、リード付けの電極面積を大きく確保するこ
とができる。
第４図はこのような太陽電池を２並列、３並列に接続し
た太陽電池モジュールである。六つの第３図に示した太
陽電池２１ないし２６を隙間なく並べて、金属箔２７の
下に二つの太陽電池２１．２４の電極７１が、金属箔２
８の下に太陽電池２１゜２４の電極７２および太陽電池
２２．２５の電極７１が、金属箔２９の下に太陽電池２
２．２５の電極７２および太陽電池２３，２６の電極７
１が、そして金属箔３０の下に太陽電池２３．２６の電
極７２が位置するように配置して電気的に接続する。こ
の接続用の帯状金属箔２７ないし３０の幅は互に短絡し
なければいかに広くても構わない。
た太陽電池モジュールである。六つの第３図に示した太
陽電池２１ないし２６を隙間なく並べて、金属箔２７の
下に二つの太陽電池２１．２４の電極７１が、金属箔２
８の下に太陽電池２１゜２４の電極７２および太陽電池
２２．２５の電極７１が、金属箔２９の下に太陽電池２
２．２５の電極７２および太陽電池２３，２６の電極７
１が、そして金属箔３０の下に太陽電池２３．２６の電
極７２が位置するように配置して電気的に接続する。こ
の接続用の帯状金属箔２７ないし３０の幅は互に短絡し
なければいかに広くても構わない。
こうして組立て容易でモジュール効率のすぐれた太陽電
池モジュールを提供することができる。
池モジュールを提供することができる。
第５図は第３図に示す薄膜太陽電池を６直列にした太陽
電池モジュールの例を示す。この場合は第４図の金属箔
２７を中間で分離して二つの金属ｊ車３１．３２に、金
属箔２８を二つの金属箔３３゜２３４に、金属箔２９を
二つの金属箔３５．３６に代えることによってでき上が
る。これにより太陽電池２１，２２，２３，２６，２５
．２４が順に接廟され、箔３１および３２から出力をと
り出すことができる６直列太陽電池モジュールが構成さ
、れ邑。この例でも明らかなように、本発明により有効
面積の全面積に対する比率の高い太陽電池および太陽電
池モジュールを得ることができる。
電池モジュールの例を示す。この場合は第４図の金属箔
２７を中間で分離して二つの金属ｊ車３１．３２に、金
属箔２８を二つの金属箔３３゜２３４に、金属箔２９を
二つの金属箔３５．３６に代えることによってでき上が
る。これにより太陽電池２１，２２，２３，２６，２５
．２４が順に接廟され、箔３１および３２から出力をと
り出すことができる６直列太陽電池モジュールが構成さ
、れ邑。この例でも明らかなように、本発明により有効
面積の全面積に対する比率の高い太陽電池および太陽電
池モジュールを得ることができる。
以上述べたように、本発明は共通絶縁透明基板上に形成
され直列接続された薄膜太陽電池ユニットを外部との接
続のための端部電極を残してその後のろう付に耐える耐
熱性絶縁層で被覆するもので、これにより端部電極と近
接電極との短絡を防ぎ、基板面積当たりの出力が大きく
モジュール構成も容易な薄膜太陽電池として極めて有効
に用いることができる。
され直列接続された薄膜太陽電池ユニットを外部との接
続のための端部電極を残してその後のろう付に耐える耐
熱性絶縁層で被覆するもので、これにより端部電極と近
接電極との短絡を防ぎ、基板面積当たりの出力が大きく
モジュール構成も容易な薄膜太陽電池として極めて有効
に用いることができる。
第１図は従来の直列接続薄膜太陽電池の一例の断面図、
第２図は本発明の一実施例の断面図、第３図は別の実施
例の断面図、第４図は第３図の薄膜太陽電池を用いて２
釜列３直列接続した薄膜太陽電池モジュール、第５図は
同じく６直列接続した薄膜太陽電池モジュールをそれぞ
れ示す平面因襲１ある。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極層、３・・・ａ
−８ｉ、４，４０，４１・・・金属電極層、５・・・端
部金属電極、６・・・耐熱性絶縁層、１０・・・太陽電
池ユニット Ｃベ ７１図 り 第２図 １ 第３図 第４図 ７５図 ４３６
第２図は本発明の一実施例の断面図、第３図は別の実施
例の断面図、第４図は第３図の薄膜太陽電池を用いて２
釜列３直列接続した薄膜太陽電池モジュール、第５図は
同じく６直列接続した薄膜太陽電池モジュールをそれぞ
れ示す平面因襲１ある。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極層、３・・・ａ
−８ｉ、４，４０，４１・・・金属電極層、５・・・端
部金属電極、６・・・耐熱性絶縁層、１０・・・太陽電
池ユニット Ｃベ ７１図 り 第２図 １ 第３図 第４図 ７５図 ４３６
Claims (1)
- １）共通の絶縁透明基板上に基板側から順に透明！４４
層、半導体層、金属電極層が積層されてなるＡ陽電池ユ
ニットが複数段けられ、一つのユニッ」１の金属電極層
の端部と隣接ユニットの透明電極層の端部とが順次接触
するものにおいて、一端の゛メニットの透明電極層の端
に設けられた端部電極、と他端のユニットの金属電極層
の端に設けられた１４部電極とを除いて各ユニットが耐
熱性絶縁層で覆われたことを特徴とする直列接続形薄膜
太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040042A JPS59167072A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | 直列接続形薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040042A JPS59167072A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | 直列接続形薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167072A true JPS59167072A (ja) | 1984-09-20 |
Family
ID=12569850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040042A Pending JPS59167072A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | 直列接続形薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167072A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116465U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | ||
| DE4122845A1 (de) * | 1990-10-17 | 1992-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und herstellungsverfahren dafuer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574170A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Module for solar cell |
| JPS5789267A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Seiko Epson Corp | Thin film solar cell |
| JPS5835989A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質光半導体装置 |
-
1983
- 1983-03-12 JP JP58040042A patent/JPS59167072A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574170A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Module for solar cell |
| JPS5789267A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Seiko Epson Corp | Thin film solar cell |
| JPS5835989A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質光半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116465U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | ||
| DE4122845A1 (de) * | 1990-10-17 | 1992-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitereinrichtung und herstellungsverfahren dafuer |
| US5147468A (en) * | 1990-10-17 | 1992-09-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photovoltaic semiconductor device and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2053661B1 (en) | Solar cell module | |
| WO2018090445A1 (zh) | 一种带有旁路二极管的光伏叠片组件 | |
| JPS62221167A (ja) | 多層型薄膜太陽電池 | |
| JP5927437B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP2022537499A (ja) | バックコンタクト型太陽電池モジュール及び製造方法 | |
| CN111213235B (zh) | 具有四端叠层太阳能电池布置的太阳能电池板 | |
| US20210288198A1 (en) | Thin Film Photo-Voltaic Module | |
| JPS59167072A (ja) | 直列接続形薄膜太陽電池 | |
| JPH0567017U (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPH0660155U (ja) | 集積型太陽電池モジュール | |
| JP2002353478A (ja) | 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール | |
| JPH07297436A (ja) | 薄膜太陽電池サブモジュールおよび薄膜太陽電池モジュール | |
| US20210313479A1 (en) | High Power Density Solar Module and Methods of Fabrication | |
| JP3972233B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPS58196060A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| CN213816166U (zh) | 叠瓦组件 | |
| JP2014075532A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPH06268241A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2001036105A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN210156395U (zh) | 一种大尺寸背接触太阳能电池光伏组件 | |
| JP5447303B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| US4570030A (en) | Solar cell device | |
| US20240170587A1 (en) | Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell | |
| JPS6077471A (ja) | 光発電装置 | |
| CN116471857A (zh) | 一种钙钛矿叠层电池结构及其生产工艺 |