JPS59165419A - 原画位置整合装置 - Google Patents

原画位置整合装置

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JPS59165419A
JPS59165419A JP58039024A JP3902483A JPS59165419A JP S59165419 A JPS59165419 A JP S59165419A JP 58039024 A JP58039024 A JP 58039024A JP 3902483 A JP3902483 A JP 3902483A JP S59165419 A JPS59165419 A JP S59165419A
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JP
Japan
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alignment
magnification
axis
light
magnification coefficient
Prior art date
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Pending
Application number
JP58039024A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsu Inoue
井上 克
Kozo Kurimoto
栗本 宏三
Yoshihiko Suenaga
末永 良彦
Yoshimasa Fukushima
芳雅 福嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58039024A priority Critical patent/JPS59165419A/ja
Publication of JPS59165419A publication Critical patent/JPS59165419A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は原画位置整合方式に係り、特に、投影形露光装
置の原画を基準位置に整合するに好適な原画位置整合装
置に関する。
〔従来技術〕
従来の原画位置整合には光電顕微鏡が使われていたが、
これは振動スリン)f用いるアナログ的な信号処理を行
っていた之め検出範囲すなわち整合可能範囲が狭く、機
械−電気的な調整も厳密さが要求されていた。更に高精
度を得んとすれば高倍率の光学系を必要とし視野が狭ば
まるため、検出範囲も狭ばまった。逆に検出範囲を広く
ぜんとすれば、検出範囲は被検出マーク幅の約2倍と定
まっているから、光学系を低倍率とすると同時に整合マ
ーク自体も大きくする必要があった。しかし光学系を低
倍率とすることは、検出精度の低下を招いた。
従って光電顕微鏡の如きアナログ的位置検出手段を採用
する限り同一整合マークに対する高低2段倍率の検圧手
段は困難で、原画の整合マークが基準となる検出手段の
検出範囲内に入る如く、機械的な枠などを用いて事前整
合を行っていた。
しかるにかかる事前整合は、はとんど手動で行われてい
たため、原画面への異物の落着を増加させると共に、事
前整合が完了した原画は固定枠が存在するため洗浄が行
い難いと云う歩留向上に関し好ましくない欠点を有して
いた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は自動的に高精度な位置整合を行うことの
できる原画位置整合装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、同一整合マークを高低2段の拡大倍率を有す
る光学像拡大検出手段を設け、原画が原画設定位置に挿
入される際原画のガラス縁を参照して、整合マークの位
置がずれ得る最大範囲を充分検出することのできる広検
出範囲の低拡大倍率の光学像拡大検出手段によって粗整
合し、最終的に高倍率検出手段によって微整合すること
により自動的に高精度な位置整合を行おうというもので
ある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図、第2図は本発明に系わる投影型露光装置の原理
を示すもので、光軸1を基準として、原画10.投影光
学系20、レジストの塗布された半導体ウェハ30から
なり、投影型露光装置は原画10の表面にクロム膜で形
成されたパターン16を投影光学系20よりウェハ3o
上のフォトレジスト層表面に等倍又は縮小して投影しし
、シスト層にパターン像を露光させるものである。この
露光したレジストを現像することにより、ウエノ・30
上にレジストのパターン群を形成して、これをマスクと
して半導体ウエノ・自体全1〜3μmの寸法までの微細
加工する。この時原画10は第2図に示す如く、原画中
心19全基準光学系のXY座標のOに整合させる2次元
整合と、原画10の面内でθだけ回転しているのをX軸
と一致させる面内回転整合の3自由度があり、そのいず
れもが所定の精度で光学系の基準と合致せねばならない
原画10とウエノ・30の平行度、即ち光軸1に対する
直交性、光軸1方向の距離は充分な精度で整合され得る
ものとする。第2図の原画10において、有効パターン
範囲15の外部に位置する2個の整合マーク11及び1
2を用いて、前記の3自由度を固定するわけで、例えば
第1のマーク11でXYの座標?合わせ、第2のマーク
12でθの回転を合わせることが可能でめる。この場合
、原画10を回転整合させるための回転中心は、第1の
マークとすると回転整合中にXY座標が移動せず、整合
作業が単純化される。
第3図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、1は光軸、10は原画、セ0は投影光学系
、40はコンデンサレンズ、411は収束光束、45は
平面鏡、50は光源ランプ、60は固定台、61,62
.63は可動台、66.67゜68は駆動モータ、70
は2段倍率検出系、71は整合光源、72.74はレン
ズ、73は光ファイバ、75は対物レンズ、76は平面
鏡、77は半透鏡、78は拡大投影レンズ、80は制御
回路、81は低倍側セ/す、82は低倍側センサ駆動増
幅器、83は高倍側センサ、84は高倍側センサ駆動増
幅器である。
このような装置において、光源50からの光はコンデン
サレンズ40で投影光学系20に収束入射する。一方収
束光束41の途中に置かれた原画10は、同定台60の
上に可動的に積重ねられた、X移動台61.X移動台6
2.θ回転台63によって、保持されている。整合用光
源71の光を光7フイバ73とレンズ72,74で原画
1(1上の整合マーク11.12を照明し、透過光を対
物レンズ75、平面鏡76で水平方向に取出す。対物レ
ンズ75の後に置かれた半透鏡77で2分し、反射光は
低倍率側の画像センサ81に、透過光は拡大投影レンズ
78を介して高倍率側の画像センサ83にそれぞれ結像
する。2個の画像センサは駆動増幅器82.84で駆動
され、信号出力は増幅されて制御回路80に入力する。
制御回路80では、低倍率及び高倍率の拡大画像検出信
号によって、Y軸駆動モータ66、X41]駆動モータ
67、θ回転駆動モータ68を選択的に駆動して、第4
図に示すy軸方向3、x軸方向2、θ方向403個の位
置を制御して、整合マーク11.12が2段倍率光学系
70.70’ の所定位置に来るようにする。
第7図は検出手段の配置例で、尚低側倍率側共に1次元
画像センサ81,83’に用い、高倍率側は基準となる
光学系のx −y座標に対し45°に設置され、低倍率
側はY軸に平行すなわち原画の挿入方向8に対し直角に
設置されている。金弟7図の例を用いて、粗及び微細整
合の方法を以下に説明する。
(1)第1の検出手段70の低拡大倍率側の1次画像セ
ンサ81を、原画の第1の整合マーク11が横切る位置
及び時点を計測する。
(2)  マーク11が低倍率側1次元センサ81を横
切る位置から、挿入方向と直角な(y軸)方向のずれを
、横切る時点から挿入方向(y軸)方向のずれを検出す
る。
(3)y軸及びy軸のずれは、原画の挿入途中で、又は
挿入と装着完了後に原画台61.62の移動によって修
正し、第2の検出手段70′ の高倍率側の45°配#
1次元画像センサ83で検出される範囲内に粗整合する
(4) この時第1の検出手段70の低倍率側センサ8
1に第2の整合マーク12の低倍率拡大像が結像し、セ
ンサ81を横切る位置から、原画100面内回転量が計
測される。
(5)  この回転量を修正する向きに、回転台63を
回転して、第1の検出手段70の高倍率センサに3に検
出し得る所定範囲に回転粗整合を行う。
(6)雨検出手段70.70’  の高倍率センサにて
、高倍率マーク像が所定位置に移動すべく、制御回路8
0により、移動台61〜63を微小駆動して、最終的な
微細整合を完了する。
以上により、粗整合時には広い検出視野會有して、大き
な修正を行って、高倍率側センサの整合可能範囲内に収
め、微細整合時には狭い検出視野ではめるが、i−1高
倍率でマーク位置を検出して、整合範囲及び整合精度を
得ることができ・る。
第8図は第7図の変形例で、低倍率側センサとして2次
元画像センサ91を用いて、静的に整合マーク11の位
置を検出し得るもので、前述の例の如く、1次元画像上
ンサを横切る時点を動的に知る必要がない。
第5図は2段倍率拡大検出手段の光学系を示すもので、
図中、5は原画マーク、6は低倍率像、7は高倍率像、
9は光路である。
第6図は2段倍率拡大検出手段の今一つの光学系実施例
で、半透鏡と、2個の画像センサ金柑いることなく、1
個の画像センサに高低2段の拡大像を投影可能としたも
のである。光路9に拡大光学系79が挿入されていない
時は、対物レンズ75でユリメートされた光線は投影レ
ンズ78で結像するので1低倍率像6を得る。一方光路
9中に拡大光学系79が挿入されると、光学系79がガ
IJ L/オ型望遠鏡を形成して拡大倍率は容易に数〜
十数倍高められる。但し本実施例では、拡大倍率の差異
による明るさの変化を補償する追加手段が必要であり、
且つ高低2段倍率の拡大像を同時に得ることはできない
第9図は第5図の2段倍率検出手段に用いられる半透鏡
77の具体例で、透過側の入出射面を反射防止膜95処
理會行い反射損失及びゴースト防止対策としたもので2
個の直角プリズム96.97の屈折率n、と、光学接着
剤バルサム98の屈折率n2の差による表面反射を用い
たものである。
第5図から判るように半透鏡77の反射側は低倍率で、
透過側は高倍率であるから、例えば高低の倍率差が10
倍とすれば、低倍率側の明るさは100倍となる。従っ
て、画像センサ81,83の駆動周波数を同じとすれば
、光量も同量が望ましい。そのため反射率1チ、透過率
99%の半透鏡が最適であるが、通常の金属や誘電対膜
の蒸着では反射率を10%以下にすることは困難であり
、且つ波長依存性が大きい。
第9図の反射強度IRは2物質の屈折率の差n、−n2
と和n、+n、の比の2乗に比例する。
又、バルサム98に厚みがあると反射像が2重になるの
で、これはできるだけ薄くすることが望ましい。
第10図はプリズムの代りにガラス板99を用いたもの
で、片一方の面には反射防止膜95を付けて、2重像の
防止と、反射率の増大を防いだ例で、通常のガラスで約
4チの反射率となる。
従って、本実施例によれば、数mmの広大な検出範囲を
有し、且つ0.5μm以下の微細量の精密′整合を行う
ことができるので、従来必要であった事前粗整合や、機
械的粗位置決めのための規準枠が不要となった。従って
本実施例によれば従来人手を介して行われていた原画の
露光光学系への整合が、全自動で行われるため、原画面
にゴミ、異物を付着させる機会も少なくなり、半導体製
品の製造歩留りも向上する。
又、本実施例で用いられる2段倍率光学系としては、同
時計測可能の半透鏡型で、明るさを同程度にできるため
、同一画像センサは、駆動増幅器が使用でき、システム
を効率的に構成できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、自動的に高精度
な位置整合ケ行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる投影型露光装置の原理説明図、
第2図は第1図原画の平面図、第3図は本発明の一実施
例で、第4図はそれの平面説明図、第5図は本発明に用
いられる2段倍率光学系の1具体例で、第6図は同じく
変形例である。第7゜8図は高低2段の拡大倍率像の検
出方法を示す図、第9.10図は第5図の光学系に好適
の半透鏡の実施例である。 10・・・原画、20・・・投影光学系、30・・・半
導体ウェハ、40・・・コンデンサレンズ、50・・”
311ンプ、60〜63・・・原画移動台、66〜68
・・・駆動モータ、70・・・検出光学系、75・・・
対物レンズ、77・・・半透鏡、78・・・拡大投影レ
ンズ、80・・・制御回路、81.83・・・1次元画
像センサ、82゜84・・・駆動増幅器、91・・・2
次元画像センサ、第りE

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、原画を基準光学系に対し2次元位置及び面内回転を
    整合させる原画位置整合装置において、原画の所定位置
    に相へだてて2個の整合マークを設けると共に、該マー
    クを広範囲に検出する低倍率と前記マークを狭範囲に検
    出する高倍率との2段の光学像拡大倍率を有する検出手
    段を設けたことを特徴とする原画位置整合装置。
JP58039024A 1983-03-11 1983-03-11 原画位置整合装置 Pending JPS59165419A (ja)

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JP58039024A JPS59165419A (ja) 1983-03-11 1983-03-11 原画位置整合装置

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JP58039024A JPS59165419A (ja) 1983-03-11 1983-03-11 原画位置整合装置

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JPS59165419A true JPS59165419A (ja) 1984-09-18

Family

ID=12541536

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JP58039024A Pending JPS59165419A (ja) 1983-03-11 1983-03-11 原画位置整合装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62216321A (ja) * 1986-03-18 1987-09-22 Fujitsu Ltd レ−ザアニ−ル装置
JP2003092246A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc アライメントマーク及びアライメント装置とその方法、及び露光装置、デバイスの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS503397A (ja) * 1973-05-11 1975-01-14
JPS5356975A (en) * 1976-11-01 1978-05-23 Hitachi Ltd Exposure apparatus
JPS57133428A (en) * 1981-02-12 1982-08-18 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Alignment optical system capable of variable magnification

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS503397A (ja) * 1973-05-11 1975-01-14
JPS5356975A (en) * 1976-11-01 1978-05-23 Hitachi Ltd Exposure apparatus
JPS57133428A (en) * 1981-02-12 1982-08-18 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Alignment optical system capable of variable magnification

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62216321A (ja) * 1986-03-18 1987-09-22 Fujitsu Ltd レ−ザアニ−ル装置
JP2003092246A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Canon Inc アライメントマーク及びアライメント装置とその方法、及び露光装置、デバイスの製造方法

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