JPS59163541A - フラツクス濃度測定方法 - Google Patents
フラツクス濃度測定方法Info
- Publication number
- JPS59163541A JPS59163541A JP3734683A JP3734683A JPS59163541A JP S59163541 A JPS59163541 A JP S59163541A JP 3734683 A JP3734683 A JP 3734683A JP 3734683 A JP3734683 A JP 3734683A JP S59163541 A JPS59163541 A JP S59163541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- washing liquid
- cell
- tank
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半田付は工程後のプリント基板等から、半田
付は工程で付着したフラックスを除去するだめの洗浄に
用いる洗浄装置に関し、特に洗浄液中のフラックス濃度
を測定する方法に関する。
付は工程で付着したフラックスを除去するだめの洗浄に
用いる洗浄装置に関し、特に洗浄液中のフラックス濃度
を測定する方法に関する。
プリント基板の組立工程には一般に半田付は工程が含ま
れるが、この半田付は工程では接続品質を確保するため
にフラックスが使用される。このフラックスはプリント
基板に残留させたママにしておくと、腐食や電気的接触
不良等の問題を引き起こす原因となるため、プリント基
板を洗浄して残留フラックスを洗い流す必要がある。
れるが、この半田付は工程では接続品質を確保するため
にフラックスが使用される。このフラックスはプリント
基板に残留させたママにしておくと、腐食や電気的接触
不良等の問題を引き起こす原因となるため、プリント基
板を洗浄して残留フラックスを洗い流す必要がある。
ところで、一定量の洗浄液中でプリント基板の洗浄を繰
り返すと、プリント基板から除去されたフラックスが洗
浄液中に蓄積するため、洗浄液中のフラックス濃度が徐
々に上昇する。一方、洗浄後のプリント基板の表面には
、洗浄液中のフラックス濃度に相当する量のフラックス
が残留する。
り返すと、プリント基板から除去されたフラックスが洗
浄液中に蓄積するため、洗浄液中のフラックス濃度が徐
々に上昇する。一方、洗浄後のプリント基板の表面には
、洗浄液中のフラックス濃度に相当する量のフラックス
が残留する。
したかつ電、洗浄液中のフラックス濃度レベルヲあるレ
ベル以下に管理しないと、プリント基板から十分にフラ
ックスを除去できず、腐食や接触不良等を十分に防止で
きない。
ベル以下に管理しないと、プリント基板から十分にフラ
ックスを除去できず、腐食や接触不良等を十分に防止で
きない。
第１図は、洗浄液中フラックス濃度と、プリント基板上
のコネクタの接触不良発生率との相関を調べた結果を示
している。この図から明らかなように、十分な洗浄効果
を達成するには、洗浄液中のフラックス濃度を一定の濃
度以下に保たねばならない。
のコネクタの接触不良発生率との相関を調べた結果を示
している。この図から明らかなように、十分な洗浄効果
を達成するには、洗浄液中のフラックス濃度を一定の濃
度以下に保たねばならない。
さて、洗浄液中のフラックス濃度を管理する前提として
、フラックス濃度を知る必要がある。そこで従来は、洗
浄槽から抜き取った洗浄液の汚れ具合を目視にて調べ、
フラックス濃度を推定したり、洗浄液の比重とフラック
ス濃度の相関からフラックス濃度を求めるという方法を
採用している。
、フラックス濃度を知る必要がある。そこで従来は、洗
浄槽から抜き取った洗浄液の汚れ具合を目視にて調べ、
フラックス濃度を推定したり、洗浄液の比重とフラック
ス濃度の相関からフラックス濃度を求めるという方法を
採用している。
しかし、このような方法では、Ｍｉ前記のような１０−
２重量パーセント以下のオーダの濃度を精密に測定する
ことは困難であった。
２重量パーセント以下のオーダの濃度を精密に測定する
ことは困難であった。
本発明の目的は、洗浄装置における洗浄液中のフラック
ス濃度を高精度に測定する方法を提供することにあり、
特に、１台または直列的に接続された複数台の洗浄槽に
、蒸留機を介在させて洗浄液を循環させる構成の洗浄装
置に好適なフラックス濃度測定方法を提供することにあ
る。
ス濃度を高精度に測定する方法を提供することにあり、
特に、１台または直列的に接続された複数台の洗浄槽に
、蒸留機を介在させて洗浄液を循環させる構成の洗浄装
置に好適なフラックス濃度測定方法を提供することにあ
る。
洗浄液中のフラックスは、特定の波長の光に対盲
し固有の吸収特性を する。また、その吸収量はフラッ
クスの量、つまシ濃度に依存する。したがって、特定の
波長の光を洗浄液に入射し、その光の吸収量または透過
量を測定すれば、フラックス濃度を知ることができる。
クスの量、つまシ濃度に依存する。したがって、特定の
波長の光を洗浄液に入射し、その光の吸収量または透過
量を測定すれば、フラックス濃度を知ることができる。
しかしこれは、吸収量または透過量が洗浄液中のフラッ
クス以外の物質によって影響を受けない場合の話であり
、実際の洗浄装置にそのまま適用することはできない。
クス以外の物質によって影響を受けない場合の話であり
、実際の洗浄装置にそのまま適用することはできない。
これについて、以下に説明する。
洗浄装置は一般に、洗浄槽中の汚れた洗浄液を蒸留機に
送り、そこで加熱蒸留してフラックスを除去した後、洗
浄槽に再び送り込む構成であり、洗浄液は繰り返し加熱
冷却される。この加熱の繰シ返しによる洗浄液自体の化
学的分解を防止するため、洗浄液中に分解防止剤が添付
される。例えば代表的な洗浄液であるトリクロルエタン
（クロロセン）の場合、１．４−ジオキサン、ブチレン
オキサイド、ニトロメタン等が分解防止剤として添加さ
れる。これらの物質の中には、代表的なロジン系フラッ
クス中のロジンと光の吸収波長領域が一部重複する。し
かも、分解防止剤の濃度は洗浄液の使用時間、つまり蒸
留再生の熱来歴に応じて変化する。したがって、光の吸
収量または透過量から１０ 重量パーセント程度の微量
なフラックス濃度を測定するには、分解防止剤による光
吸収、および分解防止剤の濃度変化による影響を除去す
ることが不可欠である。
送り、そこで加熱蒸留してフラックスを除去した後、洗
浄槽に再び送り込む構成であり、洗浄液は繰り返し加熱
冷却される。この加熱の繰シ返しによる洗浄液自体の化
学的分解を防止するため、洗浄液中に分解防止剤が添付
される。例えば代表的な洗浄液であるトリクロルエタン
（クロロセン）の場合、１．４−ジオキサン、ブチレン
オキサイド、ニトロメタン等が分解防止剤として添加さ
れる。これらの物質の中には、代表的なロジン系フラッ
クス中のロジンと光の吸収波長領域が一部重複する。し
かも、分解防止剤の濃度は洗浄液の使用時間、つまり蒸
留再生の熱来歴に応じて変化する。したがって、光の吸
収量または透過量から１０ 重量パーセント程度の微量
なフラックス濃度を測定するには、分解防止剤による光
吸収、および分解防止剤の濃度変化による影響を除去す
ることが不可欠である。
本発明はこのような考察に基づいたものであり、１台ま
たは直列的に接続された複数台の洗浄槽に蒸留機を介在
させて洗浄液を循環させる洗浄装置において、蒸留機か
ら送出された直後の洗浄液について、特定波長の光の吸
収量または透過量を測定するとともに、蒸留機から送出
された洗浄液が最初に流入する最前段の洗浄槽内の洗浄
液について同波長光の吸収量または透過量を調べ、上記
２個所の測定結果から最前段洗浄槽内の洗浄液中のフラ
ックス濃度を正確に求めるものである。
たは直列的に接続された複数台の洗浄槽に蒸留機を介在
させて洗浄液を循環させる洗浄装置において、蒸留機か
ら送出された直後の洗浄液について、特定波長の光の吸
収量または透過量を測定するとともに、蒸留機から送出
された洗浄液が最初に流入する最前段の洗浄槽内の洗浄
液について同波長光の吸収量または透過量を調べ、上記
２個所の測定結果から最前段洗浄槽内の洗浄液中のフラ
ックス濃度を正確に求めるものである。
即ち、蒸留機から送出直後の洗浄液と、最前段の洗浄槽
内の洗浄液は、蒸留による熱来歴回数はほぼ等しいため
、両方の洗浄液中の分解防止剤濃度は極めて接近してい
る。換言すれば、分解防止剤による影響は、各測定位置
に対して実質的に均等に及ぶ。したがって、各測定位置
の測定値を減算ないし比較すれば、分解防止剤に影響さ
れることなくフラックス濃度を求めることができる。
内の洗浄液は、蒸留による熱来歴回数はほぼ等しいため
、両方の洗浄液中の分解防止剤濃度は極めて接近してい
る。換言すれば、分解防止剤による影響は、各測定位置
に対して実質的に均等に及ぶ。したがって、各測定位置
の測定値を減算ないし比較すれば、分解防止剤に影響さ
れることなくフラックス濃度を求めることができる。
第２図によって、本発明の一実施例を説明する。
本実施例は２台の洗浄槽２．３を備える洗浄装置の例で
あり、洗浄液７は前段の洗浄槽３がら後段の洗浄槽２に
流れ、さらにポンプ４によって蒸留機５に送られる。こ
の蒸留機５によって蒸留され、フラックスを除去された
洗浄液は再び前段の洗浄槽３に送り込まれる。蒸留機５
は公知の構造のものであり、洗浄液加熱用のヒータ８、
凝縮用の冷却コイル９、凝縮液（蒸留再生後の洗浄液）
を受ける受は皿１０を密閉容器内に備えて成る。
あり、洗浄液７は前段の洗浄槽３がら後段の洗浄槽２に
流れ、さらにポンプ４によって蒸留機５に送られる。こ
の蒸留機５によって蒸留され、フラックスを除去された
洗浄液は再び前段の洗浄槽３に送り込まれる。蒸留機５
は公知の構造のものであり、洗浄液加熱用のヒータ８、
凝縮用の冷却コイル９、凝縮液（蒸留再生後の洗浄液）
を受ける受は皿１０を密閉容器内に備えて成る。
以上が洗浄装置の基本構成である。プリント基板等のフ
ラックスの付着した被洗浄物１を洗浄する場合、被洗浄
物１をまず後段の洗浄槽２にて洗浄して大部分のフラッ
クスを落とした後、その被洗浄物１を前段の洗浄槽３で
仕上げ洗浄する。したがって、洗浄液７中のフラックス
濃度は後段の洗浄槽２の方が高い。最終的に被洗浄物１
に残留するフラックスの量は、前段洗浄槽３内の洗浄液
中のフラックス濃度に依存するから、フラックス濃度の
管理を行うためには同洗浄槽３内のフラックス濃度を測
定する必戟がある。
ラックスの付着した被洗浄物１を洗浄する場合、被洗浄
物１をまず後段の洗浄槽２にて洗浄して大部分のフラッ
クスを落とした後、その被洗浄物１を前段の洗浄槽３で
仕上げ洗浄する。したがって、洗浄液７中のフラックス
濃度は後段の洗浄槽２の方が高い。最終的に被洗浄物１
に残留するフラックスの量は、前段洗浄槽３内の洗浄液
中のフラックス濃度に依存するから、フラックス濃度の
管理を行うためには同洗浄槽３内のフラックス濃度を測
定する必戟がある。
次に、フラックス濃度の測定等について説明する。
蒸留機５と前段洗浄槽３の間の洗浄液流路の途中に、洗
浄孜を一時的にプールするだめの予備クンクロが設けら
れている。この予備タンク６内の洗浄液は小型ポンプ１
２．８によってセルフ１ａに送られ、セルｌｌａを通過
した洗浄液は再び予備タンク６に戻される。また、前段
洗浄槽３内の洗浄液も、小型ポンプ１２ｂによってセル
ｌｌｂを通じ循環させられる。
浄孜を一時的にプールするだめの予備クンクロが設けら
れている。この予備タンク６内の洗浄液は小型ポンプ１
２．８によってセルフ１ａに送られ、セルｌｌａを通過
した洗浄液は再び予備タンク６に戻される。また、前段
洗浄槽３内の洗浄液も、小型ポンプ１２ｂによってセル
ｌｌｂを通じ循環させられる。
セルＩｌａを間に発光器１３ａと光度計１４ａが対向し
て設置され、同様にセルｌｌｂを間に発光器１３ｂと光
度計１４”：’ｈ＝対向配置されている。
て設置され、同様にセルｌｌｂを間に発光器１３ｂと光
度計１４”：’ｈ＝対向配置されている。
発光器１３ａ、１３ｂは一定の強さの特定波長の光をセ
ル１１ａ、ｌｌｂに投射するものであシ、その光の波長
は洗浄液の種類によっても若干異るが、ロジン系フラッ
クスの濃度の測定を意図する場合、２５０ｎｍまたは３
１０ｎｍ（波長）に選ぶことができる。セルｌｌａ、ｌ
ｌｂはこのような波長の光を効率良く透過させる透光性
材料で作る必要があり、例えば石英ガラス製とする。
ル１１ａ、ｌｌｂに投射するものであシ、その光の波長
は洗浄液の種類によっても若干異るが、ロジン系フラッ
クスの濃度の測定を意図する場合、２５０ｎｍまたは３
１０ｎｍ（波長）に選ぶことができる。セルｌｌａ、ｌ
ｌｂはこのような波長の光を効率良く透過させる透光性
材料で作る必要があり、例えば石英ガラス製とする。
光し、その光度に比例（または反比例）した電圧値また
は電流値の電気信号を出力する。つｔｂ、セルｌｌａ、
ｌｌｂ内の洗浄液を透過した光量（または同洗浄液によ
シ吸収された光量）に比例した値の電気信号が得られる
。この電気信号の値、つまり透過光量（−！たは吸収光
量）は、洗浄液中のフラックス濃度のみならず、分解防
止剤の濃度によっても変化することは前述の通シである
。ここで、セルｌｌａ、ｌｌｂ内の洗浄液はほぼ同じ蒸
留再生熱来歴を持つため、そこに含まれる分解防止剤の
濃度はほぼ同一とみなし得るから、光度計１４ａ、１４
ｂの出力信号値の差はセル１１ａ１１１ｂ内の洗浄液中
のフラックス濃度の差に相当すると考えてよい。しかも
、セル１ ］、 ａ内の洗浄液は蒸留直後であってフラ
ックスは実質的に含まないとみなし得るため、光度計１
４ａ、］、 ４ ｂの出力信号値の差はセル１１ｂ内の
洗浄液のフラックス濃度に相当する。したがって、濃度
測定回路１５によって光度計１４ａ、１４ｂの出力信号
値の減算または比較を行うことにより、セル１１ｂ内の
洗浄液、つまシ前段洗浄槽３内の洗浄液中の７シツクス
濃度を高精度で求めることができる。
は電流値の電気信号を出力する。つｔｂ、セルｌｌａ、
ｌｌｂ内の洗浄液を透過した光量（または同洗浄液によ
シ吸収された光量）に比例した値の電気信号が得られる
。この電気信号の値、つまり透過光量（−！たは吸収光
量）は、洗浄液中のフラックス濃度のみならず、分解防
止剤の濃度によっても変化することは前述の通シである
。ここで、セルｌｌａ、ｌｌｂ内の洗浄液はほぼ同じ蒸
留再生熱来歴を持つため、そこに含まれる分解防止剤の
濃度はほぼ同一とみなし得るから、光度計１４ａ、１４
ｂの出力信号値の差はセル１１ａ１１１ｂ内の洗浄液中
のフラックス濃度の差に相当すると考えてよい。しかも
、セル１ ］、 ａ内の洗浄液は蒸留直後であってフラ
ックスは実質的に含まないとみなし得るため、光度計１
４ａ、］、 ４ ｂの出力信号値の差はセル１１ｂ内の
洗浄液のフラックス濃度に相当する。したがって、濃度
測定回路１５によって光度計１４ａ、１４ｂの出力信号
値の減算または比較を行うことにより、セル１１ｂ内の
洗浄液、つまシ前段洗浄槽３内の洗浄液中の７シツクス
濃度を高精度で求めることができる。
このようにして求められたフラックス濃度は電気信号と
してコントローラ１６に入力される。コントローラ１６
は、測定されたフラックス濃度が上限（例えば１０重量
パーセント）を越えることのないように、ポンプ４およ
び蒸留機５の動作を制御して洗浄液の再生循環速度を調
整し、前段洗浄槽３内の洗浄液のフラックス濃度を上限
以下に管理する。このように、本実施例はフラックス濃
度を自動的に連続モニタリングする。
してコントローラ１６に入力される。コントローラ１６
は、測定されたフラックス濃度が上限（例えば１０重量
パーセント）を越えることのないように、ポンプ４およ
び蒸留機５の動作を制御して洗浄液の再生循環速度を調
整し、前段洗浄槽３内の洗浄液のフラックス濃度を上限
以下に管理する。このように、本実施例はフラックス濃
度を自動的に連続モニタリングする。
なお、本実施例では２台の洗浄槽を直列的に接続してい
るが、３台以上の洗浄槽を直列的に接続した洗浄装置で
は、その最前段の洗浄槽内の洗浄液中７ラツクス濃度を
同様に測定すれはよい。また洗浄槽が１台のみの場合は
、その洗浄槽におけるフラックス濃度を同様にして測定
する。
るが、３台以上の洗浄槽を直列的に接続した洗浄装置で
は、その最前段の洗浄槽内の洗浄液中７ラツクス濃度を
同様に測定すれはよい。また洗浄槽が１台のみの場合は
、その洗浄槽におけるフラックス濃度を同様にして測定
する。
以上に詳述したように、本発明によれば洗浄液中の微量
のフラックス濃度を高精度に測定することができる。
のフラックス濃度を高精度に測定することができる。
第１図は洗浄液中のフラックス濃度と接触不良発生率と
の相関を示す図、第２図は本発明の一実施例である洗浄
装置の構成図である。 ２．３・・・洗浄槽、４・・ポンプ、５・・・蒸留機、
６・・・補助タンク、Ｉｌａ、１］、ｂ・・・セル、１
２ａ１１２ｂ・・・小型ポンプ、１３ａ、１３ｂ・・・
発光器、１−４ａ、１４ｂ・・・光度計、１５・・・濃
度測定回路、１６・・・コントローラ。 第２図 ■Ｕ脳
の相関を示す図、第２図は本発明の一実施例である洗浄
装置の構成図である。 ２．３・・・洗浄槽、４・・ポンプ、５・・・蒸留機、
６・・・補助タンク、Ｉｌａ、１］、ｂ・・・セル、１
２ａ１１２ｂ・・・小型ポンプ、１３ａ、１３ｂ・・・
発光器、１−４ａ、１４ｂ・・・光度計、１５・・・濃
度測定回路、１６・・・コントローラ。 第２図 ■Ｕ脳
Claims (1)
- １台または直列的に接続した複数台の洗浄槽に蒸留機を
介在させて洗浄液を循環させる構成の洗浄装置において
、蒸留機から送シ出された洗浄液が最初に流入する最前
段の洗浄槽内の洗浄液について特定波長光の吸収量また
は透過量を測定するとともに、該蒸留機から送シ出され
て該最前段洗浄槽に流入する前の洗浄液について該特定
波長光の吸収量または透過量を測定し、これら２つの測
定の測定値から該最前段洗浄槽内の洗浄液中のフラック
ス濃度を求めることを特徴とするフラックス濃度測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3734683A JPS59163541A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | フラツクス濃度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3734683A JPS59163541A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | フラツクス濃度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163541A true JPS59163541A (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0452405B2 JPH0452405B2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=12495014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3734683A Granted JPS59163541A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | フラツクス濃度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453484U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-07 | ||
| WO1996029598A1 (fr) * | 1995-03-17 | 1996-09-26 | Hitachi, Ltd. | Systeme de gestion des eaux usees |
| JP2011032561A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Act Five Kk | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228917A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Hitachi Condenser Co Ltd | ケース入りコンデンサ |
-
1983
- 1983-03-09 JP JP3734683A patent/JPS59163541A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228917A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Hitachi Condenser Co Ltd | ケース入りコンデンサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453484U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-07 | ||
| WO1996029598A1 (fr) * | 1995-03-17 | 1996-09-26 | Hitachi, Ltd. | Systeme de gestion des eaux usees |
| JP2011032561A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Act Five Kk | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452405B2 (ja) | 1992-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5922606A (en) | Fluorometric method for increasing the efficiency of the rinsing and water recovery process in the manufacture of semiconductor chips | |
| WO2019202962A1 (ja) | 薬液の異常検出装置、液処理装置、基板処理装置、薬液の異常検出方法、液処理方法及び基板処理方法 | |
| JPH01501324A (ja) | 無電解めっき浴の制御方法 | |
| JPS59163541A (ja) | フラツクス濃度測定方法 | |
| EP1014191B1 (en) | Method of determining processing state of photosensitive material and method of correcting this state | |
| SK2212001A3 (en) | Automatic regulation and control of cleansing baths | |
| JPH0228917B2 (ja) | Senjosochi | |
| EP0510051B1 (en) | Automatic processing devices for processing photographic materials | |
| JP3055082B2 (ja) | 濃度管理方法および装置 | |
| JPH0545280A (ja) | 非ハロゲン系のロジン系ハンダフラツクス洗浄剤の液管理法 | |
| US5185623A (en) | Apparatus for treating a photosensitive material and method of adding water for use in the same | |
| JPH0961349A (ja) | 洗浄剤中の汚れ量測定方法及び装置 | |
| JP2008191159A (ja) | 比重及び成分濃度が変動する系の成分濃度分析方法、成分濃度分析装置及び成分濃度管理装置 | |
| US4370558A (en) | Film blackening area measuring equipment | |
| JP2003004726A (ja) | メッキ液の硫酸濃度測定方法 | |
| JPH11142332A (ja) | 濃度測定方法およびこれを用いた基板処理装置 | |
| JP2005191030A (ja) | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 | |
| JPH08171194A (ja) | 写真材料の処理方法、写真処理機及び処理液カートリッジ | |
| JPH0545838A (ja) | 感光材料処理装置における管理方法 | |
| Larson et al. | Application of two analytical test methods to predict processed image stability | |
| JP2648927B2 (ja) | 自動現像機の処理液補充方法 | |
| JP2879797B2 (ja) | ハロゲン化銀感光材料の水洗方法 | |
| KR19980026054A (ko) | 웨트 스테이션 | |
| JPH08171193A (ja) | 写真材料の処理方法、写真処理機及び処理液カートリッジ | |
| JP3129896B2 (ja) | 感光性平版印刷版処理装置 |