JPS59162298A - 金属ストリツプの高電流密度めつき方法 - Google Patents

金属ストリツプの高電流密度めつき方法

Info

Publication number
JPS59162298A
JPS59162298A JP3709483A JP3709483A JPS59162298A JP S59162298 A JPS59162298 A JP S59162298A JP 3709483 A JP3709483 A JP 3709483A JP 3709483 A JP3709483 A JP 3709483A JP S59162298 A JPS59162298 A JP S59162298A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrolyte
strip
plating
current density
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3709483A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Harada
俊一 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP3709483A priority Critical patent/JPS59162298A/ja
Publication of JPS59162298A publication Critical patent/JPS59162298A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属ストリップの高電流密度めっき方法に係り
、特に冷延鋼帯の高電流密度めっき方法に関する。
走行する金属ストリップの従来の電気めっき方法を冷延
鋼帯の場合について説明する。
冷延鋼帯の電気めっきの従来方法としては、第1図(イ
)、(B)、(C)、(IJ)に示される如く銅帯を直
線状に走行せしめてめっきする水平パス法と、第2図に
示すような通電ロールに走行鋼帯を巻き付けてめっきす
るラジアルセル法とがある。水平パス法は上下に対向し
て設けられた不溶性電極20間に鋼帯4を走行せしめ、
走行鋼帯4を陰極に帯電させ、不溶性電極を陽極に帯電
せしめて両者間に電解液6を供給してめっきする方法で
ある。供給する電解液6の噴射方法にも種々の方法があ
シ、第1図囚は、不溶性電極2の一端に設けた電解液用
ヘッダー8から走行鋼帯4の上下に走行方向に対向して
噴射する方法を示し、第1図(ハ)は不溶性電極2の中
央部に上下に銅帯40走行方向と直角に設けた電解液用
ヘッダー8から鋼帯4に垂直に上下から電解液6を供給
し、供給した電解液6は左右に分岐して排出されるよう
にしてめっきする方法を示し、第1図0は不溶性電極2
の上下に設けられた電解液用ヘッダー8から不溶性電極
2間のスリット状ノズル10を通じて電解液6を供給し
、中央部に静圧の高い液体パッドを形成させ銅帯パスを
安定させながらめっきする方法を示し、第1図0は不溶
性電極2が鋼帯4の幅方向にまたは長さ方向に多数個に
細分され、上下に設けられた電解液用ヘッダー8から細
分された不溶性電極2間のスリットノズル10を通じて
電解液6が供給され左右または前接に分かれて排出され
るようにしてめっきする方法を示している。
更に第2図に示すラジアルセル法は、通電ロール9に巻
付けた走行鋼帯4の通電ロール9と接触する半円状の下
部外側に対面する不溶性電極2を設け、更にその外側に
設けた電解液用ヘッダー8から不溶性電極2内に峻けら
れ複数個のスリットノズル10を通じて電解液6を噴流
として銅帯40走行方向に対向して供給して、鋼帯4の
表面近傍の″rIL解液拡散液拡散層中き金属濃度の低
下を防止して高電流密度のめっきを行なう方法として提
案されたものである。
しかし、これらの従来法では、走行する銅帯40表面近
傍(=めっき金属イオンを十分に供給することができす
、また第1図0および第2図に示す従来法のDo <電
解0.6の噴射口1oを多く設けたものも用済みの電解
液の排出がとくには考慮されておらず、噴射口近傍を除
いては電解液流が鋼帯4に平行な順向流もしくは対市流
であシ、不溶性、電極2の表面で発生ずる酸素カスは電
解液6中に蓄積されながら流れるため、電解液6の見掛
は電気抵抗が電解液6の排出口に近いほど高く、ガスと
めつき面との接触によるめっき外観不良を生ずる欠点が
ある。
かくの如く、上記従来法では走行銅帯40表面近傍に十
分のめつき金属イオンを供給できないので高電流=Wめ
つきと称しても、その上限は高々20OA’/d−程度
であった。しかし鋼帯4に供給する電解液6の供給方法
の改善によって更に高電流密度が得られる可能性があシ
、このことは第3図に示すような鋼帯4の被めっき面を
2個の走行ロール13間(二設けられた直接摩擦用のベ
ルト14で機械的に拡散層を取除く方法でめっきするこ
とで得られる許容電流密度が750A/d−であること
が判明した実験結果に徴しても明らかである。しかし第
3図にて示す方法は摩擦ベルト14の損耗問題が゛あし
、また不溶性電極を用いるときは発生する酸素ガスが逃
げ難いという欠点があって不溶性陽極電極には適さない
ので連続量産の方法としては採用できない。
本発明の目的は、銅帯の如き金属ストリップの電気めっ
き方法における上記従来技術の欠点を解消し、従来よシ
も更に高い高電流密度にてめっきすることができるめっ
き方法を提供する;二ある。
本発明の要旨とするところは次の如くである。
すなわち、走行する金属ストリップを陰極に帯電せしめ
、前記金属ス) IJツブに対向して走行方向に直角に
設けられた複数個の板状もしくは棒状の不溶性電極を陽
極に帯電せしめ、前記不溶性電極間に配設された複数個
のスリットノズルよシミ散液を供給して前記金属ストリ
ップ上にめっき金属を析出させる金属ストリップのめつ
き方法(=おいて、MfJ 記スリットノズルよシ前記
金属ストリッフに向って直接電解液を噴射し、かつ前記
不溶性電極および対向する金属ストリップがいずれも完
全に前記電解液中に浸漬されるように該電解液を供給し
て高を流密度でめっきすることを特徴とする金属スl−
IJツブの高電流密度めっき方法である。
本発明の詳細ならびに実施例を第4〜8図を参照シてラ
ジアルセル方式による冷延鋼帯の電気めっきの場合につ
いて説明する。第4図は本発明(=よる電気めっき方法
によって、めっき中の走行する冷延鋼帯4はターンロー
ル5Aに案内され、めっきのために電極をとシつけたロ
ール9t=よって方向転換され、更にターンロール5B
に案内される。この際走行鋼帯4は図1=示されていな
い通電ロールによるかもしくはロール9を通電ロールと
するこしによって陰極(二帯電され、ロール9の銅帯巻
付は部分に銅帯40走行方向と直角シ二設けられた複数
個の板状もしくは棒状の不溶性電極12が陽極に帯電さ
れ、この電極群の外側1=設けられた電解液用ヘッダー
8から電極間に取付けられたスリットノズル16よシミ
散液6を電極群と銅帯が形成する空間を電解液で満たす
ように供給しつづけ、電極群12に対面して走行する鋼
帯4上にめっき金属を析出させる方法をとっている。通
電される直流電流は電極群の一端のブスバー18から櫛
状に取付けられた各電/r!j、12に供給されるので
、各電極12間の間隙に設けられたスリットノズル16
は当然ながら非゛亀導体である。
上記はラジアルセル方式による電気めっき装置およびめ
っき方法の概要であるが、本発明による層、  ii’
flLH,工ゎ93カよ。。1.ヶ。2ヨゆヶ□有する
ことである。
(イ)本発明においては各電極間の間隙に設けられたス
リットノズル16のスリッター噴射口20は、走行鋼帯
4の表面に垂直もしくは銅帯40走行方向に対向してや
や傾斜して開口してお9.5414帝表面に向って直接
電解液6を噴射すること。
(ロ)不溶性電極12および鋼帯4は、いずれも完全に
電解液6中に浸漬されるように電解液6を供給すること
すなわち、(イ)の要件によって銅帯44表面近傍のめ
つき金属イオン濃度の低くなった拡散層は電解液6の直
接噴射によって薄くすることができ、頻繁に金属イオン
濃度の大なる電解液6を供給することができるので電流
密度の許容上限を飛躍的に向上させることができる。換
言すれば(イ)の方法は第3図に示した摩擦用ベルト1
4に代る電解液6の噴流による液体ブラシ摩擦めっき法
とも言うべき方法である。この場合の電解液6の噴射流
は第6図にて矢印で示す如く直接鋼帯4に衝突した後は
、直ちに最寄りの電極12間の間隙から放出される。従
って第7図に示す如く陽極に帯電している不溶性電極1
20表面よ多発生する酸素ガス22は、この電解液6の
噴射流に伴なわれて速やかに電解反応系外に除去される
次に(+:0の要件については、第8図に示す如く電極
群12の下部に設けられた電解液用ヘッダー8の側方の
電解液供給配管24よシ分岐したヘッダ一連結管26に
平行して側壁板28を設け、更に電極群12と走行鋼帯
4との間隙にサイトシールド30を設は大容量ポンプに
よって電解液6を供給することにより容易に達成するこ
とができる。
上記(イ)、(ロ)の必須要件のほかに本発明の効果を
よシ大ならしめるために直流電流を供給するブスバー1
8は、第5図では片方のみを設けた場合を示したが、電
極群120両側に設けることが望ましい。これは電流密
度の幅方向の分布を均一にでき高電流密度の効果を一層
大ならしめるからである。この両側にブスバー18を設
ける代りに各電極群毎に片側ブスバーを交互に両側に配
設することも可能である。
上記本発明の説明を走行鋼帯4を通電ロール9に巻付け
たラジアルセル方式の場合について行ったが、本発明は
ラジアルセル方式のみならず第1図に示した如き直線走
行型の場合にも適用可能である。しかし鋼帯4のパスの
安定性と、電解液用ヘッダー8を備えたスリットノズル
16を用いて密度の高い噴射口20の配列を得るには第
4〜5図に示す如き円筒型配列の方が有利であり、よシ
均質なめっきが得られる。
実施例1 第4〜5図に示す如き円筒型配列の電極セットを用い硫
酸塩浴で亜鉛めっきする場合の実施例について説明する
。通板鋼帯は厚さ0.6 tan X幅300tram
 (7) 冷延鋼帯を3 Q m / minのライン
スピードで走行させた。この場合の通電ロール9は直径
1000籠φ、面長500℃にてロール面中央部に20
0叫φの通電リングを有し、両端はゴムで絶縁されたも
のであシ、この通電ロール9の下方に不溶性電極12を
第4図に示す如く配設した。不溶性電極12を形成する
板状電極12Aは長さ500+s+×厚さ20 wn 
X幅60amの銅板に1霧厚のチタン板を貼シ電解面に
は更に白金箔を貼ったものを用いた。不溶性電極12と
スリットノズル16の先端は、第6図に示す如く同一平
面をなすようにし、2!j:7ト/、<160幅を47
・走行鋼帯4の巻付は部の長さ750瓢に対し15個の
スリットノズル16を並べ、電極12の上面と鋼帯4と
の距離、すなわち極間距離を10■とじ、本発明による
高電流密度にて電解した。
電解液6には硫酸亜鉛400 f/lに硫酸アルミニウ
ム40f/l、硫酸ソーダ4oy/lを含む通常のめつ
き溶液を使用したが、電解液のボン、プ流量を0.5 
i / minと多くして第6図に示す如く各電極12
間のスリットノズル16の噴射口2゜を走行鋼板4の向
って直接噴射し、かつ対面する走行鋼帯4と不溶性電極
12がほぼ電解液6にて完全に浸漬されていることが電
気抵抗の測定にょシ確認された。かくの如く、本発明に
よる2つの要件を満足する条件でめっきを行ったときの
電流、密度の差によるめっき仕上シ状況は第1表に示す
とおシであった。
第1表に示すように300A/d−まではめっきやけを
発生することなく良好な仕上シを示し、従来法による場
合は精々200 A / dn?であった電流密度の許
容上限を約り0%上廻る高電流密度で操業することがで
きた。
実施例2 第1表 実施例1と同一装置を用し、第4図に示す配置を上下反
対として走行鋼帯4を通電ロール9の上面へ巻付は鋼帯
4の上面へ実施例1と同様の電極セット120間に設け
たスリットノズル16から下方に向けて電解液6を噴射
する形で実施例1と同様にしてめっきした。この場合、
電極部分が電解液6に浸漬するには上方から下方への供
給であるため供給速度は0.3 FF? / minで
十分であったが、実施例1の第1表にて表される如き電
流密度とめつき仕上シ状況の関係を得るためには、実施
例のポンプ流量と同一の0.5 m’ / minを要
した。
上記実施例より明らかな如く、本発明は通電ロールによ
って陰極に帯電された走行鋼帯にほぼ直:    角に
配置され、かつ銅帯の全幅をカバーする多数のスリット
ノズルから銅帯表面に向って直接電解液を噴射し、同時
に陽極に帯電する不溶性電極セットおよび対向する走行
鋼帯が完全に電解液によって浸漬されるように十分の電
解液を供給することによって電流密度の許容上限を従来
法の50チ増の約300A/d−に向上することができ
著しく生産性を向上する効果をあげることができた。
上記本発明の説明は、もっばら銅帯について述べたが、
本発明による技術思想は単に銅帯のみならず他の金属ス
トリップのすべてのめつきに適用できることは明らかで
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図囚、(B)、lC’l、(DJは水平パス法によ
る電解液供給の従来法の態様を示す模式断面図、第2図
はラジアルセル法における電解液供給の従来法を示す模
式断面図、第3図は最大電流密度を得ることができる被
めっき面の直接摩擦法の実験を示す模式断面図、第4〜
8図は本発明法を示し、第4図は本発明法によるラジア
ルセル方式における銅帯の巻付は部分の電解液供給方法
を示す模式断面図、第5図は銅帯に対面する電極セット
及び電解液噴射用スリットノズル群を示す斜視図、第6
図は電解液の噴射および放出状況を示す拡大断面図、第
7図は不溶性電極にて発生する酸素ガスの放出を示す第
6図の拡大部分断面図、第8図は通電ロールおよび銅帯
を完全に浸漬させるために設けた側壁板およびサイトシ
ールドを示す模式正面断面図である。 4・・・走行銅帯、s (5A、5B)・・・ターンロ
ール6・・・電解液、 8・・・電解液用へラダー9・
・・通電ロール、2,12・・・不溶性電極16・・・
スリットノズル、18・・・ブスバー20・・・電解液
噴射口、 22・・・酸素ガス代理人 弁理士  中 
路 武 雄。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)走行する金属ストリップを陰極に帯電せしめ、前
    記金属ストリップに対向して走行方向に直角に設けられ
    た複数個の板状もしくは棒状の不溶性電極を陽極に帯電
    せしめ、前記不溶性電極間に配設された複数個のスリッ
    トノズルよシミ解液を供給して前記金属ストリップ上に
    めっき金属を析出させる金属ストリップのめつき方法に
    おいて、前記スリットノズルよシ前記金属ストリップに
    向って直接電解液を噴射し、かつ前記不溶性電極および
    対向する金属ストリップがいずれも完全に前記電解液中
    に浸漬されるように該電解液を供給して高電流密度でめ
    っきすることを特徴とする金属ストリップの高電流密度
    めっき方法。
JP3709483A 1983-03-07 1983-03-07 金属ストリツプの高電流密度めつき方法 Pending JPS59162298A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3709483A JPS59162298A (ja) 1983-03-07 1983-03-07 金属ストリツプの高電流密度めつき方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3709483A JPS59162298A (ja) 1983-03-07 1983-03-07 金属ストリツプの高電流密度めつき方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59162298A true JPS59162298A (ja) 1984-09-13

Family

ID=12487980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3709483A Pending JPS59162298A (ja) 1983-03-07 1983-03-07 金属ストリツプの高電流密度めつき方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59162298A (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT392090B (de) * 1985-08-12 1991-01-25 Sviluppo Materiali Spa Vorrichtung zum elektroplattieren
US6773571B1 (en) 2001-06-28 2004-08-10 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for uniform electroplating of thin metal seeded wafers using multiple segmented virtual anode sources
US6890416B1 (en) 2000-05-10 2005-05-10 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating method and apparatus
US6919010B1 (en) 2001-06-28 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform electroplating of thin metal seeded wafers using rotationally asymmetric variable anode correction
US7622024B1 (en) 2000-05-10 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. High resistance ionic current source
US7682498B1 (en) 2001-06-28 2010-03-23 Novellus Systems, Inc. Rotationally asymmetric variable electrode correction
US7799684B1 (en) 2007-03-05 2010-09-21 Novellus Systems, Inc. Two step process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
KR100990719B1 (ko) * 2003-07-31 2010-10-29 주식회사 포스코 전기도금 셀 내의 전해액 순환장치
US7964506B1 (en) 2008-03-06 2011-06-21 Novellus Systems, Inc. Two step copper electroplating process with anneal for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US8262871B1 (en) 2008-12-19 2012-09-11 Novellus Systems, Inc. Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers
US8513124B1 (en) 2008-03-06 2013-08-20 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on semi-noble metal coated wafers
US8575028B2 (en) 2011-04-15 2013-11-05 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for filling interconnect structures
US8703615B1 (en) 2008-03-06 2014-04-22 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
JP2016125122A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 Jfeスチール株式会社 電気めっき装置
US9624592B2 (en) 2010-07-02 2017-04-18 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US9670588B2 (en) 2013-05-01 2017-06-06 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US9677190B2 (en) 2013-11-01 2017-06-13 Lam Research Corporation Membrane design for reducing defects in electroplating systems
JP2017106084A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 Jfeスチール株式会社 電気めっきストリップの製造方法
US9816194B2 (en) 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating
US9834852B2 (en) 2012-12-12 2017-12-05 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US9899230B2 (en) 2013-05-29 2018-02-20 Novellus Systems, Inc. Apparatus for advanced packaging applications
US10014170B2 (en) 2015-05-14 2018-07-03 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US10094034B2 (en) 2015-08-28 2018-10-09 Lam Research Corporation Edge flow element for electroplating apparatus
US10233556B2 (en) 2010-07-02 2019-03-19 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating
US10364505B2 (en) 2016-05-24 2019-07-30 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
US10781527B2 (en) 2017-09-18 2020-09-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating
US11001934B2 (en) 2017-08-21 2021-05-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT392090B (de) * 1985-08-12 1991-01-25 Sviluppo Materiali Spa Vorrichtung zum elektroplattieren
US6890416B1 (en) 2000-05-10 2005-05-10 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating method and apparatus
US7622024B1 (en) 2000-05-10 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. High resistance ionic current source
US7967969B2 (en) 2000-05-10 2011-06-28 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating using a high resistance ionic current source
US6773571B1 (en) 2001-06-28 2004-08-10 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for uniform electroplating of thin metal seeded wafers using multiple segmented virtual anode sources
US6919010B1 (en) 2001-06-28 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform electroplating of thin metal seeded wafers using rotationally asymmetric variable anode correction
US7682498B1 (en) 2001-06-28 2010-03-23 Novellus Systems, Inc. Rotationally asymmetric variable electrode correction
KR100990719B1 (ko) * 2003-07-31 2010-10-29 주식회사 포스코 전기도금 셀 내의 전해액 순환장치
US7799684B1 (en) 2007-03-05 2010-09-21 Novellus Systems, Inc. Two step process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US8703615B1 (en) 2008-03-06 2014-04-22 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US7964506B1 (en) 2008-03-06 2011-06-21 Novellus Systems, Inc. Two step copper electroplating process with anneal for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US8513124B1 (en) 2008-03-06 2013-08-20 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on semi-noble metal coated wafers
US8262871B1 (en) 2008-12-19 2012-09-11 Novellus Systems, Inc. Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers
US9624592B2 (en) 2010-07-02 2017-04-18 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US10233556B2 (en) 2010-07-02 2019-03-19 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating
US10190230B2 (en) 2010-07-02 2019-01-29 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US8575028B2 (en) 2011-04-15 2013-11-05 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for filling interconnect structures
US10006144B2 (en) 2011-04-15 2018-06-26 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for filling interconnect structures
US10662545B2 (en) 2012-12-12 2020-05-26 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US9834852B2 (en) 2012-12-12 2017-12-05 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US9670588B2 (en) 2013-05-01 2017-06-06 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US10301739B2 (en) 2013-05-01 2019-05-28 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US9899230B2 (en) 2013-05-29 2018-02-20 Novellus Systems, Inc. Apparatus for advanced packaging applications
US9677190B2 (en) 2013-11-01 2017-06-13 Lam Research Corporation Membrane design for reducing defects in electroplating systems
JP2016125122A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 Jfeスチール株式会社 電気めっき装置
US9816194B2 (en) 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating
US10014170B2 (en) 2015-05-14 2018-07-03 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US10923340B2 (en) 2015-05-14 2021-02-16 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US10094034B2 (en) 2015-08-28 2018-10-09 Lam Research Corporation Edge flow element for electroplating apparatus
JP2017106084A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 Jfeスチール株式会社 電気めっきストリップの製造方法
US10364505B2 (en) 2016-05-24 2019-07-30 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
US11047059B2 (en) 2016-05-24 2021-06-29 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
US11001934B2 (en) 2017-08-21 2021-05-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating
US10781527B2 (en) 2017-09-18 2020-09-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59162298A (ja) 金属ストリツプの高電流密度めつき方法
US6238529B1 (en) Device for electrolytic treatment of printed circuit boards and conductive films
USRE30005E (en) Method for the electrolytic recovery of metal employing improved electrolyte convection
EP0306782A1 (en) Preparation of Zn-Ni alloy plated steel strip
JP4521146B2 (ja) 電気絶縁の箔材料の表面上で電気的に互いに絶縁された導電性構造を電解処理するための方法及び装置並びに上記方法の使用法
KR100729973B1 (ko) 상호 절연된 시트 및 포일 재료 피스의 도전성 표면을 전해 처리하는 방법 및 장치
JPS6125800B2 (ja)
US3928152A (en) Method for the electrolytic recovery of metal employing improved electrolyte convection
JPH0148360B2 (ja)
JPS6348956B2 (ja)
JP2801710B2 (ja) 水平型電気めっき装置
JP3426394B2 (ja) ストリップの電気メッキ装置
JPS5915997B2 (ja) ストリツプの近接電解装置
JPS59116398A (ja) 横型電気めつき法
JPS63517B2 (ja)
JPS58136796A (ja) ストリツプの水平型流体支持電解槽
JP2801841B2 (ja) 金属ストリップの通電処理槽用電極装置
RU2022717C1 (ru) Способ получения медного порошка электролизом из сульфатных растворов и устройством для его осуществления
CA1216822A (en) Electrotreating cell
JPH01168890A (ja) 電気めつき装置
JPH036394A (ja) 水平めっき槽
JPS6017098A (ja) 帯鋼の電解処理方法
JPH0673595A (ja) 連続電気めっき装置
JPS60138099A (ja) 帯鋼の電解処理装置
JPS60238499A (ja) 電気めつき装置