JPS59161665U - 半導体レ−ザ複合素子 - Google Patents

半導体レ−ザ複合素子

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JPS59161665U
JPS59161665U JP5536583U JP5536583U JPS59161665U JP S59161665 U JPS59161665 U JP S59161665U JP 5536583 U JP5536583 U JP 5536583U JP 5536583 U JP5536583 U JP 5536583U JP S59161665 U JPS59161665 U JP S59161665U
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JP
Japan
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semiconductor laser
composite device
laser composite
transistor
series
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Pending
Application number
JP5536583U
Other languages
English (en)
Inventor
徹也 高橋
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Filing date
Publication date
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Priority to JP5536583U priority Critical patent/JPS59161665U/ja
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の複合素子の機能図、第２図
、は同じく複合素子の構造図、第３図は同じく複合素子
の効果を示す線図である。 Ａ：陽極、Ｂ：′ベース、Ｅ：エミッタ、１：Ｌ／−ザ
発振器、２：トランジスタ部、３：保護ダイオード部、
９　：Ｚｎ選択拡散層（ストライプ）、１ｏ：Ｔｅ選択
拡散層、１３：陽極電極、１４：エミッタ電極、１５：
ベース電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体レーザと、該半導体レーザと直列接続されるトラ
    ンジスタと、上記半導体レーザとトランジスタの直列接
    続回路と逆並列されるダイオードとを、モノリップに形
    成したことを特徴とする半導体レーザ複合素子。
JP5536583U 1983-04-15 1983-04-15 半導体レ−ザ複合素子 Pending JPS59161665U (ja)

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JP5536583U JPS59161665U (ja) 1983-04-15 1983-04-15 半導体レ−ザ複合素子

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JP5536583U JPS59161665U (ja) 1983-04-15 1983-04-15 半導体レ−ザ複合素子

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JPS59161665U true JPS59161665U (ja) 1984-10-29

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JP5536583U Pending JPS59161665U (ja) 1983-04-15 1983-04-15 半導体レ−ザ複合素子

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