JPS59161041A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- jig
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- bonding jig
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に係)、特にワイヤーボ
ンディングの方法に関する。
ンディングの方法に関する。
半導体集積回路の製造分野においても最近では人手不足
と人件費の高騰等から各製造工程の機械化が進んでおシ
、半導体チップの電極とリードを結線する装置、いわゆ
るワイヤーボンダーも最近特に自動化が進んだものの一
つである。
と人件費の高騰等から各製造工程の機械化が進んでおシ
、半導体チップの電極とリードを結線する装置、いわゆ
るワイヤーボンダーも最近特に自動化が進んだものの一
つである。
しかしながら、大抵の場合これらの自動ボンダーにおけ
るボンディングキャビラリイを保持しているボンディン
グアームの上下運動はカム機構によるだめ、ある一定の
運動しかできないのが普通である。従って、チップの品
種が変わって、チップ高さが変わったシ、電極とリード
間距離等が変わると上記自動ボンディング作業によるワ
イヤーの配線状態(以下ワイヤのループと称す)は常に
一定にならずある場所では理想的なループを示しでもあ
る場所ではリードフレームアイランド部に接触したシ、
チップ自身の端部に短絡したシして不良になる場合があ
シ歩留シを下げる一因になっていた。
るボンディングキャビラリイを保持しているボンディン
グアームの上下運動はカム機構によるだめ、ある一定の
運動しかできないのが普通である。従って、チップの品
種が変わって、チップ高さが変わったシ、電極とリード
間距離等が変わると上記自動ボンディング作業によるワ
イヤーの配線状態(以下ワイヤのループと称す)は常に
一定にならずある場所では理想的なループを示しでもあ
る場所ではリードフレームアイランド部に接触したシ、
チップ自身の端部に短絡したシして不良になる場合があ
シ歩留シを下げる一因になっていた。
第1図は従来のリードフレーム上の半導体チップにワイ
ヤーボンディングした状態の断面図である。
ヤーボンディングした状態の断面図である。
図に示すように半導体チップ1がリードフレームのアイ
ランド部2の中心よシやや左側にずれてマクントされる
と、ワイヤー3はアイランド部2に接触したシ(右側)
、半導体チップ自身の端部に短絡したシ(左側)するも
のがあった。
ランド部2の中心よシやや左側にずれてマクントされる
と、ワイヤー3はアイランド部2に接触したシ(右側)
、半導体チップ自身の端部に短絡したシ(左側)するも
のがあった。
上述のような接触、短絡を防ぐために、リードフレーム
のアイランド部のみを0.5 m前後下げることが考え
られた。この様にするとチップ自身の゛表面とリード側
ボンディング面との相対距離が縮まる為に多少のワイヤ
のだれが生じても短絡することがほとんど皆無になシ、
その効果の大きい事は良く知られている。しかしながら
、このリードフレーム自身はチップサイズが変わると当
然アイランド部の寸法も変わってくるからリードフレー
ムを受けているヒーターブロックの凹み部分もそれに応
じて変えねばならず、従って品種がよく変わる・j\規
模集積回路等においてはそのヒーターブロック自体の交
換頻度が激しくその為の損失は太きい。また、ヒーター
ブロックには当然ながらヒーターが内蔵されており、安
全上の問題もあった。
のアイランド部のみを0.5 m前後下げることが考え
られた。この様にするとチップ自身の゛表面とリード側
ボンディング面との相対距離が縮まる為に多少のワイヤ
のだれが生じても短絡することがほとんど皆無になシ、
その効果の大きい事は良く知られている。しかしながら
、このリードフレーム自身はチップサイズが変わると当
然アイランド部の寸法も変わってくるからリードフレー
ムを受けているヒーターブロックの凹み部分もそれに応
じて変えねばならず、従って品種がよく変わる・j\規
模集積回路等においてはそのヒーターブロック自体の交
換頻度が激しくその為の損失は太きい。また、ヒーター
ブロックには当然ながらヒーターが内蔵されており、安
全上の問題もあった。
本発明は上記欠点を除き、簡単に交換できて、安全面で
も問題のないボンディング治具を使用する半導体装置の
製造方法提供するものである。
も問題のないボンディング治具を使用する半導体装置の
製造方法提供するものである。
本発明の特徴は、半導体チップ固着部(アイランド部)
がリードフレームの他の部分よシ低くなっているリード
フレームと半導体チップとをワイヤーボンディングする
半導体装置の製造方法において、リードフレームを加熱
するヒーターブロック上に凹部のあるボンディング治具
を設け、このボンディング治具を使用するリードフレー
ムの形状に合わせてと9かえながらボンディング作業を
行なう半導体装置の製造方法にある。
がリードフレームの他の部分よシ低くなっているリード
フレームと半導体チップとをワイヤーボンディングする
半導体装置の製造方法において、リードフレームを加熱
するヒーターブロック上に凹部のあるボンディング治具
を設け、このボンディング治具を使用するリードフレー
ムの形状に合わせてと9かえながらボンディング作業を
行なう半導体装置の製造方法にある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第2図(a)、(blは各々本発明の実施例に用いるボ
ンディング治具の一例の平面図(第2図(a))及びそ
のA −A’断面図(第2図(b))である。
ンディング治具の一例の平面図(第2図(a))及びそ
のA −A’断面図(第2図(b))である。
図に示すように、ボンディング治具5は熱の良導体で中
央に凹部が設けられている。ボンディング治具5の凹部
はリードフレームのアイランド部2が丁度入シ、かつア
イランド部の底部並びにアイランド部を支えるリード4
とがボンディング治具と丁度液するように設けられる。
央に凹部が設けられている。ボンディング治具5の凹部
はリードフレームのアイランド部2が丁度入シ、かつア
イランド部の底部並びにアイランド部を支えるリード4
とがボンディング治具と丁度液するように設けられる。
そして、このボンディング治具は種々の変形が可能であ
り、リードフレームの形状に合わせて異なる形状のもの
が使用される。
り、リードフレームの形状に合わせて異なる形状のもの
が使用される。
第3図は本発明実施例の製造方法に使用されるボンディ
ング治具の他の例の断面図である。
ング治具の他の例の断面図である。
図に示すように、アイランド部2の下った量に相当する
高さを有し、アイランド部が丁度入るような枠5′の形
にしても良い。このようにするとアイランド部2はヒー
タブロック8に直接に接触する。
高さを有し、アイランド部が丁度入るような枠5′の形
にしても良い。このようにするとアイランド部2はヒー
タブロック8に直接に接触する。
第4図(a) 、 (b)は各々本発明実施例に使用す
るボンダーの搬送部の平面図(第4図(a))及びその
Bsl断面図(第4図(b))である。
るボンダーの搬送部の平面図(第4図(a))及びその
Bsl断面図(第4図(b))である。
図に示すように、リードフレーム6はキャリアレール9
上を搬送される。ボンディング時はヒータブロック8上
にあるボンディング治具5を介し一〇所定温度に上げら
れる。ヒータブロック8とボンディング治具5は断熱部
lOを介してリードフレームの送シ時にリードフレーム
の凹部を逃げる為にボンディング押え板7と共に上下に
運動する様になっている(運動構構は図示しない)。1
6はレールの一部でフレーム受けである。また、リード
フレーム6のボンディングの為の位置決めは上下運動中
心位置11から機械的に決められたビン12によって位
置決めされ、従ってボンディング中心13は常に一定の
位置にくる様になっている。このボンディング治具は、
前述の上下運動中心位置11に2個のピン14で位置決
めされる様にしてあシ、ねじ15で固定している。従っ
て、ボンディング治具5の中心位置とボンディング中心
位置は13で一致する様になっている。
上を搬送される。ボンディング時はヒータブロック8上
にあるボンディング治具5を介し一〇所定温度に上げら
れる。ヒータブロック8とボンディング治具5は断熱部
lOを介してリードフレームの送シ時にリードフレーム
の凹部を逃げる為にボンディング押え板7と共に上下に
運動する様になっている(運動構構は図示しない)。1
6はレールの一部でフレーム受けである。また、リード
フレーム6のボンディングの為の位置決めは上下運動中
心位置11から機械的に決められたビン12によって位
置決めされ、従ってボンディング中心13は常に一定の
位置にくる様になっている。このボンディング治具は、
前述の上下運動中心位置11に2個のピン14で位置決
めされる様にしてあシ、ねじ15で固定している。従っ
て、ボンディング治具5の中心位置とボンディング中心
位置は13で一致する様になっている。
従って、ピン数が同じで品種が互いに異なるリードフレ
ームの場合はねじ15をはずせばこのボンディング治具
5を容易に取シはずせるし、再びセットする時も任意の
ものを簡単にっけることが可能になる。
ームの場合はねじ15をはずせばこのボンディング治具
5を容易に取シはずせるし、再びセットする時も任意の
ものを簡単にっけることが可能になる。
本発明によれば、従来ヒーターを内蔵したヒーターブロ
ックそのものを交換する為にヒーターブロックを品種毎
に数多く製作していたことが避けられるととはもちろん
、異なる形状のリードフレームの使用に際してヒーター
交換がないから安全上有利で6るし、取りかえそのもの
の時間が大幅に短縮できる等の効果がある。
ックそのものを交換する為にヒーターブロックを品種毎
に数多く製作していたことが避けられるととはもちろん
、異なる形状のリードフレームの使用に際してヒーター
交換がないから安全上有利で6るし、取りかえそのもの
の時間が大幅に短縮できる等の効果がある。
なお、ボンディング治具の交換に際して、本実施例では
ボンディング治具5をビンによって位置決めしたが、ピ
ン数が少なくボンディング中心位置の精度をあまり要求
しないものは、上述のビンの代わシに単にヒーターブロ
ック8の角を利用して簡単に位置決めして安価に出来る
ことはもちろんである。
ボンディング治具5をビンによって位置決めしたが、ピ
ン数が少なくボンディング中心位置の精度をあまり要求
しないものは、上述のビンの代わシに単にヒーターブロ
ック8の角を利用して簡単に位置決めして安価に出来る
ことはもちろんである。
第1図は従来のリードフレーム上の半導体チップにワイ
ヤーボンディングした状態の断面図、第2図(a)、(
b)は各々本発明実施例に用いられるボンディング治具
の1実施例の平面図(第2図(a))及びそのA −A
’断面図(第2図(b))、第3図は本発明実施例に使
用されるボンディング治具の他の例の断面図、第4図(
al、(b)は各々本発明実施例に使用されるボンダー
の搬送部の平面図(第4図(a))及びそのB = B
’断面図(第4図(b))である。 なお図において、1・・・半導体チップ、 2・・・
リードフレームアイランド、 3・・・ワイヤー、4
・・・アイランドの支えリード、 5・・・ボンディ
ング治A、 6・−・リードフレーム、 7・・・
リードフレーム押え、 8・・・ヒーターブロック、
9・・・キャリアレール部、 10・・・断熱部
、 11・・上下運動中心位置、 12・・位置決
めピン、 13・・・ボンディング中心装置、 1
4−・ボンディング治具用ピン、 15・・・ねじ
、 16・・・キャリアレール部、である。 早/目 第2日(a) 多3日
ヤーボンディングした状態の断面図、第2図(a)、(
b)は各々本発明実施例に用いられるボンディング治具
の1実施例の平面図(第2図(a))及びそのA −A
’断面図(第2図(b))、第3図は本発明実施例に使
用されるボンディング治具の他の例の断面図、第4図(
al、(b)は各々本発明実施例に使用されるボンダー
の搬送部の平面図(第4図(a))及びそのB = B
’断面図(第4図(b))である。 なお図において、1・・・半導体チップ、 2・・・
リードフレームアイランド、 3・・・ワイヤー、4
・・・アイランドの支えリード、 5・・・ボンディ
ング治A、 6・−・リードフレーム、 7・・・
リードフレーム押え、 8・・・ヒーターブロック、
9・・・キャリアレール部、 10・・・断熱部
、 11・・上下運動中心位置、 12・・位置決
めピン、 13・・・ボンディング中心装置、 1
4−・ボンディング治具用ピン、 15・・・ねじ
、 16・・・キャリアレール部、である。 早/目 第2日(a) 多3日
Claims (1)
- 半導体チップ固着部(アイランド部)がリードフレーム
の他の部分より低くなっているリードフレームと半導体
チップとをワイヤーボンディングする半導体装置の製造
方法において、リードフレームを加熱するヒーターブロ
ック上に凹部を有するボンディング治具を配設し、該ボ
ンディング治具を前記リードフレームの形状に合わせて
変換することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144550A JPS6042613B2 (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144550A JPS6042613B2 (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59161041A true JPS59161041A (ja) | 1984-09-11 |
JPS6042613B2 JPS6042613B2 (ja) | 1985-09-24 |
Family
ID=15364893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144550A Expired JPS6042613B2 (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6042613B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295431A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法 |
EP0849784A3 (en) * | 1996-12-18 | 1999-02-17 | Texas Instruments Incorporated | A system for connecting a semiconductor device to a leadframe and a bonding support mechanism for a leadframe |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58144550A patent/JPS6042613B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01295431A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Hitachi Ltd | ワイヤボンディング方法 |
EP0849784A3 (en) * | 1996-12-18 | 1999-02-17 | Texas Instruments Incorporated | A system for connecting a semiconductor device to a leadframe and a bonding support mechanism for a leadframe |
US6068180A (en) * | 1996-12-18 | 2000-05-30 | Texas Instruments Incorporated | System, apparatus, and method for connecting a semiconductor chip to a three-dimensional leadframe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6042613B2 (ja) | 1985-09-24 |
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