JPH06349880A - ワイヤーボンダー - Google Patents
ワイヤーボンダーInfo
- Publication number
- JPH06349880A JPH06349880A JP5133626A JP13362693A JPH06349880A JP H06349880 A JPH06349880 A JP H06349880A JP 5133626 A JP5133626 A JP 5133626A JP 13362693 A JP13362693 A JP 13362693A JP H06349880 A JPH06349880 A JP H06349880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- heating plate
- lead
- guide
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78703—Mechanical holding means
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップとリードフレームとを電気的に接
続する工程において、リードフレームを正確に位置決め
し、半導体チップおよびインナーリード部の金線の接合
の安定化とリード変形を防止できるワイヤーボンダーを
提供する。 【構成】リードフレームを正確に位置決めするために加
熱板にリードフレーム用のガイドを有するワイヤーボン
ダー。リードフレーム２は、吊りリード５、ダイパッド
部６、ガイド溝７より構成されている。リードフレーム
２は、加熱板１に対して上部より下降して加熱板１に挿
入される。ガイド８は、斜面８ａを有している。リード
フレーム２が正確な位置から左右にずれた状態で下降す
るとき、リードフレーム２のガイド溝７と斜面８ａとが
接触し斜面８ａに沿って下降する。 【効果】半導体チップの加熱とインナーリードの加熱を
安定して確実にする事ができ、金線の接合およびリード
変形の防止が実現でき品質が安定した。
続する工程において、リードフレームを正確に位置決め
し、半導体チップおよびインナーリード部の金線の接合
の安定化とリード変形を防止できるワイヤーボンダーを
提供する。 【構成】リードフレームを正確に位置決めするために加
熱板にリードフレーム用のガイドを有するワイヤーボン
ダー。リードフレーム２は、吊りリード５、ダイパッド
部６、ガイド溝７より構成されている。リードフレーム
２は、加熱板１に対して上部より下降して加熱板１に挿
入される。ガイド８は、斜面８ａを有している。リード
フレーム２が正確な位置から左右にずれた状態で下降す
るとき、リードフレーム２のガイド溝７と斜面８ａとが
接触し斜面８ａに沿って下降する。 【効果】半導体チップの加熱とインナーリードの加熱を
安定して確実にする事ができ、金線の接合およびリード
変形の防止が実現でき品質が安定した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップとリード
フレームとを電気的に接続する工程において、リードフ
レームとワイヤーボンダーの加熱板との位置決めに関す
るものである。
フレームとを電気的に接続する工程において、リードフ
レームとワイヤーボンダーの加熱板との位置決めに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は、ワイヤーボンダーの加熱
板に対し、あらかじめ設定された送り量によりリードフ
レームを搬送して位置決めしていた。位置決めが終了す
ると半導体チップとリードフレームとの電気的導通を図
るための配線加工が行われる。配線加工が終了すると、
リードフレームを送り前記動作を繰り返し行う。ここで
リードフレームは位置決め後、加熱板に対して正確に挿
入されている必要がある。よって送り精度は、正確さが
要求されている。一方、送り量は、設定値でありリード
フレームと加熱板との組み付けにおける相対的位置誤
差、およびリードフレーム個々の加工誤差を修正するす
る事は出来ない。
板に対し、あらかじめ設定された送り量によりリードフ
レームを搬送して位置決めしていた。位置決めが終了す
ると半導体チップとリードフレームとの電気的導通を図
るための配線加工が行われる。配線加工が終了すると、
リードフレームを送り前記動作を繰り返し行う。ここで
リードフレームは位置決め後、加熱板に対して正確に挿
入されている必要がある。よって送り精度は、正確さが
要求されている。一方、送り量は、設定値でありリード
フレームと加熱板との組み付けにおける相対的位置誤
差、およびリードフレーム個々の加工誤差を修正するす
る事は出来ない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の技術には
以下に述べるような課題が発生している。この工程での
品質管理項目は、半導体チップの電気的接続部（以下パ
ッドと記述する）とリードフレーム側の電気的接続部
（以下インナーリードと記述する）とを確実に金線等で
配線されていることである。ここでリードフレームと加
熱板との形状について説明する。リードフレーム上で半
導体チップは、ダイパッド部で接着剤で固定されてお
り、このダイパッド部は複数の吊りリードによりリード
フレームとして一体になっている。また前記ダイパッド
部は、樹脂封止後の厚み方向の構造バランスを取るため
半導体チップの接着面側にインナーリード部より沈み込
んでいる（以下デプレスと記述する）。図５は、従来の
加熱板の平面図を示したものである。ワイヤーボンダー
の加熱板は、パッド及びインナーリード部における金線
との接合を確実にするために半導体チップ及びインナー
リードを加熱する。よって加熱板１は、リードフレーム
のダイパッド部に対応した凹部９を有している。また吊
りリードに対応した逃げ溝４を形成している。図６は従
来の技術による、リードフレームの一部と加熱板との位
置関係を示した図である。位置決めが悪いと吊りリード
５が逃げ溝４に対して正確な位置に挿入されない。場合
によっては吊りリード５が逃げ溝４から外れてしまうこ
とがある。このような状態ではダイパッド６が凹部９か
ら外れ機械的なトラブル発生を誘起する。また吊りリー
ド５が逃げ溝４に強く押しつけられた状態で挿入され、
インナーリード３が加熱板１に確実に設置されない状態
で配線加工を行うと接合不良あるいはリード変形の不良
を発生させていた。
以下に述べるような課題が発生している。この工程での
品質管理項目は、半導体チップの電気的接続部（以下パ
ッドと記述する）とリードフレーム側の電気的接続部
（以下インナーリードと記述する）とを確実に金線等で
配線されていることである。ここでリードフレームと加
熱板との形状について説明する。リードフレーム上で半
導体チップは、ダイパッド部で接着剤で固定されてお
り、このダイパッド部は複数の吊りリードによりリード
フレームとして一体になっている。また前記ダイパッド
部は、樹脂封止後の厚み方向の構造バランスを取るため
半導体チップの接着面側にインナーリード部より沈み込
んでいる（以下デプレスと記述する）。図５は、従来の
加熱板の平面図を示したものである。ワイヤーボンダー
の加熱板は、パッド及びインナーリード部における金線
との接合を確実にするために半導体チップ及びインナー
リードを加熱する。よって加熱板１は、リードフレーム
のダイパッド部に対応した凹部９を有している。また吊
りリードに対応した逃げ溝４を形成している。図６は従
来の技術による、リードフレームの一部と加熱板との位
置関係を示した図である。位置決めが悪いと吊りリード
５が逃げ溝４に対して正確な位置に挿入されない。場合
によっては吊りリード５が逃げ溝４から外れてしまうこ
とがある。このような状態ではダイパッド６が凹部９か
ら外れ機械的なトラブル発生を誘起する。また吊りリー
ド５が逃げ溝４に強く押しつけられた状態で挿入され、
インナーリード３が加熱板１に確実に設置されない状態
で配線加工を行うと接合不良あるいはリード変形の不良
を発生させていた。
【０００４】本発明は、以上のような問題を解決するも
のである。その目的とするところは、リードフレームの
ダイパッド部を正確に加熱板の凹形状部に位置決めし、
吊りリードを加熱板の逃げ溝に確実に挿入することを提
供するものである。
のである。その目的とするところは、リードフレームの
ダイパッド部を正確に加熱板の凹形状部に位置決めし、
吊りリードを加熱板の逃げ溝に確実に挿入することを提
供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】半導体チップとリードフ
レームとを電気的に接続する工程において、リードフレ
ームを正確に位置決めするために加熱板にリードフレー
ム用のガイドを有する手段を取る。
レームとを電気的に接続する工程において、リードフレ
ームを正確に位置決めするために加熱板にリードフレー
ム用のガイドを有する手段を取る。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例を図１、図２、図３を用
いて詳細に説明する。図１は本発明の加熱板の平面図で
ある。加熱板１は、リードフレームの吊りリードの逃げ
溝４、ダイパッドに対応した凹部９及びリードフレーム
用のガイド８より構成されている。図２は、加熱板１と
リードフレーム２の関係を示した断面図である。リード
フレーム２は、吊りリード５、ダイパッド部６、ガイド
溝７より構成されている。但しリードフレーム２は、本
発明に必要な機能のみを現している。よって通常リード
フレーム２は、複数の半導体チップが実装出来るように
同一パターンが構成されているがここでは一個の半導体
チップに対応した形状のみを示す事にする。リードフレ
ーム２は、加熱板１に対して上部より下降して加熱板１
に挿入される。ガイド８は、斜面８ａを有している。リ
ードフレーム２が正確な位置から左右にずれた状態で下
降するとき、リードフレーム２のガイド溝７と斜面８ａ
とが接触し斜面８ａに沿って下降する。
いて詳細に説明する。図１は本発明の加熱板の平面図で
ある。加熱板１は、リードフレームの吊りリードの逃げ
溝４、ダイパッドに対応した凹部９及びリードフレーム
用のガイド８より構成されている。図２は、加熱板１と
リードフレーム２の関係を示した断面図である。リード
フレーム２は、吊りリード５、ダイパッド部６、ガイド
溝７より構成されている。但しリードフレーム２は、本
発明に必要な機能のみを現している。よって通常リード
フレーム２は、複数の半導体チップが実装出来るように
同一パターンが構成されているがここでは一個の半導体
チップに対応した形状のみを示す事にする。リードフレ
ーム２は、加熱板１に対して上部より下降して加熱板１
に挿入される。ガイド８は、斜面８ａを有している。リ
ードフレーム２が正確な位置から左右にずれた状態で下
降するとき、リードフレーム２のガイド溝７と斜面８ａ
とが接触し斜面８ａに沿って下降する。
【０００７】図３は、加熱板１に対してリードフレーム
２が挿入された状態の平面図である。前述した通りリー
ドフレーム２が加熱板１に対して左右にずれていてもガ
イド８とガイド溝７とにより正確に挿入する事ができ
る。ここでガイド８とガイド溝７との隙間を小さくする
と、リードフレーム２と加熱板１との合わせ精度は高く
なるが、リードフレーム２の加工精度のばらつきにより
逆に挿入できなくなる。よってガイド８とガイド溝７と
の隙間は、発明者の実験によれば約３０μｍから６０μ
ｍの範囲が適正である。この事により吊りリード５は逃
げ溝４に対して確実に入り、インナーリード３も確実に
加熱板１上に設置する事ができる。
２が挿入された状態の平面図である。前述した通りリー
ドフレーム２が加熱板１に対して左右にずれていてもガ
イド８とガイド溝７とにより正確に挿入する事ができ
る。ここでガイド８とガイド溝７との隙間を小さくする
と、リードフレーム２と加熱板１との合わせ精度は高く
なるが、リードフレーム２の加工精度のばらつきにより
逆に挿入できなくなる。よってガイド８とガイド溝７と
の隙間は、発明者の実験によれば約３０μｍから６０μ
ｍの範囲が適正である。この事により吊りリード５は逃
げ溝４に対して確実に入り、インナーリード３も確実に
加熱板１上に設置する事ができる。
【０００８】図４は、本発明の応用を示した平面図であ
る。リードフレーム２のガイド溝７を無くし、加熱板１
側にガイド８を四辺に構成した物である。ダイパッド６
が四辺のガイド８に沿って加熱板１に設置することがで
きる。この方法を取れば、リードフレーム２は従来の物
を使用することができ容易に効果を得ることができる。
また加熱板１上のガイド８及びリードフレーム２側のガ
イド溝７の形状は、前記説明した形状以外でも同一効果
が得られる。例えば、円の一部の形状からなるガイド
８、とこれに対応した形状のガイド溝７、あるいは三角
形の一部等の形状が考えられる。また加熱板１に対する
ガイド８の配置も上下、左右自由に替えても同一効果が
得られる。
る。リードフレーム２のガイド溝７を無くし、加熱板１
側にガイド８を四辺に構成した物である。ダイパッド６
が四辺のガイド８に沿って加熱板１に設置することがで
きる。この方法を取れば、リードフレーム２は従来の物
を使用することができ容易に効果を得ることができる。
また加熱板１上のガイド８及びリードフレーム２側のガ
イド溝７の形状は、前記説明した形状以外でも同一効果
が得られる。例えば、円の一部の形状からなるガイド
８、とこれに対応した形状のガイド溝７、あるいは三角
形の一部等の形状が考えられる。また加熱板１に対する
ガイド８の配置も上下、左右自由に替えても同一効果が
得られる。
【０００９】
【発明の効果】本発明により、リードフレームを加熱板
に正確に繰り返し設置することが出来た。この事によ
り、半導体チップの加熱とインナーリードの加熱を安定
して確実にする事ができ、金線の接合およびリード変形
の防止が実現でき品質が安定した。
に正確に繰り返し設置することが出来た。この事によ
り、半導体チップの加熱とインナーリードの加熱を安定
して確実にする事ができ、金線の接合およびリード変形
の防止が実現でき品質が安定した。
【図１】本発明の加熱板の平面図である。
【図２】本発明のリードフレームと加熱板との関係を示
した断面図である。
した断面図である。
【図３】本発明のリードフレームと加熱板との関係を示
したを示した平面図である。
したを示した平面図である。
【図４】本発明の応用例を示したリードフレームと加熱
板との関係を示した平面図である。
板との関係を示した平面図である。
【図５】従来技術の加熱板の平面図である。
【図６】従来の技術リードフレームと加熱板との関係を
示したを平面図である。
示したを平面図である。
１ 加熱板 ２ リードフレーム ３ インナーリード ４ 逃げ溝 ５ 吊りリード ６ ダイパッド ７ ガイド溝 ８ ガイド ８ａ 斜面 ９ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップとリードフレームとを電気的
に接続する工程において、リードフレームを正確に位置
決めするために加熱板にリードフレーム用のガイドを有
することを特徴としたワイヤーボンダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133626A JPH06349880A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | ワイヤーボンダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133626A JPH06349880A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | ワイヤーボンダー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349880A true JPH06349880A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15109219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5133626A Pending JPH06349880A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | ワイヤーボンダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349880A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849784A3 (en) * | 1996-12-18 | 1999-02-17 | Texas Instruments Incorporated | A system for connecting a semiconductor device to a leadframe and a bonding support mechanism for a leadframe |
| CN105021416A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-11-04 | 浙江大学 | 建筑室内热扰试验模拟装置 |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP5133626A patent/JPH06349880A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849784A3 (en) * | 1996-12-18 | 1999-02-17 | Texas Instruments Incorporated | A system for connecting a semiconductor device to a leadframe and a bonding support mechanism for a leadframe |
| US6068180A (en) * | 1996-12-18 | 2000-05-30 | Texas Instruments Incorporated | System, apparatus, and method for connecting a semiconductor chip to a three-dimensional leadframe |
| CN105021416A (zh) * | 2015-07-08 | 2015-11-04 | 浙江大学 | 建筑室内热扰试验模拟装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834691A (en) | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device | |
| JPH05144992A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に使用されるリードフレームおよびその製造方法 | |
| US5166099A (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
| JPH06349880A (ja) | ワイヤーボンダー | |
| JPH038113B2 (ja) | ||
| US5917237A (en) | Semiconductor integrated circuit device and lead frame therefor | |
| JP2000195894A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03228339A (ja) | ボンディングツール | |
| KR100480455B1 (ko) | 높은 품질과 높은 생산성으로 ｔａｂ테이프들의 내부리드들을 전극패드들에 접합할 수 있는 접합도구와 접합방법 | |
| US6118175A (en) | Wire bonding support structure and method for coupling a semiconductor chip to a leadframe | |
| JPS6133647Y2 (ja) | ||
| JPS6042613B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05121478A (ja) | ワイヤボンデイング装置のリードフレーム押え治具 | |
| KR200160429Y1 (ko) | 리드프레임 패드 챔퍼용 금형 | |
| JP2956701B1 (ja) | 樹脂封止形半導体装置のリードフォーミング法及びその装置 | |
| KR100250143B1 (ko) | 코이닝 펀치 | |
| JPH0636418B2 (ja) | Ｔａｂのリードフォーミング方法 | |
| JPH0141034B2 (ja) | ||
| JPS6347272B2 (ja) | ||
| JPH07142529A (ja) | 電子部品用リードフレームの押さえ装置およびこれを用いた押さえ方法 | |
| JP4056630B2 (ja) | Ｉｃカードとその製造方法 | |
| JPS6386534A (ja) | フイルムキヤリアおよびその製造方法 | |
| JPH03209735A (ja) | バンプ付きｔａｂテープの製造方法 | |
| JPH02280360A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH08236562A (ja) | 半導体組立装置 |