JPS59161029A - 半導体目合露光装置 - Google Patents
半導体目合露光装置Info
- Publication number
- JPS59161029A JPS59161029A JP58034759A JP3475983A JPS59161029A JP S59161029 A JPS59161029 A JP S59161029A JP 58034759 A JP58034759 A JP 58034759A JP 3475983 A JP3475983 A JP 3475983A JP S59161029 A JPS59161029 A JP S59161029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- driven
- stages
- pitch error
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製作ＶＣおいてウヱハー
ＶＣフォトレジストヲ塗布した後の選択路光全行９際Ｖ
こウェハーとマスクの位置合わせ全行うための目合鰭光
装置の改良に関するものである。
ＶＣフォトレジストヲ塗布した後の選択路光全行９際Ｖ
こウェハーとマスクの位置合わせ全行うための目合鰭光
装置の改良に関するものである。
従来、目合蕗光装置は平行成分（ｘ、ｙ方向）および回
転成分（θ方向）のみにおいて位置合わせを行ってきた
。しかし、今日、大規模業績回路等の微細化の必要性に
よって、より厳しい位置合わせ８度が要求されている反
面、ウェハーの大型化にともないウェハーの反、つや、
コンタクト露光の場合のマスクへのウェハーの押し付は
方法に起因するピッチエラーは、より顕著になってきて
いる。ここでいうピッチエラーとは、位置合わせ時に見
かけ上ウェハーがマスクＶこ対し伸縮してみえる現象を
いい、上記の他ＶＣマスクの温度等ＶＣも影響される。
転成分（θ方向）のみにおいて位置合わせを行ってきた
。しかし、今日、大規模業績回路等の微細化の必要性に
よって、より厳しい位置合わせ８度が要求されている反
面、ウェハーの大型化にともないウェハーの反、つや、
コンタクト露光の場合のマスクへのウェハーの押し付は
方法に起因するピッチエラーは、より顕著になってきて
いる。ここでいうピッチエラーとは、位置合わせ時に見
かけ上ウェハーがマスクＶこ対し伸縮してみえる現象を
いい、上記の他ＶＣマスクの温度等ＶＣも影響される。
しかしながら、従来の目金露光機はピッチエラーに対す
る根本的な補正機構を持ってぃ乃゛かった。
る根本的な補正機構を持ってぃ乃゛かった。
本発明の目的は、ピッチエラーＶＣ対する補正機構も有
する目合蕗光装置を提供することＶＣあるり、ステージ
を互いＶＣ独立ＶＣ上下方向ｒｔｃ駆動可能ないくつか
の部分ＶＣ分け、ウェハーに任意の反り’ｒ与えること
ＶＣよってピッチエラー全補正するものである。本発明
ＶＣよる装置全使用丁れば、ピッチエラー事実上無視し
つる程度まで補正できる利点がある。
する目合蕗光装置を提供することＶＣあるり、ステージ
を互いＶＣ独立ＶＣ上下方向ｒｔｃ駆動可能ないくつか
の部分ＶＣ分け、ウェハーに任意の反り’ｒ与えること
ＶＣよってピッチエラー全補正するものである。本発明
ＶＣよる装置全使用丁れば、ピッチエラー事実上無視し
つる程度まで補正できる利点がある。
次に図面を用いて本発明の実施例ＶＣついて詳細に説明
する。
する。
第１図は、ウェハー上の位置合わせ用パターの領域１，
２．３および４を有するウェハー１００Ｖこ対する装置
の対物レンズの位置を示している。
２．３および４を有するウェハー１００Ｖこ対する装置
の対物レンズの位置を示している。
それぞれの点位置合わぜ用パターン領域１乃至４ウエハ
ー１００の中心から距離！たけ離れているとする。
ー１００の中心から距離！たけ離れているとする。
第２図は各位置合わせパターン領域における位置ずれ（
平行成分９回転成分、ピッチエラー）の測定方法であっ
て懸微鏡の視野を表わしている。
平行成分９回転成分、ピッチエラー）の測定方法であっ
て懸微鏡の視野を表わしている。
ここで、３木の境界線５によって視野は４つに分割され
、それぞれの部分９乃至１２は第１図ＶＣおける位置合
せ用パターンの領域１乃至４と対応している。丁なわち
、第２図は、４つの位置合わせ用パターン領域１乃至４
の像を適当な光学系全通してひとつの像に合成したもの
である。この像に対して左右方向、上下方向の２本のレ
ーザービーム８で掃引し、反射光の散乱成分を検知する
ことにより、各視野内におけるウェハーパターン６とマ
スクパターン７の相対的位置ずれを測定する。
、それぞれの部分９乃至１２は第１図ＶＣおける位置合
せ用パターンの領域１乃至４と対応している。丁なわち
、第２図は、４つの位置合わせ用パターン領域１乃至４
の像を適当な光学系全通してひとつの像に合成したもの
である。この像に対して左右方向、上下方向の２本のレ
ーザービーム８で掃引し、反射光の散乱成分を検知する
ことにより、各視野内におけるウェハーパターン６とマ
スクパターン７の相対的位置ずれを測定する。
これは従来の位置ずれ測定方法と同じでよく、また他の
方法を用いてもよい。この結果、パターン各領域１乃至
４におけるウェハーのマスクＶＣ対するＸ、Ｘ方向の位
置ずれをそれぞれｘｌ Ｉ ｙｔ ｌ ｘｇ ｅｙ＊
多Ｘ３ ＃ ｙ３ ＊ ｘ４ ｍ ’１４とすると、平
行成分Ｘ。
方法を用いてもよい。この結果、パターン各領域１乃至
４におけるウェハーのマスクＶＣ対するＸ、Ｘ方向の位
置ずれをそれぞれｘｌ Ｉ ｙｔ ｌ ｘｇ ｅｙ＊
多Ｘ３ ＃ ｙ３ ＊ ｘ４ ｍ ’１４とすると、平
行成分Ｘ。
Ｙは、
となり、回転成分ｅＩｆｉ
で表わされる。また各点のピッチエラー成分は、Ｐｉ
＝−（ｘｔ −ＸＬ Ｐ２ ＝ｘｚ −ＸＰｇ ＝Ｙｓ
−Ｙ＊ り４ ＝−（１４−Ｙ）で与えられる。
＝−（ｘｔ −ＸＬ Ｐ２ ＝ｘｚ −ＸＰｇ ＝Ｙｓ
−Ｙ＊ り４ ＝−（１４−Ｙ）で与えられる。
第３図はウェハーステージの構造図であり、中央のステ
ージ１７に対して、周辺部のステージ１３゜１４．１５
．１６が上下方向に互いＶＣ独立ＶＣ駆動可能な構造を
もっている。中央ステージ１７とっながっているテーブ
ル１９自体がＸ方向、Ｘ方向及びθ方向ＶＣ駆動し、従
来の方法で平行２回転方向の補正（上記のＸ、Ｙ、θ）
全行う、さらＶＣウェハーを真空パイプ２１會介して吸
着した１まステージ１３，１４，１５．１６がパルスモ
ータ２０によって上下に駆動することりこより、ウェハ
ーに任意の反りを与えピッチエラーの補正を可能にして
いる。但し、上記の機構において、ステージ１３゜１４
．１５．１６はステージ１７ｖｃ対し上下に駆動するの
ではなく、傾きを与えるような構造であってもよい。ま
た対称性によってステージ１３と１４および１５と１６
が互いに連動するような構造であってもかまわない。
ージ１７に対して、周辺部のステージ１３゜１４．１５
．１６が上下方向に互いＶＣ独立ＶＣ駆動可能な構造を
もっている。中央ステージ１７とっながっているテーブ
ル１９自体がＸ方向、Ｘ方向及びθ方向ＶＣ駆動し、従
来の方法で平行２回転方向の補正（上記のＸ、Ｙ、θ）
全行う、さらＶＣウェハーを真空パイプ２１會介して吸
着した１まステージ１３，１４，１５．１６がパルスモ
ータ２０によって上下に駆動することりこより、ウェハ
ーに任意の反りを与えピッチエラーの補正を可能にして
いる。但し、上記の機構において、ステージ１３゜１４
．１５．１６はステージ１７ｖｃ対し上下に駆動するの
ではなく、傾きを与えるような構造であってもよい。ま
た対称性によってステージ１３と１４および１５と１６
が互いに連動するような構造であってもかまわない。
さらＶＣ％位置合わせのためのパターンの位置全左右２
点だけとし、ステージ１３，１４，１５゜１６會連動さ
せてもよく、この場合ＶＣはステージを第４図のように
内側と外側の２つの部分２２゜２３に分けてもよい。但
しこのとき、左右の位置ずれをＸ方向、Ｘ方向それぞれ
ＸＲ，ｙＲ，ＸＬとすると、平行成分は ＸＢ＋Ｘ１゜ Ｘ＝ 、 Ｙ＝）’Ｒ”ＹＩ。
点だけとし、ステージ１３，１４，１５゜１６會連動さ
せてもよく、この場合ＶＣはステージを第４図のように
内側と外側の２つの部分２２゜２３に分けてもよい。但
しこのとき、左右の位置ずれをＸ方向、Ｘ方向それぞれ
ＸＲ，ｙＲ，ＸＬとすると、平行成分は ＸＢ＋Ｘ１゜ Ｘ＝ 、 Ｙ＝）’Ｒ”ＹＩ。
２
回転成分は
θ＝＝ ｔａｒｎ−１０’Ｌ −ＹＲ
２Ａ”
ピッチエラー成分は
＝ｌＴ（ＸＬ−Ｘル）
で与えられる。
１だ精度を上げるために位置合わせパターンの位置ｒ５
点以上にしてもよく、その際にはステージの分割数も増
やア必要がある。
点以上にしてもよく、その際にはステージの分割数も増
やア必要がある。
以上述べてきた装置はコンタクト方式だけでなく、ステ
ージの段差が焦点深度内であれば、グロジェクション方
式にも適用可能である。
ージの段差が焦点深度内であれば、グロジェクション方
式にも適用可能である。
第１図はウェハーの位置合わせ用パターンの領域を表わ
し、１，２，３．４はそれぞれ位置合わせ用パターン領
域１，２，３．４ｔ−示している。 第２図は顕微鏡内の視野図であり、９．１０゜１１．１
２はそれぞれ位置合わせパターン領域１゜２．３．４の
像であり、５はその境界線である。 ６は位置合わせ用ウェハーパターン、７は位置合わせ用
マスクパターンであり、４つの領域についてそれぞれ同
様である。（８）は掃引するレーザビームの跡を示して
いる。 第３図はウェハーステージの構造図で、１３゜１４．１
５，１６．１７は各々ステージ全示し、１８は吸着孔で
あり、１９は全体としてｘ、ｙ。 ９方向ＶＣ駆動可能なテーブルである。また２０はステ
ージ１３，１４．１５．１６全駆動させるためのパルス
モータ−であり、吸着のための真空パイプである。 第４図は２つの部分ｖＣ分かれたウェハーステージ全示
し、２２．２３は互いに独立ｒｔｃ上下方向に駆動する
２つのステージである。 し工＼θ 早ｌ 妬 第２ 閾 第３ 図
し、１，２，３．４はそれぞれ位置合わせ用パターン領
域１，２，３．４ｔ−示している。 第２図は顕微鏡内の視野図であり、９．１０゜１１．１
２はそれぞれ位置合わせパターン領域１゜２．３．４の
像であり、５はその境界線である。 ６は位置合わせ用ウェハーパターン、７は位置合わせ用
マスクパターンであり、４つの領域についてそれぞれ同
様である。（８）は掃引するレーザビームの跡を示して
いる。 第３図はウェハーステージの構造図で、１３゜１４．１
５，１６．１７は各々ステージ全示し、１８は吸着孔で
あり、１９は全体としてｘ、ｙ。 ９方向ＶＣ駆動可能なテーブルである。また２０はステ
ージ１３，１４．１５．１６全駆動させるためのパルス
モータ−であり、吸着のための真空パイプである。 第４図は２つの部分ｖＣ分かれたウェハーステージ全示
し、２２．２３は互いに独立ｒｔｃ上下方向に駆動する
２つのステージである。 し工＼θ 早ｌ 妬 第２ 閾 第３ 図
Claims (1)
- マスクとウェハーの位置ずれ全検出測定する機構と、ピ
ッチエラーＶＣよる部分的位置ずれ葡補正するための互
いに独立して駆動される複数の部分を有するウェハース
テージとを備えることを特１叔とする半導体目合鰭光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034759A JPS59161029A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 半導体目合露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034759A JPS59161029A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 半導体目合露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161029A true JPS59161029A (ja) | 1984-09-11 |
Family
ID=12423239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58034759A Pending JPS59161029A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | 半導体目合露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654815A1 (de) * | 1993-11-23 | 1995-05-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Stützelement eines automatischen Ladetisches einer Belichtungseinheit für Siliziumwafer |
| EP0848299A2 (en) * | 1996-12-16 | 1998-06-17 | Nikon Corporation | Stage and optical projection apparatus |
| US6411387B1 (en) | 1996-12-16 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method |
-
1983
- 1983-03-03 JP JP58034759A patent/JPS59161029A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0654815A1 (de) * | 1993-11-23 | 1995-05-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Stützelement eines automatischen Ladetisches einer Belichtungseinheit für Siliziumwafer |
| WO1995015004A1 (de) * | 1993-11-23 | 1995-06-01 | Philips Electronics N.V. | Stützelement eines automatischen ladetisches einer belichtungseinheit für siliziumwafer |
| EP0848299A2 (en) * | 1996-12-16 | 1998-06-17 | Nikon Corporation | Stage and optical projection apparatus |
| EP0848299A3 (en) * | 1996-12-16 | 1999-12-01 | Nikon Corporation | Stage and optical projection apparatus |
| US6411387B1 (en) | 1996-12-16 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method |
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