JPH09306806A - Ｘ線マスク及びそのアライメント方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びそのアライメント方法Info
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- JPH09306806A JPH09306806A JP11803696A JP11803696A JPH09306806A JP H09306806 A JPH09306806 A JP H09306806A JP 11803696 A JP11803696 A JP 11803696A JP 11803696 A JP11803696 A JP 11803696A JP H09306806 A JPH09306806 A JP H09306806A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクウエハのバックエッチ領域外の部分に
設けたプリアライメントマークをＸ線露光装置内で認識
できるＸ線マスクを提供するとともに、Ｘ線露光装置に
各Ｘ線マスクごとのローディングオフセットを記憶させ
ることにより、２回目以降のマスクローディングを容易
にし、前記Ｘ線マスク２２の製造工程を簡略化できると
ともにＸ線露光装置の稼働率を高めることができるアラ
イメント方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 Ｘ線マスクは、Ｘ線露光領域部７を含む
バックエッチ領域部６が取り除かれたマスクウエハ１
と、このマスクウエハ１上に配置されたメンブレン膜２
と、マスクウエハ１上部にあるメンブレン膜２上に配置
された高反射膜３と、メンブレン膜２上のＸ線露光領域
部７に設けられたマスクパターン４ａと、高反射膜３上
に設けられたプリアライメントマーク４ｂとを備えてい
る。
設けたプリアライメントマークをＸ線露光装置内で認識
できるＸ線マスクを提供するとともに、Ｘ線露光装置に
各Ｘ線マスクごとのローディングオフセットを記憶させ
ることにより、２回目以降のマスクローディングを容易
にし、前記Ｘ線マスク２２の製造工程を簡略化できると
ともにＸ線露光装置の稼働率を高めることができるアラ
イメント方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 Ｘ線マスクは、Ｘ線露光領域部７を含む
バックエッチ領域部６が取り除かれたマスクウエハ１
と、このマスクウエハ１上に配置されたメンブレン膜２
と、マスクウエハ１上部にあるメンブレン膜２上に配置
された高反射膜３と、メンブレン膜２上のＸ線露光領域
部７に設けられたマスクパターン４ａと、高反射膜３上
に設けられたプリアライメントマーク４ｂとを備えてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パターンを形
成するＸ線露光装置において、Ｘ線マスクを露光装置に
搭載する際のＸ線マスクのプリアライメントを容易にす
るためのＸ線マスク及びそのマスクアライメント方法に
関するものである。
成するＸ線露光装置において、Ｘ線マスクを露光装置に
搭載する際のＸ線マスクのプリアライメントを容易にす
るためのＸ線マスク及びそのマスクアライメント方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来のＸ線マスクのマスク装
着方法を示した図である。図において、１はマスクウェ
ハ、７は露光フィールド、２１はアライメントセンサ、
２２はＸ線マスク、２３はアライメントマーク、２４は
転写ウエハである。Ｘ線露光装置にＸ線マスク２２を搭
載し、Ｘ線露光光の光軸に対してＸ線マスク２２の位置
合わせをするには、図１０に示すようにアライメントセ
ンサ２１の視野内にＸ線マスク２２上に描かれたアライ
メントマーク２３が入るようにＸ線マスクの位置合わせ
をする必要がある。そのため、Ｘ線露光装置ではＸ線マ
スク２２と転写ウエハ２４との位置合わせとプロキシミ
ティーギャップ設定をＸ線露光前に実施する必要があ
り、通常アライメントマーク２３はＸ線マスク２２中の
露光フィールド７内に配置されている。従来、Ｘ線マス
ク２２を露光装置に搭載する際には本アライメントマー
ク２３がアライメントセンサ２１の視野内に入るように
するために、アライメントセンサ２１の視野に対して１
００μｍ以下の精度で厳密にアライメントマーク２３の
位置がくるようなＸ線マスク２２を作製し、マスクロー
ディングオフセットによる位置ずれが生じないようにす
る必要があった。
着方法を示した図である。図において、１はマスクウェ
ハ、７は露光フィールド、２１はアライメントセンサ、
２２はＸ線マスク、２３はアライメントマーク、２４は
転写ウエハである。Ｘ線露光装置にＸ線マスク２２を搭
載し、Ｘ線露光光の光軸に対してＸ線マスク２２の位置
合わせをするには、図１０に示すようにアライメントセ
ンサ２１の視野内にＸ線マスク２２上に描かれたアライ
メントマーク２３が入るようにＸ線マスクの位置合わせ
をする必要がある。そのため、Ｘ線露光装置ではＸ線マ
スク２２と転写ウエハ２４との位置合わせとプロキシミ
ティーギャップ設定をＸ線露光前に実施する必要があ
り、通常アライメントマーク２３はＸ線マスク２２中の
露光フィールド７内に配置されている。従来、Ｘ線マス
ク２２を露光装置に搭載する際には本アライメントマー
ク２３がアライメントセンサ２１の視野内に入るように
するために、アライメントセンサ２１の視野に対して１
００μｍ以下の精度で厳密にアライメントマーク２３の
位置がくるようなＸ線マスク２２を作製し、マスクロー
ディングオフセットによる位置ずれが生じないようにす
る必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＸ
線マスクのマスク装着方法では、図１１に示すように、
Ｘ線マスク２２上に描かれたアライメントマーク２３を
アライメントセンサ２１の視野内に入れるために、マス
クパターン形成後のマスクウエハ１を専用装置を用いて
アライメントマーク２３の位置とマスクフレーム５上に
描かれた基準マーク２５の位置合わせを行い、マスクフ
レーム５に貼り付ける必要がある。また、Ｘ線マスク２
２上のパターン位置精度を向上させるために、マスクウ
エハ１とマスクフレーム５を貼り合わせた後にＸ線マス
ク２２内のパターン描画を行うプロセスがある。しか
し、このプロセスではパターン描画位置をマスクフレー
ム５の位置座標に置き換えてから描画する必要があり、
描画に要する時間が長くなるという問題点があった。
線マスクのマスク装着方法では、図１１に示すように、
Ｘ線マスク２２上に描かれたアライメントマーク２３を
アライメントセンサ２１の視野内に入れるために、マス
クパターン形成後のマスクウエハ１を専用装置を用いて
アライメントマーク２３の位置とマスクフレーム５上に
描かれた基準マーク２５の位置合わせを行い、マスクフ
レーム５に貼り付ける必要がある。また、Ｘ線マスク２
２上のパターン位置精度を向上させるために、マスクウ
エハ１とマスクフレーム５を貼り合わせた後にＸ線マス
ク２２内のパターン描画を行うプロセスがある。しか
し、このプロセスではパターン描画位置をマスクフレー
ム５の位置座標に置き換えてから描画する必要があり、
描画に要する時間が長くなるという問題点があった。
【０００４】また、マスクウエハ１の露光フィールド７
外にＸ線マスクのプリアライメントマークを設ける場合
には、このプリアライメントマークが転写ウエハ２４上
に露光されないようにするためにバックエッチ領域９の
外に配置されるので、プリアライメントマークが可視光
等で認識しにくいという問題点があった。
外にＸ線マスクのプリアライメントマークを設ける場合
には、このプリアライメントマークが転写ウエハ２４上
に露光されないようにするためにバックエッチ領域９の
外に配置されるので、プリアライメントマークが可視光
等で認識しにくいという問題点があった。
【０００５】この発明はかかる問題点を解決するために
なされたもので、マスクウエハのバックエッチ領域外の
部分に設けたプリアライメントマークをＸ線露光装置内
で認識できるＸ線マスクを提供するとともに、その近傍
部に識別子を設けることにより容易にプリアライメント
マーク並びにアライメントマークの検出ができるＸ線マ
スクを提供することを目的とする。また、Ｘ線露光装置
に各Ｘ線マスクごとのローディングオフセットを記憶さ
せることにより、２回目以降のマスクローディングを容
易にし、前記Ｘ線マスクの製造工程を簡略化できるとと
もにＸ線露光装置の稼働率を高めることができるアライ
メント方法を提供することを目的とする。
なされたもので、マスクウエハのバックエッチ領域外の
部分に設けたプリアライメントマークをＸ線露光装置内
で認識できるＸ線マスクを提供するとともに、その近傍
部に識別子を設けることにより容易にプリアライメント
マーク並びにアライメントマークの検出ができるＸ線マ
スクを提供することを目的とする。また、Ｘ線露光装置
に各Ｘ線マスクごとのローディングオフセットを記憶さ
せることにより、２回目以降のマスクローディングを容
易にし、前記Ｘ線マスクの製造工程を簡略化できるとと
もにＸ線露光装置の稼働率を高めることができるアライ
メント方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるＸ線マ
スクは、Ｘ線露光領域部を含むバックエッチ領域部が取
り除かれたマスクウエハと、このマスクウエハ上に配置
されたメンブレン膜と、マスクウエハ上部にあるメンブ
レン膜上に配置された高反射膜と、メンブレン膜上のＸ
線露光領域部に設けられたマスクパターンと、高反射膜
上に設けられたプリアライメントマークとを備えてい
る。また、メンブレン膜上に配置された高反射膜は、Ａ
ｌ膜である。
スクは、Ｘ線露光領域部を含むバックエッチ領域部が取
り除かれたマスクウエハと、このマスクウエハ上に配置
されたメンブレン膜と、マスクウエハ上部にあるメンブ
レン膜上に配置された高反射膜と、メンブレン膜上のＸ
線露光領域部に設けられたマスクパターンと、高反射膜
上に設けられたプリアライメントマークとを備えてい
る。また、メンブレン膜上に配置された高反射膜は、Ａ
ｌ膜である。
【０００７】さらに、Ｘ線露光領域部を含むバックエッ
チ領域部及びこのバックエッチ領域部の近傍部分とが取
り除かれたマスクウエハと、このマスクウエハ上に配置
されたメンブレン膜と、このメンブレン膜上のＸ線露光
領域部に設けられたマスクパターンと、メンブレン膜上
のバックエッチ領域部の近傍部に設けられたプリアライ
メントマークとを備えている。さらにまた、プリアライ
メントマークは、複数である。また、プリアライメント
マークの近傍部にプリアライメントマークの位置に関す
る識別子を備えている。さらに、識別子はラインパター
ンである。さらにまた、識別子はプリアライメントマー
クの方向を示した補助パターンである。
チ領域部及びこのバックエッチ領域部の近傍部分とが取
り除かれたマスクウエハと、このマスクウエハ上に配置
されたメンブレン膜と、このメンブレン膜上のＸ線露光
領域部に設けられたマスクパターンと、メンブレン膜上
のバックエッチ領域部の近傍部に設けられたプリアライ
メントマークとを備えている。さらにまた、プリアライ
メントマークは、複数である。また、プリアライメント
マークの近傍部にプリアライメントマークの位置に関す
る識別子を備えている。さらに、識別子はラインパター
ンである。さらにまた、識別子はプリアライメントマー
クの方向を示した補助パターンである。
【０００８】この発明にかかるＸ線マスクのアライメン
ト方法は、Ｘ線露光装置にプリアライメントマークを有
するＸ線マスクを配置するマスク配置工程と、撮像装置
の撮像部の視野内にＸ線マスクのプリアライメントマー
クが入るようにする第１の位置合わせ工程と、Ｘ線露光
装置の所定の位置にこのプリアライメントマークを合わ
せる第２の位置合わせ工程とを含んでいる。また、第１
の位置合わせ工程は、補助パターンの向きにＸ線マスク
を撮像装置の撮像部に対して相対的に移動させ、撮像部
の視野内にプリアライメントマークが入るようにするこ
とである。さらに、Ｘ線露光装置にプリアライメントマ
ークを有するＸ線マスクを配置するマスク配置工程と、
マスク配置工程でのＸ線マスクのＸ線露光装置との相対
座標を記憶する第１の記憶工程と、撮像装置の撮像部の
視野内にＸ線マスクのプリアライメントマークが入るよ
うにする第１の位置合わせ工程と、Ｘ線露光装置の所定
の位置にプリアライメントマークを合わせる第２の位置
合わせ工程と、第２の位置合わせ工程でのＸ線マスクの
Ｘ線露光装置との相対座標とを記憶する第２の記憶工程
とを含んでいる。
ト方法は、Ｘ線露光装置にプリアライメントマークを有
するＸ線マスクを配置するマスク配置工程と、撮像装置
の撮像部の視野内にＸ線マスクのプリアライメントマー
クが入るようにする第１の位置合わせ工程と、Ｘ線露光
装置の所定の位置にこのプリアライメントマークを合わ
せる第２の位置合わせ工程とを含んでいる。また、第１
の位置合わせ工程は、補助パターンの向きにＸ線マスク
を撮像装置の撮像部に対して相対的に移動させ、撮像部
の視野内にプリアライメントマークが入るようにするこ
とである。さらに、Ｘ線露光装置にプリアライメントマ
ークを有するＸ線マスクを配置するマスク配置工程と、
マスク配置工程でのＸ線マスクのＸ線露光装置との相対
座標を記憶する第１の記憶工程と、撮像装置の撮像部の
視野内にＸ線マスクのプリアライメントマークが入るよ
うにする第１の位置合わせ工程と、Ｘ線露光装置の所定
の位置にプリアライメントマークを合わせる第２の位置
合わせ工程と、第２の位置合わせ工程でのＸ線マスクの
Ｘ線露光装置との相対座標とを記憶する第２の記憶工程
とを含んでいる。
【０００９】
実施の形態１．図１は本実施の形態のＸ線マスクの断面
図である。図において、１はバックエッチ領域６が取り
除かれたマスクウエハ、２はマスクウエハ１上に設けら
れたメンブレン膜、３はメンブレン膜２上のバックエッ
チ領域６以外の部分に設けられた例えばＡｌ膜等の高反
射膜である。そして、４はメンブレン膜２及び高反射膜
３上に設けられた吸収体膜で、露光フィールド７内には
ウエハに転写するためのマスクパターン４ａを、バック
エッチ領域６以外の部分にはプリアライメントマーク４
ｂを形成したものである。５はマスクフレームである。
図である。図において、１はバックエッチ領域６が取り
除かれたマスクウエハ、２はマスクウエハ１上に設けら
れたメンブレン膜、３はメンブレン膜２上のバックエッ
チ領域６以外の部分に設けられた例えばＡｌ膜等の高反
射膜である。そして、４はメンブレン膜２及び高反射膜
３上に設けられた吸収体膜で、露光フィールド７内には
ウエハに転写するためのマスクパターン４ａを、バック
エッチ領域６以外の部分にはプリアライメントマーク４
ｂを形成したものである。５はマスクフレームである。
【００１０】また、図２は本実施の形態１のＸ線マスク
の上面を示した図である。図において、４ｂはプリアラ
イメントマーク、７は露光フィールド、８はラインパタ
ーン、９は方向を示す三角形で表された補助パターン、
１０はプリアライメントマーク配置領域である。図２に
示すように、マスクウエハ１面上の露光フィールド７の
外側に以下で述べる各種パターン以外の吸収体膜を取り
除いたプリアライメントマーク配置領域１０を設ける。
プリアライメントマーク配置領域１０内には、ラインパ
ターン８を配置し、そのラインパターン８上にＸ線マス
クのプリアライメントマーク４ｂを配置する。本ライン
パターン８の横には補助パターン９を配置し、その補助
パターン９の三角形の向きがプリアライメントマーク４
ｂの存在する方向を示すようにしている。このプリアラ
イメント配置領域１０内の吸収体で形成されたラインパ
ターン８や補助パターン９等のパターン情報はプリアラ
イメント配置領域１０内を抜きパターンにすることによ
り、可視光を用いても十分なコントラストをもって認識
することができる。
の上面を示した図である。図において、４ｂはプリアラ
イメントマーク、７は露光フィールド、８はラインパタ
ーン、９は方向を示す三角形で表された補助パターン、
１０はプリアライメントマーク配置領域である。図２に
示すように、マスクウエハ１面上の露光フィールド７の
外側に以下で述べる各種パターン以外の吸収体膜を取り
除いたプリアライメントマーク配置領域１０を設ける。
プリアライメントマーク配置領域１０内には、ラインパ
ターン８を配置し、そのラインパターン８上にＸ線マス
クのプリアライメントマーク４ｂを配置する。本ライン
パターン８の横には補助パターン９を配置し、その補助
パターン９の三角形の向きがプリアライメントマーク４
ｂの存在する方向を示すようにしている。このプリアラ
イメント配置領域１０内の吸収体で形成されたラインパ
ターン８や補助パターン９等のパターン情報はプリアラ
イメント配置領域１０内を抜きパターンにすることによ
り、可視光を用いても十分なコントラストをもって認識
することができる。
【００１１】次に、本実施の形態のＸ線マスクに製造方
法を説明する。図３、４は本実施の形態のＸ線マスクの
製造工程を示す図である。図３（ａ）に示すように、マ
スクウエハ１上にマスクメンブレン膜２を成膜し、その
後、図３（ｂ）に示すように、メンブレン領域を保護す
るメンブレン保護アパーチャー１１を用いてマスクウエ
ハ１上の露光フィールド７の外側領域にのみ、例えばＡ
ｌ膜等の高反射膜３をスパッタ法により成膜する。次
に、図３（ｃ）に示すように、メンブレン膜２及び高反
射膜３上に吸収体膜４を成膜し、図３（ｄ）に示すよう
に、吸収体膜４上に例えばＥＢ露光などによりレジスト
パターン１２ａを形成する。この時、露光フィールド７
の外側にＸ線マスクのプリアライメントマーク４ｂのた
めのレジストパターン１２ｂも同時にＥＢ描画する。そ
して、図４（ａ）に示すように、吸収体膜４をエッチン
グをしてマスクパターン４ａとプリアライメントマーク
４ｂとをマスクウエハ１上に形成する。最後に、図４
（ｂ）に示すように、マスクウエハ１のバックエッチ領
域をエッチングして取り除き、その後、図４（ｃ）に示
すように、マスクフレーム５にマスクウエハ１を貼り付
けてＸ線マスク２２を作製する。
法を説明する。図３、４は本実施の形態のＸ線マスクの
製造工程を示す図である。図３（ａ）に示すように、マ
スクウエハ１上にマスクメンブレン膜２を成膜し、その
後、図３（ｂ）に示すように、メンブレン領域を保護す
るメンブレン保護アパーチャー１１を用いてマスクウエ
ハ１上の露光フィールド７の外側領域にのみ、例えばＡ
ｌ膜等の高反射膜３をスパッタ法により成膜する。次
に、図３（ｃ）に示すように、メンブレン膜２及び高反
射膜３上に吸収体膜４を成膜し、図３（ｄ）に示すよう
に、吸収体膜４上に例えばＥＢ露光などによりレジスト
パターン１２ａを形成する。この時、露光フィールド７
の外側にＸ線マスクのプリアライメントマーク４ｂのた
めのレジストパターン１２ｂも同時にＥＢ描画する。そ
して、図４（ａ）に示すように、吸収体膜４をエッチン
グをしてマスクパターン４ａとプリアライメントマーク
４ｂとをマスクウエハ１上に形成する。最後に、図４
（ｂ）に示すように、マスクウエハ１のバックエッチ領
域をエッチングして取り除き、その後、図４（ｃ）に示
すように、マスクフレーム５にマスクウエハ１を貼り付
けてＸ線マスク２２を作製する。
【００１２】本実施の形態では、補助パターン９は図２
に示したように、三角形の形状のものを用いたが、これ
は特に三角形に限定するものではなく、プリアライメン
トマークの方向を示す識別子であればよい。また、ライ
ンパターンと補助パターンを一体にしてもよく、ライン
パターンを形成した部分に補助パターンのみを形成して
もよい。さらに、プリアライメントマーク配置領域１０
内のプリアライメントマーク４ｂ、ラインパターン８、
補助パターン９の部分以外の吸収体膜を取り除くのでは
なく、反対に、プリアライメントマーク配置領域１０内
のプリアライメントマーク４ｂ、ラインパターン８、補
助パターン９の部分の吸収体膜を取り除くことによって
各種パターンを形成してもよい。また、上記実施の形態
では露光フィールド７の４辺にプリアライメントマーク
４ｂを配置したが、これは特に４辺に限定するものでは
なく、プリアライメントマーク４ｂが縦、横両方向の位
置合わせができる形にすることにより露光フィールド７
に沿った２辺に配置したものでもよい。
に示したように、三角形の形状のものを用いたが、これ
は特に三角形に限定するものではなく、プリアライメン
トマークの方向を示す識別子であればよい。また、ライ
ンパターンと補助パターンを一体にしてもよく、ライン
パターンを形成した部分に補助パターンのみを形成して
もよい。さらに、プリアライメントマーク配置領域１０
内のプリアライメントマーク４ｂ、ラインパターン８、
補助パターン９の部分以外の吸収体膜を取り除くのでは
なく、反対に、プリアライメントマーク配置領域１０内
のプリアライメントマーク４ｂ、ラインパターン８、補
助パターン９の部分の吸収体膜を取り除くことによって
各種パターンを形成してもよい。また、上記実施の形態
では露光フィールド７の４辺にプリアライメントマーク
４ｂを配置したが、これは特に４辺に限定するものでは
なく、プリアライメントマーク４ｂが縦、横両方向の位
置合わせができる形にすることにより露光フィールド７
に沿った２辺に配置したものでもよい。
【００１３】本実施の形態では、メンブレン膜上のバッ
クエッチ領域以外の部分に高反射膜を設けているので、
可視光領域においてもプリアライメントマークを認識で
きるため、プリアライメントの時にＣＣＤカメラ等でプ
リアライメントマークを容易に確認することができる。
また、ラインパターン、補助パターンを設けることによ
り、ＣＣＤカメラ等の視野内にプリアライメントマーク
が存在しなくても、ラインパターン、補助パターンを用
いて容易にプリアライメントマークの存在位置を探し出
すことができる。
クエッチ領域以外の部分に高反射膜を設けているので、
可視光領域においてもプリアライメントマークを認識で
きるため、プリアライメントの時にＣＣＤカメラ等でプ
リアライメントマークを容易に確認することができる。
また、ラインパターン、補助パターンを設けることによ
り、ＣＣＤカメラ等の視野内にプリアライメントマーク
が存在しなくても、ラインパターン、補助パターンを用
いて容易にプリアライメントマークの存在位置を探し出
すことができる。
【００１４】実施の形態２．図５は本実施の形態のＸ線
マスクの断面図である。図において、１はバックエッチ
領域６及びプリアライメントマーク配置領域１０が取り
除かれたマスクウエハ、２はマスクウエハ１上に設けら
れたメンブレン膜である。そして、４はメンブレン膜２
上に設けられた吸収体膜で、露光フィールド７内にはウ
エハに転写するためのマスクパターン４ａを、バックエ
ッチ領域６以外のプリアライメントマーク配置領域１０
部分にはプリアライメントマーク４ｂを形成したもので
ある。５はマスクフレームである。本実施の形態のＸ線
マスクも、図２に示したように実施の形態１と同様にプ
リアライメントマーク配置領域１０にラインパターン
８、補助パターン９を配置するものとする。
マスクの断面図である。図において、１はバックエッチ
領域６及びプリアライメントマーク配置領域１０が取り
除かれたマスクウエハ、２はマスクウエハ１上に設けら
れたメンブレン膜である。そして、４はメンブレン膜２
上に設けられた吸収体膜で、露光フィールド７内にはウ
エハに転写するためのマスクパターン４ａを、バックエ
ッチ領域６以外のプリアライメントマーク配置領域１０
部分にはプリアライメントマーク４ｂを形成したもので
ある。５はマスクフレームである。本実施の形態のＸ線
マスクも、図２に示したように実施の形態１と同様にプ
リアライメントマーク配置領域１０にラインパターン
８、補助パターン９を配置するものとする。
【００１５】次に、本実施の形態のＸ線マスクに製造方
法を説明する。図６、７は本実施の形態のＸ線マスクの
製造工程を示した図である。図６（ａ）に示すように、
マスクウエハ１上にマスクメンブレン膜２を成膜し、そ
の後、図６（ｂ）に示すように、メンブレン膜２上に吸
収体膜４を成膜する。そして、図６（ｃ）に示すよう
に、吸収体膜４上に例えばＥＢ露光などによりレジスト
パターン１２ａを形成する。この時、露光フィールド７
の外側にＸ線マスクのプリアライメントマーク４ｂのた
めのレジストパターン１２ｂも同時にＥＢ描画する。そ
して、図７（ａ）に示すように、吸収体膜４をエッチン
グしてマスクパターン４ａとプリアライメントマーク４
ｂとをマスクウエハ１上に形成する。次に、図７（ｂ）
に示すように、マスクウエハ１のバックエッチ領域９と
プリアライメントマーク配置領域１０の裏面を専用の治
具を用いて例えばフッ酸と硝酸との混合したもの等の酸
薬品で裏面のマスクウエハ１を溶かすことによりエッチ
ングして取り除き、プリアライメントマーク配置領域１
０を形成する。最後に、図７（ｃ）に示すように、マス
クフレーム５にマスクウエハ１を貼り付けてＸ線マスク
２２を作製する。
法を説明する。図６、７は本実施の形態のＸ線マスクの
製造工程を示した図である。図６（ａ）に示すように、
マスクウエハ１上にマスクメンブレン膜２を成膜し、そ
の後、図６（ｂ）に示すように、メンブレン膜２上に吸
収体膜４を成膜する。そして、図６（ｃ）に示すよう
に、吸収体膜４上に例えばＥＢ露光などによりレジスト
パターン１２ａを形成する。この時、露光フィールド７
の外側にＸ線マスクのプリアライメントマーク４ｂのた
めのレジストパターン１２ｂも同時にＥＢ描画する。そ
して、図７（ａ）に示すように、吸収体膜４をエッチン
グしてマスクパターン４ａとプリアライメントマーク４
ｂとをマスクウエハ１上に形成する。次に、図７（ｂ）
に示すように、マスクウエハ１のバックエッチ領域９と
プリアライメントマーク配置領域１０の裏面を専用の治
具を用いて例えばフッ酸と硝酸との混合したもの等の酸
薬品で裏面のマスクウエハ１を溶かすことによりエッチ
ングして取り除き、プリアライメントマーク配置領域１
０を形成する。最後に、図７（ｃ）に示すように、マス
クフレーム５にマスクウエハ１を貼り付けてＸ線マスク
２２を作製する。
【００１６】本実施の形態では、図５に示したように、
マスクウエハ１のプリアライメント配置領域１０を取り
除き、このプリアライメントマーク配置領域１０内の各
種パターン以外の吸収体膜をすべて取り除いているの
で、吸収体パターン像が可視光に対してコントラストよ
く認識できるようになり、前述したようにＡｌ膜等の高
反射率膜をプリアライメントマーク配置領域１０全体に
成膜した状態と同等の効果を得ることができ、ＣＣＤカ
メラ等でプリアライメントマーク等を容易に認識するこ
とができる。また、本実施の形態では、Ａｌ等の高反射
膜を形成することがなく、マスクウエハにプリアライメ
ントマーク配置領域の形成をバックエッチ領域の形成と
同時に行うことができるので、製造工程を少なくするこ
とができる。
マスクウエハ１のプリアライメント配置領域１０を取り
除き、このプリアライメントマーク配置領域１０内の各
種パターン以外の吸収体膜をすべて取り除いているの
で、吸収体パターン像が可視光に対してコントラストよ
く認識できるようになり、前述したようにＡｌ膜等の高
反射率膜をプリアライメントマーク配置領域１０全体に
成膜した状態と同等の効果を得ることができ、ＣＣＤカ
メラ等でプリアライメントマーク等を容易に認識するこ
とができる。また、本実施の形態では、Ａｌ等の高反射
膜を形成することがなく、マスクウエハにプリアライメ
ントマーク配置領域の形成をバックエッチ領域の形成と
同時に行うことができるので、製造工程を少なくするこ
とができる。
【００１７】実施の形態３．Ｘ線露光装置に新しく作製
したＸ線マスク２２を搭載する時には、Ｘ線露光装置の
持つ絶対座標系に対して前記Ｘ線マスク２２のもつ座標
系は一致していない。そのため、図２に示したＣＣＤカ
メラ視野１４内にプリアライメントマーク４ｂは入って
こない可能性が高く、ＣＣＤカメラ視野１４内にプリア
ライメントマーク４ｂが入るように設定しなければなら
ない。
したＸ線マスク２２を搭載する時には、Ｘ線露光装置の
持つ絶対座標系に対して前記Ｘ線マスク２２のもつ座標
系は一致していない。そのため、図２に示したＣＣＤカ
メラ視野１４内にプリアライメントマーク４ｂは入って
こない可能性が高く、ＣＣＤカメラ視野１４内にプリア
ライメントマーク４ｂが入るように設定しなければなら
ない。
【００１８】ＣＣＤカメラ等の撮像装置により実施の形
態１、２で示したプリアライメントマークを認識する方
法を説明する。図８は本実施の形態のＸ線マスクを拡大
した図である。図において、１はマスクウエハ、４ｂは
プリアライメントマーク、８はラインパターン、９は補
助パターン、１０はプリアライメントマーク配置領域で
ある。そして、図に示すようにＸ、Ｙ方向を定める。ま
ず、例えばジョイスティック等（図示していない）を用
いてＸ線マスク２２をＸ方向に粗動させ、前記ＣＣＤカ
メラ視野１４内にラインパターン８が入るようにＸ線マ
スクの位置を調整する。その結果、図８に示したように
前記ＣＣＤカメラ視野１４内にはラインパターン８と補
助パターン９とをとらえられることができる。
態１、２で示したプリアライメントマークを認識する方
法を説明する。図８は本実施の形態のＸ線マスクを拡大
した図である。図において、１はマスクウエハ、４ｂは
プリアライメントマーク、８はラインパターン、９は補
助パターン、１０はプリアライメントマーク配置領域で
ある。そして、図に示すようにＸ、Ｙ方向を定める。ま
ず、例えばジョイスティック等（図示していない）を用
いてＸ線マスク２２をＸ方向に粗動させ、前記ＣＣＤカ
メラ視野１４内にラインパターン８が入るようにＸ線マ
スクの位置を調整する。その結果、図８に示したように
前記ＣＣＤカメラ視野１４内にはラインパターン８と補
助パターン９とをとらえられることができる。
【００１９】次にプリアライメントマーク４ｂの位置を
探すために、前記Ｘ線マスク２２をＹ方向に移動させ
る。この時の移動は、ＣＣＤカメラ視野１４内でとらえ
られたラインパターン８に沿って行い、その移動方向は
補助パターン９の向きに従うことにより容易にプリアラ
イメントマーク４ｂを探し出すことができる。この操作
中で例えばＣＣＤカメラの２つの視野１４内に露光フィ
ールド７の左右のラインパターン８が同時に各ＣＣＤカ
メラ視野１４内にとらえられるように回転補正すること
ができる。以上の操作で例えば４つのプリアライメント
マーク４ｂを画像としてとらえた後、Ｘ線露光装置内で
前記プリアライメントマーク４ｂに含まれたＸ、Ｙ方向
のパターンのクロス位置が所定位置にくるようにＸ線マ
スク２２の位置の微調整を行うことによりＸ線マスク２
２のプリアライメントが完了する。
探すために、前記Ｘ線マスク２２をＹ方向に移動させ
る。この時の移動は、ＣＣＤカメラ視野１４内でとらえ
られたラインパターン８に沿って行い、その移動方向は
補助パターン９の向きに従うことにより容易にプリアラ
イメントマーク４ｂを探し出すことができる。この操作
中で例えばＣＣＤカメラの２つの視野１４内に露光フィ
ールド７の左右のラインパターン８が同時に各ＣＣＤカ
メラ視野１４内にとらえられるように回転補正すること
ができる。以上の操作で例えば４つのプリアライメント
マーク４ｂを画像としてとらえた後、Ｘ線露光装置内で
前記プリアライメントマーク４ｂに含まれたＸ、Ｙ方向
のパターンのクロス位置が所定位置にくるようにＸ線マ
スク２２の位置の微調整を行うことによりＸ線マスク２
２のプリアライメントが完了する。
【００２０】本実施の形態では、ＣＣＤカメラ等可視領
域においてプリアライメントマークを画像として認識で
きるので容易にプリアライメントマークを探し出すこと
ができる。また、ラインパターンを設けることにより撮
像装置の視野内にプリアライメントマークがなくてもラ
インパターンを認識できれば容易にプリアライメントマ
ークを認識することができる。さらに、補助パターンを
設けることによりプリアライメントマークに近づく方向
がわかるのでより容易にプリアライメントマークを認識
させることができる。
域においてプリアライメントマークを画像として認識で
きるので容易にプリアライメントマークを探し出すこと
ができる。また、ラインパターンを設けることにより撮
像装置の視野内にプリアライメントマークがなくてもラ
インパターンを認識できれば容易にプリアライメントマ
ークを認識することができる。さらに、補助パターンを
設けることによりプリアライメントマークに近づく方向
がわかるのでより容易にプリアライメントマークを認識
させることができる。
【００２１】実施の形態４．前述したように、新たに作
製したＸ線マスク２２をＸ線露光装置に搭載する際に
は、マスク製造工程で生じたマスクオフセットがあるた
めにマスクのプリアライメントが必須になる。しかしな
がら、Ｘ線露光装置でプリアライメントを実施させた時
のＸ軸、Ｙ軸及びθ軸のエンコーダ出力の値をＸ線露光
装置に記憶させておくことにより、本Ｘ線マスク２２の
オフセットを補正してＸ線露光装置でプリアライメント
操作のできるレベルでＸ線マスク２２をローディングす
ることができるようになる。図９は本実施の形態のマス
クをローディングする処理フローを示した図である。新
しく作製したＸ線マスク２２では作製時の誤差によりマ
スク内のパターン座標とマスクの外形を規定する座標系
とが必ずしも一致しない。したがって、新規作製マスク
をＸ線露光装置にローディングした時のローダの初期エ
ンコーダ出力（Ｘ0 、Ｙ0 、θ0 ）をＸ線露光装置に記
憶させる。
製したＸ線マスク２２をＸ線露光装置に搭載する際に
は、マスク製造工程で生じたマスクオフセットがあるた
めにマスクのプリアライメントが必須になる。しかしな
がら、Ｘ線露光装置でプリアライメントを実施させた時
のＸ軸、Ｙ軸及びθ軸のエンコーダ出力の値をＸ線露光
装置に記憶させておくことにより、本Ｘ線マスク２２の
オフセットを補正してＸ線露光装置でプリアライメント
操作のできるレベルでＸ線マスク２２をローディングす
ることができるようになる。図９は本実施の形態のマス
クをローディングする処理フローを示した図である。新
しく作製したＸ線マスク２２では作製時の誤差によりマ
スク内のパターン座標とマスクの外形を規定する座標系
とが必ずしも一致しない。したがって、新規作製マスク
をＸ線露光装置にローディングした時のローダの初期エ
ンコーダ出力（Ｘ0 、Ｙ0 、θ0 ）をＸ線露光装置に記
憶させる。
【００２２】次に、実施の形態３で説明したようにＸ線
マスク内に配置されたプリアライメントマークをＣＣＤ
カメラの出力画像を見ながらマニュアルアシストで捜し
だし、マスクのプリアライメントを実施する。そして、
その時のエンコーダ出力（Ｘ1 、Ｙ1 、θ1 ）を再度Ｘ
線露光装置に読みとらせる。この時、初期エンコーダ出
力とプリアライメント後のエンコーダ出力の差を計算に
より求め、その値をそのマスク対応のマスクオフセット
としてＸ線露光装置に記憶させる。２回目以降のマスク
ローディングでは、マスクローディング後にそのＸ線マ
スクのもつ固有のマスクオフセット分だけＸ線露光装置
内で移動させることによりプリアライメントマークを探
し出す。
マスク内に配置されたプリアライメントマークをＣＣＤ
カメラの出力画像を見ながらマニュアルアシストで捜し
だし、マスクのプリアライメントを実施する。そして、
その時のエンコーダ出力（Ｘ1 、Ｙ1 、θ1 ）を再度Ｘ
線露光装置に読みとらせる。この時、初期エンコーダ出
力とプリアライメント後のエンコーダ出力の差を計算に
より求め、その値をそのマスク対応のマスクオフセット
としてＸ線露光装置に記憶させる。２回目以降のマスク
ローディングでは、マスクローディング後にそのＸ線マ
スクのもつ固有のマスクオフセット分だけＸ線露光装置
内で移動させることによりプリアライメントマークを探
し出す。
【００２３】本実施の形態では、２回目以降のマスクロ
ーディングにおいて、マスクローディング後にそのマス
クのもつ固有のマスクオフセット分だけＸ線露光装置内
で移動させているので、プリアライメントマークを探し
出す操作が不要となりＸ線露光装置にマスクをローディ
ングする作業が簡単に行えるようになる。
ーディングにおいて、マスクローディング後にそのマス
クのもつ固有のマスクオフセット分だけＸ線露光装置内
で移動させているので、プリアライメントマークを探し
出す操作が不要となりＸ線露光装置にマスクをローディ
ングする作業が簡単に行えるようになる。
【００２４】さらに、上記実施の形態ではＸ線マスクの
プリアライメントを前記プリアライメントマークを用い
て実施したが、プリアライメントマークをより高精度に
作製することによりＸ線マスクのファインアライメント
までを本マークを用いて実施することも可能で、Ｘ線露
光で通常実施しているダイバイダイのアライメントを行
わず、ステッパのステージ精度のみで露光を実施してい
く場合にも有効となる。
プリアライメントを前記プリアライメントマークを用い
て実施したが、プリアライメントマークをより高精度に
作製することによりＸ線マスクのファインアライメント
までを本マークを用いて実施することも可能で、Ｘ線露
光で通常実施しているダイバイダイのアライメントを行
わず、ステッパのステージ精度のみで露光を実施してい
く場合にも有効となる。
【００２５】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。本発明に
よればＸ線マスクのバックエッチ領域外に可視光等によ
って認識できるプリアライメントマークを設けているの
で、可視光等によってプリアライメントマークを認識で
き、マスク作製時にＥＢ描画位置をマスクフレーム間の
位置関係を高精度に保つ必要性がなくなり、Ｘ線マスク
をＸ線露光装置に容易に搭載することが可能になるとい
う効果がある。さらに、Ｘ線露光装置に各Ｘ線マスクご
とのローディングオフセットを記憶させることにより、
２回目以降のマスクローディングを容易にし、前記Ｘ線
マスクの製造工程を簡略化できるとともに露光装置の稼
働率を高めることができる。
ているので、以下に示すような効果を奏する。本発明に
よればＸ線マスクのバックエッチ領域外に可視光等によ
って認識できるプリアライメントマークを設けているの
で、可視光等によってプリアライメントマークを認識で
き、マスク作製時にＥＢ描画位置をマスクフレーム間の
位置関係を高精度に保つ必要性がなくなり、Ｘ線マスク
をＸ線露光装置に容易に搭載することが可能になるとい
う効果がある。さらに、Ｘ線露光装置に各Ｘ線マスクご
とのローディングオフセットを記憶させることにより、
２回目以降のマスクローディングを容易にし、前記Ｘ線
マスクの製造工程を簡略化できるとともに露光装置の稼
働率を高めることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１のＸ線マスクの断面を
示した図。
示した図。
【図２】 本発明の実施の形態１のＸ線マスクの上面を
示した図。
示した図。
【図３】 本発明の実施の形態１のＸ線マスクの製造工
程を示した図。
程を示した図。
【図４】 本発明の実施の形態１のＸ線マスクの製造工
程を示した図。
程を示した図。
【図５】 本発明の実施の形態２のＸ線マスクの断面を
示した図。
示した図。
【図６】 本発明の実施の形態２のＸ線マスクの製造工
程を示した図。
程を示した図。
【図７】 本発明の実施の形態２のＸ線マスクの製造工
程を示した図。
程を示した図。
【図８】 本発明の実施の形態３のＸ線マスクを拡大し
た図。
た図。
【図９】 本発明の実施の形態４のマスクローディング
方法を示すフロー図。
方法を示すフロー図。
【図１０】 従来のマスク装着方法を示した図。
【図１１】 従来のマスクウエハの貼り付け方法を示し
た図。
た図。
１ マスクウエハ ２ メンブ
レン膜 ３ 高反射膜（Ａｌ膜） ４ 吸収体
膜 ４ａ マスクパターン ４ｂ プリア
ライメントマーク ５ マスクフレーム ６ バック
エッチ領域 ７ 露光フィールド ８ ライン
パターン ９ 補助パターン １０ プリアライメントマーク配置領域 １１ メンブレン保護アパーチャー １２ａ レジストパターン １２ｂ レジス
トパターン １４ ＣＣＤカメラ視野 ２１ アライ
メントセンサ ２２ Ｘ線マスク ２３ アライ
メントマーク ２４ 転写ウエハ ２５ 基準マ
ーク
レン膜 ３ 高反射膜（Ａｌ膜） ４ 吸収体
膜 ４ａ マスクパターン ４ｂ プリア
ライメントマーク ５ マスクフレーム ６ バック
エッチ領域 ７ 露光フィールド ８ ライン
パターン ９ 補助パターン １０ プリアライメントマーク配置領域 １１ メンブレン保護アパーチャー １２ａ レジストパターン １２ｂ レジス
トパターン １４ ＣＣＤカメラ視野 ２１ アライ
メントセンサ ２２ Ｘ線マスク ２３ アライ
メントマーク ２４ 転写ウエハ ２５ 基準マ
ーク
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｘ線露光領域部を含むバックエッチ領域
部が取り除かれたマスクウエハと、前記マスクウエハ上
に配置されたメンブレン膜と、前記マスクウエハ上部に
ある前記メンブレン膜上に配置された高反射膜と、前記
メンブレン膜上の前記Ｘ線露光領域部に設けられたマス
クパターンと、前記高反射膜上に設けられたプリアライ
メントマークとを備えたことを特徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】 メンブレン膜上に配置された高反射膜
は、Ａｌ膜であることを特徴とする請求項２記載のＸ線
マスク。 - 【請求項３】 Ｘ線露光領域部を含むバックエッチ領域
部及び前記バックエッチ領域部の近傍部分とが取り除か
れたマスクウエハと、前記マスクウエハ上に配置された
メンブレン膜と、前記メンブレン膜上の前記Ｘ線露光領
域部に設けられたマスクパターンと、前記メンブレン膜
上の前記バックエッチ領域部の近傍部に設けられたプリ
アライメントマークとを備えたことを特徴とするＸ線マ
スク。 - 【請求項４】 プリアライメントマークは、複数である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のＸ
線マスク。 - 【請求項５】 プリアライメントマークの近傍部にプリ
アライメントマークの位置に関する識別子を備えたこと
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のＸ線マ
スク。 - 【請求項６】 識別子はラインパターンであることを特
徴とする請求項５記載のＸ線マスク。 - 【請求項７】 識別子はプリアライメントマークの方向
を示した補助パターンであることを特徴とする請求項５
記載のＸ線マスク。 - 【請求項８】 Ｘ線露光装置に請求項１〜７のいずれか
１項記載のプリアライメントマークを有するＸ線マスク
を配置するマスク配置工程と、撮像装置の撮像部の視野
内に前記Ｘ線マスクの前記プリアライメントマークが入
るようにする第１の位置合わせ工程と、前記Ｘ線露光装
置の所定の位置に前記プリアライメントマークを合わせ
る第２の位置合わせ工程とを含むことを特徴とするＸ線
マスクのアライメント方法。 - 【請求項９】 第１の位置合わせ工程は、請求項７記載
の補助パターンの向きにＸ線マスクおよび撮像装置の撮
像部を相対的に移動させ、前記撮像部の視野内に前記プ
リアライメントマークが入るようにすることを特徴とす
る請求項８記載のＸ線マスクのアライメント方法。 - 【請求項１０】 Ｘ線露光装置に請求項１〜７のいずれ
か１項記載のプリアライメントマークを有するＸ線マス
クを配置するマスク配置工程と、マスク配置工程での前
記Ｘ線マスクの前記Ｘ線露光装置との相対座標を記憶す
る第１の記憶工程と、撮像装置の撮像部の視野内に前記
Ｘ線マスクの前記プリアライメントマークが入るように
する第１の位置合わせ工程と、前記Ｘ線露光装置の所定
の位置に前記プリアライメントマークを合わせる第２の
位置合わせ工程と、第２の位置合わせ工程での前記Ｘ線
マスクの前記Ｘ線露光装置との相対座標を記憶する第２
の記憶工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクのアラ
イメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11803696A JPH09306806A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Ｘ線マスク及びそのアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11803696A JPH09306806A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Ｘ線マスク及びそのアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306806A true JPH09306806A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14726466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11803696A Pending JPH09306806A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Ｘ線マスク及びそのアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306806A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011170144A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Hitachi High-Technologies Corp | フォトマスク、プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のアライメントマーク検出方法 |
| CN104345574A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基于位置传感器的光刻机掩模预对准系统 |
| CN117452778A (zh) * | 2023-11-08 | 2024-01-26 | 深圳清溢微电子有限公司 | 掩膜版二次曝光自动对位方法、装置 |
-
1996
- 1996-05-13 JP JP11803696A patent/JPH09306806A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011170144A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Hitachi High-Technologies Corp | フォトマスク、プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のアライメントマーク検出方法 |
| CN104345574A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 上海微电子装备有限公司 | 一种基于位置传感器的光刻机掩模预对准系统 |
| CN117452778A (zh) * | 2023-11-08 | 2024-01-26 | 深圳清溢微电子有限公司 | 掩膜版二次曝光自动对位方法、装置 |
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