JPS59152621A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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JPS59152621A
JPS59152621A JP58027170A JP2717083A JPS59152621A JP S59152621 A JPS59152621 A JP S59152621A JP 58027170 A JP58027170 A JP 58027170A JP 2717083 A JP2717083 A JP 2717083A JP S59152621 A JPS59152621 A JP S59152621A
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JP
Japan
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ion implantation
chamber
vacuum
substrate
semiconductor substrate
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JP58027170A
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English (en)
Japanese (ja)
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JPH023293B2 (https=
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Shizuo Nojiri
野尻　倭夫
Toshio Wada
和田　俊男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01191424A (ja) * 1988-01-27 1989-08-01 Toshiba Corp レジスト硬化処理方法
JP2001267266A (ja) * 1999-12-22 2001-09-28 Axcelis Technologies Inc プラズマイマージョンイオン注入処理の方法
JP2011513997A (ja) * 2008-03-05 2011-04-28 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 太陽電池の連鎖注入の使用
JP2021512484A (ja) * 2018-01-31 2021-05-13 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド チャンバポンプおよびパージによるプロセスチャンバの低減に対するガス放出の影響

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