JPS59152621A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPS59152621A JPS59152621A JP2717083A JP2717083A JPS59152621A JP S59152621 A JPS59152621 A JP S59152621A JP 2717083 A JP2717083 A JP 2717083A JP 2717083 A JP2717083 A JP 2717083A JP S59152621 A JPS59152621 A JP S59152621A
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- Japan
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- ion implantation
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- vacuum
- substrate
- semiconductor substrate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装鰍製造に用いられるイオン注入法及び
イオン注入装動に関する。
イオン注入装動に関する。
イオン注入技術は、半導体装置ｓ造におけるドーピング
技術として重女な位ｔ？占めている。イオン注入法とは
不純物元素をイオン化し′電気的にエネルギーを与える
ことによって、半嶋゛５体基板に心安な不純物全導入す
る技術であり、不純物を導入する心安のない領域はイオ
ンが基板に到達し得ないような充分な阻止能力を持った
物質で被っておく心安がある。このためのマスク材とし
て低ドーズ量のイオン注入においては、フォトレジスト
が一般に用いられているが高ドーズ童のイオン注人にお
いては未だ一般的でない。
技術として重女な位ｔ？占めている。イオン注入法とは
不純物元素をイオン化し′電気的にエネルギーを与える
ことによって、半嶋゛５体基板に心安な不純物全導入す
る技術であり、不純物を導入する心安のない領域はイオ
ンが基板に到達し得ないような充分な阻止能力を持った
物質で被っておく心安がある。このためのマスク材とし
て低ドーズ量のイオン注入においては、フォトレジスト
が一般に用いられているが高ドーズ童のイオン注人にお
いては未だ一般的でない。
その理由として、高エネルギーのイオン照射によるフォ
トレジストの熱的破壊およびフォトレジストより発生す
るガスとの衝突により中性化した不純物イオンに基づく
ドーズ量の不正確さが挙げられる。この不正確さのため
に、イオン注入法によって製造した半導体装置の特性が
所望値から外れたり、あるいは特性のばらつきが大きく
な９゜半導体装置の製造歩留りが低下するという欠点が
あった。
トレジストの熱的破壊およびフォトレジストより発生す
るガスとの衝突により中性化した不純物イオンに基づく
ドーズ量の不正確さが挙げられる。この不正確さのため
に、イオン注入法によって製造した半導体装置の特性が
所望値から外れたり、あるいは特性のばらつきが大きく
な９゜半導体装置の製造歩留りが低下するという欠点が
あった。
本発明は上記欠点を除去し、フォトレジストよりの発生
ガスを減少せしめ正確なドーズ量で半導体基板にイオン
注入できるイオン注入法及びイオン注入装島を提供する
ものである′。
ガスを減少せしめ正確なドーズ量で半導体基板にイオン
注入できるイオン注入法及びイオン注入装島を提供する
ものである′。
本発明のイオン注入法は、イオン注入さ扛る基板を真空
室内に載置して該基板表面を荷電粒子で照射して脱ガス
を行う工程と、前記真空室内の真空状態を解除すること
なく前記基板をイオン注入室に移送する工程と、前記基
板にイオン注入を行う工程とを含んで構成される。
室内に載置して該基板表面を荷電粒子で照射して脱ガス
を行う工程と、前記真空室内の真空状態を解除すること
なく前記基板をイオン注入室に移送する工程と、前記基
板にイオン注入を行う工程とを含んで構成される。
本発明のイオン注入装置の第１は、所定量の不純物を半
導体基板にイオン注入するイオン注入室と、該イオン注
入室に真空仕切弁を介して接続し真空状態を保持したま
ま前記半導体基板を前記イオン注入装置へ移送すること
のできる予備真空室と、該予備真空室に取付けられｌＩ
記半尋体基昏衣面をプラズマ照射する電源を含んで構成
される。
導体基板にイオン注入するイオン注入室と、該イオン注
入室に真空仕切弁を介して接続し真空状態を保持したま
ま前記半導体基板を前記イオン注入装置へ移送すること
のできる予備真空室と、該予備真空室に取付けられｌＩ
記半尋体基昏衣面をプラズマ照射する電源を含んで構成
される。
本発明のイオン注入装置の第２は、所定量の不純物を半
導体基板にイオン注入するイオン注入室と、該イオン注
入室に真壁仕切弁を介して接続し真空状態を保持したま
ま前記牛導体基′ｌｆＪを前記イオン注入装（至）へ移
送することのできる真空室と。
導体基板にイオン注入するイオン注入室と、該イオン注
入室に真壁仕切弁を介して接続し真空状態を保持したま
ま前記牛導体基′ｌｆＪを前記イオン注入装（至）へ移
送することのできる真空室と。
該真空室に取付けられ前記半導体基板表面に荷・亀粒子
を照射する照射源とを含んで構成される。
を照射する照射源とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説の構成を
説明するための図である。
説明するための図である。
このイオン注入装動は、所定量の不純物を半導体基板に
イオン注入するためのイオン注入室１と、真空仕切弁２
を介してイオン注入室１に接続する予備真空室３と、こ
の予備真空室３に取り付けられプラズマを発生せしめる
“電源）４Ｆと、予備真空室３を真空にする真空ポンプ
４とを含んで構成される。
イオン注入するためのイオン注入室１と、真空仕切弁２
を介してイオン注入室１に接続する予備真空室３と、こ
の予備真空室３に取り付けられプラズマを発生せしめる
“電源）４Ｆと、予備真空室３を真空にする真空ポンプ
４とを含んで構成される。
次に、本発明のイオン注入法について、このイオン注入
装置を用いた実施例について説明する。
装置を用いた実施例について説明する。
フォトレジ亥トを塗布しバターニングを行った半導体基
板５，５′を予備真空室２に載置し、真全ポンプ４で排
気しながら半導体基板５の表面をプラズマ照射して脱ガ
スを行う。フォトレジストより脱離したガスは真空ポン
プ４により糸外へ排出する。充分な脱ガスを行った後、
真空状態を解除することなく、真空仕切弁を介して半導
体基板５゜５′をイオン注入室１へ移送する。そしてイ
オン注入室でイオンビーム６を照射してイオン注入を行
う。
板５，５′を予備真空室２に載置し、真全ポンプ４で排
気しながら半導体基板５の表面をプラズマ照射して脱ガ
スを行う。フォトレジストより脱離したガスは真空ポン
プ４により糸外へ排出する。充分な脱ガスを行った後、
真空状態を解除することなく、真空仕切弁を介して半導
体基板５゜５′をイオン注入室１へ移送する。そしてイ
オン注入室でイオンビーム６を照射してイオン注入を行
う。
第２図は本発明の第２のイオン注入装置の実施？ｌｊの
構成を説明するための図である。
構成を説明するための図である。
このイオン注入装置は、イオン注入室１と、真空仕切弁
２を介し２て接続される真空室１１と、この真空室に取
付けられる荷電粒子ビーム１２を発生する照射源と、真
空室１１とイオン注入１とをそれぞれ真空にする真空ポ
ンプ４，４′を含んで構成される。
２を介し２て接続される真空室１１と、この真空室に取
付けられる荷電粒子ビーム１２を発生する照射源と、真
空室１１とイオン注入１とをそれぞれ真空にする真空ポ
ンプ４，４′を含んで構成される。
次に、この第２のイオン注入装置の実施？［−用いた場
合の本発明のイオン注入法について説明する。
合の本発明のイオン注入法について説明する。
フォトレジストを塗布し、バターニングを行った半導体
基板５，５′を真空室１１に載置し、真空ポンプ４にて
真空にする。真空にしたら荷電粒子ビーム１２で半導体
基板５，５′の表面を照射し。
基板５，５′を真空室１１に載置し、真空ポンプ４にて
真空にする。真空にしたら荷電粒子ビーム１２で半導体
基板５，５′の表面を照射し。
フォトレジストの脱ガスを行う。脱離したガスは真空ポ
ンプ４にて系外へ排出する。荷電粒子としてはアルゴン
、蟹素等のイオンまたは電子を使用する。フォトレジス
トの脱ガスを行ったら真空を解除することなく、真空仕
切弁２を介して半導体基板５，５′をイオン注入室へ移
送し、ここで不純物のイオンビーム６を照射してイオン
注入を行う。
ンプ４にて系外へ排出する。荷電粒子としてはアルゴン
、蟹素等のイオンまたは電子を使用する。フォトレジス
トの脱ガスを行ったら真空を解除することなく、真空仕
切弁２を介して半導体基板５，５′をイオン注入室へ移
送し、ここで不純物のイオンビーム６を照射してイオン
注入を行う。
荷電粒子の照射時のエネルギー及び照射量は、共にイオ
ン注入時のエネルギー及び照射量より低くても充分な脱
ガス効果が得られる。
ン注入時のエネルギー及び照射量より低くても充分な脱
ガス効果が得られる。
以上詳細に説明したように１本発明のイオン注入装置と
イオン注入法と金剛すると、フォトレジストから発生す
るガスをイオン注入的に除去するのでイオン注入時のガ
ス発生が低域され正確な量のイオン注入ができ、所望値
の特性を有し、特性のばらつきの少ない半導体製電を製
造することができるのでその効果は太きい。
イオン注入法と金剛すると、フォトレジストから発生す
るガスをイオン注入的に除去するのでイオン注入時のガ
ス発生が低域され正確な量のイオン注入ができ、所望値
の特性を有し、特性のばらつきの少ない半導体製電を製
造することができるのでその効果は太きい。
第１図は本発明の第１のイオン注入装動の実施例の構成
を説明するための図、第２図は本発明の第２のイオン注
入装動の笑確ヒリの構成を説明するｆｃめの図である。 １・・・・・イオン注入室、２・・・・・・真空仕切弁
、３・・・・・予備真空室、 ４ 、４’・・・・・・
真空ポンプ＠ ’、５ ＋ ５’・・・半導俸輛板、６
・・・・・・イオンビーム％ １１・・・・・真第２図
を説明するための図、第２図は本発明の第２のイオン注
入装動の笑確ヒリの構成を説明するｆｃめの図である。 １・・・・・イオン注入室、２・・・・・・真空仕切弁
、３・・・・・予備真空室、 ４ 、４’・・・・・・
真空ポンプ＠ ’、５ ＋ ５’・・・半導俸輛板、６
・・・・・・イオンビーム％ １１・・・・・真第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） イオン注入される基板を真空室内に戦備して
該基板表（２）を荷電粒子で照射して脱ガスを行う工程
と、前記真空室内の真空状態を解除することなく前記基
板をイオン注入室に移送子る工程と、前記基板にイオン
注入を行う工程とを含むことを特徴とするイオン注入法
。 （？） 所定量の不純物を半導体基板にイオン注入す
るイオン注入室と、該イオン注入室に真空仕切弁を介ｔ
て接続し真空状態を保持したまま前記半導体基板を前記
イオン注入装動、へ移送することのできる予備真空室と
、該予備真空室に取付けられ前記半導体基板表面をプラ
ズマ照射する・電源を含むことを特徴とするイオン注入
装置。 （３）所定量の不純物を半導体基板にイオン注入するイ
オン注入室と、該イオン注入室に真空仕切弁を介して接
続し真空状態を保持したまま前記半導体基板を前記イオ
ン注入装置へ移送することのできる真壁室と、該真空室
に取付けられ前記半導体基板表面に荷電粒子を照射する
照射源とを含むことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2717083A JPS59152621A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2717083A JPS59152621A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152621A true JPS59152621A (ja) | 1984-08-31 |
| JPH023293B2 JPH023293B2 (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=12213582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2717083A Granted JPS59152621A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152621A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191424A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Toshiba Corp | レジスト硬化処理方法 |
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2011513997A (ja) * | 2008-03-05 | 2011-04-28 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 太陽電池の連鎖注入の使用 |
| JP2021512484A (ja) * | 2018-01-31 | 2021-05-13 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | チャンバポンプおよびパージによるプロセスチャンバの低減に対するガス放出の影響 |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP2717083A patent/JPS59152621A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191424A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Toshiba Corp | レジスト硬化処理方法 |
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2011513997A (ja) * | 2008-03-05 | 2011-04-28 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 太陽電池の連鎖注入の使用 |
| JP2021512484A (ja) * | 2018-01-31 | 2021-05-13 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | チャンバポンプおよびパージによるプロセスチャンバの低減に対するガス放出の影響 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023293B2 (ja) | 1990-01-23 |
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