JPS59151946A - Ｎｍｒトモグラフイ−用電磁石装置 - Google Patents
Ｎｍｒトモグラフイ−用電磁石装置Info
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- JPS59151946A JPS59151946A JP58228613A JP22861383A JPS59151946A JP S59151946 A JPS59151946 A JP S59151946A JP 58228613 A JP58228613 A JP 58228613A JP 22861383 A JP22861383 A JP 22861383A JP S59151946 A JPS59151946 A JP S59151946A
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- G01R33/421—Screening of main or gradient magnetic field
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の関連する技術分野
本発明は、少なくとも１つの円形シリンダ状界磁コイル
と少なくとも１つの、この界磁フィルに同心的な補正コ
イルとがら成りかつ強磁性のシリンダ状外とうによって
取り囲まれているコイル装置を備えており、このコイル
装置によって形成される、被検体を収容するのに適して
いてかつ接近可能な内室において前記コイル装置によっ
て発生される磁界の均一性に対する前記シリンダ状外と
うの影響が、磁気および補正コイルの設計によって補償
される静磁界を発生するための、ＮＭＲ）モグラフィー
（断層撮影ないし診断）用電磁石装置に関する。
と少なくとも１つの、この界磁フィルに同心的な補正コ
イルとがら成りかつ強磁性のシリンダ状外とうによって
取り囲まれているコイル装置を備えており、このコイル
装置によって形成される、被検体を収容するのに適して
いてかつ接近可能な内室において前記コイル装置によっ
て発生される磁界の均一性に対する前記シリンダ状外と
うの影響が、磁気および補正コイルの設計によって補償
される静磁界を発生するための、ＮＭＲ）モグラフィー
（断層撮影ないし診断）用電磁石装置に関する。
発明の構成および利点
この種の電磁石装置は、先願の特開昭５８−１４３７号
公報の対象である。この電磁石装置は、抵抗性のフィル
装置を有する。これに対して本発明ではコイル装置は超
伝導性でありかつ強磁性のシリンダ状外とうが、コイル
装置を含、他方において電磁石によって発生される磁界
並びにトモグラフィーにおいて発生すべき高周波磁界を
シリンダ状外とうによって取り囲まれた領域に制限する
、上記の強磁性シリンダ状外とうを設ける際の効果は、
このシリンダ状外とうが極低温磁石のデユワ−を取り囲
むとき、完全に発揮される。抵抗性の電磁石の場合と同
様クライオ磁石においても、強磁性のシリンダ状外とう
を介して磁束が戻るためコイル装置を縮少することがで
きるので、この種の電磁石に対する所要スペースは著し
く低減される。抵抗性の電磁石に比べてＮＭＲ）モグラ
フイーにおいてクライオ磁石を使用した場合、この磁石
の温度の一定不変性が、特別安定した、ひいては均一な
磁界の発生を可能にするという特別な利点が得られる。
公報の対象である。この電磁石装置は、抵抗性のフィル
装置を有する。これに対して本発明ではコイル装置は超
伝導性でありかつ強磁性のシリンダ状外とうが、コイル
装置を含、他方において電磁石によって発生される磁界
並びにトモグラフィーにおいて発生すべき高周波磁界を
シリンダ状外とうによって取り囲まれた領域に制限する
、上記の強磁性シリンダ状外とうを設ける際の効果は、
このシリンダ状外とうが極低温磁石のデユワ−を取り囲
むとき、完全に発揮される。抵抗性の電磁石の場合と同
様クライオ磁石においても、強磁性のシリンダ状外とう
を介して磁束が戻るためコイル装置を縮少することがで
きるので、この種の電磁石に対する所要スペースは著し
く低減される。抵抗性の電磁石に比べてＮＭＲ）モグラ
フイーにおいてクライオ磁石を使用した場合、この磁石
の温度の一定不変性が、特別安定した、ひいては均一な
磁界の発生を可能にするという特別な利点が得られる。
超伝導性のコイル装置を有する本発明の電磁石装置は、
本発明の実施例においてシリンダ状外とうが直接デユワ
−の外壁を形成することで特別なコンパクトな構造が得
られる。
本発明の実施例においてシリンダ状外とうが直接デユワ
−の外壁を形成することで特別なコンパクトな構造が得
られる。
本発明の別の実施例において、シリンダ状外とうは端部
が、デユワ−の端面を越えて延びている環状の、強磁性
のプレートによって閉鎖されれば、シリンダ状外とうの
遮へい体および磁束の帰路としての効果を一層改善する
ことができる。この環状のプレートは勿論、フィル装置
によって発生される磁界の形状に影響を及ぼすので、コ
イル装置の設計め際考慮されなければならない。
が、デユワ−の端面を越えて延びている環状の、強磁性
のプレートによって閉鎖されれば、シリンダ状外とうの
遮へい体および磁束の帰路としての効果を一層改善する
ことができる。この環状のプレートは勿論、フィル装置
によって発生される磁界の形状に影響を及ぼすので、コ
イル装置の設計め際考慮されなければならない。
ＮＭＲ）モグラフイーは、非常に迅速に投入遮断しなけ
ればならない著しい強度の勾配磁界の発生を必要とする
。これにより生じる磁界変化は、シリンダ状外とうに渦
電流を惹起する。この渦電流を小さく抑えるために、場
合によっては強磁性プレートも含めてシリンダ状外とう
を透磁率が高く、同時に電気抵抗が高い材料から形成す
ると効果的である。このために特殊な鉄が使用される。
ればならない著しい強度の勾配磁界の発生を必要とする
。これにより生じる磁界変化は、シリンダ状外とうに渦
電流を惹起する。この渦電流を小さく抑えるために、場
合によっては強磁性プレートも含めてシリンダ状外とう
を透磁率が高く、同時に電気抵抗が高い材料から形成す
ると効果的である。このために特殊な鉄が使用される。
付加的に、シリンダ状外とうは、閉成された環状電流の
発生を回避するために、軸線方向に１つまたは複数のス
リットないし切込みを設けることができる。従って例え
ばシリンダ状外とうを軸線に平行な複数の棒状体から組
み合わせることができる。シリンダ状外とうに横方向に
おいて１つまたは複数のスリットないし切込みを設けて
も、同様有利である。殊にシリンダ状外とうは、軸線方
向に順次連続して配置された、複数の環状ディスクから
組み合わせて構成することができる。このようにすれば
、著しい軸線方向成分を有する渦電流が回避される。シ
リンダ状外とうの材料および壁厚を相応に選択すれば、
磁気回路を、環状ディスク間の空隙によって遮断するこ
とができる。
発生を回避するために、軸線方向に１つまたは複数のス
リットないし切込みを設けることができる。従って例え
ばシリンダ状外とうを軸線に平行な複数の棒状体から組
み合わせることができる。シリンダ状外とうに横方向に
おいて１つまたは複数のスリットないし切込みを設けて
も、同様有利である。殊にシリンダ状外とうは、軸線方
向に順次連続して配置された、複数の環状ディスクから
組み合わせて構成することができる。このようにすれば
、著しい軸線方向成分を有する渦電流が回避される。シ
リンダ状外とうの材料および壁厚を相応に選択すれば、
磁気回路を、環状ディスク間の空隙によって遮断するこ
とができる。
環状ディスクが少なくとも１つの半径方向スリットない
し切込みを有するようにすることで、軸線方向および横
方向スリットないし切込みの組み合わせを実現すること
ができる。複数の半径方向スリットないし切込みを使用
する際、環状ディスクのセクタ状の領域分割が生じる。
し切込みを有するようにすることで、軸線方向および横
方向スリットないし切込みの組み合わせを実現すること
ができる。複数の半径方向スリットないし切込みを使用
する際、環状ディスクのセクタ状の領域分割が生じる。
極低温磁石の使用の際の特別な問題は、極低温を発生す
るために必要である液体ヘリウムおよび液体窒素の消費
にある。本発明の極低温磁石は連続使用に定められてい
るので、液体ヘリウムおよび窒素の消費を出来るだけ小
さく抑えることが極めて重要である。この目的のために
本発明の別の実施例において、電磁石装置のデユワ−は
、冷却装置が接続されている遮へい体ないし容器を有す
ることができる。冷却装置を用いて低湿に保持されるこ
の種の遮へい体ないし容器または中間保護体によって極
低温液体の蒸発率を著しく低減することができる。
るために必要である液体ヘリウムおよび液体窒素の消費
にある。本発明の極低温磁石は連続使用に定められてい
るので、液体ヘリウムおよび窒素の消費を出来るだけ小
さく抑えることが極めて重要である。この目的のために
本発明の別の実施例において、電磁石装置のデユワ−は
、冷却装置が接続されている遮へい体ないし容器を有す
ることができる。冷却装置を用いて低湿に保持されるこ
の種の遮へい体ないし容器または中間保護体によって極
低温液体の蒸発率を著しく低減することができる。
冷却液体を含む容器並びにデユワ−内に配置されている
遮へい体は、デユワ−内に発生する熱が迅速に放出され
かつ局所的な熱が生じることがないように、良好な熱伝
導率を有しなければならない。熱伝導の良好な材料は通
例、また良好な導電率を有している。しかし磁性の外と
うの場合と同様、導電性の容器壁および遮へい体におい
ても渦電流が生じることがある。これにより生じる難点
は、本発明の別の実施例において、デユワ−および／ま
たはそれに取り囲まれている冷却容器、遮へい体等を少
なくとも部分的に導電率の低い、場合に応じて良好な熱
伝導率の挿入体を備えた材料から形成することによって
取り除かれる。この種の材料、例えばガラスファイバ強
化プラスチックは、非導電性であると同時に非磁性の材
料であり、従ってそれは磁石の機能を妨害するおそれは
ない。殊にこの種のプラスチック部分において渦電流が
生じることはない。合成樹脂において熱伝導率が低下す
る点は、次のようにして補償することができる。即ちそ
の中４ＪＩ−流が殆んど生じることかないように配置・
分配することができる、良好な熱伝導性の挿入体、例え
ば銅挿入体によって補償する。
遮へい体は、デユワ−内に発生する熱が迅速に放出され
かつ局所的な熱が生じることがないように、良好な熱伝
導率を有しなければならない。熱伝導の良好な材料は通
例、また良好な導電率を有している。しかし磁性の外と
うの場合と同様、導電性の容器壁および遮へい体におい
ても渦電流が生じることがある。これにより生じる難点
は、本発明の別の実施例において、デユワ−および／ま
たはそれに取り囲まれている冷却容器、遮へい体等を少
なくとも部分的に導電率の低い、場合に応じて良好な熱
伝導率の挿入体を備えた材料から形成することによって
取り除かれる。この種の材料、例えばガラスファイバ強
化プラスチックは、非導電性であると同時に非磁性の材
料であり、従ってそれは磁石の機能を妨害するおそれは
ない。殊にこの種のプラスチック部分において渦電流が
生じることはない。合成樹脂において熱伝導率が低下す
る点は、次のようにして補償することができる。即ちそ
の中４ＪＩ−流が殆んど生じることかないように配置・
分配することができる、良好な熱伝導性の挿入体、例え
ば銅挿入体によって補償する。
実施例の説明
次に本発明を図示の実施例につき図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の超伝導電磁石装置の第１の実施例の
縦断面図である。
縦断面図である。
第１図に図示のクライオ磁石は、シリンダ状界磁コイル
１とその端部に配置されている補正コイル２および３と
を有する。補正コイルは界磁コイル１を同心的に取り囲
んでいる。コイルエないし３は、詳しく図示されていな
いが、従来の極低温磁石によってそれ自体は公知のよう
に、シリンダ状容器４内に配置されている。この容器は
、２重壁の管部分の形状を有しかつ液体ヘリウムが充て
んされている。この容器４は、気体冷却される遮へい体
５によって間隔をおいて取り囲まれている。遮へい体５
の外側に、別の管状の容器６が続いている。この容器に
は、窒素が充てんされている。この容器の端面から、窒
素遮へい体７が気体冷却される遮へい体５の端部とは間
隔をおいて延在しておりかつこの遮へい体７は気体冷却
される遮へい体５の内側の周面も取り囲んでいる。最後
に装置全体は非磁性のデユワ−８によって取り囲まれて
いる。
１とその端部に配置されている補正コイル２および３と
を有する。補正コイルは界磁コイル１を同心的に取り囲
んでいる。コイルエないし３は、詳しく図示されていな
いが、従来の極低温磁石によってそれ自体は公知のよう
に、シリンダ状容器４内に配置されている。この容器は
、２重壁の管部分の形状を有しかつ液体ヘリウムが充て
んされている。この容器４は、気体冷却される遮へい体
５によって間隔をおいて取り囲まれている。遮へい体５
の外側に、別の管状の容器６が続いている。この容器に
は、窒素が充てんされている。この容器の端面から、窒
素遮へい体７が気体冷却される遮へい体５の端部とは間
隔をおいて延在しておりかつこの遮へい体７は気体冷却
される遮へい体５の内側の周面も取り囲んでいる。最後
に装置全体は非磁性のデユワ−８によって取り囲まれて
いる。
個別容器および容器壁と遮へい体ないしデユワ−との間
の中間室は、半径方向に導出された接続管９，１０．１
１および１２を介して、ヘリウム、窒素並びに冷却ガス
の供給導管および排出導管に接続されている。
の中間室は、半径方向に導出された接続管９，１０．１
１および１２を介して、ヘリウム、窒素並びに冷却ガス
の供給導管および排出導管に接続されている。
本発明によれば、これまで説明してきた極低温磁石全体
は、強磁性の遮へい体によって取り囲まれている。この
遮へい体は、シリンダ状外とう１３とシリンダ状の外と
うの端部に接続されている環状プレート１４とから成る
。環状プレート１４は、管状のデユワ−８の内径に等し
い直径の中央開口１５を有する。この開口１５の、縁に
設けられた環状隆起部１６は、デユワ−８の外壁に支持
されている。
は、強磁性の遮へい体によって取り囲まれている。この
遮へい体は、シリンダ状外とう１３とシリンダ状の外と
うの端部に接続されている環状プレート１４とから成る
。環状プレート１４は、管状のデユワ−８の内径に等し
い直径の中央開口１５を有する。この開口１５の、縁に
設けられた環状隆起部１６は、デユワ−８の外壁に支持
されている。
渦電流を抑圧するために、強磁性の遮へい体１３．１４
は、透磁率が高くかつ導電率が低い鉄から成っている。
は、透磁率が高くかつ導電率が低い鉄から成っている。
更に、第１図の上半部に図示されているように、シリン
ダ状外とう１３は個々の環状ディスク１７から組み合わ
せて構成することがｔき、その結果軸線の方向に向いて
いる渦電流の発生を妨げる多数の横方向スリットないし
切込みが生じる。これに代わって、シリンダ状外とう１
３は、第１図の下半分に図示されているように、軸線方
向に延びた複数の棒状体１８から構成することもできる
。これにより殊にシリンダ状外とう１３０周方向に流れ
る渦電流が阻止される。横方向および軸線方向スリット
ないし切込みの組合わせは、シリンダ状外とうを構成す
るために詳しく図示されていない方法で、軸線方向スリ
ットを有するが、成る数の領域に分割されている環状デ
ィスクを使用することで実現することができる。このよ
うにスリットないし切込みの入った。環状ディスクまた
は領域に分割された環状ディスクから、別の強磁性のシ
リンダ状外とうなしでも高い安定性が得られる。上記の
接続管９ないし１２は、強磁性のシリンダ状外とう１３
を通って導出されている。
ダ状外とう１３は個々の環状ディスク１７から組み合わ
せて構成することがｔき、その結果軸線の方向に向いて
いる渦電流の発生を妨げる多数の横方向スリットないし
切込みが生じる。これに代わって、シリンダ状外とう１
３は、第１図の下半分に図示されているように、軸線方
向に延びた複数の棒状体１８から構成することもできる
。これにより殊にシリンダ状外とう１３０周方向に流れ
る渦電流が阻止される。横方向および軸線方向スリット
ないし切込みの組合わせは、シリンダ状外とうを構成す
るために詳しく図示されていない方法で、軸線方向スリ
ットを有するが、成る数の領域に分割されている環状デ
ィスクを使用することで実現することができる。このよ
うにスリットないし切込みの入った。環状ディスクまた
は領域に分割された環状ディスクから、別の強磁性のシ
リンダ状外とうなしでも高い安定性が得られる。上記の
接続管９ないし１２は、強磁性のシリンダ状外とう１３
を通って導出されている。
第２図に図示の実施例は、第１図の実施例とは一方にお
いて別のフィル装置の使用の点で、他方においてデユワ
−の外壁として直接強磁性の遮へい体を使用している点
で異なっている。
いて別のフィル装置の使用の点で、他方においてデユワ
−の外壁として直接強磁性の遮へい体を使用している点
で異なっている。
第１図の実施例では実質的に変形されたガレツ） （Ｇ
ａｒｒｅｔｔ ）装置として見做すことができる（ジャ
ーナル・オシ・アプライド・フィツクス、第４０巻、Ｎ
ｃｔ８（１９，６９年７月）、第３１７１ないし第３１
７９頁）コイル装置が使用されている一方、第２図の実
施例では変形されたダブルへルムホルツ装置が使用され
る。この装置は、軸線方向に前後に配置された４つのコ
イルから成る。これらコイルのうち真中の２一つのフィ
ル２１は、外側の２つのコイル２２より大きな直径を有
する。第１図の実施例の場合における゛ようにこの場合
も、コイル装置は強磁性の外とうを考慮して、コイル装
置によって取り囲まれた室内に均一な磁界が発生される
ように設計されている。この場合もコイル装置は、液体
ヘリウムが充てんされている容器２４内に位置している
。この容器は、間隔をおいて気体冷却される遮へい体２
５によって取り囲まれている。この遮へい体は、こ＼で
も外側に、気体冷却される遮へい体２５を内周面で取り
囲む窒素遮へい体２７とともに、液体窒素が充てんされ
た容器２６が接続されている。別個のデユワ−の代わり
に、この装置は強磁性のシリンダ状外とう３３によって
直接取り囲まれている。このシリンダ状外とうは同時に
接続管２９ 、３０ 、３１．３２の外側の管を形成す
る。シリンダ状外とう３３の端部は、環状の、強磁性の
プレート３４によって閉鎖されている。このプレートは
窒素遮へい体２７の内径を越える所まで延びている。こ
の環状プレート３４の開口には、非磁性の材料から成り
かつ被検体を収容するために柿田される室を形成する中
央管３５が挿入されている。こ＼でもシリンダ状外とう
３３および環状プレート３４は、導電率の低い高イ磁性
材料から成っている。この場合も基本的に、シリンダ状
外とう３３にスリットないし切込みを入れることができ
る。場合によりシリンダ状外とうの端部に配置されたプ
レートを、この領域における渦電流も出来る限り抑圧す
るために、リングまたは領域から構成することもできる
。この実施例におけるように、磁性の遮へい体がデユワ
−の外壁を直接形成するとき、困難なシール問題を回避
するために、中実なシリンダ状外とう３３並びに中実な
環状プレート３４を使用すれば一層好適である。
ａｒｒｅｔｔ ）装置として見做すことができる（ジャ
ーナル・オシ・アプライド・フィツクス、第４０巻、Ｎ
ｃｔ８（１９，６９年７月）、第３１７１ないし第３１
７９頁）コイル装置が使用されている一方、第２図の実
施例では変形されたダブルへルムホルツ装置が使用され
る。この装置は、軸線方向に前後に配置された４つのコ
イルから成る。これらコイルのうち真中の２一つのフィ
ル２１は、外側の２つのコイル２２より大きな直径を有
する。第１図の実施例の場合における゛ようにこの場合
も、コイル装置は強磁性の外とうを考慮して、コイル装
置によって取り囲まれた室内に均一な磁界が発生される
ように設計されている。この場合もコイル装置は、液体
ヘリウムが充てんされている容器２４内に位置している
。この容器は、間隔をおいて気体冷却される遮へい体２
５によって取り囲まれている。この遮へい体は、こ＼で
も外側に、気体冷却される遮へい体２５を内周面で取り
囲む窒素遮へい体２７とともに、液体窒素が充てんされ
た容器２６が接続されている。別個のデユワ−の代わり
に、この装置は強磁性のシリンダ状外とう３３によって
直接取り囲まれている。このシリンダ状外とうは同時に
接続管２９ 、３０ 、３１．３２の外側の管を形成す
る。シリンダ状外とう３３の端部は、環状の、強磁性の
プレート３４によって閉鎖されている。このプレートは
窒素遮へい体２７の内径を越える所まで延びている。こ
の環状プレート３４の開口には、非磁性の材料から成り
かつ被検体を収容するために柿田される室を形成する中
央管３５が挿入されている。こ＼でもシリンダ状外とう
３３および環状プレート３４は、導電率の低い高イ磁性
材料から成っている。この場合も基本的に、シリンダ状
外とう３３にスリットないし切込みを入れることができ
る。場合によりシリンダ状外とうの端部に配置されたプ
レートを、この領域における渦電流も出来る限り抑圧す
るために、リングまたは領域から構成することもできる
。この実施例におけるように、磁性の遮へい体がデユワ
−の外壁を直接形成するとき、困難なシール問題を回避
するために、中実なシリンダ状外とう３３並びに中実な
環状プレート３４を使用すれば一層好適である。
第２図に図示の極低温磁石は、付加的な冷却装置３６を
備えている。この冷却装置は、冷却フィンガが、液体窒
素が充てんされている容器２６並びに気体冷却される遮
へい体２５に熱接触している。この冷却装置を用いて、
系に外部から侵入する熱の大部分を放出することができ
る。従ってこの種の冷却装置の使用によって、液体ヘリ
ウム、液体窒素または別の低温液体の消費を著しく低減
することができる。
備えている。この冷却装置は、冷却フィンガが、液体窒
素が充てんされている容器２６並びに気体冷却される遮
へい体２５に熱接触している。この冷却装置を用いて、
系に外部から侵入する熱の大部分を放出することができ
る。従ってこの種の冷却装置の使用によって、液体ヘリ
ウム、液体窒素または別の低温液体の消費を著しく低減
することができる。
通例、デユワ−およびデユワ−内に配置されている容器
および遮へい体も金属から成っている。その理由は、金
属はデユワ−内に発生する熱勾配を低く抑えるために高
い熱伝導率を有するからである。他方において、金属性
の容器壁および遮へい体においても、たマ単にエネルギ
損失をもたらすばかりでなく、デユワ−内の熱発生をも
生ぜしめる渦電流が生じるおそれがある。従って磁界勾
配の切換によって生じる渦電流を極低温容器内において
も小さく抑えることが必要である。この目的のために、
磁性の遮へい体内にある、デユワ−の要素、冷却容器お
よび遮へい体は、導電率の低い材料、例えばガラス繊維
強化プラスチックから形成することができる。それにも
拘わらず必要な良好な熱伝導を妨げないように、プラス
チック部分が、渦電流に対する短絡路を形成しないが、
所望の良好な外伝導性を形成するように製造されかつ配
置されている金属挿入体を有することができる。
および遮へい体も金属から成っている。その理由は、金
属はデユワ−内に発生する熱勾配を低く抑えるために高
い熱伝導率を有するからである。他方において、金属性
の容器壁および遮へい体においても、たマ単にエネルギ
損失をもたらすばかりでなく、デユワ−内の熱発生をも
生ぜしめる渦電流が生じるおそれがある。従って磁界勾
配の切換によって生じる渦電流を極低温容器内において
も小さく抑えることが必要である。この目的のために、
磁性の遮へい体内にある、デユワ−の要素、冷却容器お
よび遮へい体は、導電率の低い材料、例えばガラス繊維
強化プラスチックから形成することができる。それにも
拘わらず必要な良好な熱伝導を妨げないように、プラス
チック部分が、渦電流に対する短絡路を形成しないが、
所望の良好な外伝導性を形成するように製造されかつ配
置されている金属挿入体を有することができる。
本発明は勿論図示の実施例に限定されず、本発明の範囲
を逸脱しない限り、変形が可能である。コイル装置の選
択並びに装置全体の設計は用途に応じて、殊に被検体の
形状に応じて行なわれる。その際冒頭に述べた先願の特
開昭５８−１４３７号公報に記載かつ図示されているよ
うな磁石配列も可能であり、殊にこのような磁石を水平
並びに垂直方向において作動することができる。
を逸脱しない限り、変形が可能である。コイル装置の選
択並びに装置全体の設計は用途に応じて、殊に被検体の
形状に応じて行なわれる。その際冒頭に述べた先願の特
開昭５８−１４３７号公報に記載かつ図示されているよ
うな磁石配列も可能であり、殊にこのような磁石を水平
並びに垂直方向において作動することができる。
第１図は、本発明の超伝導性電磁石装置の第１実施例の
縦断面図であり、第２図はこの種のクライオ磁石の第２
実施例の縦断面図である。 １．２，２１．２２・・・フィル、３・・・補正コイル
、４，２４，６．２６・・・容器、５，７，２５．２７
・・・遮へい体、８・・・デユワ−１１３，３３・・・
シリンダ状外とう、１４．３４・・・環状プレート、１
７・・・環状ディスク、１８・・・棒状体、３６・・・
冷却装置
縦断面図であり、第２図はこの種のクライオ磁石の第２
実施例の縦断面図である。 １．２，２１．２２・・・フィル、３・・・補正コイル
、４，２４，６．２６・・・容器、５，７，２５．２７
・・・遮へい体、８・・・デユワ−１１３，３３・・・
シリンダ状外とう、１４．３４・・・環状プレート、１
７・・・環状ディスク、１８・・・棒状体、３６・・・
冷却装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 少なくとも１つの円形シリンダ状界磁コイルと少
なくとも１つの、該界磁コイルに同心的な補正フィルと
から成りかつ強磁性のシリンダ状外とうによって取り囲
まれているコイル装置を備えており、該コイル装置によ
って形成される、被検体を収容するのに適していてかつ
接近可能な内室において前記コイル装置によって発生さ
れる磁界の均一性に対する前記シリンダ状外とうの影響
が、磁気および補正コイルの設計によって補償される、
静磁界を発生するための、ＮＭＲ）モグラフイー用電磁
石装置において、前記コイル装置（１，２ないし２１．
２２）が超伝導性でありかつ強磁性のシリンダ状外とう
（１３，３３）がフィル装置を含むデユワ−（８）を取
り囲んでいることを特徴とするＮＭＲ）モグラフィー用
電磁石装置。 ２、 シリンダ状外とう（３３）が直接デユワ−の外壁
を形成する特許請求の範囲第１項記載（７）ＮＭＲ）モ
ゲラフイー用電磁石装置。 ３、 シリンダ状外とう（１３，３３）は端部が、デユ
ワ−の端面にわたって延びている環状の強磁性プレート
（１４，３４）によって閉鎖されている特許請求の範囲
第１項または第２項記載のＮＭＲ）モグラフイー用電磁
石装置。 ４、 シリンダ状外とう（１３，３３）は、強磁性プレ
ー）（１４，ｊ４）も含めて、高透磁率で、同時に高導
電率の材料から成っている特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいづれか１項記載のＮＭＲ）モグラフイー用電
磁石装置。 いて１つまたは複数のスリットないし切込ちれている（
成層薄板化されている）特許請求の範囲第１項ないし第
４項のいづれか１項記載のＮＭＲ）モグラフィー用電磁
石装置。 ６ ？リング状外とう（１３）は、複数の軸線方向に平
行な棒状体（１８）から組み合わされてなる特許請求の
範囲第５項記載のＮＭＲトモグラフィー用電磁電磁石装 置、 シリンダ状外とう（１３）は、横方向において１
つまたは複数のスリットないし切込みが設けられている
（成層薄板化されている）特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいづれか１項記載のＮＭＲ）モグラフィー用電
磁石装置。 ８、 シリンダ状外とう（１３）は、軸線方向に順次連
続して配置されている複数の環状ディスク（１７）から
構成されている特許請求の範囲第７項記載のＮＭＲトモ
グラフィー用電磁電磁石装 置 環状ディスクは少なくとも１つの半径方向スリット
ないし切込みを有する特許請求の範囲第５項および第８
項のいづれが′１項記載のＮＭＲ）モゲラフィー用電磁
石装置。 １０、 デユワ−および／またはそれによって取り囲
まれている冷却容器（２４，２６）、遮へい体（２５’
＋ ２７ ）等は少なくとも部分的に、導電率が低くか
つ良好な熱伝導率の挿入体を備えている材料から成って
いる特許請求の範囲第１項ないし第９項のいづれが１項
記載のＮＭＲ）モゲラフィー用電磁石装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19823245945 DE3245945A1 (de) | 1982-12-11 | 1982-12-11 | Elektromagnet fuer die nmr-tomographie |
| DE3245945.9 | 1982-12-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151946A true JPS59151946A (ja) | 1984-08-30 |
| JPH0357776B2 JPH0357776B2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=6180458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58228613A Granted JPS59151946A (ja) | 1982-12-11 | 1983-12-05 | Ｎｍｒトモグラフイ−用電磁石装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4590428A (ja) |
| EP (1) | EP0111218B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59151946A (ja) |
| AT (1) | ATE32476T1 (ja) |
| AU (1) | AU549011B2 (ja) |
| CA (1) | CA1198164A (ja) |
| DE (1) | DE3245945A1 (ja) |
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-
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- 1983-11-24 EP EP83111745A patent/EP0111218B1/de not_active Expired
- 1983-11-24 AT AT83111745T patent/ATE32476T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-12-05 JP JP58228613A patent/JPS59151946A/ja active Granted
- 1983-12-07 AU AU22168/83A patent/AU549011B2/en not_active Ceased
- 1983-12-08 US US06/559,868 patent/US4590428A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-09 CA CA000442996A patent/CA1198164A/en not_active Expired
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