JPH01302709A - 超電導マグネット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、空心の筒状コイルの内部空間に少なくとも
近似的に均一７，１′磁場を発生させる磁場コイル、こ
とに高磁場の核磁気共鳴断層撮像装置（以下ＭＦＬＩ装
置と称する）用の超電導マグネットに関する。

〔従来の技術〕

ＭＲＩ装置用マグネットは、マグネット内に被検体であ
る人体を収納するために、内径が１ｍに近い筒状または
複数のリング状のコイルと、場キによりこれらのコイル
の外０１１ｊに鋼材などの磁性体でなり前記のコイルが
生起する漏れ磁場を吸収するための磁気シールドとで構
成され、被検体である人体の断層像を得るためには、人
体が収納されるコイル内空間部における磁場の強さには
百万分の１のレベルの均一性が求められる。この磁場の
強度とその均一性を確保するために、同軸配置のリング
状コイルを複数個組み合わせて磁場の均一度の最も良い
配置、電流値を選んで均一磁場コイルを構成する方法が
知られている。

このような均一磁場コイルが生起した均一磁場が外部空
間ｔこ漏れ出すことｌこよって近傍の電子装置の誤動作
の原因になるばかりでな（ＭＲＩ装置の近傍の強磁性体
がこの漏れ磁場を受けて磁場を歪ませそれが均一磁場空
間に影響を及ぼす結果、均一磁場コイルのみでは高度の
均一性を生起したにも係わらずＭＲＩ装置を設置した使
用環境において期待する磁場の均一性が得られないとい
う問題が生ずる。

このような漏れ磁場によって生ずる問題点を解消するた
めの方策として磁気シールドを均一磁場コイルの外部に
施す方法が取られる。

この磁気シールドとして、第７図に示すように円筒状の
鋼材などの磁性体でなる磁気シールドを超電導コイルで
なる主コイル３Ａを収納するクライオスタット２ＯＡの
外側に設けるもので、この磁気シールドはセルフシール
ドと称されており、主コイル３Ａが生起する漏れ磁場を
このセルフシールドＩＡが吸収する方式であり、この方
式は超電導マクネットのみならず常電導コイルを用いた
Ｍ　ＲＩマグネットにも使用されているが、超電導ＭＲ
Ｉ装置のように高い均一磁場強度に対しては漏れ磁場の
夛も大きいことから鋼材で製作されるセルフシールドの
重量が過大になりＭＲＩ装置を設置する部屋の強度が耐
えられない場合があるという問題がある。

このように超電導マグネットの磁気シールドとして強磁
性体を使用する方式の欠点を解決するために、第８図に
示すように主コイルと同じ超電導コイルで漏れ磁場を打
ち消すという方式が採用されるようになってきた。この
図で、３Ｂは主コイル、２Ｂは主コイル３Ｂと同じクラ
イオスタット２０Ｂに収納された超電導コイルでありア
クティれと絶対値が同じで方向が反対になるように設定
すると漏れ磁場を理想的に打ち消すことができる（特開
昭６０−２１７６０８号公報）が、一方、均一磁場の強
度は主コイル３Ｂが生起する均一磁場の磁束密度に対し
てアクティブシールド２Ｂが生起する均一磁場空間の磁
束密度の方向が反対であるのでこれら２つの磁束密度の
合成としての均一磁場の磁束密度は主コイル３Ｂのみ場
合よりも小さくなり、この磁束密度の減少を補正するた
めに主コイル３Ｂのアンペアターンを大きくする必要が
生ずるので、アクティブシールド２Ｂの超電導コイルの
超電導線が付加されるとともに主コイル３Ｂの超電導線
の使用量も増加する。

この磁気シールドとして超電導コイルを使用したアクテ
ィブシールドを設ける方式は、磁性体を使用せずしかも
漏れ磁場が打ち消されることによってＭ　ＲＩ装置近傍
の磁性体の均一磁場空間への影響が殆どないので均一磁
場コイルの設計上必要な磁場解析が容易になることから
、特に高均一磁場空間が要求される超電導ＭＲＩ装置用
マグネットとして有効な方式である。このような超電導
ＭＲＩ装置用マグネットとしての均一磁場コイルを同じ
く超電導コイルで漏れ磁場を打ち消す方式をアクティブ
シールド型超電導ＭＲＩ装置用マグネットと称される。

この方式は磁性体としての鋼材を使用しないので重量が
小さ（ＭＲＩ装置の設置場所の床の荷重制限を受けない
という長所がある代わりに、同じ均一磁場空間を生成す
るのに第７図のセルフシールド型の超電導マクネットζ
こ比べて超電導コイルを構成する超電導線の使用量が前
述のごとく多くなり、この超電導線は鋼材に比べてはる
かに高価であることから、重量は小さくても超電導マグ
ネットの価格はセルフシールド型に比べて高価になると
いう欠点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

既設の部屋に超電導ＭＨＩ装置を設置する場合に、この
部屋の床の荷重制限から決まる超電導マグネットの総重
量が磁気シールドとしてセルフシールドを採用すると超
過する場合にはアクティブシールドを採用することにな
るが、そのために超電導マグネットの価格が高くなりＭ
ＨＩ装置としての価格上昇につながるという問題がある
。

この発明は、ＭＲＩ装置を設置する部屋の床の荷重制限
によって超電導マグネットの総重量に制限を受けるため
に価格的には安価のセルフシールド型超電導マグネット
を採用することができない場合に、マグネットの制限重
量の範囲内で最も安価な超電導マグネットを提供するこ
よを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、この発明によれば、軸対称
の超電導コイルでなる主コイルと、この主コイルの外径
側に同軸に配置した超電導コイルでなるアクティブシー
ルドと、このアクティブシールドの外径側に同軸に配置
した円筒状の磁性体でなるセルフシールドとで構成され
、前記アクティブシールドの磁気能率が前記主コイルの
磁気能率に比べて絶対値が小さくその方向が反対である
ものとする。

〔作用〕

この発明の構成に３いて、主コイルが生起するＧ■れ磁
場の一部を超電導コイルでなるアクティブシールドで打
ち消し、残る漏れ磁場をセルフシールドで吸収するとい
うようにアクティブシールドとセルフシールドの２つの
方式の磁気シールドを併用する構成とし、ＭＦＬＩ装置
を設置する部屋の床の荷重制限で決まる超電導マグネッ
トの総重情の制限値に収まる範囲でセルフシールド型磁
気シールドによる漏れ磁場の吸収量が最大になるよ６設
定し、残りの漏れ磁場をアクティブシールドで打ち消す
ようにする。

〔実施例〕

以下この発明を実施例に基づいて説明する。第１図はこ
の発明の実施例を示す断面図で、１はセルフシールド、
２はアクティブシールド、３は主コイル、２０は主コイ
ル３とアクティブシールド２とを収納するクライオスタ
ット、１０は対称軸である。主コイル３によって生起す
る磁場はこの主コイル３の内径側に均一磁場空間を作り
この均一磁場の磁束は一部は外部に漏れ出すが主と１７
でセルフシールド１に吸収される。一方、アクティブシ
ールド２は主コイル３の内径側に主コイル３が生起する
磁場に重畳して磁場を生起するのであるが、アクティブ
シールド２の磁気能率は王コ・イル３のそれと反対方向
になるようにアクティブシールド２を構成する超電導コ
イルに電流を流すので、主コイル３が内径側（こ生起す
る磁場に対してアクティブシールド２はこの磁場を減す
るような磁場を生起することｌこなる。このことは、前
述の第３図のアクティブシールド型の超電導マグネット
と同様である。

王コイル３が生起した漏れ磁場の殆どはセルフシールド
１に吸収されるが、同時にアクティブシールド２が生起
する漏れ磁場も同様にセルフシールド１に吸収され、ア
クティブシールド２の外側のセルフシールド１の部分で
は主コイル３とアクティブシールド２とが生起する漏れ
磁場の絶対値の差の値の磁束量が通ることになる。

アクティブシールド２の磁気能率の絶対値を主コイル３
のそれと同じ値にすると第８図の主コイル３Ｂとアクテ
ィブシールド２Ｂの関係と同一になるので、このときは
セルフシールド１を必要としない。また、アクティブシ
ールド２の電流を零であるとするとこのアクティブシー
ルド２がないのと同一になるので、第７図の場合と同じ
になる。

このようにアクティブシールド２の磁気能率の値に応じ
てセルフシールド１を通る磁束量が変わるので、セルフ
シールド１の必要とする断面積が変わりしたがって重量
も変わることになる。

したがって、アクティブシールド２の磁気能率を適当な
値に設定することによってセルフシールド１の寸法重量
、ひいては超電導マグネットの重量を自由に設定できる
ことになる。

均一磁場の強度を０．５Ｔとしたとき、Ｗ、７図のセル
フシールドのみで漏れ磁場を吸収する構成としたときの
超電導マグネットの重量は約９トン、第８図のアクティ
ブシールドのみで構成したときの重量は約３トンとなる
が、通常の建屋の床の荷重制限から算出される超電導マ
グネットの制限重量は約５トンであるので、このような
床の荷重制限の部屋に超電導マグネットを設置する際の
超電導マグネットは次の条件を満足するように設定する
。

■均一磁場の強度と均一度を満足する。

■漏れ磁場強度が所定の制限値以下とする。

■超電導マグネットの重量を５トン以内にする。

■超電導線の使用量を最小限にする。

これらの条件を満足するには、この発明の適用において
、主コイルの巻数や寸法あるいはアクティブシールド２
やセルフシールド１の位置、形状の慨略を予め設定した
上でセルフシールド１の寸法を０項の重量の範囲内で最
大になるような鋼材の厚みを設定し、セルフシールド１
内の磁束密度が■を満足する範囲内になるようアクティ
ブシールド２の磁気能率を設定し、主コイル３とアクテ
ィブシールド２とが生起する均一磁場が０項を満足する
ように主コイル３やアクティブシールド２を構成する超
電導コイルの寸法や巻数の配分を調整する。このような
操作を何度か繰り返すことにより最終的に前述の全てを
満足する条件が決定される。

主コイル３が生起する漏れ磁場をセルフシールド１でよ
り多く吸収するほどアクティブシールド２の磁気能率、
言い換えれば巻数を小さくできるので、許容される超電
導マグネットの重量制限−杯にセルフシールドが吸収す
る漏れ磁場を大きくするのが超電導マグネットの価格を
最も小さくする条件であり、この発明によって重量制限
がある場合の最低価格の超電導マグネットを製作するこ
とができる。

高磁場である超電導マグネットでは低磁場の常電導マグ
ネットに比べてより高い均一度が要求されるので、主コ
イル３としては第１図に示すように３対の超電導コイル
で構成するのが受画であり、一方、アクティブシールド
２はセルフシールド１の近傍に位置し、しかもセルフシ
ールド１があるためにアクティブシールド２の磁気能率
は第８図のアクティブシールド型超電導マグネッ）Ｊこ
比べて小さくてよいので、均一磁場空間に対する影響は
小さいことから、第１図に示すように１対の超電導コイ
ルでも充分であり、均一度の点からアクティブシールド
の構成が制限される程度は小さい。

セルフシールド１は第７図のセルフシールドＩＡのみの
構成の場合に比べてその厚みは小さくてよいので、第１
図に示すようにこのセルフシールドＩＡをクライオスタ
ットの一部とした構成を採用することができる場合があ
り、この場合はクライオスタットとセルフシールドの間
の寸法が省略できることから、よりコンパクトな超電導
マグネットとすることができる。

以下にこの発明を均一磁場の強度が０．５Ｔの超電導マ
グネットに適用した場合のコンピュータによる数値計算
結果に基づく具体的な笑施例を示す。

第２図は実際の設定条件に基づいて均一磁場空間の均一
度を確保する条件をコンピュータによる数値計算によっ
て探索して得られた超電導マグネットの１つの条件を示
す断面図である。主コイル３Ｄは３対の、アクティブシ
ールド２Ｄは２対の、それぞれリングコイルで構成され
、セルフシールドＩＤは円筒部ＩＤ１の両端につばＩＤ
２を設けたつば付のセルフシールドである。

内径寸法は、それぞれ、主コイル３Ｄがｓｏｏｍｍ。

アクティブシールド２Ｄが７５０１ｍ、セルフシールド
ＩＤの円筒部ＩＤＩが８１０詣である。また、セルフシ
ールドの軸方向寸法は１７１０　ｖｒｔｔｔで、両端の
っぽＩＤ２の中に主コイル３Ｄやアクティブシールド２
Ｄが収納される構成としているので、超電導マグネット
としての全長はこのセルフシールドＩＤの軸方向長さに
なっている。主コイルとアクティブシールドとの間の磁
気能率の比率としての磁気能率比は０．７を採用してい
る。セルフシールドＩＤの円筒部ＩＤ１の厚み寸法は３
０龍、つばＩＤ２の内径寸法は４００１ｍ＋であり、主
コイル３Ｄとアクティブシールド２Ｄとは軸方向の両端
の寸法がなるべく一致するという条件を付加して計算さ
れたものである。

均一磁場空間４は対称軸１０の中央部を中心とした一点
鎖線でその表面を示す球によって表され、この球の中の
磁場の均一度として均一磁場空間の均一度が定義されて
いる。この球の半径値は一般に３５０ｆｉ１が採用され
ている。

第３図は第２図の構成による超電導マグネットが生起す
る磁束分布図である。この図において、縦軸は対称軸１
０としての２軸であり、横軸は半径方向としてのｒ軸１
１であり、２軸１０とｒ軸１１との交点としての左下の
原点は均一磁場空間４の中心でもある。なお、第２図で
は対称軸１゜を紙面の水平方向Ｉこしであるので、第２
図を９０度左に回転させると第３図に一致する。

第３図は同軸円筒座標系の上半分を示してＢす、超電導
マグネットも上半分の断面だけが表示されている。した
がって、主コイル３Ｄは３対のうちの上半分の３個、ア
クティブシールド２Ｄは２対の上半分の２個のリングコ
イルの、それぞれ断面が図示されており、セルフシール
ドＩＤも上半分が図示されている。

ｓ束線６Ｄは磁束の流れの流れ線を表しており、その接
線の方向は磁束密度の方向に一致し、その密度はその点
での磁束密度と半径との積に比例するように作図されて
いる。磁束線６Ｄの密度がそのまま磁束密度に比例して
いないので、この図から磁場強度としての磁束密度の絶
対値の分布を正確に知ることはできない。しかし、２軸
１０の近くを除いては半径の変化が小さいので、おおよ
その判断として、磁束線６Ｄの密度の大小がその位置で
の磁束密度の絶対値の大小に略比例していると考えてよ
い。このような観点からこの図を見ると、主コイル３Ｄ
やアクティブシールド２Ｄを構成するリングコイルの近
傍で磁束密度が局所的ｌこ高くなっているのが分かる。

この図の左下の表面を一点鎖線の円で示す均一磁場空間
４の中の磁束線は２軸１０に平行になっているが、これ
はこの部分での磁束分布が均一であることを表している
。均一磁場空間４を通る磁束線を含めて主コイル３Ｄの
右側を通る磁束線６ＤはセルフシールドＩＤに吸収され
るものと主コイル３Ｄとアクティブシールド２Ｄとの間
の空間を反対方向に通る成分とに別れるのが分かる。第
７図のセルフシールド型超電導マグネットの場合には、
殆ど全ての磁束線がセルフシールド１人に吸収され、第
８図のアクティブシールド型、超電導マグネットの場合
には、後述の第４図に示すように、殆どの磁束線６Ｅが
主コイル３Ｅとアクティブシールド２Ｅとの間の空間を
通る磁束分布となる。第２図と第３図ではアクティブシ
ールド２ＤとセルフシールドＩＤとの両方を設けである
ので、主コイル３Ｄの左側の磁束線は前述のように、主
コイル３Ｄとアクティブシールド２Ｄとの間の空間とセ
ルフシールドＩＤとに分流する磁束分布をすることにな
る。

セルフシールドＩＤの外側は図でも分かるようｌこ、磁
束線の漏れ出しは非常に少なく、セルフシールドＩＤの
中を通る磁束によってセルフシールドＩＤに発生する起
磁力に和尚する強度の磁束が外部にも漏れ出すことにな
る。この漏れ磁束は超電導マグネットから離れるほどそ
の強度が小さくなるが、この漏れ磁束の磁束密度が５が
ウスｌこなる範囲を５ガウスライン７Ｄとしてこの図に
示しである。この５ガウスライン７Ｄのこの図における
範囲は、半径方向の寸法Ｒ５が２．０６ｆｆｌ、軸方向
の寸法Ｚ５が３．８１ｆｆ！であり、これらの寸法の２
倍を辺の長さとする長方形の面積Ｓ５は３１ばである。

この面！Ｒ８ｓは５ガウスエリアと称されて、漏れ磁束
の広がりを示す指標として使用されており、３１ぜとい
う値はセルフシールドなり、アクティブシールドなりの
磁気シールドを設けることにより初めて達成できるもの
である。５ガウスライン７Ｄの中はペースメーカを埋め
込んだ心臓病患者にとって危険な範囲であると考えられ
ているとともに、その外側はコンピュータやその他の機
器を設置しても漏れ磁束による影響を受けない、また、
強磁性体があっても超電導マグネットの磁場均一度に実
質的に影響を与えないとしてよい。

第２図の構成になる超電導マグネットが生起する均一磁
場空間４内の磁場成分を、ルジャンドル関数に基づく級
数展開をした場合の、各次数の項の強度を次数Ｏである
均一磁場成分に対する比率で次表に示す。なお、この表
で次数１２を越える次数は省略してあり、次数１２以外
の次数成分の値は小数点以下四捨五入しである。

この表において、Ｂ３、Ｂ２、Ｂ１、Ｂは、それぞれ、
主コイル１、アクティブシールド２、セルフシールド１
が生起する磁場であり、Ｂはこれらが合成された実際の
均一磁場空間での合成磁場である。また、括弧内は次数
０の磁場強度でもある均一磁場成分の磁束密度を単位が
ウスで表示したものである。次数２以上の値は、合成磁
場Ｂの均一磁場成分である５０００ガウスに対する比率
をｐｐｍ（ＩＱ　　＞表示したものである。

主コイル３を３対のリングコイルで構成しているので、
原理的に次数２から１０までの５つの次数の成分をＯに
することができる。超電導マグネットの構成が２軸方向
に対して上下対称構造を採用していることから次数が奇
数の成分は発生しない。この実施例では原理通り次数１
０までの磁場成分をＯにする結果を得ることができたが
、アクティブシールド２ｐやセルフシールドＩＤの構成
によっては主コイル３Ｄの各リングコイルのアンペアタ
ーンや位置を変えることにより次数１０までの磁場成分
を消去することのできる最適条件が得られないか、別の
要因で実用的でない場合がある。また、異なる条件に応
じて５ガウスエリアＳ５がはるかに大きくて実用的に妥
当でないものもある。例えば、このＪＭ例ではセルフシ
ールドＩＤにつばＩＤ２を設けたが、セルフシールドＩ
Ｄの構成を簡素化して製作コストを低減するためにつば
ＩＤ２を省略した構成にすると、゛つば付の場合に比べ
て５ガウスエリアＳ５がはるかに大きくなるという計算
結果が得られ、実用に適しないことが分かっている。第
２図や第３図の実施例は種々の条件を試算した結果の中
で最良の結果が得られたものの１つである。

第４図は第８図に相当するアクティブシールド型超電導
マグネットの磁束分布と５ガウスラインとを示す磁束分
布図で、第３図との比較のために示すものである。前述
のように、この場合は、主コイル３Ｅの右側を通る磁束
線６Ｅの全てが主コイル３Ｅとアクティブシールド２Ｅ
との間を通る磁束分布となっている。５ガウスライン７
Ｅは、半径方向の寸法Ｒｓ　１．９２ｍ、軸方向の寸法
ｚ５が２．７１ｆＦｌとなり、５ガウスエリアＳ５は２
１ｍ’である。この場合の前表と同じ各次数成分の値を
次表に示す。

第５図は主コイルの内径に対するアクティブシールドの
内径の比率としての内径比ρと、主コイルとアクティブ
シールドとを構成する超電導コイルが占める体積の総和
としてのコイル総量との関係を示す線図である。この図
において、横軸が内径比、縦軸がコイル総量であり、主
コイルとアクティブシールドとの磁気能率比Ｋをパラメ
ータとしている。第２図や第３図の実施例は内径比ρが
１．５であり、この図では、その前後の１．２５からＢ
７５の間のＫを示すものである。この図に明らかなよう
ｉこ、内径比ρを大きくするとコイル総量は減少すると
いう関係になっている。また、磁気能率比Ｋが小さいほ
どコイル総量Ｖｃが減少している。

磁気能率比Ｋが０．８と０．７との場合を比較すると、
磁気能率比Ｋが０．７の方が約１割コイル総量が小さい
ことが分かる。

コイル総量Ｖｃは超電導線材を使用量でもあるので、こ
のコイル総量Ｖｃが小さいほど高価な超電導線材の使用
量が少ないことを表している。第５図では磁気能率比Ｋ
に関係なく超電導線の電流密度を一定にして計算してい
る。実際には、磁気能率比Ｋが１．０に近いほど超゛或
導線がある位置での最大磁束密度が増大するという関係
があり、また、この最大磁束密度が大きいほど超電導臨
界電流値Ｉｃが小さくなるという超電導線固有の特性が
ある。したがって、前述のように量大磁束密度が大きい
場合には、超電導線の電流密度を下げる必要がある。し
たがって、例えば第４図の磁気能率比Ｋが１．０のアク
ティブシールドのみの場合に対して、第５図の磁気能率
比Ｋが０．７の場合は電流密度を１．３倍にすることが
できることから、セルフシールドを併用するこの発明の
場合は第５図に示すよりも更にコイルａ′ｔｖＣを減少
させることができる。ちなみに、第５図のρが１．５の
場合の、磁気能率比Ｋが１．０のコイル総量Ｖｃに対し
て、磁Ｍ能’Ｆ＝比Ｋ　カ０．７　（７）　コイ／ｌ／
ａｌｌ　Ｖｃは６８チであるが、前述の電流密度の違い
を考慮するとこの比率（第５２％となる。

第６図は内径比ρと５ガウス工リ丁Ｓ５の関係を示す線
図である。この図の横軸は第６図と同じく内径比ρであ
り、縦軸は５ガウスエリアＳ５、パラメータは磁気能率
比にである。この図から分かるごとく、磁気能率比Ｋが
小さくなるほど５ガウスエリアＳ５も太きいという関係
がある。したかっ−Ｃ，前述のように１．磁気能率比Ｋ
を１．０未満に設定してセルフシールドを設けるこの発
明では、磁気能率比Ｋが１．０であるアクティブシール
ド方式に比べて５ガウスエリアＳ５が大きくなるという
結果になっている。ただし、これは、セルフシールドを
構成する強磁性体の厚み寸法を厚くしてセルフシールド
内の磁束密度を下げるＣとにより改善することができる
ので、爽用上必要とする５ガウスエリア以下になるよう
にセルフシールドを設計する必要があることを意味して
おり、この発明の原理的な欠点という訳ではない。

〔発明の効果〕

この発明は前述のようｆこ、セルフシールドとアクティ
ブシールドとを併用し７、主コイルがｚｐ　１ｉｒｌ′
ｆｆ“る漏れ磁場を吸収もしくは打ち消す割合と変化さ
せることにより超電導マグネットの重量を変化、八せる
ことができ、かつ超電導マグネットの価格（ま高価な超
鑞導線の使用量によってその大小が決まることから、＠
１導マグネットに許容される制限重量内でなるべくセル
フシールドが吸収する刈れ。

磁束を大きく設定し、残りの漏れ磁束量をアクティブシ
ールドによって打ち消す構成とするζ、とにより、重量
制限の範囲内で最も超′「区導線の使用量が小さくした
がって最低価格の超電導マグネットとすることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す断面図、第２図はこの
発明の実施例の断面図、第３図は第２図の構成による磁
束分布図、第４図はアクティブシールド型超電導マグネ
ットの磁束分−際”第５図および第６図はコイル内径比
とコイル総量、５ガウスエリアとの関係を示す線図、第
７図および第８図はそれぞれ従来の超電導マグネットの
断面図である。 １　、ＩＡ、ＩＤ・・・セルフシールド、２．２Ｂ。 ２Ｄ、２Ｂ−アク子イブシールド、３，３Ａ、３Ｂ。 ３Ｄ、３Ｅ・・・主フィル、２０．２ＯＡ、、２ＱＢ　
　り冊イオスクット、１０　・対称軸。 ″ゴ°゛＼ ｍ−９−−−−−、　　　　　、　　　　　　　　　　
　−、ｊニー１０　り↑１不）由第１Ｉ！１ １２圀 内イ苓しヒ　ｆ １！７５区 内子巻出ｆ 茅ム顛

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）軸対称の超電導コイルでなる主コイルと、この主コ
   イルの外径側に同軸に配置した超電導コイルでなるアク
   ティブシールドと、このアクティブシールドの外径側に
   同軸に配置した円筒状の磁性体でなるセルフシールドと
   で構成され、前記アクティブシールドの磁気能率が前記
   主コイルの磁気能率に比べて絶対値が小さくその方向が
   反対であることを特徴とする超電導マグネット。 ２）特許請求範囲第１項記載のものにおいて、セルフシ
   ールドが超電導コイルを収納するクライオスタットの一
   部を形成することを特徴とする超電導マグネット。 ３）特許請求範囲第１項記載のものにおいて、主コイル
   が３対のリング状コイルでなることを特徴とする超電導
   マグネット。