JPH01227407A - 磁気共鳴イメージング装置用磁石 - Google Patents
磁気共鳴イメージング装置用磁石Info
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- JPH01227407A JPH01227407A JP63052631A JP5263188A JPH01227407A JP H01227407 A JPH01227407 A JP H01227407A JP 63052631 A JP63052631 A JP 63052631A JP 5263188 A JP5263188 A JP 5263188A JP H01227407 A JPH01227407 A JP H01227407A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/381—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets
- G01R33/3815—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field using electromagnets with superconducting coils, e.g. power supply therefor
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- G01R33/42—Screening
- G01R33/421—Screening of main or gradient magnetic field
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、磁気共鳴(M R: Magnetic
’Re5onance)現象を利用して生体である被検
体の特定の断面における特定原子核スピンの密度分布に
基づくいわゆるコンピュータ断層 (CT : Computed Tomography
)によりCT像(Computed To+mogra
m)として画像化(I waging)する磁気共鳴イ
メージング装置用の磁石に関する。
’Re5onance)現象を利用して生体である被検
体の特定の断面における特定原子核スピンの密度分布に
基づくいわゆるコンピュータ断層 (CT : Computed Tomography
)によりCT像(Computed To+mogra
m)として画像化(I waging)する磁気共鳴イ
メージング装置用の磁石に関する。
(従来の技術)
例えば生体診断に用いる医用磁気共鳴イメージング装置
では、生体である被検体の特定部位における断層像を得
るために、第4図に示すように被検体Pに対して図示2
方向に沿う非常に均一な静磁界H0を図示しない静磁界
マグネットにより発生させて作用させ、さらに一対のグ
ラジェントコイル100A、 100Bにより上記静磁
界H0に線形磁界勾配Gxを印加する。ここで、静磁界
H0に対する特定原子核は、次式で示される角周波数ω
。で共鳴する。
では、生体である被検体の特定部位における断層像を得
るために、第4図に示すように被検体Pに対して図示2
方向に沿う非常に均一な静磁界H0を図示しない静磁界
マグネットにより発生させて作用させ、さらに一対のグ
ラジェントコイル100A、 100Bにより上記静磁
界H0に線形磁界勾配Gxを印加する。ここで、静磁界
H0に対する特定原子核は、次式で示される角周波数ω
。で共鳴する。
ω。= γH0・・・ω
この0式において、γは磁気回転比であり、原子核の種
類に固有のものである。そこでさらに、特定原子核のみ
を共鳴させる角周波数ω。の回転磁界H1をRFコイル
(プローブヘッド)内に設けられた例えば一対の送信コ
イル200A、 200Bを介して被検体Pに作用させ
る。
類に固有のものである。そこでさらに、特定原子核のみ
を共鳴させる角周波数ω。の回転磁界H1をRFコイル
(プローブヘッド)内に設けられた例えば一対の送信コ
イル200A、 200Bを介して被検体Pに作用させ
る。
このようにすると、上記線形磁界勾配GxによりZ軸方
向について選択設定される図示!−31平面部分につい
てのみ選択的に作用し、断層像を得る特定のスライス部
分S(平面上の部分であるが現実にはある厚みを持つ)
のみに磁気共鳴現象が生じる。この磁気共鳴現象は上記
RFコイル内に設けられた例えば一対の受信コイル30
0A、 300Bを介して自由誘導減衰信号(free
1nductiondecay:以下rFID信号」
と略称する。)としてi測され、MR倍信号して用いら
れる。このFID信号をフーリエ変換することにより、
特定原子核スピンの回転周波数について単一スペクトル
が得られる。
向について選択設定される図示!−31平面部分につい
てのみ選択的に作用し、断層像を得る特定のスライス部
分S(平面上の部分であるが現実にはある厚みを持つ)
のみに磁気共鳴現象が生じる。この磁気共鳴現象は上記
RFコイル内に設けられた例えば一対の受信コイル30
0A、 300Bを介して自由誘導減衰信号(free
1nductiondecay:以下rFID信号」
と略称する。)としてi測され、MR倍信号して用いら
れる。このFID信号をフーリエ変換することにより、
特定原子核スピンの回転周波数について単一スペクトル
が得られる。
断層像をCT像として得るには、スライス部分Sのx−
y平面内の多方向についての投影が必要である。そのた
め、スライス部分Sを励起して磁気共鳴現象を生じさせ
た後、第5図に示すように磁界H8にX′軸方向(X軸
より角度θ回転した座標系)に直線的な傾斜を持つ線型
磁界勾配GXYを図示しないグラジェントコイルにより
作用させると、被検体Pのスライス部分Sにおける等磁
界線Eは直線となり、この等磁界線E上の特定原子核ス
ピンの回転周波数は上記ω式であられされるにこで説明
の便宜上、等磁界線EをE1〜E、とし、これら等磁界
線E工〜En上の磁界により一種のFID信号である信
号D□〜Dnをそれぞれ生じると考える。信号D□〜D
0の振幅はそれぞれスライス部分Sを貫く等磁界線E1
〜E、上の特定原子核スピン密度に比例することになる
。ところが、実際に観測されるFID信号は、信号D工
〜Doを全て合せた合成FID信号となる。そこで、合
成FID信号をフーリエ変換することによってスライス
部分SのX′軸への投影情報(一次元像)PDを得る。
y平面内の多方向についての投影が必要である。そのた
め、スライス部分Sを励起して磁気共鳴現象を生じさせ
た後、第5図に示すように磁界H8にX′軸方向(X軸
より角度θ回転した座標系)に直線的な傾斜を持つ線型
磁界勾配GXYを図示しないグラジェントコイルにより
作用させると、被検体Pのスライス部分Sにおける等磁
界線Eは直線となり、この等磁界線E上の特定原子核ス
ピンの回転周波数は上記ω式であられされるにこで説明
の便宜上、等磁界線EをE1〜E、とし、これら等磁界
線E工〜En上の磁界により一種のFID信号である信
号D□〜Dnをそれぞれ生じると考える。信号D□〜D
0の振幅はそれぞれスライス部分Sを貫く等磁界線E1
〜E、上の特定原子核スピン密度に比例することになる
。ところが、実際に観測されるFID信号は、信号D工
〜Doを全て合せた合成FID信号となる。そこで、合
成FID信号をフーリエ変換することによってスライス
部分SのX′軸への投影情報(一次元像)PDを得る。
次に、このX′軸をx −y平面円で回転させるが、こ
れはたとえば二対のグラジェントコイルによるX+3’
方向についての磁界勾配Gx。
れはたとえば二対のグラジェントコイルによるX+3’
方向についての磁界勾配Gx。
GYの合成磁場として磁界勾配GXYを作り、上記磁界
勾配Gx、Gyの合成比を変化させることにより行う。
勾配Gx、Gyの合成比を変化させることにより行う。
この磁界勾配axyの回転により上記と同様にしてx
−y平面内の角方向への投影情報が得られ、これらの情
報に基づいてCT像が合成されることになる。
−y平面内の角方向への投影情報が得られ、これらの情
報に基づいてCT像が合成されることになる。
以上が磁気共鳴イメージングの原理であるが。
次に具体例として、第6図に従来の磁気共鳴イメージン
グ装置を示す。被検体すなわち患者1はベツド2の上に
載置される。この患者1を取り囲んでRFコイル(プロ
ーブヘッド:高周波送受信コイル)3、更にその外周に
磁界補正用のシムコイル4、傾斜磁界発生用のグラジェ
ントコイル5が配置されている。これらすべてのコイル
系は、大型の静磁界磁石6の常温ボアー7(通常はボア
ー内径約1m)内部に収納されている。静磁界磁石とし
ては、超電導磁石、常電導磁石、永久磁石のいずれかが
使用される。
グ装置を示す。被検体すなわち患者1はベツド2の上に
載置される。この患者1を取り囲んでRFコイル(プロ
ーブヘッド:高周波送受信コイル)3、更にその外周に
磁界補正用のシムコイル4、傾斜磁界発生用のグラジェ
ントコイル5が配置されている。これらすべてのコイル
系は、大型の静磁界磁石6の常温ボアー7(通常はボア
ー内径約1m)内部に収納されている。静磁界磁石とし
ては、超電導磁石、常電導磁石、永久磁石のいずれかが
使用される。
この静磁界磁石6は、励磁電源8により電流リード9を
介して励消磁される(永久磁石方式の場合は、これは不
用)。尚、超電導磁石の場合は、永久電流モードで運転
されるためと冷媒である液体ヘリウム消費量を低減させ
るために通常は電流リード9は励磁後に取りはずして、
常に磁場が発生している状態となっている。通常この静
磁界の方向は、多くのマグネットでは図示の10方向、
すなわち患者1の体軸方向である。グラジェントコイル
5は、X軸方向の磁界傾斜を与えるGXコイル、Y軸方
向のGYコイル、Z軸方向のGZXコイルり構成され、
それぞれ励磁電源11.12.13に接続されている。
介して励消磁される(永久磁石方式の場合は、これは不
用)。尚、超電導磁石の場合は、永久電流モードで運転
されるためと冷媒である液体ヘリウム消費量を低減させ
るために通常は電流リード9は励磁後に取りはずして、
常に磁場が発生している状態となっている。通常この静
磁界の方向は、多くのマグネットでは図示の10方向、
すなわち患者1の体軸方向である。グラジェントコイル
5は、X軸方向の磁界傾斜を与えるGXコイル、Y軸方
向のGYコイル、Z軸方向のGZXコイルり構成され、
それぞれ励磁電源11.12.13に接続されている。
これら励磁電源11.12.13は中央制御装置14に
接続されている。RFコイル3は送信コイルと受信コイ
ルにより構成され、それぞれRF発振装[15,RF受
信装置16に接続され、これらは更に中央制御装置14
に接続されている。
接続されている。RFコイル3は送信コイルと受信コイ
ルにより構成され、それぞれRF発振装[15,RF受
信装置16に接続され、これらは更に中央制御装置14
に接続されている。
中央制御装置14は表示・操作盤17に接続され、これ
により運転操作される。
により運転操作される。
次に、上記のように構成された従来の磁気共鳴イメージ
ング装置の動作について述べる。
ング装置の動作について述べる。
患者1の全身断面画像を得るために、磁界均一空間18
は通常40〜5OaII球と広く、しかも20ppm以
下の高均一度を要求される。このため、静磁界磁石6は
、例えば、超電導方式の場合長さ2.4m。
は通常40〜5OaII球と広く、しかも20ppm以
下の高均一度を要求される。このため、静磁界磁石6は
、例えば、超電導方式の場合長さ2.4m。
幅2m、高さ2.4m、重量5〜6トンと巨大なものが
必要となる。
必要となる。
このように大きなマグネットであっても、マグネットの
みによる40〜50cm球内の均一度はせいぜい数百p
p+mにしかならない。これを20PPDl以下とする
ために磁界補正用のシムコイル4が使用される。
みによる40〜50cm球内の均一度はせいぜい数百p
p+mにしかならない。これを20PPDl以下とする
ために磁界補正用のシムコイル4が使用される。
この磁界均一空間18内に患者の診断部位をもってくる
。そして、静磁界10と直角方向にRF発振装置111
5、RFコイル3により高周波を印加し人体細胞内の所
要の原子核、例えば水素原子核を励起させる。又、これ
と同じにGX励磁電源11.GY励磁電源12.GZ励
磁電源13およびグラジェントコイル5により傾斜磁界
をX、Y、Z方向に印加する。
。そして、静磁界10と直角方向にRF発振装置111
5、RFコイル3により高周波を印加し人体細胞内の所
要の原子核、例えば水素原子核を励起させる。又、これ
と同じにGX励磁電源11.GY励磁電源12.GZ励
磁電源13およびグラジェントコイル5により傾斜磁界
をX、Y、Z方向に印加する。
このRFとグラジェントのパルスシーケンスは病変部位
および画像処理方法によって最適な方法が選択される。
および画像処理方法によって最適な方法が選択される。
このパルスシーケンス動作は、中央制御装置t(14に
より制御される。グラジェント、RF印加後に。
より制御される。グラジェント、RF印加後に。
患者1の体内より磁気共鳴信号が発せられる。この信号
はRF受信装置16により受信・増幅され。
はRF受信装置16により受信・増幅され。
中央制御装置14に入力される。ここで画像処理され、
所要の人体断層画像が表示・操作盤17のCRT上に表
示される。
所要の人体断層画像が表示・操作盤17のCRT上に表
示される。
ところで、このように構成された従来の磁気共鳴イメー
ジング装置に使用されている静磁界磁石は病院の建屋内
に設置されるので静磁界磁石よりの漏洩磁界を極小にし
周囲環境への磁気的悪影響をなくすために磁気シールド
が磁石に取付けられている。現在実用化されている磁気
シールドとしては、ヨーク磁気シールド型とアクティブ
磁気シールド型の2種類がある。
ジング装置に使用されている静磁界磁石は病院の建屋内
に設置されるので静磁界磁石よりの漏洩磁界を極小にし
周囲環境への磁気的悪影響をなくすために磁気シールド
が磁石に取付けられている。現在実用化されている磁気
シールドとしては、ヨーク磁気シールド型とアクティブ
磁気シールド型の2種類がある。
第7図に従来の静磁界磁石のヨーク磁気シール □ド
型を示す。この方式の従来技術については例えば特開昭
61−252613 rMR磁石の遮蔽体」に述べられ
ている。又、第8図に従来の静磁界磁石のアクティブ磁
気シールド型の部分切断図を、第9図にそのコイル配置
図を示す、この方式の従来技術については例えば特開昭
60−123756 r磁石装置」に開示されている。
型を示す。この方式の従来技術については例えば特開昭
61−252613 rMR磁石の遮蔽体」に述べられ
ている。又、第8図に従来の静磁界磁石のアクティブ磁
気シールド型の部分切断図を、第9図にそのコイル配置
図を示す、この方式の従来技術については例えば特開昭
60−123756 r磁石装置」に開示されている。
まず、ヨーク磁気シールド型の従来技術について説明す
る。第7図に於いて、ヨーク磁気シールド19は、静磁
界磁石6の周囲を取りがこむ円筒形殻体20とこの円筒
形殻体の両端に取付けられた2つの円板形端蓋21と脚
部22とから構成されている。
る。第7図に於いて、ヨーク磁気シールド19は、静磁
界磁石6の周囲を取りがこむ円筒形殻体20とこの円筒
形殻体の両端に取付けられた2つの円板形端蓋21と脚
部22とから構成されている。
ヨーク磁気シールド19は鉄などの磁性材料で作られて
いる。
いる。
静磁界磁石6はヨーク磁気シールド19の内部に収納さ
れており静磁界磁石の磁気中心軸23と円筒形殻体20
の縦軸線24とが同軸になるように配置されている。
れており静磁界磁石の磁気中心軸23と円筒形殻体20
の縦軸線24とが同軸になるように配置されている。
次に、上記のように構成されたヨーク磁気シールドの作
用効果について述べる。静磁界磁石6により図示の磁束
25が発生する。静磁界磁石の常温ボアー7を出た磁束
25は鉄などの磁性材料により作られたヨーク磁気シー
ルド19に吸収される。磁気シールドが吸収できる磁束
量は磁性材料の磁気飽和特性により制限される。吸収し
きれない磁束は磁気シールドの外部に漏れいわゆる漏洩
磁界となる。
用効果について述べる。静磁界磁石6により図示の磁束
25が発生する。静磁界磁石の常温ボアー7を出た磁束
25は鉄などの磁性材料により作られたヨーク磁気シー
ルド19に吸収される。磁気シールドが吸収できる磁束
量は磁性材料の磁気飽和特性により制限される。吸収し
きれない磁束は磁気シールドの外部に漏れいわゆる漏洩
磁界となる。
ヨーク磁気シールドを静磁界磁石に取付けた場合、上記
の漏洩磁界が静磁界磁石単体に比較して大幅に低減され
る。第1O図にこの状況を示す。
の漏洩磁界が静磁界磁石単体に比較して大幅に低減され
る。第1O図にこの状況を示す。
第10図には、5oooガウス静磁界磁石のみの場合と
ヨーク磁気シールド付の場合の5ガウス漏洩磁界分布が
示めされている。この図より明らかなようにヨーク磁気
シールドが取付けられると5ガウス漏洩磁界領域が半減
される。
ヨーク磁気シールド付の場合の5ガウス漏洩磁界分布が
示めされている。この図より明らかなようにヨーク磁気
シールドが取付けられると5ガウス漏洩磁界領域が半減
される。
磁気共鳴イメージング装置用として使用される場合、磁
界の均一性が本質的に重要である。ヨーク磁気シールド
付磁石の場合は、磁石と磁気シールドによって構成され
る磁気回路に於いて、磁石と磁気シールドが発生する磁
界の高次磁界項の対応する成分がほぼ同程度の強度にな
る様に磁気回路が設計されている。従って、合成された
磁界は、高次磁界項がほぼ零となり、零次項の合成磁界
が中心磁界となる高均一磁界となる。すなわち、磁石に
よって発生する磁界を高次成分で展開すると、BM=B
oM+b、、’+b2M+baM+・・・・・・ωここ
で、BM ;磁石(メインコイル)により発生する磁界
強度BoM : 零次
磁界強度t)tM :
1次磁界強度b2H:
2”b3H:
3 #を表わす。またヨーク磁気シールドにより
形成される磁界を同じく展開すると、 BY= BoY+ biY+ b2Y+ b3+、+−
・・・・・のここで、By:ヨーク磁気シールドにより
形成される磁界強度BoY:
零次磁界強度b□7:
1次 〃b2Y二r1二次12 次、Y: 〃 3次 〃を表わす
。(ト)、■式に於いて、対応する高次成分がk)tM
〜bt’lt t)z、4−b□9・・・となるので高
次項がほぼ零となり高均一化される。
界の均一性が本質的に重要である。ヨーク磁気シールド
付磁石の場合は、磁石と磁気シールドによって構成され
る磁気回路に於いて、磁石と磁気シールドが発生する磁
界の高次磁界項の対応する成分がほぼ同程度の強度にな
る様に磁気回路が設計されている。従って、合成された
磁界は、高次磁界項がほぼ零となり、零次項の合成磁界
が中心磁界となる高均一磁界となる。すなわち、磁石に
よって発生する磁界を高次成分で展開すると、BM=B
oM+b、、’+b2M+baM+・・・・・・ωここ
で、BM ;磁石(メインコイル)により発生する磁界
強度BoM : 零次
磁界強度t)tM :
1次磁界強度b2H:
2”b3H:
3 #を表わす。またヨーク磁気シールドにより
形成される磁界を同じく展開すると、 BY= BoY+ biY+ b2Y+ b3+、+−
・・・・・のここで、By:ヨーク磁気シールドにより
形成される磁界強度BoY:
零次磁界強度b□7:
1次 〃b2Y二r1二次12 次、Y: 〃 3次 〃を表わす
。(ト)、■式に於いて、対応する高次成分がk)tM
〜bt’lt t)z、4−b□9・・・となるので高
次項がほぼ零となり高均一化される。
一方、このヨーク磁気シールド付磁石を病院等に設置す
る場合、設置する環境には床配筋、柱配筋などの強磁性
体が存在している。これらは磁界均一度を著しく劣化さ
せる。ヨーク磁気シールドはこれら外部磁性体の影響を
防止し均一度の劣化を回避するという効果もある。
る場合、設置する環境には床配筋、柱配筋などの強磁性
体が存在している。これらは磁界均一度を著しく劣化さ
せる。ヨーク磁気シールドはこれら外部磁性体の影響を
防止し均一度の劣化を回避するという効果もある。
次に、アクティブ磁気シールド型の従来技術(特開昭6
O−123756)について説明する。第8図に於いて
、静磁界磁石6は超電導磁石方式である。
O−123756)について説明する。第8図に於いて
、静磁界磁石6は超電導磁石方式である。
主磁界を発生させる第1超電導コイルアセンブリ26と
、その外周に配置し、この第1超電導コイルアセンブリ
と電気的に直列接続され、第2磁界を発生する第2超電
導コイルアセンブリ(アクティブ磁気シールド)27と
を備えた磁石装置であり。
、その外周に配置し、この第1超電導コイルアセンブリ
と電気的に直列接続され、第2磁界を発生する第2超電
導コイルアセンブリ(アクティブ磁気シールド)27と
を備えた磁石装置であり。
これら両コイルアセンブリ26.27は液体ヘリウムで
満たされた液体ヘリウムタンク28に収納されており4
.2にの極低温状態に保持されている。第9図は、この
第1超電導コイルアセンブリ26と第2超電導コイルア
センブリ27のコイル配置を示す一例である(特開昭6
O−123756)。第1.第2超電導コイルアセンブ
リはそれぞれ6個の超電導コイルを含み、第1超電導コ
イルアセンブリを構成するコイルが、第2超電導コイル
アセンブリを構成するコイルの半径方向内側に設けられ
、コイル全体が同軸的に配置されると共に、コイルの軸
線に垂直な共通中央面に対して対称的に配置される。す
なわち、磁界中心軸23に垂直な装置中央面29に対し
て、それぞれ対称に配置された3組のコイル対A、B、
およびC(合計6組)の第1超電導コイルアセンブリを
設け、その外周に、磁石装置の中央面28に対して対称
的に6個のアクティブシールドコイルD、E、Fを設け
る。
満たされた液体ヘリウムタンク28に収納されており4
.2にの極低温状態に保持されている。第9図は、この
第1超電導コイルアセンブリ26と第2超電導コイルア
センブリ27のコイル配置を示す一例である(特開昭6
O−123756)。第1.第2超電導コイルアセンブ
リはそれぞれ6個の超電導コイルを含み、第1超電導コ
イルアセンブリを構成するコイルが、第2超電導コイル
アセンブリを構成するコイルの半径方向内側に設けられ
、コイル全体が同軸的に配置されると共に、コイルの軸
線に垂直な共通中央面に対して対称的に配置される。す
なわち、磁界中心軸23に垂直な装置中央面29に対し
て、それぞれ対称に配置された3組のコイル対A、B、
およびC(合計6組)の第1超電導コイルアセンブリを
設け、その外周に、磁石装置の中央面28に対して対称
的に6個のアクティブシールドコイルD、E、Fを設け
る。
次に、上記のように構成されたアクティブ磁気シールド
の作用効果について述べる。
の作用効果について述べる。
第1.第2超電導コイルアセンブリのそれぞれは、対応
成分がほぼ同程度の強度である磁界を発生し、両アセン
ブリは一様な合成磁界を作用空間内に与えると同時に、
第2超電導コイルアセンブリに流れる電流の方向は第1
超電導コイルアセンブリでの電流の方向と反対となって
いるので、第2超電導コイルアセンブリによる第2磁界
は磁石装置の外部で第1超電導コイルアセンブリによる
第1磁界をキャンセルし漏洩磁界を低減させる。
成分がほぼ同程度の強度である磁界を発生し、両アセン
ブリは一様な合成磁界を作用空間内に与えると同時に、
第2超電導コイルアセンブリに流れる電流の方向は第1
超電導コイルアセンブリでの電流の方向と反対となって
いるので、第2超電導コイルアセンブリによる第2磁界
は磁石装置の外部で第1超電導コイルアセンブリによる
第1磁界をキャンセルし漏洩磁界を低減させる。
すなわち、第1.第2超電導コイルアセンブリによって
発生する磁界を高次成分で展開すると、Bx=Box+
btt+bz1+bss+”””■ここで、B1:第1
超電導コイルアセンブリにより発生する磁界強度B、□
−II 零次磁界強度
b1□ : II
1次磁界 〃b21:第1超電導コイルアセンブリ
により発生する2次磁界強度す、、 :
3次 〃を表わす。また、 B!”B02+b12+b22+b3m+・・・・・・
に)ここで、B2:第2超電導コイルアセンブリにより
発生する磁界強度Bgz : 〃
零次磁界強度す、: 11
1次 〃b、: ”
2次 〃blz : ”
3次 〃を表わす。(3)、(4
)式に於いて、対応する高次成分がb1□郊b1□、b
8、膚b2if bat郊す。・・・とほぼ等しくなる
ので高次項はほぼ零となり常温ボアー内部では高均一磁
界となる。更らに81とB2は互いに逆極性の磁界とな
っているので磁石装置外部では磁界がキャンセルされ漏
洩磁界が低減する。
発生する磁界を高次成分で展開すると、Bx=Box+
btt+bz1+bss+”””■ここで、B1:第1
超電導コイルアセンブリにより発生する磁界強度B、□
−II 零次磁界強度
b1□ : II
1次磁界 〃b21:第1超電導コイルアセンブリ
により発生する2次磁界強度す、、 :
3次 〃を表わす。また、 B!”B02+b12+b22+b3m+・・・・・・
に)ここで、B2:第2超電導コイルアセンブリにより
発生する磁界強度Bgz : 〃
零次磁界強度す、: 11
1次 〃b、: ”
2次 〃blz : ”
3次 〃を表わす。(3)、(4
)式に於いて、対応する高次成分がb1□郊b1□、b
8、膚b2if bat郊す。・・・とほぼ等しくなる
ので高次項はほぼ零となり常温ボアー内部では高均一磁
界となる。更らに81とB2は互いに逆極性の磁界とな
っているので磁石装置外部では磁界がキャンセルされ漏
洩磁界が低減する。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、このように構成された従来の磁気共鳴イメー
ジング装置用磁石には次のような不具合がある。
ジング装置用磁石には次のような不具合がある。
ヨーク磁気シールド型の場合、磁石の中心磁界強度を上
げてゆくと使用する鉄などの磁性体量が急激に増大する
0例えば、 5oooガウスの磁石を磁気シールドする
場合は約5トンの鉄で5ガウス漏洩磁界領域を約40ホ
にすることが出来るが15000ガウスの磁石に対して
同程度の5ガウス漏洩磁界領域を得ようとすると約40
トンの鉄が必要となる。
げてゆくと使用する鉄などの磁性体量が急激に増大する
0例えば、 5oooガウスの磁石を磁気シールドする
場合は約5トンの鉄で5ガウス漏洩磁界領域を約40ホ
にすることが出来るが15000ガウスの磁石に対して
同程度の5ガウス漏洩磁界領域を得ようとすると約40
トンの鉄が必要となる。
このような重量物は磁気共鳴イメージング装置が据付ら
れる病院内にはもはや設置することが困難である。従っ
て、高磁界タイプの磁気共鳴イメージング装置(倒木ば
15000ガウス以上)にはヨーク磁気シールド型は適
用できない。
れる病院内にはもはや設置することが困難である。従っ
て、高磁界タイプの磁気共鳴イメージング装置(倒木ば
15000ガウス以上)にはヨーク磁気シールド型は適
用できない。
一方、アクティブ磁気シールド型の場合は鉄などの重量
物を使用せずに超電導コイル自身によって自己シールド
できるので本質的に軽量化できるので高磁界タイプであ
ってもヨーク磁気シールド型の如き重量に関する問題は
生じない0例えば、15000ガウスの場合、14トン
程度となり病院内に設置できる重量範囲内となる。
物を使用せずに超電導コイル自身によって自己シールド
できるので本質的に軽量化できるので高磁界タイプであ
ってもヨーク磁気シールド型の如き重量に関する問題は
生じない0例えば、15000ガウスの場合、14トン
程度となり病院内に設置できる重量範囲内となる。
しかしながら、アクティブ磁気シールド型の場合、下記
の3つの致命的な不具合がある。
の3つの致命的な不具合がある。
■ 磁界キャンセル用として第2超電導コイルアセンブ
リを主磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリの外
周に配置するために超電導磁石の外径寸法が異常に大き
くなってしまう、病院への据付を行なう場合、磁石を病
院内庭下等を移送しなくてはならぬが、重量が比較的軽
くしても寸法が大きいと病院内を移送することができな
い、撤去作業を行ない移送スペースを確保するかあるい
は、この装置用の新建屋を作らねばならぬという事にな
ってしまう0本質的に据付困難という欠点がある。
リを主磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリの外
周に配置するために超電導磁石の外径寸法が異常に大き
くなってしまう、病院への据付を行なう場合、磁石を病
院内庭下等を移送しなくてはならぬが、重量が比較的軽
くしても寸法が大きいと病院内を移送することができな
い、撤去作業を行ない移送スペースを確保するかあるい
は、この装置用の新建屋を作らねばならぬという事にな
ってしまう0本質的に据付困難という欠点がある。
■ ヨーク磁気シールドは床配筋、柱配筋などの磁性体
の影響を防止できるので、これらによる均一度の劣化は
ないがアクデイプ磁気シールドは、環境磁性体の影響を
受けやすく均一度が劣化しやすいという磁気共鳴イメー
ジング装置にとって致命的な欠点がある。
の影響を防止できるので、これらによる均一度の劣化は
ないがアクデイプ磁気シールドは、環境磁性体の影響を
受けやすく均一度が劣化しやすいという磁気共鳴イメー
ジング装置にとって致命的な欠点がある。
■ 第1.第2と2つの超電導コイルアセンブリを必要
とするため高価な超電導線材を多量に使用するので磁石
装置が高額となり、高磁界タイプの磁気共鳴イメージン
グ装置の普及を阻害している大きな要因の一つとなって
いる・ (発明の目的) そこで、本発明の目的は、従来のヨーク磁気シールド型
およびアクティブ磁気シールド型のもつ欠点をなくして
、装置をコンパクト化、軽量化、低漏洩磁界化、耐環境
磁性体化し、既存の病院建屋に容易に搬入・据付できる
コストパーフォーマンスの優れた磁気共鳴イメージング
装置用磁石を提供することにある。
とするため高価な超電導線材を多量に使用するので磁石
装置が高額となり、高磁界タイプの磁気共鳴イメージン
グ装置の普及を阻害している大きな要因の一つとなって
いる・ (発明の目的) そこで、本発明の目的は、従来のヨーク磁気シールド型
およびアクティブ磁気シールド型のもつ欠点をなくして
、装置をコンパクト化、軽量化、低漏洩磁界化、耐環境
磁性体化し、既存の病院建屋に容易に搬入・据付できる
コストパーフォーマンスの優れた磁気共鳴イメージング
装置用磁石を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明による磁気共鳴イメージング装置用磁石は上記の
問題点を解決しかつ目的を達成するために次のように構
成する。すなわち第1図に示す如く、第1磁界を発生す
る第1超電導コイルアセンブリ26と、この第1超電導
コイルアセンブリに電気的に直列に接続された第2磁界
を発生する第2超電導コイルアセンブリ27とからなる
静磁界磁石6の外周に第3磁界を形成する円筒状ヨーク
磁気シールド19を取付けた構造とする。
問題点を解決しかつ目的を達成するために次のように構
成する。すなわち第1図に示す如く、第1磁界を発生す
る第1超電導コイルアセンブリ26と、この第1超電導
コイルアセンブリに電気的に直列に接続された第2磁界
を発生する第2超電導コイルアセンブリ27とからなる
静磁界磁石6の外周に第3磁界を形成する円筒状ヨーク
磁気シールド19を取付けた構造とする。
第1.第2超電導コイルアセンブリおよびヨーク磁気シ
ールドは対応する高次磁界成分が合成することによって
ほぼ零となる磁界を常温ボアー7の空間18に形成する
と同時に、第2磁界は磁石6の外部で第1磁界に対抗し
、更らに第1.第2磁界の漏洩分をヨーク磁気シールド
が吸収する構成になっている。
ールドは対応する高次磁界成分が合成することによって
ほぼ零となる磁界を常温ボアー7の空間18に形成する
と同時に、第2磁界は磁石6の外部で第1磁界に対抗し
、更らに第1.第2磁界の漏洩分をヨーク磁気シールド
が吸収する構成になっている。
(作 用)
このように構成することにより、常温ボアー内の空間1
8で高均一な磁界が得られると同時に、磁石6の外部で
は漏洩磁界が低減される。その際、磁界の均一化、漏洩
磁界低減がアクティブ磁気シールドである第2超電導ア
センブリとヨーク磁気シールドとの分担によってなされ
るのでアクティブ磁気シールドの容量が低減できる。こ
れにより、装置をコンパクト・軽量化できしかも高価な
超電導線材量が少なくなるのでコストパーフォンマンス
の優れた装置となり既存の病院建屋に容易に搬入・据付
できる。
8で高均一な磁界が得られると同時に、磁石6の外部で
は漏洩磁界が低減される。その際、磁界の均一化、漏洩
磁界低減がアクティブ磁気シールドである第2超電導ア
センブリとヨーク磁気シールドとの分担によってなされ
るのでアクティブ磁気シールドの容量が低減できる。こ
れにより、装置をコンパクト・軽量化できしかも高価な
超電導線材量が少なくなるのでコストパーフォンマンス
の優れた装置となり既存の病院建屋に容易に搬入・据付
できる。
(実施例)
以下本発明の磁気共鳴イメージング装置用磁石の一実施
例を第1図を参照して説明する。
例を第1図を参照して説明する。
(実施例の構成)
第1図は本実施例の構成を示す図である。
主磁界となる第1磁界を発生させる第1超電導コイルア
センブリ26とその外周に配置し、この第1超電導コイ
ルアセンブリと電気的に直列接続された第2磁界を発生
する第2超電導コイルアセンブリ27(アクティブ磁気
シールド)より超電導コイルが成り、これら両コイルア
センブリは液体ヘリウムで満たされた液体ヘリウムタン
ク28に収納されており、4.2にの極低温状態に保持
されている。液体ヘリウムタンク28の外周は熱輻射シ
ールド板30.多層断熱材31により包まれ、これら全
体は真空容器32に収納され、容器内部は高真空に保た
れ断熱されている。真空容器32には真空容器脚部33
がとりつけられている。
センブリ26とその外周に配置し、この第1超電導コイ
ルアセンブリと電気的に直列接続された第2磁界を発生
する第2超電導コイルアセンブリ27(アクティブ磁気
シールド)より超電導コイルが成り、これら両コイルア
センブリは液体ヘリウムで満たされた液体ヘリウムタン
ク28に収納されており、4.2にの極低温状態に保持
されている。液体ヘリウムタンク28の外周は熱輻射シ
ールド板30.多層断熱材31により包まれ、これら全
体は真空容器32に収納され、容器内部は高真空に保た
れ断熱されている。真空容器32には真空容器脚部33
がとりつけられている。
また、この真空容器32.すなわち静磁界磁石6の外周
には円筒形殻体20およびヨーク磁気シールド脚部34
より成るヨーク磁気シールド19が取付けられている。
には円筒形殻体20およびヨーク磁気シールド脚部34
より成るヨーク磁気シールド19が取付けられている。
ヨーク磁気シールド19は鉄などの磁性材料で作られて
いる。真空容器脚部33とヨーク磁気シールド脚部34
は連結板35により連結されている。
いる。真空容器脚部33とヨーク磁気シールド脚部34
は連結板35により連結されている。
静磁界磁石6はヨーク磁気シールド19の内部に収納さ
れており、静磁界磁石の磁気中心軸23に対してヨーク
磁気シールド19.第1.および第2超電導コイルアセ
ンブリは同軸に配置されると共に、この軸23に重直な
共通中央面29に対して対称に配置されている。
れており、静磁界磁石の磁気中心軸23に対してヨーク
磁気シールド19.第1.および第2超電導コイルアセ
ンブリは同軸に配置されると共に、この軸23に重直な
共通中央面29に対して対称に配置されている。
円筒形殻体20は、共通中央面29に関して2分割し更
らに磁気中心軸23に関して2分割、全体で4分割でき
る構造となっている。円筒形殻体20の長さは真空容器
32の長さより短かい構造となっている。すなわち、第
2超電導アセンブリ27の長さより短かくなっている。
らに磁気中心軸23に関して2分割、全体で4分割でき
る構造となっている。円筒形殻体20の長さは真空容器
32の長さより短かい構造となっている。すなわち、第
2超電導アセンブリ27の長さより短かくなっている。
(実施例の作用)
次に、上記のように構成された本実施例の磁気共鳴イメ
ージング装置用磁石の作用を説明する。
ージング装置用磁石の作用を説明する。
まず、第1超電導コイルアセンブリによって発生する磁
界を高次成分で展開すると、 Bs=BoM+b1M+b2M+b、、+−・・・・・
■。
界を高次成分で展開すると、 Bs=BoM+b1M+b2M+b、、+−・・・・・
■。
ここで、BM :第1超電導コイルアセンブリにより発
生する磁界強度BoM :
零次磁界強度bIM=1次 〃 b2H: ” 2次 〃
b−s : 3次 〃
を表わす。また、第2超電導コイルアセンブリ(アクテ
ィブ磁気シールド)によって発生する磁界を高次成分で
展開すると B A= BQA+b xA+ b aA+ b 、i
A+ +++−・−e。
生する磁界強度BoM :
零次磁界強度bIM=1次 〃 b2H: ” 2次 〃
b−s : 3次 〃
を表わす。また、第2超電導コイルアセンブリ(アクテ
ィブ磁気シールド)によって発生する磁界を高次成分で
展開すると B A= BQA+b xA+ b aA+ b 、i
A+ +++−・−e。
ここで、BA ニアクチイブ磁気シールドにより発生す
る磁界強度BoA :
零次磁界強度t)tA:
1次 〃b、A: ”
2次 〃bzA:
3次 〃更らしこ、ヨーク磁気シールドによっ
て形成される磁界を高次成分で展開すると、 BY= BOY + k)1Y + 1)zy+ b3
y+−−−−−−■。
る磁界強度BoA :
零次磁界強度t)tA:
1次 〃b、A: ”
2次 〃bzA:
3次 〃更らしこ、ヨーク磁気シールドによっ
て形成される磁界を高次成分で展開すると、 BY= BOY + k)1Y + 1)zy+ b3
y+−−−−−−■。
ここで、By:ヨーク磁気シールドにより形成される磁
界強度BOY :
零次磁界強度b1Y:
1次 〃b、Y:
2次 〃bx’! :
3次 〃と表わす。第2超電導アセンブリは第
1超電導アセンブリに対して逆方向の電流が流れており
、形成される磁界が互いに逆むきどなる。
界強度BOY :
零次磁界強度b1Y:
1次 〃b、Y:
2次 〃bx’! :
3次 〃と表わす。第2超電導アセンブリは第
1超電導アセンブリに対して逆方向の電流が流れており
、形成される磁界が互いに逆むきどなる。
(ハ)、0.■式に於いて、対応する高次成分の合成が
ほぼ零となる。すなわち、bxHbx^+b工、幻Q
+ bzMbzA+ b2y”Ot ElaM b3
A+ b、y〜0.となるので常温ボアー内部では零次
磁界強度B。HB 6 A + B 6 yのみが存在
し、高均一磁界が形成される。一方、静磁界磁石6の外
部では。
ほぼ零となる。すなわち、bxHbx^+b工、幻Q
+ bzMbzA+ b2y”Ot ElaM b3
A+ b、y〜0.となるので常温ボアー内部では零次
磁界強度B。HB 6 A + B 6 yのみが存在
し、高均一磁界が形成される。一方、静磁界磁石6の外
部では。
boMとB。Aは互いに逆極性の磁界となっているので
、磁界はキャンセルされ弱められている。更らに、この
弱められた磁界の磁束は、ヨーク磁気シ−ルド19に吸
収され漏洩磁界は激減する。円筒形殻体20の長さは第
2超電導コイルアセンブリ27のコイル長より短かいの
で真空容器端部付近に於ける磁束の乱れが回避できる。
、磁界はキャンセルされ弱められている。更らに、この
弱められた磁界の磁束は、ヨーク磁気シ−ルド19に吸
収され漏洩磁界は激減する。円筒形殻体20の長さは第
2超電導コイルアセンブリ27のコイル長より短かいの
で真空容器端部付近に於ける磁束の乱れが回避できる。
この結果、均一空間18での均一度が向上する。次に、
本磁石を据付・搬入する方法を述べる。ヨーク磁気シー
ルド19は中央面29および磁気中心軸23に関して分
割できる構造であるので、搬入に際しては、磁石本体6
゜4分割かされたヨーク磁気シールド19として分割搬
入・据付が可能である。この分割のために、独立した脚
部34.35を有している。全体組立後は、連結板35
により磁石6とヨーク磁気シールド19は結合される。
本磁石を据付・搬入する方法を述べる。ヨーク磁気シー
ルド19は中央面29および磁気中心軸23に関して分
割できる構造であるので、搬入に際しては、磁石本体6
゜4分割かされたヨーク磁気シールド19として分割搬
入・据付が可能である。この分割のために、独立した脚
部34.35を有している。全体組立後は、連結板35
により磁石6とヨーク磁気シールド19は結合される。
(実施例の効果)
以上説明したように本実施例によれば次に列挙するよう
な効果がある。
な効果がある。
■ 磁界均一度達成および漏洩磁界低減をアクティブ磁
気シールドとヨーク磁気シールドとで分担した構造にし
たため、アクティブ磁気シールドの容量を小さくできる
。これにより、アクティブ磁気シールドの下記の欠点を
改善できる。
気シールドとヨーク磁気シールドとで分担した構造にし
たため、アクティブ磁気シールドの容量を小さくできる
。これにより、アクティブ磁気シールドの下記の欠点を
改善できる。
■ アクティブ磁気シールドに起因する磁石外径寸法の
増加を押えることができる。これにより、コンパクト化
が可能となり既設病院への搬入・据付が容易となる。
増加を押えることができる。これにより、コンパクト化
が可能となり既設病院への搬入・据付が容易となる。
■ 高価な超電導線材の使用量が減るのでコストパーフ
ォーマンスのよい装置が得られる。
ォーマンスのよい装置が得られる。
■ ヨーク磁気シールドを使っているので環境磁性体に
よる均一度劣化が回避できる。更らに、真空容器長より
短かい円筒形殻体を用いているのでボアー中心に於ける
均一度が向上する。
よる均一度劣化が回避できる。更らに、真空容器長より
短かい円筒形殻体を用いているのでボアー中心に於ける
均一度が向上する。
■ 一方、ヨーク磁気シールドは使っているがアクティ
ブ磁気シールドとの併用であるので重量の増大は最少限
となり、既存病院への据付・搬入許容条件内に荷重を押
えることができる0例えば、15トン以下。
ブ磁気シールドとの併用であるので重量の増大は最少限
となり、既存病院への据付・搬入許容条件内に荷重を押
えることができる0例えば、15トン以下。
に) アクティブシールドとヨークシールドとの併用に
より漏洩磁界遮へい効果が、それぞれ単独の場合より増
大する。
より漏洩磁界遮へい効果が、それぞれ単独の場合より増
大する。
(他の実施例1)
次に本発明の他の実施例1を説明する。
第1の超電導コイルアセンブリ26.第2の超電導コイ
ルアセンブリ27ヨーク磁気シールド19で構成され、
構造は第1図と同一であり先の本発明の実施例と同一で
ある。
ルアセンブリ27ヨーク磁気シールド19で構成され、
構造は第1図と同一であり先の本発明の実施例と同一で
ある。
第1超電導コイルアセンブリによって発生する磁界は先
の0式により与えられる。第2超電導コイルアセンブリ
によって発生する磁界は先の0式により与えられる。ヨ
ーク磁気シールドにより形成される磁界は先の0式によ
り与えられる。(ハ)式に於いて、b1H〜0.b2M
幻o、b、、〜0・・・すなわち最初から高次項は、は
ぼ零であるように第1超電導コイルアセンブリ、主磁界
コイルを製作する。次に、■弐〇式に於いてblY−b
IA〜O9b、y k)aA〜0−1)aY b、
^#0・・・、すなわちヨーク磁気シールドと第2超電
導コイルアセンブリの対応する高次成分がほぼ等しくな
る様にコイル。
の0式により与えられる。第2超電導コイルアセンブリ
によって発生する磁界は先の0式により与えられる。ヨ
ーク磁気シールドにより形成される磁界は先の0式によ
り与えられる。(ハ)式に於いて、b1H〜0.b2M
幻o、b、、〜0・・・すなわち最初から高次項は、は
ぼ零であるように第1超電導コイルアセンブリ、主磁界
コイルを製作する。次に、■弐〇式に於いてblY−b
IA〜O9b、y k)aA〜0−1)aY b、
^#0・・・、すなわちヨーク磁気シールドと第2超電
導コイルアセンブリの対応する高次成分がほぼ等しくな
る様にコイル。
ヨークシールドを製作する。こうすることによって均一
磁界を得ると共に、静磁界磁石6の外部では漏洩磁界が
キャンセルされて漏洩磁界小となる。
磁界を得ると共に、静磁界磁石6の外部では漏洩磁界が
キャンセルされて漏洩磁界小となる。
本実施例の効果は先の実施例におけるとほぼ同じである
。
。
(他の実施例2)
次に本発明の他の実施例2を第2図で説明する6第1超
電導コイルアセンブリ26、第2超電導コイルアセンブ
リ27、ヨーク磁気シールド19および鉄片シム36よ
り構成される。鉄片シムは1通常、静磁界磁石6の常温
ボアー7の表面上に取付けられている。
電導コイルアセンブリ26、第2超電導コイルアセンブ
リ27、ヨーク磁気シールド19および鉄片シム36よ
り構成される。鉄片シムは1通常、静磁界磁石6の常温
ボアー7の表面上に取付けられている。
第1超電導コイルアセンブリ、第2超電導コイルアセン
ブリ、ヨーク磁気シールドにより形成される磁界はそれ
ぞれ先の000式により与えられ ゛る。
ブリ、ヨーク磁気シールドにより形成される磁界はそれ
ぞれ先の000式により与えられ ゛る。
鉄片シム36により形成される磁界は、Bs” Bos
+ b ts+ b xs+ b sB+−@ここで、
Bs:鉄片シムにより形成される磁界強度B113 :
’ 零次 〃ths :
” 1次 〃t)as 11 ”
2次 〃bss : ”
3次 〃と表わされる。これら、第1.第2超電導
コイルアセンブリ、ヨーク磁気シールドおよび鉄片シム
による対応する高次成分の合成が零となり磁石6の常温
ボアー7内で高均一磁界が得られると共に、磁石6外部
では磁界がキャンセルされ漏洩磁界が低減される。
+ b ts+ b xs+ b sB+−@ここで、
Bs:鉄片シムにより形成される磁界強度B113 :
’ 零次 〃ths :
” 1次 〃t)as 11 ”
2次 〃bss : ”
3次 〃と表わされる。これら、第1.第2超電導
コイルアセンブリ、ヨーク磁気シールドおよび鉄片シム
による対応する高次成分の合成が零となり磁石6の常温
ボアー7内で高均一磁界が得られると共に、磁石6外部
では磁界がキャンセルされ漏洩磁界が低減される。
(他の実施例3)
次の本発明の実施例3を第3図にて説明する。
第3図に示す如く、第1図に示す本発明の第1の実施例
のヨーク磁気シールドの円筒状殻体20に円板状端蓋2
1を付加した構成とする。
のヨーク磁気シールドの円筒状殻体20に円板状端蓋2
1を付加した構成とする。
この構造により、磁気中心軸23方向の磁界漏洩の遮へ
い効率が増大し5ガウス漏洩磁界領域が減少するという
効果がある。
い効率が増大し5ガウス漏洩磁界領域が減少するという
効果がある。
(他の実施例4)
次に本発明の他の実施例4を説明する。
構造は第1図と同一であり本発明の実施例に同じとする
。
。
第1超電導コイルアセンブリによって発生する磁界は先
の0式により与えられる。第2超電導コイルアセンブリ
によって発生する磁界は先の0式により与えられる。ヨ
ーク磁気シールドにより形成される磁界は先の0式によ
り与えられる。0式に於いて、bzA渇0ybzA渇0
w1)3A勺O2・・・すなわち最初から高次項は、は
ぼ零であるように第2超電導コイルアセンブリすなわち
アクティブ磁気シールドを製作する。次に、0式、0式
に於いてbi、+b工Y〜Ot b zM+ b 2Y
勺0 + b、、+ b3y郊0.・・・すなわちヨー
ク磁気シールドと第1超電導コイルアセンブリの対応す
る高次成分がほぼ等しくなる様にコイル、ヨークシール
ドを製作する。
の0式により与えられる。第2超電導コイルアセンブリ
によって発生する磁界は先の0式により与えられる。ヨ
ーク磁気シールドにより形成される磁界は先の0式によ
り与えられる。0式に於いて、bzA渇0ybzA渇0
w1)3A勺O2・・・すなわち最初から高次項は、は
ぼ零であるように第2超電導コイルアセンブリすなわち
アクティブ磁気シールドを製作する。次に、0式、0式
に於いてbi、+b工Y〜Ot b zM+ b 2Y
勺0 + b、、+ b3y郊0.・・・すなわちヨー
ク磁気シールドと第1超電導コイルアセンブリの対応す
る高次成分がほぼ等しくなる様にコイル、ヨークシール
ドを製作する。
これにより均一磁界を得ると共に、静磁界磁石6の外部
には漏洩磁界がキャンセルされて漏洩磁界小となる。
には漏洩磁界がキャンセルされて漏洩磁界小となる。
(他の実施例5)
次に本発明の他の実施例5を第2図で説明する。
構造は第2図であり他の実施例2に同じ第1超電導コイ
ルアセンブリ、第2超電導コイルアセンブリ、ヨーク磁
気シールドおよび鉄片シムにより発生または形成される
磁界は、それぞれ先の■、(0、■、(へ)式によって
表わされる。
ルアセンブリ、第2超電導コイルアセンブリ、ヨーク磁
気シールドおよび鉄片シムにより発生または形成される
磁界は、それぞれ先の■、(0、■、(へ)式によって
表わされる。
(ハ)式において、biM〜Owl)zM〜0.b8爬
0゜・・・すなわち、最初から高次項はほぼ零であるよ
うに第1超電導コイルアセンブリを設計する。次に0、
■、(8)式の対応する高次成分の合成が零となるよう
にする。これにより、均一磁界を得ると共に、静磁界磁
石6の外部では漏洩磁界がキャンセルにされて漏洩磁界
小となる。
0゜・・・すなわち、最初から高次項はほぼ零であるよ
うに第1超電導コイルアセンブリを設計する。次に0、
■、(8)式の対応する高次成分の合成が零となるよう
にする。これにより、均一磁界を得ると共に、静磁界磁
石6の外部では漏洩磁界がキャンセルにされて漏洩磁界
小となる。
(他の実施例6)
次に本発明の他の実施例6を第2図で説明する。
構成は第2図であり、他の実施例2に同じである。
第1.第2超電導コイルアセンブリ、ヨーク磁気シール
ド、および鉄片シムにより発生、または形成される磁界
はそれぞれ先の■、0、■、(ハ)式によって表わされ
る。
ド、および鉄片シムにより発生、または形成される磁界
はそれぞれ先の■、0、■、(ハ)式によって表わされ
る。
0式において、b工^〜0rbzA〜0.b3^夕0゜
・・・すなわち、最初から高次項はほぼ零であるように
第2超電導コイルアセンブリを設計する。次に。
・・・すなわち、最初から高次項はほぼ零であるように
第2超電導コイルアセンブリを設計する。次に。
■、■、(8)式の対応する高次成分の合成が零となる
ようにする。これにより、均一磁界を得ると共に、静磁
界磁石6の外部では漏洩磁界がキャンセルされて漏洩磁
界小となる。
ようにする。これにより、均一磁界を得ると共に、静磁
界磁石6の外部では漏洩磁界がキャンセルされて漏洩磁
界小となる。
以上述べたように本発明によれば、ヨーク磁気シールド
とアクティブ磁気シールドを融合したハイブリッド磁気
シールドとしたので、磁界均一化と漏洩磁界低減はアク
ティブとヨークとの最適な分担によりなされる。これに
より、アクティブ磁気シールドの容量が低減できる。こ
のため、磁石をコンパクト・軽量化、耐環境磁性体化で
き、しかも高価な超電導線材量が少なくできるのでコス
トパーフォーマンスに優れた上に、既存の病院建屋に容
易に搬入・据付できる磁気共鳴イメージング装置用磁石
が提供できる。
とアクティブ磁気シールドを融合したハイブリッド磁気
シールドとしたので、磁界均一化と漏洩磁界低減はアク
ティブとヨークとの最適な分担によりなされる。これに
より、アクティブ磁気シールドの容量が低減できる。こ
のため、磁石をコンパクト・軽量化、耐環境磁性体化で
き、しかも高価な超電導線材量が少なくできるのでコス
トパーフォーマンスに優れた上に、既存の病院建屋に容
易に搬入・据付できる磁気共鳴イメージング装置用磁石
が提供できる。
第1図は本発明の磁気共鳴イメージング装置用磁石の第
一の実施例を示す切断斜視図、第2図および第3図はそ
れぞれ異なる他の実施例を示す要部断面図、第4図およ
び第5図は磁気共鳴イメージングの原理を示す図、第6
図は従来の磁気共鳴イメージング装置のシステムを示す
構成図、第7図は従来のヨーク磁気シールド付磁気共鳴
イメージング装置用磁石の斜視図、第8図は従来のアク
ティブ磁気シールド付磁気共鳴イメージング装置用磁石
の切断斜視図、第9図は従来のアクティブ磁気シールド
付磁気共鳴イメージング装置用磁石のコイルの配置図、
第10図は漏洩磁界分布図である。 19・・・ヨーク磁気シールド、20・・・円筒形殻体
21・・・円板形端蓋。 26・・・第1超電導コイルアセンブリ27・・・第2
超電導コイルアセンブリ 36・・・鉄片シム代理人
弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第1図 第2図 第3図 第4wJ 第5図 第6図 第7図 第9図 第8図 /@気遮蔽イ本なし 第10図
一の実施例を示す切断斜視図、第2図および第3図はそ
れぞれ異なる他の実施例を示す要部断面図、第4図およ
び第5図は磁気共鳴イメージングの原理を示す図、第6
図は従来の磁気共鳴イメージング装置のシステムを示す
構成図、第7図は従来のヨーク磁気シールド付磁気共鳴
イメージング装置用磁石の斜視図、第8図は従来のアク
ティブ磁気シールド付磁気共鳴イメージング装置用磁石
の切断斜視図、第9図は従来のアクティブ磁気シールド
付磁気共鳴イメージング装置用磁石のコイルの配置図、
第10図は漏洩磁界分布図である。 19・・・ヨーク磁気シールド、20・・・円筒形殻体
21・・・円板形端蓋。 26・・・第1超電導コイルアセンブリ27・・・第2
超電導コイルアセンブリ 36・・・鉄片シム代理人
弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第1図 第2図 第3図 第4wJ 第5図 第6図 第7図 第9図 第8図 /@気遮蔽イ本なし 第10図
Claims (20)
- (1)第1磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリ
と、この第1超電導コイルアセンブリに電気的に直列に
接続されて第2磁界を発生する第2超電導コイルアセン
ブリとからなる超電導磁石の外周に第3磁界を形成する
ヨーク磁気シールドを取付けた磁石装置であって、第1
、第2超電導コイルアセンブリおよびヨーク磁気シール
ドは対応する高次磁界成分が合成するとほぼ零となる磁
界を発生あるいは形成し、第1、第2超電導コイルアセ
ンブリおよびヨーク磁気シールドは一様な合成磁界を磁
石装置中心の作用空間内に与え、第2磁界は磁石装置の
外部で第1磁界に対抗すると共にヨーク磁石シールドに
よって、これら第1、第2磁界の漏洩分が吸収されるこ
とを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (2)第1磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリ
と、この第1超電導コイルアセンブリに電気的に直列に
接続されて第2磁界を発生する第2超電導コイルアセン
ブリからなる超電導磁石の外周に第3磁界を形成するヨ
ーク磁気シールドを取付けた磁石装置であって、第1超
電導コイルアセンブリの高次磁界成分はほぼ零でありか
つ第2超電導コイルアセンブリとヨーク磁気シールドは
対応する高次磁界成分がほぼ同程度の強度である磁界を
発生し、第1、第2超電導コイルアセンブリおよびヨー
ク磁気シールドは一様な合成磁界を磁石装置中心の作用
空間内に与え、第2磁界は磁石装置の外部で第一磁界に
対抗すると共にヨーク磁気シールドによって、これら第
1、第2磁界の漏洩分が吸収されることを特徴とする磁
気共鳴イメージング装置用磁石。 - (3)第1磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリ
と、この第1超電導コイルアセンブリに電気的に直列に
接続されて第2磁界を発生する第2超電導コイルアセン
ブリからなる超電導磁石の外周に第3磁界を形成するヨ
ーク磁気シールドを取付けた磁石装置であって、第2超
電導コイルアセンブリの高次磁界成分はほぼ零でありか
つ第1超電導コイルアセンブリとヨーク磁気シールドは
対応する高次磁界成分がほぼ同程度の強度である磁界を
発生し、第1、第2超電導コイルアセンブリおよびヨー
ク磁気シールドは一様な合成磁界を磁石装置中心の作用
空間内に与え、第2磁界は磁石装置の外部で第1磁界に
対抗すると共にヨーク磁気シールドによって、これら第
1、第2磁界の漏洩分が吸収されることを特徴とする磁
気共鳴イメージング装置用磁石。 - (4)第1磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリ
と、この第1超電導コイルアセンブリに電気的に直列に
接続されて第2磁界を発生する第2超電導コイルアセン
ブリからなる超電導磁石の外周に第3磁界を形成するヨ
ーク磁気シールドを取付けると共に、超電導磁石の外周
または、および内周に第4磁界を形成する磁性体シムを
取付けた磁石装置であって、第1、第2超電導コイルア
センブリ、ヨーク磁気シールドおよび磁性体シムは対応
する高次磁界成分が合成されるとほぼ零となる磁界を発
生あるいは形成し、第1、第2超電導コイルアセンブリ
、ヨーク磁気シールドおよび磁性体シムは一様な合成磁
界を磁石装置中心の作用空間内に与え、第2磁界は磁石
装置の外部で第1磁界に対抗すると共にヨーク磁気シー
ルドによって、これら第1、第2磁界の漏洩分が吸収さ
れることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用磁石
。 - (5)第1磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリ
と、この第1超電導コイルアセンブリに電気的に直列に
接続されて第2磁界を発生する第2超電導コイルアセン
ブリからなる超電導磁石の外周に第3磁界を形成するヨ
ーク磁気シールドを取付けると共に、超電導磁石の外周
または、および内周に第4磁界を形成する磁性体シムを
取付けた磁石装置であって、第1超電導コイルアセンブ
リの高次磁界成分はほぼ零でありかつ第2超電導コイル
アセンブリ、ヨーク磁気シールドおよび磁性体シムは対
応する高次磁界成分が合成されるとほぼ零となる磁界を
発生あるいは形成し、第1、第2超電導コイルアセンブ
リ、ヨーク磁気シールドおよび磁性体シムは一様な合成
磁界を磁石装置中心の作用空間内に与え、第2磁界は磁
石装置の外部で第1磁界に対抗すると共にヨーク磁気シ
ールドによって、これら第1、第2磁界の漏洩分が吸収
されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用磁
石。 - (6)第1磁界を発生する第1超電導コイルアセンブリ
と、この第1超電導コイルアセンブリに電気的に直列に
接続されて第2磁界を発生する第2超電導コイルアセン
ブリからなる超電導磁石の外周に第3磁界を形成するヨ
ーク磁気シールドを取付けると共に、超電導磁石の外周
または、および内周に第4磁界を形成する磁性体シムを
取付けた磁石装置であって、第2超電導コイルアセンブ
リの高次磁界成分はほぼ零であり、かつ第1超電導コイ
ルアセンブリ、ヨーク磁気シールドおよび磁性体シムは
対応する高次磁界成分が合成されるとほぼ零となる磁界
を発生あるいは形成し、第1、第2超電導コイルアセン
ブリ、ヨーク磁気シールドおよび磁性体シムは一様な合
成磁界を磁石装置中心の作用空間内に与え、第2磁界は
磁石装置の外部では第1磁界に対抗すると共にヨーク磁
気シールドによって、これら第1、第2磁界の漏洩分が
吸収されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置
用磁石。 - (7)第1超電導コイルアセンブリはコイルの中心磁気
軸に垂直な磁石の中央面に対して、対称的に配置された
複数個の同軸コイルから成る、請求項第一項または第二
項、または第三項または第四項または第五項または第六
項記載の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (8)第2超電導コイルアセンブリは、コイルの中心磁
気軸に垂直な磁石の中央面に対して、対称的に配置され
た複数個の同軸コイルから成る、請求項第一項または第
二項または第三項、または第四項または第五項または第
六項または第七項記載の磁気共鳴イメージング装置用磁
石。 - (9)ヨーク磁気シールドは、コイルの中心磁気軸に垂
直な磁石の中央面に対して、対称的に配置された請求項
第一項、または、第二項または第三項または第四項、ま
たは第五項または第六項、または第七項、または第八項
記載の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (10)ヨーク磁気シールドは円筒形殻体により構成さ
れたことを特徴とする請求項第九項記載の磁気共鳴イメ
ージング装置用磁石。 - (11)円筒形殻体の軸方向長さは磁石の真空容器の軸
方向長さより短かいことを特徴とする請求項第十項記載
の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (12)円筒形殻体の軸方向長さは第1超電導コイルア
センブリのコイル長より長くかつ第2超電導コイルアセ
ンブリのコイル長より短かいことを特徴とする請求項第
十一項記載の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (13)円筒形殻体の軸方向長さは第1超電導コイルア
センブリのコイル長より短かいことを特徴とする請求項
第十一項記載の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (14)ヨーク磁気シールドは円筒形殻体とこの両端に
取付けられた円板形端蓋により構成されたことを特徴と
する請求項第九項記載の磁気共鳴イメージング装置用磁
石。 - (15)ヨーク磁気シールドは分割構造となっているこ
とを特徴とする請求項第十項又は第十一項又は第十二項
又は第十三項又は第十四項記載の磁気共鳴イメージング
装置用磁石。 - (16)磁気中心軸に垂直な共通中央面に関して2分割
構造となっていることを特徴とする請求項第十五項記載
の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (17)磁気中心軸に関して2分割構造となっているこ
とを特徴とする請求項第十五項記載の磁気共鳴イメージ
ング装置用磁石。 - (18)磁気中心軸に垂直な共通中央面および磁気中心
軸に関して4分割構造となっていることを特徴とする請
求項第十五項記載の磁気共鳴イメージング装置用磁石。 - (19)真空容器脚部とヨーク磁気シールド脚部とが連
結板により結合されていることを特徴とする請求項第十
五項又は第十六項、又は第十七項又は第十八項記載の磁
気共鳴イメージング装置用磁石。 - (20)第1、第2超電導コイルアセンブリおよびヨー
ク磁気シールドが磁気中心軸に対して同心となっている
ことを特徴とする請求項第一項、又は第二項、又は第三
項、又は第四項または第五項、または第六項又は第七項
、又は第八項、又は第九項記載の磁気共鳴イメージング
装置用磁石。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63052631A JPH01227407A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気共鳴イメージング装置用磁石 |
DE68924610T DE68924610T2 (de) | 1988-03-08 | 1989-03-08 | Magnetanordnung zur Anwendung in einem Bilderzeugungssystem mittels magnetischer Resonanz. |
EP89104124A EP0332176B1 (en) | 1988-03-08 | 1989-03-08 | Magnet apparatus for use in magnetic resonance imaging system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63052631A JPH01227407A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気共鳴イメージング装置用磁石 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01227407A true JPH01227407A (ja) | 1989-09-11 |
JPH0471324B2 JPH0471324B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=12920169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63052631A Granted JPH01227407A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 磁気共鳴イメージング装置用磁石 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0332176B1 (ja) |
JP (1) | JPH01227407A (ja) |
DE (1) | DE68924610T2 (ja) |
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WO2014171463A1 (ja) * | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 株式会社東芝 | 磁気共鳴イメージング装置 |
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US5001447A (en) * | 1989-08-23 | 1991-03-19 | General Electric Company | Ferromagnetic compensation rings for high field strength magnets |
EP0459268B1 (de) * | 1990-05-31 | 1996-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Aktiv geschirmter Magnet |
FR2667948B1 (fr) * | 1990-10-12 | 1993-04-16 | Magnetech | Systeme magnetique a champ homogene de grande accessibilite. |
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DE102008020107B4 (de) | 2008-04-22 | 2011-08-25 | Bruker BioSpin GmbH, 76287 | Kompakte supraleitende Magnetanordnung mit aktiver Abschirmung, wobei die Abschirmspule zur Feldformung eingesetzt wird |
DE102009045373B4 (de) | 2009-10-06 | 2011-12-08 | Bruker Biospin Gmbh | Kompakte supraleitende Magnetanordnung mit aktiver Abschirmung, wobei die Abschirmspule das Feldmaximum der Hauptfeldspule dämpft |
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JP2643384B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-08-20 | 富士電機株式会社 | 超電導マグネット |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63052631A patent/JPH01227407A/ja active Granted
-
1989
- 1989-03-08 EP EP89104124A patent/EP0332176B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-08 DE DE68924610T patent/DE68924610T2/de not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP0332176B1 (en) | 1995-10-25 |
DE68924610T2 (de) | 1996-04-11 |
JPH0471324B2 (ja) | 1992-11-13 |
DE68924610D1 (de) | 1995-11-30 |
EP0332176A3 (en) | 1990-12-27 |
EP0332176A2 (en) | 1989-09-13 |
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