JPS5915091B2 - 光通信用フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光通信用フアイバ母材の製造方法Info
- Publication number
- JPS5915091B2 JPS5915091B2 JP7965277A JP7965277A JPS5915091B2 JP S5915091 B2 JPS5915091 B2 JP S5915091B2 JP 7965277 A JP7965277 A JP 7965277A JP 7965277 A JP7965277 A JP 7965277A JP S5915091 B2 JPS5915091 B2 JP S5915091B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- sintered body
- powder sintered
- manufacturing
- glass
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01486—Means for supporting, rotating or translating the preforms being formed, e.g. lathes
- C03B37/01493—Deposition substrates, e.g. targets, mandrels, start rods or tubes
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- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は外付け法による光通信用ファイバ母材の製造
方法に関し、特に基材10の除去工程に特徴を持つもの
である。
方法に関し、特に基材10の除去工程に特徴を持つもの
である。
5 外付け法による光通信用ファイバ母材の製造方法は
(第1図参照)、1 基材10上にガラス微粉末焼結体
12を付着たい積させる工程、2 基材10を除去する
工程、 103ガラス微粉末焼結体12を透明ガラス化する工程
、を含む。
(第1図参照)、1 基材10上にガラス微粉末焼結体
12を付着たい積させる工程、2 基材10を除去する
工程、 103ガラス微粉末焼結体12を透明ガラス化する工程
、を含む。
2の基材除去工程を3の透明ガラス化工程の後にする場
合は、基材10をつけたままガラス微粉15末焼結体1
2を透明ガラス化させるので、透明化したガラスが基材
10に密着する。
合は、基材10をつけたままガラス微粉15末焼結体1
2を透明ガラス化させるので、透明化したガラスが基材
10に密着する。
そして基材10との熱膨張係数の違いにより応力割れを
起すことが多い。また透明ガラス化の前に基材10を除
去しようク0 とすると、まだガラス微粉末焼結体12
が固まつていないので作業が難しい。
起すことが多い。また透明ガラス化の前に基材10を除
去しようク0 とすると、まだガラス微粉末焼結体12
が固まつていないので作業が難しい。
この発明の目的は、ガラス微粉末焼結体12ならびにそ
の透明ガラス化したものに悪い影響を与えることなく、
基材10を容易に除去できる方法25を提供することに
ある。
の透明ガラス化したものに悪い影響を与えることなく、
基材10を容易に除去できる方法25を提供することに
ある。
この発明の概要を述べる。
基材10の材料として、たとえばカーボンのように、少
なくともガラ不微粉末焼結体12を透明ガラス化させる
温度以下の温度で燃焼し、消滅す30るものを用いる。
なくともガラ不微粉末焼結体12を透明ガラス化させる
温度以下の温度で燃焼し、消滅す30るものを用いる。
またこれをパイプ状にして使用する。そしてその上に従
来同様にガラス微粉末焼結体12を形成する。基材10
を除去するときは、その内部にO2ガスを流しながら加
熱し、これを燃焼消滅させる。35たとえばカーボンは
約700゜Cで燃焼する。
来同様にガラス微粉末焼結体12を形成する。基材10
を除去するときは、その内部にO2ガスを流しながら加
熱し、これを燃焼消滅させる。35たとえばカーボンは
約700゜Cで燃焼する。
通常、ガラス微粉末焼結体12の透明ガラス化は約13
00℃くらいで行なう。それ故透明ガラス化工程中に、
同時に基材10の燃焼消滅を行うこともできる。次によ
り詳しく説明する(第2図)。
00℃くらいで行なう。それ故透明ガラス化工程中に、
同時に基材10の燃焼消滅を行うこともできる。次によ
り詳しく説明する(第2図)。
まず装置を述べる。
20はたとえばカーボンのパイプからなる基材で、たと
えば外径が20mζ肉厚が2龍くらいのものを用いる。
えば外径が20mζ肉厚が2龍くらいのものを用いる。
22はその外側に従来公知の方法でたい積させたガラス
微粉末焼結体である。
微粉末焼結体である。
ガラス微粉末焼結体22の上端に適当な長さの石英製の
支持パイプ24を、たとえばネジ26で連結する。支持
パイプ24の途中に02ガスの入口28を設ける。支持
パイプ24の下端近くに適当なひつかかり30(たとえ
ば石英の細い棒を支持パイプ24の内壁にかけわたした
もの)を設ける。これに石英製の支持棒32の上端をひ
つかける。これは基材20内を下り、その下端は横に曲
つてガラス微粉末焼結体22を下から支える。この支持
棒32は基材20が燃焼し消滅したときガラス微粉末焼
結体22の落下を防ぐ。支持パイプ24の上端を公知の
昇降装置34のチヤツク36にはさみ、加熱炉38内に
吊り下げる。40はヒータである。
支持パイプ24を、たとえばネジ26で連結する。支持
パイプ24の途中に02ガスの入口28を設ける。支持
パイプ24の下端近くに適当なひつかかり30(たとえ
ば石英の細い棒を支持パイプ24の内壁にかけわたした
もの)を設ける。これに石英製の支持棒32の上端をひ
つかける。これは基材20内を下り、その下端は横に曲
つてガラス微粉末焼結体22を下から支える。この支持
棒32は基材20が燃焼し消滅したときガラス微粉末焼
結体22の落下を防ぐ。支持パイプ24の上端を公知の
昇降装置34のチヤツク36にはさみ、加熱炉38内に
吊り下げる。40はヒータである。
次に作用を述べる。
ヒータ40でガラス微粉末焼結体22の透明ガラス化温
度(約1300℃)に加熱し、入口28から02ガスを
入れて支持パイプ24}よび基材20の内部を通じて流
しながら昇降装置34で支持パイプ24を徐々に下降さ
せる。するとガラス微粉末焼結体22は下端から順次透
明ガラス42になる。同時に基材20は燃焼し消滅して
CO2になり下の方に流出する。このようにして全体の
ガラス微粉末焼結体22が透密ガラス42になつたとき
、基材20は完全に消滅する。また透明ガラス42は支
持棒32により支持されるので落下しない。透明ガラス
42は基材20からの応力を全く受けない。また透明ガ
ラス42の内面は内部に流れるガスの作用によつて、従
来より凹凸が少なくなる。実施例 基材20に外径20m7!L1内径16關、長さ200
uのカーボン製のパイプを使用、その上に長さ180m
7!Lにわたつて、P2O5(10%)−SiO2(8
3%)−GeO2(7%)のコア用ガラス微粉末焼結体
22を厚さ7.57juに、またその上にSlO2(8
2%)−B2O3(18%)のクラツド用ガラス微粉末
焼結体22(割合は重量%)を厚さ7.5mmにたい積
させて、全体の外径を50關とした。
度(約1300℃)に加熱し、入口28から02ガスを
入れて支持パイプ24}よび基材20の内部を通じて流
しながら昇降装置34で支持パイプ24を徐々に下降さ
せる。するとガラス微粉末焼結体22は下端から順次透
明ガラス42になる。同時に基材20は燃焼し消滅して
CO2になり下の方に流出する。このようにして全体の
ガラス微粉末焼結体22が透密ガラス42になつたとき
、基材20は完全に消滅する。また透明ガラス42は支
持棒32により支持されるので落下しない。透明ガラス
42は基材20からの応力を全く受けない。また透明ガ
ラス42の内面は内部に流れるガスの作用によつて、従
来より凹凸が少なくなる。実施例 基材20に外径20m7!L1内径16關、長さ200
uのカーボン製のパイプを使用、その上に長さ180m
7!Lにわたつて、P2O5(10%)−SiO2(8
3%)−GeO2(7%)のコア用ガラス微粉末焼結体
22を厚さ7.57juに、またその上にSlO2(8
2%)−B2O3(18%)のクラツド用ガラス微粉末
焼結体22(割合は重量%)を厚さ7.5mmにたい積
させて、全体の外径を50關とした。
これを1mの支持パイプ24の下端に連結して加熱炉3
8に吊るし、1280℃に加熱し、同時に02を11/
Minの割合で流し、ガラス微粉末焼結体22を順次透
明ガラス42にすると同時に基材20を燃焼消滅させ、
内径8m77!.外径12mm1長さ120mmの透明
ガラス42を、何ら破損させることなく得ることができ
た。この発明の効果を述べる。
8に吊るし、1280℃に加熱し、同時に02を11/
Minの割合で流し、ガラス微粉末焼結体22を順次透
明ガラス42にすると同時に基材20を燃焼消滅させ、
内径8m77!.外径12mm1長さ120mmの透明
ガラス42を、何ら破損させることなく得ることができ
た。この発明の効果を述べる。
(1)ガラス微粉末焼結体22の透明ガラス化と同時に
基材20の除去ができる。
基材20の除去ができる。
(2)ガラス微粉末焼結体22が透明ガラス化するとき
応力割れを起すことがなくなる。
応力割れを起すことがなくなる。
(3)基材20はパイプ状になつているので02ガスと
の接触面積が広く、また燃焼ガスが容易に流出できる。
の接触面積が広く、また燃焼ガスが容易に流出できる。
第1図は従来の製造工程途中の説明図、第2図はこの発
明の製造方法のある途中の状態を模型的に示した説明図
である〇20:基材、22:ガラス微粉末焼結体、38
:加熱炉、40:ヒータ、42:透明ガラス。
明の製造方法のある途中の状態を模型的に示した説明図
である〇20:基材、22:ガラス微粉末焼結体、38
:加熱炉、40:ヒータ、42:透明ガラス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基材20上にガラス微粉末焼結体22を付着たい積
させる工程と、基材20を除去する工程と、ガラス微粉
末焼結体22を透明ガラス化する工程とを含む光通信用
ファイバ母材の製造方法において、ガラス微粉末焼結体
22を透明ガラス化させる温度以下の温度で燃焼消滅す
る材料をパイプ状にしたものを前記基材20として用い
、これをその内側にO_2ガスを流しながら加熱して、
燃焼消滅させることを特徴とする光通信用ファイバ母材
の製造方法。 2 前記基材20の材料としてカーボンを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光通信用ファ
イバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7965277A JPS5915091B2 (ja) | 1977-07-04 | 1977-07-04 | 光通信用フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7965277A JPS5915091B2 (ja) | 1977-07-04 | 1977-07-04 | 光通信用フアイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5414250A JPS5414250A (en) | 1979-02-02 |
JPS5915091B2 true JPS5915091B2 (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=13696049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7965277A Expired JPS5915091B2 (ja) | 1977-07-04 | 1977-07-04 | 光通信用フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5915091B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS626898U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-16 | ||
JPH0428640Y2 (ja) * | 1986-09-30 | 1992-07-10 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4286978A (en) * | 1980-07-03 | 1981-09-01 | Corning Glass Works | Method for substantially continuously drying, consolidating and drawing an optical waveguide preform |
US4289517A (en) * | 1980-07-03 | 1981-09-15 | Corning Glass Works | Method of forming an optical waveguide preform |
US4289522A (en) * | 1980-07-03 | 1981-09-15 | Corning Glass Works | Support member for an optical waveguide preform |
US4708726A (en) * | 1985-11-27 | 1987-11-24 | At&T Technologies, Inc. | Fabrication of a lightguide preform by the outside vapor deposition process |
-
1977
- 1977-07-04 JP JP7965277A patent/JPS5915091B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS626898U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-16 | ||
JPH0428640Y2 (ja) * | 1986-09-30 | 1992-07-10 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5414250A (en) | 1979-02-02 |
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