JPS59150290A - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
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- JPS59150290A JPS59150290A JP2373983A JP2373983A JPS59150290A JP S59150290 A JPS59150290 A JP S59150290A JP 2373983 A JP2373983 A JP 2373983A JP 2373983 A JP2373983 A JP 2373983A JP S59150290 A JPS59150290 A JP S59150290A
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- Japan
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- heat
- mandrel
- detector
- heating
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、真空中に配された密閉発熱吸熱体をその内部
に封入した熱媒体の熱移送作用を利用して加熱寸たは冷
却する温度制御装置に関し、より詳細には、真空蒸着装
置における下地加熱用マンドレルに適用し得る温度制御
装置に関するものである。
に封入した熱媒体の熱移送作用を利用して加熱寸たは冷
却する温度制御装置に関し、より詳細には、真空蒸着装
置における下地加熱用マンドレルに適用し得る温度制御
装置に関するものである。
従来から、真空に保たれたベルジャ内に、筒状の被蒸着
物が外装されるマンドレルを配置するとともに、マンド
レル内に液体高温媒体を循環古せ、マンドレルを介して
加熱された被蒸着物表面に、蒸着ルツボから蒸発した感
光材料等を蒸着させる真空蒸着装置は一般に知られてい
る０ ところが、この極の液体高温媒体循環法を用いる真空蒸
着装置においては、液体高温媒体が常に一定の温度であ
るため、マンドレルと被蒸着物との接触による熱損失、
マンドレルと被蒸着物との間の間隙による熱供給量の不
足、あるいは被蒸着物の真空中への熱放出−により、液
体高温媒体の循環効率を上げても被蒸着物表面の温度が
経時的に次第に低下し、膜厚方向に均一な特性の蒸着層
が得られないという欠点がある。
物が外装されるマンドレルを配置するとともに、マンド
レル内に液体高温媒体を循環古せ、マンドレルを介して
加熱された被蒸着物表面に、蒸着ルツボから蒸発した感
光材料等を蒸着させる真空蒸着装置は一般に知られてい
る０ ところが、この極の液体高温媒体循環法を用いる真空蒸
着装置においては、液体高温媒体が常に一定の温度であ
るため、マンドレルと被蒸着物との接触による熱損失、
マンドレルと被蒸着物との間の間隙による熱供給量の不
足、あるいは被蒸着物の真空中への熱放出−により、液
体高温媒体の循環効率を上げても被蒸着物表面の温度が
経時的に次第に低下し、膜厚方向に均一な特性の蒸着層
が得られないという欠点がある。
そこで一部では、マンドレル内に非凝縮性ガスを取除い
た状態で液状の熱媒体を封入し、この熱媒体の昇温によ
る熱移送作用を利用してマンドレルを加熱するようにし
た真空蒸着Ｐ置が提案されている。そしてこの種の真空
蒸着装置は、熱媒体への供給熱量を調節することにより
蒸着層の膜厚方向の特性を均一にすることができる。
た状態で液状の熱媒体を封入し、この熱媒体の昇温によ
る熱移送作用を利用してマンドレルを加熱するようにし
た真空蒸着Ｐ置が提案されている。そしてこの種の真空
蒸着装置は、熱媒体への供給熱量を調節することにより
蒸着層の膜厚方向の特性を均一にすることができる。
本発明は、熱媒体の熱移送作用を利用するこの種の温度
制御装置の改良に関するもので、密閉発熱吸熱体の温度
を正確に検出しよシ有効な温度制御を行なうことができ
る温度制御装置を提供することを目的とする。
制御装置の改良に関するもので、密閉発熱吸熱体の温度
を正確に検出しよシ有効な温度制御を行なうことができ
る温度制御装置を提供することを目的とする。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図および第２図は真空蒸着装置の一例を示すもので
、両図において／は両端閉塞の筒状をなすマンドレルで
ある。このマンドレル／内には、非凝縮性ガスを排出し
て完全に脱気した後に例えｔｄジフェニールあるいはア
ルキルナフタリン等の熱媒体コが封入されている。そし
てこの熱媒体λは、熱安定性が良くしかも蒸発潜熱が大
きく、常温以下では液体または固体であるが所定温度お
よび圧力で沸騰蒸発し気化するようになっている。
、両図において／は両端閉塞の筒状をなすマンドレルで
ある。このマンドレル／内には、非凝縮性ガスを排出し
て完全に脱気した後に例えｔｄジフェニールあるいはア
ルキルナフタリン等の熱媒体コが封入されている。そし
てこの熱媒体λは、熱安定性が良くしかも蒸発潜熱が大
きく、常温以下では液体または固体であるが所定温度お
よび圧力で沸騰蒸発し気化するようになっている。
前記マンドレルｌ内ＶｃＩｆｉまた、第１図および第２
図に示すように熱媒体−を昇温させるためのシーズヒー
タ等のヒータ３がヒータ保映ハイプグに装された状態で
周方向に等間隔に３本配置されており、各ヒータ３によ
し外温したマンドレル／内部温度は、マンドレル／内に
配した例えばシース型熱電対等の温度センサ！により検
出されるようになっている。
図に示すように熱媒体−を昇温させるためのシーズヒー
タ等のヒータ３がヒータ保映ハイプグに装された状態で
周方向に等間隔に３本配置されており、各ヒータ３によ
し外温したマンドレル／内部温度は、マンドレル／内に
配した例えばシース型熱電対等の温度センサ！により検
出されるようになっている。
この温度センサ！は、第１図に示すように前記ヒータ３
の電源ｔに制御器７を介して接続され、検出温度信号に
基づいてヒータｔの熱媒体コへの供給熱量を制御するよ
うになっており、この温度センサｊは、第１図および第
２図に示すようにその際の検出温度の信頼性を向上させ
るためその先端がマンドレル／内面に密接している。ま
た前記各ヒータ保瑣パイプ亭の外面には、第２図に矢印
Ｘ方向にマンドレルｌが回転した際に液状の熱媒体コを
汲み上げて攪拌流動させ、マンドレルｌ内面、ヒータ検
銭パイプｌ外面、および温度センｔｊ外面の部分的な乾
きを抑制するためのＬ形状の汲み上げ羽根ｒがそれぞれ
設けられている。
の電源ｔに制御器７を介して接続され、検出温度信号に
基づいてヒータｔの熱媒体コへの供給熱量を制御するよ
うになっており、この温度センサｊは、第１図および第
２図に示すようにその際の検出温度の信頼性を向上させ
るためその先端がマンドレル／内面に密接している。ま
た前記各ヒータ保瑣パイプ亭の外面には、第２図に矢印
Ｘ方向にマンドレルｌが回転した際に液状の熱媒体コを
汲み上げて攪拌流動させ、マンドレルｌ内面、ヒータ検
銭パイプｌ外面、および温度センｔｊ外面の部分的な乾
きを抑制するためのＬ形状の汲み上げ羽根ｒがそれぞれ
設けられている。
このように構成されたマンドレル／は、図示しない蒸着
ルツボとともに真空遮断用のベルジャ（図示せず）内に
配置され、その外周部には、第１図に示すようにリンダ
状の中間熱伝導材２を介して筒状の被蒸着物ｌθが装着
されるようになっている。そして前記蒸着ルツボから蒸
発した感光材料等は、マンドレルｌとともに回転しなが
ら均一に加熱された被蒸着物／θの表面に蒸着されるよ
うｋなっている。
ルツボとともに真空遮断用のベルジャ（図示せず）内に
配置され、その外周部には、第１図に示すようにリンダ
状の中間熱伝導材２を介して筒状の被蒸着物ｌθが装着
されるようになっている。そして前記蒸着ルツボから蒸
発した感光材料等は、マンドレルｌとともに回転しなが
ら均一に加熱された被蒸着物／θの表面に蒸着されるよ
うｋなっている。
次に作用について説明する。
真空蒸着に際しては、まずマンドレル／に中間熱伝導材
りを介して被蒸着物１０を外装し、マンドレル／と一体
に回転可能とする。そしてその後、図示しないベルジャ
内を所定の真空度まで真空引きする。
りを介して被蒸着物１０を外装し、マンドレル／と一体
に回転可能とする。そしてその後、図示しないベルジャ
内を所定の真空度まで真空引きする。
次いで、電源ｔからヒータ６に給電し、マンドレル／内
の熱媒体−を温度センサｊからの検出温度信号に基づい
て所定温度まで加熱する。すると、の温度の低い部分へ
速やかに移動する。温度の低い部分に運ばれた気体は過
飽和となって結露し液体となる。このとき、潜熱として
持っていた熱エネルギがマンドレルｌを加熱して温度バ
ランスをとる。
の熱媒体−を温度センサｊからの検出温度信号に基づい
て所定温度まで加熱する。すると、の温度の低い部分へ
速やかに移動する。温度の低い部分に運ばれた気体は過
飽和となって結露し液体となる。このとき、潜熱として
持っていた熱エネルギがマンドレルｌを加熱して温度バ
ランスをとる。
シカシて、マンドレルｌはその表面温度が均一になるよ
う忙加熱され、これＫよシ被蒸着物ｌθも加熱される。
う忙加熱され、これＫよシ被蒸着物ｌθも加熱される。
ところで、定温の液体加熱媒体を用いる従来の液体高温
媒体循環法によって加熱する場合には、第３図に破線グ
ラフＧ１で示すように熱媒体温度が常に一定であるため
、マンドレルと被蒸着物との接触による熱損失、マンド
レルと被蒸着物との間の間隙（真空）による熱伝導不良
、あるいは被蒸着物の真空中への熱放出等の３！出によ
シ、被蒸着物の温度が第３図に実線グラフＧ２で示すよ
うに経時的に次第に低下してしまう。
媒体循環法によって加熱する場合には、第３図に破線グ
ラフＧ１で示すように熱媒体温度が常に一定であるため
、マンドレルと被蒸着物との接触による熱損失、マンド
レルと被蒸着物との間の間隙（真空）による熱伝導不良
、あるいは被蒸着物の真空中への熱放出等の３！出によ
シ、被蒸着物の温度が第３図に実線グラフＧ２で示すよ
うに経時的に次第に低下してしまう。
これを防止するためには、例えば第１図において被蒸着
物１０を中心に向かって径方向に押圧して接触圧力を高
めたシ、あるいは中間熱伝導材りを大形にして被蒸着物
ｌθと等面積化する方法が考えられるが、温度低下現象
を多少抑制することができるのみである。そしてこのよ
うに温度低下現象が発生すると、第１図に示すモデル図
において導電下地（蒸着基材）／／上に堆積する蒸着層
７．２の符号Ａ部と符号Ｃ部の感光体の負Ｗ電特性、感
色性、暗減衰特性が異なってしまい、長期間のランニン
グ（ｒ方杖で３ないし４μｍす）減る）忙よ＃）第１図
に示すＣ′まで減耗すると特性が変わってしまうという
欠点がある。
物１０を中心に向かって径方向に押圧して接触圧力を高
めたシ、あるいは中間熱伝導材りを大形にして被蒸着物
ｌθと等面積化する方法が考えられるが、温度低下現象
を多少抑制することができるのみである。そしてこのよ
うに温度低下現象が発生すると、第１図に示すモデル図
において導電下地（蒸着基材）／／上に堆積する蒸着層
７．２の符号Ａ部と符号Ｃ部の感光体の負Ｗ電特性、感
色性、暗減衰特性が異なってしまい、長期間のランニン
グ（ｒ方杖で３ないし４μｍす）減る）忙よ＃）第１図
に示すＣ′まで減耗すると特性が変わってしまうという
欠点がある。
これは、Ｓｅ単層の場合膜厚方向にＳｓ −Ｓｅのチェ
インの長さが異なる（ Ａｇ３ Ｓｅ５の場合も同様）
ため、および蒸着後の材料（Ｓｅ系）の堆積状態が後述
するように膜厚方向に異なるためと考えられる。
インの長さが異なる（ Ａｇ３ Ｓｅ５の場合も同様）
ため、および蒸着後の材料（Ｓｅ系）の堆積状態が後述
するように膜厚方向に異なるためと考えられる。
すなわち、Ｓｓ ＋Ａａ２ Ｓｅ５のガラス転移点は、
研究者、測定者によって測定結果が若干異なるが、例え
ばＡｇ３ Ｓｅ５の場合には／ＩｒＯないし２００℃の
間に存在する。このため、よシ低い温度で真空中にて下
地にＳｅ系材料が堆積すると、堆積した時点で下地にす
ばやく熱を奪われ、充分緻密にならないうちに固化して
しまう。これに対し、下地温度がある程度高い場合（例
えばＡｇ３ Ｓｅ５の場合には２００℃程度）には、下
地に堆積したＳｅ系材料が下地に熱を奪われる針が少な
いので、堆積固化する前に歯面運動で流動し膜の有する
エネルギが均一化する。
研究者、測定者によって測定結果が若干異なるが、例え
ばＡｇ３ Ｓｅ５の場合には／ＩｒＯないし２００℃の
間に存在する。このため、よシ低い温度で真空中にて下
地にＳｅ系材料が堆積すると、堆積した時点で下地にす
ばやく熱を奪われ、充分緻密にならないうちに固化して
しまう。これに対し、下地温度がある程度高い場合（例
えばＡｇ３ Ｓｅ５の場合には２００℃程度）には、下
地に堆積したＳｅ系材料が下地に熱を奪われる針が少な
いので、堆積固化する前に歯面運動で流動し膜の有する
エネルギが均一化する。
このため、分子、原子、原子集団レベルのボアが少なく
なυより緻密な感光層になる。
なυより緻密な感光層になる。
ところで従来は、第３図の実線グラフＧ２のよう忙蒸着
開始時のＡ１部と後半のＣ１部とで下地温度が異なり、
温度が次第に下がっていく、このため、自由表面に行く
につれて充分な均一化の沿面運動が起こりにくくなり、
膜厚方向に感光層質が変化してし１う。
開始時のＡ１部と後半のＣ１部とで下地温度が異なり、
温度が次第に下がっていく、このため、自由表面に行く
につれて充分な均一化の沿面運動が起こりにくくなり、
膜厚方向に感光層質が変化してし１う。
これ忙対して、第１図および第２図に示すように熱媒体
コを用いる、いわゆるヒートポンプ方式の場合には、熱
媒体λが気体となって熱交換行なうので、ヒータ６から
熱媒体λへの供給熱歓を増やしてやれば、第１図に破線
グラフＧ５で示すような熱媒体−の温度制御が可能とな
る。これにより、第１図に実線グラフＧｑで示すように
被蒸着物の温度を一定に制御することができる。
コを用いる、いわゆるヒートポンプ方式の場合には、熱
媒体λが気体となって熱交換行なうので、ヒータ６から
熱媒体λへの供給熱歓を増やしてやれば、第１図に破線
グラフＧ５で示すような熱媒体−の温度制御が可能とな
る。これにより、第１図に実線グラフＧｑで示すように
被蒸着物の温度を一定に制御することができる。
この温度制御は、第１図に示す温度センサｊからの検出
温度信号に基づいて制御器７でヒータぶへの給電値を制
御することによシ行なわれるが、制御器７では以下のよ
うな制御を行なう。
温度信号に基づいて制御器７でヒータぶへの給電値を制
御することによシ行なわれるが、制御器７では以下のよ
うな制御を行なう。
すなわち、第を図に示すように温度センサｊでの検出温
が目標源１ｆＰから太きくずれている９□点では人力パ
ワーＰ１を大きくシ、ずれ量が少ないｑ２（ｑ工〉ｑ２
）点では入力パワーＰ２をＰ２＝ｑ２／Ｑ□ＸＰｌと落
とす制御を行なう。これにより、目標温度に到達するま
での立上がりが早く、しかもオーバ〜シーートが小さく
なり、目標温度に早期に近付けることが可能となる。
が目標源１ｆＰから太きくずれている９□点では人力パ
ワーＰ１を大きくシ、ずれ量が少ないｑ２（ｑ工〉ｑ２
）点では入力パワーＰ２をＰ２＝ｑ２／Ｑ□ＸＰｌと落
とす制御を行なう。これにより、目標温度に到達するま
での立上がりが早く、しかもオーバ〜シーートが小さく
なり、目標温度に早期に近付けることが可能となる。
制御器７ではまた、５＝ｆ（ｆ（ｔ）−ｐ）ｄｔ の信
号を制御指令とし、ずれが大きいＳ２ではＭ１点での立
上がりパワーＰＭ１を大きくし、またずれが小さいＳａ
（８２＞ａｌｌ ）ではＭ２点での立上がシーくワー
ＰＭ２をＰＨ１＝ Ｓ’ｌ／Ｓ□Ｘ ＰＭＩ と落と
す制御を行なう。
号を制御指令とし、ずれが大きいＳ２ではＭ１点での立
上がりパワーＰＭ１を大きくし、またずれが小さいＳａ
（８２＞ａｌｌ ）ではＭ２点での立上がシーくワー
ＰＭ２をＰＨ１＝ Ｓ’ｌ／Ｓ□Ｘ ＰＭＩ と落と
す制御を行なう。
これにより、早期に目標温度Ｐに制御することができる
。
。
しかして、第１図の実線グラフＧＩＩのように蒸着開始
時のＡ２部から後半の０２部に到るまで下地温度を定温
に１ｌｉｌ制御することが可能となり、膜厚方向の感光
層バルクの特性を一定にすることができる。
時のＡ２部から後半の０２部に到るまで下地温度を定温
に１ｌｉｌ制御することが可能となり、膜厚方向の感光
層バルクの特性を一定にすることができる。
また、下地温度を自由に制御できるので、例えば第１図
に符号Ｃで示す表面付近の感度を早くし符号Ａで示す下
地近傍の感度を遅くするように與造したり、あるいは逆
に表面付近の感度を遅くし下地近傍の感度を早くする等
、膜厚方向に所要の感度分布をもたせることも容易に行
なうことができる。そしてこれにより、所望する感度、
所望する帯電性、所望する暗減衰特性の重子写真複写機
用感光体を容易に得ることができる。
に符号Ｃで示す表面付近の感度を早くし符号Ａで示す下
地近傍の感度を遅くするように與造したり、あるいは逆
に表面付近の感度を遅くし下地近傍の感度を早くする等
、膜厚方向に所要の感度分布をもたせることも容易に行
なうことができる。そしてこれにより、所望する感度、
所望する帯電性、所望する暗減衰特性の重子写真複写機
用感光体を容易に得ることができる。
ととるで、前記温度センサｊは、第７図および第２図に
示すようにその先端部がマンドレルｌの内面に密接して
いるが、第７図に示すように先端部がマンドレルｌの内
面と非接触の温度センサ／３を用いることも考えられる
。
示すようにその先端部がマンドレルｌの内面に密接して
いるが、第７図に示すように先端部がマンドレルｌの内
面と非接触の温度センサ／３を用いることも考えられる
。
この温度センサ／３の場合には、気化した熱媒体コの温
度を測ることができるため、定常状態の温度を検知する
ことが容易である。ところが、マンドレルｌは回転する
ため、温度センサ／Ｓの先端が、液状の熱媒体コに対し
て初期状態で濡れていたものが乾いてしまったシ、逆に
乾いていたものが濡れる等の現像が生じる。そして例え
ば濡れていたものが乾いた場合には、ヒータｔが液状の
熱媒体コから顔を出して直接輻射熱であおられた際に、
マンドレルノ内の状態はさほど変わっていないにもかか
わらず温度センサ１５の先端だけが昇温して異常高温の
信号を制御器７に…力し、制御器７ではヒーｐｔのパワ
ーダウンの制御を行なうととになる。これにより、セン
サ１３の先端だけは目標温度に近付くが、意図するマン
ドレルｌあるいは被蒸着物ｉｏの温度は次第に低下して
しまい、正確な温度制御を行なうことができない０１ これに対して、前記温度センサｊは、その先端がマンド
レルｌの内面に密接しているので、温度センサｊは常時
マンドレルｌの温度を検出することになる。そしてこれ
により、安定した温度制御が可能となる。
度を測ることができるため、定常状態の温度を検知する
ことが容易である。ところが、マンドレルｌは回転する
ため、温度センサ／Ｓの先端が、液状の熱媒体コに対し
て初期状態で濡れていたものが乾いてしまったシ、逆に
乾いていたものが濡れる等の現像が生じる。そして例え
ば濡れていたものが乾いた場合には、ヒータｔが液状の
熱媒体コから顔を出して直接輻射熱であおられた際に、
マンドレルノ内の状態はさほど変わっていないにもかか
わらず温度センサ１５の先端だけが昇温して異常高温の
信号を制御器７に…力し、制御器７ではヒーｐｔのパワ
ーダウンの制御を行なうととになる。これにより、セン
サ１３の先端だけは目標温度に近付くが、意図するマン
ドレルｌあるいは被蒸着物ｉｏの温度は次第に低下して
しまい、正確な温度制御を行なうことができない０１ これに対して、前記温度センサｊは、その先端がマンド
レルｌの内面に密接しているので、温度センサｊは常時
マンドレルｌの温度を検出することになる。そしてこれ
により、安定した温度制御が可能となる。
ところで温度センサ１３の場合にも、その先端にメツシ
ーを巻回したり液留りを設ける等の構成を付加し、セン
サ１３を液状の熱媒体コで常時濡らしておくことによシ
、安定した温度制御が可能となる。
ーを巻回したり液留りを設ける等の構成を付加し、セン
サ１３を液状の熱媒体コで常時濡らしておくことによシ
、安定した温度制御が可能となる。
なお前記実施例では、真空蒸着装置を例に採って説明し
たが、これに限らず例えば真空中等で１００℃以上の温
度で使用される発熱体等、他の一般の温度制御装置にも
広く適用することができる０また加熱温度制御される場
合のみならず、冷却温度制御される場合にも適用するこ
とができる０〔効果〕 以上説明したように本発明は、封入した熱媒体の熱移送
作用により加熱または冷却される密閉発熱吸熱体内に、
温度検出用の検出器を配置し、かつこの検出器を密閉発
熱吸熱体の内面に密接させるようにしたので、密閉発熱
吸熱体の温度を正確に検出しより有効な温度制御を行な
うことができる０
たが、これに限らず例えば真空中等で１００℃以上の温
度で使用される発熱体等、他の一般の温度制御装置にも
広く適用することができる０また加熱温度制御される場
合のみならず、冷却温度制御される場合にも適用するこ
とができる０〔効果〕 以上説明したように本発明は、封入した熱媒体の熱移送
作用により加熱または冷却される密閉発熱吸熱体内に、
温度検出用の検出器を配置し、かつこの検出器を密閉発
熱吸熱体の内面に密接させるようにしたので、密閉発熱
吸熱体の温度を正確に検出しより有効な温度制御を行な
うことができる０
第１図は本発明の一実施例を示す下地加熱用マンドレル
の断面図、第２図は第１図のｎ−ｍ５断面図、第３図は
従来の液体高温媒体循環法による熱媒体および被蒸着物
の温度の経時変化を示すグラフ、第弘図は導電下地上に
堆積する蒸着層のモデル図、第５図は本発明に係ると一
トポンプ方式による熱媒体および被蒸着物の温度の経時
変化を示すグラフ、第を図は制御器による温度制御方法
の一例を示すグラフ、第７図は温度センサをマンドレル
の内面に密接させたことによる効果を示す説明図である
。 ｌ・・・マンドレル、２・・・熱媒体、３・・・ヒータ
、φ・・・ヒータ保護−々イブ、ｊ・・・温度センサ、
６・・・電源、７・・・制御器、り・・・中間熱伝導材
、ＩＯ・・・被蒸着物０出願人代理人 猪 股
清
の断面図、第２図は第１図のｎ−ｍ５断面図、第３図は
従来の液体高温媒体循環法による熱媒体および被蒸着物
の温度の経時変化を示すグラフ、第弘図は導電下地上に
堆積する蒸着層のモデル図、第５図は本発明に係ると一
トポンプ方式による熱媒体および被蒸着物の温度の経時
変化を示すグラフ、第を図は制御器による温度制御方法
の一例を示すグラフ、第７図は温度センサをマンドレル
の内面に密接させたことによる効果を示す説明図である
。 ｌ・・・マンドレル、２・・・熱媒体、３・・・ヒータ
、φ・・・ヒータ保護−々イブ、ｊ・・・温度センサ、
６・・・電源、７・・・制御器、り・・・中間熱伝導材
、ＩＯ・・・被蒸着物０出願人代理人 猪 股
清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 り非凝縮性ガスを取除いた状態で液状の熱媒体が封入さ
れる密閉発熱吸熱体を真空容器内に配置し、前記熱媒体
を加熱冷却装置によシ昇温または降温し七〇熱移送作用
を利用して密閉発熱吸熱体を加！？または冷却する温度
制御装置において、前記密閉発熱吸熱体内に温度検出用
の検出器を配置し、かっこの検出器を密閉発熱吸熱体の
内面に密接させたことを特徴とする温度制御装置。 −２）検出器からの温度検出信号によシ加熱冷却装置の
熱供給量を制御することを特徴とする特許請求の範囲第
７項記載の温度制御装置。 ３）時経変化する検出器からの温度検出信号と予め設定
された目標値とのずれ量を検出し、このずれ量の大小の
程度に応じて加熱冷却装置の熱供給量を制御することを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の温度制御装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2373983A JPS59150290A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | 温度制御装置 |
| GB08323002A GB2129018B (en) | 1982-08-30 | 1983-08-26 | Vacuum evaporation apparatus |
| US06/527,662 US4534312A (en) | 1982-08-30 | 1983-08-30 | Vacuum evaporation apparatus |
| KR1019830004041A KR910000978B1 (ko) | 1982-08-30 | 1983-08-30 | 진공증착장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2373983A JPS59150290A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | 温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150290A true JPS59150290A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12118673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2373983A Pending JPS59150290A (ja) | 1982-08-30 | 1983-02-17 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150290A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433868U (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-19 |
-
1983
- 1983-02-17 JP JP2373983A patent/JPS59150290A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433868U (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-19 |
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