JPS5914979B2 - 高電圧発生装置 - Google Patents
高電圧発生装置Info
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- JPS5914979B2 JPS5914979B2 JP50083631A JP8363175A JPS5914979B2 JP S5914979 B2 JPS5914979 B2 JP S5914979B2 JP 50083631 A JP50083631 A JP 50083631A JP 8363175 A JP8363175 A JP 8363175A JP S5914979 B2 JPS5914979 B2 JP S5914979B2
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/338—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement
- H02M3/3385—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement with automatic control of output voltage or current
- H02M3/3387—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement with automatic control of output voltage or current in a push-pull configuration
- H02M3/3388—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement with automatic control of output voltage or current in a push-pull configuration of the parallel type
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
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- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フィードバック巻線を有する変圧器と、該変
圧器に接続された電圧増倍器（ｍｕｌｅｉｐ−ク０Ｉｉ
ｅｒ）と、装置の負荷に応じて装置によつて供給される
電力を制御する回路とを含むトランジスタ発振器を具備
する、特に像増強器（ｉｍａｇｅｉｎｔｅ一ｎｓｉｆｉ
ｅｒ）と共に使用するための高電圧発生装置に関する。
圧器に接続された電圧増倍器（ｍｕｌｅｉｐ−ク０Ｉｉ
ｅｒ）と、装置の負荷に応じて装置によつて供給される
電力を制御する回路とを含むトランジスタ発振器を具備
する、特に像増強器（ｉｍａｇｅｉｎｔｅ一ｎｓｉｆｉ
ｅｒ）と共に使用するための高電圧発生装置に関する。
２５本発明に従う高電圧発生装置は、ナイトグラスに使
用できるような像増強管に提供するように設計されてい
る。
用できるような像増強管に提供するように設計されてい
る。
一般に像増強管は像増強管の出力スクリーンにより高い
輝度レベルの像を提供するように、入力スクリーン上の
光束を増幅するため３０に使用できる。夜間人間の目で
は認識できないような像を人間の目によつて見える明る
い像にする像増強器として使用できる。従つて、像増強
装置は輝度増強器とも呼ばれる。像増強装置は電子が加
速される真空管の一種で３５ある。
輝度レベルの像を提供するように、入力スクリーン上の
光束を増幅するため３０に使用できる。夜間人間の目で
は認識できないような像を人間の目によつて見える明る
い像にする像増強器として使用できる。従つて、像増強
装置は輝度増強器とも呼ばれる。像増強装置は電子が加
速される真空管の一種で３５ある。
従つて、管は数万ボルトの電圧を供給できなければなら
ない電源に接続されなければならない。像増強装置は主
電源が存在しない所で使用しなければならないことも多
いので、小さな電池で供給できそれ自体大きなエネルギ
を使用しない高電圧源が必佃となる。
ない電源に接続されなければならない。像増強装置は主
電源が存在しない所で使用しなければならないことも多
いので、小さな電池で供給できそれ自体大きなエネルギ
を使用しない高電圧源が必佃となる。
像増強装置の出ガスクリーン上の像の輝度も入ガスクリ
ーンによつて受け取られた光束に依存する。
ーンによつて受け取られた光束に依存する。
ある場合には、受け取られた光束が非常に高い。この場
合、出力像の輝度も非常に高いことになり、見る人に害
を与えたり、出ガスクリーンを損傷する危険性がある。
出力像の輝度も像増強装置に供給される電力に依存する
ので、高電圧発生装置は一定電力を供給するのが好まし
い。
合、出力像の輝度も非常に高いことになり、見る人に害
を与えたり、出ガスクリーンを損傷する危険性がある。
出力像の輝度も像増強装置に供給される電力に依存する
ので、高電圧発生装置は一定電力を供給するのが好まし
い。
更に、この高電圧発生装置はできるだけ小さくナイｉグ
ラス等町搬装置用として使用できるものが好Ｙしい。
ラス等町搬装置用として使用できるものが好Ｙしい。
本発明はこのような要件を満足する高電圧発生装置↑提
供する。
供する。
従来の像増強装置用として使用された高電圧発生装置は
、例えば仏国特許第２，０３３，００４号に開示されで
いる。
、例えば仏国特許第２，０３３，００４号に開示されで
いる。
この従来の高電圧発生装置を第１図を参照して説明する
。
。
第１図にて、トランジスタを備えた発振器か電圧倍増装
置２４従つて像増強装置１０に変圧器を介して接続され
る。トランジスタ発振器が電池によつて付勢され、この
電池とトランジスタ発振器との間に発振器に供給される
電流を制限するための回路３０が接続される。この電流
制御回路３０は、トランジスタ３６と、電池２８の陽極
に連結されたエミツタ抵抗３４と、ツエナーダイオード
３８とを具備し、このツエナーダイオード３８は、電池
２８に接続されたエミツタ抵抗の一端と、電池２８の陰
極に接続されたトランジスタ３６のベースとの間に接続
される。
置２４従つて像増強装置１０に変圧器を介して接続され
る。トランジスタ発振器が電池によつて付勢され、この
電池とトランジスタ発振器との間に発振器に供給される
電流を制限するための回路３０が接続される。この電流
制御回路３０は、トランジスタ３６と、電池２８の陽極
に連結されたエミツタ抵抗３４と、ツエナーダイオード
３８とを具備し、このツエナーダイオード３８は、電池
２８に接続されたエミツタ抵抗の一端と、電池２８の陰
極に接続されたトランジスタ３６のベースとの間に接続
される。
トランジスタ３６のコレクタは発振器２６に接続され、
またコンデンサ４０を介しで電池に接続されている。こ
の公知の装置において、像増強装置１０の入ガスクリー
ンによつて受け取られた光束が増大すると、像増強装置
１０が屯圧倍増器２４からより大きな電流を引き出し、
これによつて、電圧倍増器２４がトランジスタ発振器２
６からより大きな電流を引き出し、これによつで、電池
２８からより大きな電流を引き出すことになる。
またコンデンサ４０を介しで電池に接続されている。こ
の公知の装置において、像増強装置１０の入ガスクリー
ンによつて受け取られた光束が増大すると、像増強装置
１０が屯圧倍増器２４からより大きな電流を引き出し、
これによつて、電圧倍増器２４がトランジスタ発振器２
６からより大きな電流を引き出し、これによつで、電池
２８からより大きな電流を引き出すことになる。
電池２８から供給されるこの電流は、ダイオード３２、
エミツタ抵抗３４及びトランジスタ３６のコレクタ・エ
ミツタ間を介して流れなければならない。エミツタ抵抗
３４を介する電流が増大すると、トランジスタ３６の電
圧降下を増大せしめることになる。しかしながら、ツエ
ナーダイオード３８は、この電圧降下が或る値になると
、ブレタダウンを起し、導通状態になる。
エミツタ抵抗３４及びトランジスタ３６のコレクタ・エ
ミツタ間を介して流れなければならない。エミツタ抵抗
３４を介する電流が増大すると、トランジスタ３６の電
圧降下を増大せしめることになる。しかしながら、ツエ
ナーダイオード３８は、この電圧降下が或る値になると
、ブレタダウンを起し、導通状態になる。
このような状態において、電流はベース抵抗３９を介し
て電池２８の陰極に流れ始める。従つで、トランジスタ
３６のベースの電圧が、トランジスタ３６のベース・エ
ミツタ電圧の陰端子に対して止となる。更に、像増強装
置の入ガスクリーンにおける光束の増大の結果として、
抵抗３４への電流が増大すると、更に、ベース抵抗３９
を介する電圧降下が増大し、従つて、ベース・エミツタ
電圧が減少する。従つて、トランジスタ３６の導通性が
減少する。換言すれば、トランジスタ３６のコレクタ・
エミツタ間の抵抗が増大し、発振器２６に供給される電
圧が減少する。他方、周知の如く、発振器の入力抵抗が
、負荷の増大、即ち、像増強装置の入ガスクリーンにお
ける光束の増大によつて、減少する。
て電池２８の陰極に流れ始める。従つで、トランジスタ
３６のベースの電圧が、トランジスタ３６のベース・エ
ミツタ電圧の陰端子に対して止となる。更に、像増強装
置の入ガスクリーンにおける光束の増大の結果として、
抵抗３４への電流が増大すると、更に、ベース抵抗３９
を介する電圧降下が増大し、従つて、ベース・エミツタ
電圧が減少する。従つて、トランジスタ３６の導通性が
減少する。換言すれば、トランジスタ３６のコレクタ・
エミツタ間の抵抗が増大し、発振器２６に供給される電
圧が減少する。他方、周知の如く、発振器の入力抵抗が
、負荷の増大、即ち、像増強装置の入ガスクリーンにお
ける光束の増大によつて、減少する。
発振器の入力抵抗減少効果は、発振器に供給される電圧
の減少により、増大した光束のある範囲内にで補償され
、その結果、その光束値範囲内にて像増強器に発振器に
よつて供給された電圧はほぼ一定に保たれる。しかしな
がら、光束のある範囲内にで、この補償効果は鋭く減少
する。発振器に供給される電圧が低いので、発振器はも
はや適切な機能を果たさない。したがつて、公知の装置
は、光束値のある範囲内にて像増強装置にほぼ一定の電
力を供給する。
の減少により、増大した光束のある範囲内にで補償され
、その結果、その光束値範囲内にて像増強器に発振器に
よつて供給された電圧はほぼ一定に保たれる。しかしな
がら、光束のある範囲内にで、この補償効果は鋭く減少
する。発振器に供給される電圧が低いので、発振器はも
はや適切な機能を果たさない。したがつて、公知の装置
は、光束値のある範囲内にて像増強装置にほぼ一定の電
力を供給する。
しかしながら、多くの状況においてこの範囲は狭過ぎる
。また電力のかなり大きな部分が抵抗３９によつて使わ
れ、これによつて、電池寿命が短くなる。本発明は、改
良された高電圧発生器装置を提供することを目的とし、
これは、像増強装置に供給される電力を一定にし、従つ
て、光束値の大きな範囲に渡つて自動的に輝度を制御し
、高電圧発生装置における電力消費を最小にする。
。また電力のかなり大きな部分が抵抗３９によつて使わ
れ、これによつて、電池寿命が短くなる。本発明は、改
良された高電圧発生器装置を提供することを目的とし、
これは、像増強装置に供給される電力を一定にし、従つ
て、光束値の大きな範囲に渡つて自動的に輝度を制御し
、高電圧発生装置における電力消費を最小にする。
本発明に従つた装置では、電圧は補助巻線で大きくなり
、この電圧の大きさは装置の負荷に供給される電流に依
存し、そしてこの電圧の大きさに依存する。
、この電圧の大きさは装置の負荷に供給される電流に依
存し、そしてこの電圧の大きさに依存する。
フイードバツク巻線を介してトランジスタ発振器に加え
られる直流ベース電流の一部は、制御トランジスタによ
り放電され、制御回路のデイメンシヨニング（Ｄｉｍｅ
ｎｓｉＯｎｉｎｇ）により決定される制御範囲全体に渡
つて、発振器によつて供給される電力を一定レベルに保
つ。発振器のベース電流は供給源から発振器により得ら
れる発電装置の負荷電流よりもかなり小さいので、この
回路には実質上電力損失がない。
られる直流ベース電流の一部は、制御トランジスタによ
り放電され、制御回路のデイメンシヨニング（Ｄｉｍｅ
ｎｓｉＯｎｉｎｇ）により決定される制御範囲全体に渡
つて、発振器によつて供給される電力を一定レベルに保
つ。発振器のベース電流は供給源から発振器により得ら
れる発電装置の負荷電流よりもかなり小さいので、この
回路には実質上電力損失がない。
第２図は、本発明の一実施例の電気回路図である。変圧
器Ｔにおいて、１次側の第１巻線Ｔ１は巻線Ｌ１と巻線
Ｌ２とを含み、巻線Ｌ１の一端はトランジスタＱ１のコ
レクタに、他端は接続点Ｐ１にそれぞれ接続される。巻
線Ｌ２の一端はトランジスタＱ２のコレクタに、他端は
接続点Ｐ１にそれぞれ接続される。変圧器Ｔの第２巻線
Ｔ２は、フイードバツク巻線Ｌ３，Ｌ４と、補助巻線Ｌ
５，Ｌ６とを含む。フイードバツク巻線Ｌ３と補助巻線
Ｌ５との接続点は、トランジスタＱ２のベースに接続さ
れる。フイードバツク巻線Ｌ４と補助巻線Ｌ６との接続
点は、トランジスタＱ１のベースに接続される。巻線Ｌ
３と巻線Ｌ４との接続点は、接続点Ｐ２に接続される。
第２巻線Ｔ２の両端は、少なくとも１つ（この実施例で
は２つ）のダイオードＤｌ，Ｄ２のアノードに接続され
る。ダイオードＤｌ，Ｄ２の各カソードは、ダイオード
Ｄ３のアノードに接続される。トランジスタＱ３におい
て、コレクタはダイオードＤ３のカソードに、ベースは
ライン１１に、エミツタは抵抗Ｒ４にそれぞれ接続され
る。
器Ｔにおいて、１次側の第１巻線Ｔ１は巻線Ｌ１と巻線
Ｌ２とを含み、巻線Ｌ１の一端はトランジスタＱ１のコ
レクタに、他端は接続点Ｐ１にそれぞれ接続される。巻
線Ｌ２の一端はトランジスタＱ２のコレクタに、他端は
接続点Ｐ１にそれぞれ接続される。変圧器Ｔの第２巻線
Ｔ２は、フイードバツク巻線Ｌ３，Ｌ４と、補助巻線Ｌ
５，Ｌ６とを含む。フイードバツク巻線Ｌ３と補助巻線
Ｌ５との接続点は、トランジスタＱ２のベースに接続さ
れる。フイードバツク巻線Ｌ４と補助巻線Ｌ６との接続
点は、トランジスタＱ１のベースに接続される。巻線Ｌ
３と巻線Ｌ４との接続点は、接続点Ｐ２に接続される。
第２巻線Ｔ２の両端は、少なくとも１つ（この実施例で
は２つ）のダイオードＤｌ，Ｄ２のアノードに接続され
る。ダイオードＤｌ，Ｄ２の各カソードは、ダイオード
Ｄ３のアノードに接続される。トランジスタＱ３におい
て、コレクタはダイオードＤ３のカソードに、ベースは
ライン１１に、エミツタは抵抗Ｒ４にそれぞれ接続され
る。
ライン１１には、抵抗Ｒ２の一端およびコンデンサＣ２
の一端がそれぞれ接続される−コンデンサＣ２は、抵抗
Ｒ２の両端の電圧を一定に保つものである。抵抗Ｒ２の
他端およびコンデンサＣ２の他端は、接続点Ｐ２に接続
される。抵抗Ｒ１の一端は接続点Ｐ２に接続され、抵抗
Ｒ１の他端はライン１２を介して可変抵抗Ｒ５の一端に
接続される。可変抵抗Ｒ５の他端は、抵抗Ｒ４に接続さ
れる。ライン１１とライン１２との間には、直列接続さ
れたダイオードＤ４，Ｄ５，Ｄ６が順方向に接続される
。ダイオードＤ４，Ｄ５，Ｄ６は、トランジスタＱ１〜
Ｑ３のバイアス電圧を一定に保ノつためのものである。
の一端がそれぞれ接続される−コンデンサＣ２は、抵抗
Ｒ２の両端の電圧を一定に保つものである。抵抗Ｒ２の
他端およびコンデンサＣ２の他端は、接続点Ｐ２に接続
される。抵抗Ｒ１の一端は接続点Ｐ２に接続され、抵抗
Ｒ１の他端はライン１２を介して可変抵抗Ｒ５の一端に
接続される。可変抵抗Ｒ５の他端は、抵抗Ｒ４に接続さ
れる。ライン１１とライン１２との間には、直列接続さ
れたダイオードＤ４，Ｄ５，Ｄ６が順方向に接続される
。ダイオードＤ４，Ｄ５，Ｄ６は、トランジスタＱ１〜
Ｑ３のバイアス電圧を一定に保ノつためのものである。
接続点Ｐ１とライン１２との間には発振回路の電圧を一
定に保つコンデンサＣ１が接続され、接続点Ｐ１は抵抗
Ｒ３を介してライン１１に接続される。ラ′イン１２は
、トランジスタＱｌ，Ｑ２の各エミツタに接続され、ま
た直流電源Ｅの負荷に接続される。直流電源Ｅの正極は
、接続点Ｐ１に接続される。トランスＴの二次側の第３
巻線Ｔ３は、ライン１３，１４を介して複数のコンデン
サおよびダイオードで構成される電圧増倍器ＶＭに接続
される。
定に保つコンデンサＣ１が接続され、接続点Ｐ１は抵抗
Ｒ３を介してライン１１に接続される。ラ′イン１２は
、トランジスタＱｌ，Ｑ２の各エミツタに接続され、ま
た直流電源Ｅの負荷に接続される。直流電源Ｅの正極は
、接続点Ｐ１に接続される。トランスＴの二次側の第３
巻線Ｔ３は、ライン１３，１４を介して複数のコンデン
サおよびダイオードで構成される電圧増倍器ＶＭに接続
される。
電圧増倍器Ｍの出力は、ライン１５ｉｊ８を介して像増
強器ＢＶに接続される。以下、この回路の動作を説明す
る。
強器ＢＶに接続される。以下、この回路の動作を説明す
る。
発振回路は、巻線Ｌ１とフイードバツク巻線Ｌ４とトラ
ンジスタＱ１とを構成要素とする回路と、巻線Ｌ２とフ
イードバツク巻線Ｌ３とトランジスタＱ２とを構成要素
とする回路と、第１巻線Ｔ１とフイードバツク巻線Ｌ３
，Ｌ４とトランジスタＱｌ，Ｑ２とを構成要素とする回
路とによつて構成される。直流電源Ｂを与えると、前記
発振回路は発振動作を開始する。その発振によつて、第
２巻線Ｔ２の両端には交流電圧が発生する。その交流電
圧はダイオードＤｌ，Ｄ２によつて整流され、ダイオー
ドＤ４〜Ｄ６のための温度補償用ダイオードＤ３を介し
でトランジスタＱ３のコレクタに脈流電圧が与えられる
。トランジスタＱ３のベース電位は抵抗Ｒ１〜Ｒ３の分
圧により定まり、前記脈流電圧の電位がこのベース電位
よりも大きな振幅を有するように予め定められる。この
結果、この脈流電圧がトランジスタＱ３のコレクタに与
えられ、脈流電圧の電位がベース電位より高いときトラ
ン火スタＱ３が導通する。この脈流電圧の大きさに依存
しでフイードバツク巻線Ｌ３，Ｌ４を介してトランジス
タＱｌ，Ｑ２に与えられた直流ベース電流がトランジス
タＱ３を介して放電される。トランジスタＱ３は、その
エミツタ回路に含まれる抵抗Ｒ４および可変抵抗Ｒ５に
よつて電流源として接続されている。このエミツタ回路
に流れる電流量は、可変抵抗Ｒ５で調整する。したがつ
てこのトランジスタＱ３は、導通状態で一定のコレクタ
・エミツタ電流を流す。その結果、トランジスタＱ３の
ベース電位に比べて大きい交流電圧が第２巻線Ｔ２間に
生じる。トランジスタＱ１のベースには、抵抗Ｒ３、抵
抗Ｒ２およびフイードバツク巻線Ｌ４を介して直流電源
Ｂの正極が与えられる。またトランジスタＱ２のベース
には、抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ２およびフイードバツク巻線Ｌ
３を介して直流電源Ｂの正極が与えられる。この直流電
源Ｂによつて流れるトランジスタＱ１およびＱ２のベー
ス電流は、変圧器Ｔへの発振の電力を決定する。しかし
ながら前記ベース電流の一部は、補助巻線Ｌ５およびＬ
６を介してダイオードＤ１およびＤ２に流れる。またト
ランジスタＱ３が導通状態の場合、このベース電流の一
部は、ダイオードＤ１およびＤ２からダイオードＤ３、
トランジスタＱ３、抵抗Ｒ４および可変抵抗Ｒ５を介し
て直流電源Ｂの負極に流れる。トランスＴの２次側の第
３巻線に負荷が接続されていない場合と同じ、像増強器
ＢＶが動作していない場合を想定する。
ンジスタＱ１とを構成要素とする回路と、巻線Ｌ２とフ
イードバツク巻線Ｌ３とトランジスタＱ２とを構成要素
とする回路と、第１巻線Ｔ１とフイードバツク巻線Ｌ３
，Ｌ４とトランジスタＱｌ，Ｑ２とを構成要素とする回
路とによつて構成される。直流電源Ｂを与えると、前記
発振回路は発振動作を開始する。その発振によつて、第
２巻線Ｔ２の両端には交流電圧が発生する。その交流電
圧はダイオードＤｌ，Ｄ２によつて整流され、ダイオー
ドＤ４〜Ｄ６のための温度補償用ダイオードＤ３を介し
でトランジスタＱ３のコレクタに脈流電圧が与えられる
。トランジスタＱ３のベース電位は抵抗Ｒ１〜Ｒ３の分
圧により定まり、前記脈流電圧の電位がこのベース電位
よりも大きな振幅を有するように予め定められる。この
結果、この脈流電圧がトランジスタＱ３のコレクタに与
えられ、脈流電圧の電位がベース電位より高いときトラ
ン火スタＱ３が導通する。この脈流電圧の大きさに依存
しでフイードバツク巻線Ｌ３，Ｌ４を介してトランジス
タＱｌ，Ｑ２に与えられた直流ベース電流がトランジス
タＱ３を介して放電される。トランジスタＱ３は、その
エミツタ回路に含まれる抵抗Ｒ４および可変抵抗Ｒ５に
よつて電流源として接続されている。このエミツタ回路
に流れる電流量は、可変抵抗Ｒ５で調整する。したがつ
てこのトランジスタＱ３は、導通状態で一定のコレクタ
・エミツタ電流を流す。その結果、トランジスタＱ３の
ベース電位に比べて大きい交流電圧が第２巻線Ｔ２間に
生じる。トランジスタＱ１のベースには、抵抗Ｒ３、抵
抗Ｒ２およびフイードバツク巻線Ｌ４を介して直流電源
Ｂの正極が与えられる。またトランジスタＱ２のベース
には、抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ２およびフイードバツク巻線Ｌ
３を介して直流電源Ｂの正極が与えられる。この直流電
源Ｂによつて流れるトランジスタＱ１およびＱ２のベー
ス電流は、変圧器Ｔへの発振の電力を決定する。しかし
ながら前記ベース電流の一部は、補助巻線Ｌ５およびＬ
６を介してダイオードＤ１およびＤ２に流れる。またト
ランジスタＱ３が導通状態の場合、このベース電流の一
部は、ダイオードＤ１およびＤ２からダイオードＤ３、
トランジスタＱ３、抵抗Ｒ４および可変抵抗Ｒ５を介し
て直流電源Ｂの負極に流れる。トランスＴの２次側の第
３巻線に負荷が接続されていない場合と同じ、像増強器
ＢＶが動作していない場合を想定する。
トランジスタＱｌ，Ｑ２の発振によりトランスＴの２次
側の第３巻線には、高い交流電圧が供給される。トラン
スＴの第２巻線から発生する交流電圧は、ダイオードＤ
ｌ，Ｄ２で脈流電圧になり、トランジスタＱ３は、その
脈流電圧の電位かそのベース電位より高いとき導通状態
になる。このときトランジスタＱｌ，Ｑ２のベース電流
の比較的大きな部分か、トランジスタＱ３のコレクタ・
エミツタ回路に逃げる。次に像増強器ＢＶが、動作して
いる場合を想定する。
側の第３巻線には、高い交流電圧が供給される。トラン
スＴの第２巻線から発生する交流電圧は、ダイオードＤ
ｌ，Ｄ２で脈流電圧になり、トランジスタＱ３は、その
脈流電圧の電位かそのベース電位より高いとき導通状態
になる。このときトランジスタＱｌ，Ｑ２のベース電流
の比較的大きな部分か、トランジスタＱ３のコレクタ・
エミツタ回路に逃げる。次に像増強器ＢＶが、動作して
いる場合を想定する。
像増強器ＢＶの入ガスクリーンにこの光束が増大し、変
圧器Ｔが像増強器Ｂに電流を多く流すと、発振回路の出
力電圧がその内部抵抗により減少する。これによつて、
トランジスタＱ３のコレクタに与えられる脈流電圧の振
幅が小さくなり、トランジスタＱ３は導通状態となる期
間が短くなる。これによつて補助巻線Ｌ５，Ｌ６を介し
て流れる分の電流が減少して、トランジスタＱｌ，Ｑ２
の各ベースに流れる分のベース電流は？前より増加しで
、発振回路の第１巻線Ｔ１からの出力を増大する。した
がつてトランスＴの第２巻線Ｔ２、および第３巻線Ｔ３
に流れる電流が増加して、出力電圧が一定に保持される
。この出力電圧を受信した電圧増倍器ＶＭは、ライン！
５および１６間のコンデンサの直列回路、ライン１７お
よび１６間のコンデンサの直列回路、ラインＩ！８およ
び１７間のコンデンサの直列回路によりこの電圧が高圧
になる。第３図は、第２図に示すトランジスタＱ３の動
作を示す波形図である。
圧器Ｔが像増強器Ｂに電流を多く流すと、発振回路の出
力電圧がその内部抵抗により減少する。これによつて、
トランジスタＱ３のコレクタに与えられる脈流電圧の振
幅が小さくなり、トランジスタＱ３は導通状態となる期
間が短くなる。これによつて補助巻線Ｌ５，Ｌ６を介し
て流れる分の電流が減少して、トランジスタＱｌ，Ｑ２
の各ベースに流れる分のベース電流は？前より増加しで
、発振回路の第１巻線Ｔ１からの出力を増大する。した
がつてトランスＴの第２巻線Ｔ２、および第３巻線Ｔ３
に流れる電流が増加して、出力電圧が一定に保持される
。この出力電圧を受信した電圧増倍器ＶＭは、ライン！
５および１６間のコンデンサの直列回路、ライン１７お
よび１６間のコンデンサの直列回路、ラインＩ！８およ
び１７間のコンデンサの直列回路によりこの電圧が高圧
になる。第３図は、第２図に示すトランジスタＱ３の動
作を示す波形図である。
縦軸は電圧を表わし、横軸は時間を表わす。ラインＨは
トランジスタＱ３のベース電圧を表わし、ラインＪはト
ランジスタＱ３のコレクタに与えられる信号を表わす。
この信号Ａ１の電圧がベース電圧より高い期間Ｔａにお
いてトランジスタＱ３はオンする。またトランジスタＱ
３のコレクタに与えられる信号がラインＫのように電圧
が低くなると、トランジスタＱ３のオンの期間は、Ｔｂ
となり、期間Ｔａ．Ｊｌ．Ｏ？くなる。このようにして
トランジスタＱ３のオン・オフの期間が、制御されるこ
とになる。像増強管は、高電圧源から、その出ガスクリ
ーンによつて提供される光束に実質上比例した電流を引
き出す。
トランジスタＱ３のベース電圧を表わし、ラインＪはト
ランジスタＱ３のコレクタに与えられる信号を表わす。
この信号Ａ１の電圧がベース電圧より高い期間Ｔａにお
いてトランジスタＱ３はオンする。またトランジスタＱ
３のコレクタに与えられる信号がラインＫのように電圧
が低くなると、トランジスタＱ３のオンの期間は、Ｔｂ
となり、期間Ｔａ．Ｊｌ．Ｏ？くなる。このようにして
トランジスタＱ３のオン・オフの期間が、制御されるこ
とになる。像増強管は、高電圧源から、その出ガスクリ
ーンによつて提供される光束に実質上比例した電流を引
き出す。
高電圧発生源の本発明の電力制御装置によつて、光束が
、像増強管の入ロスクリーンにおける露光強度の相当な
範囲に渡つて、規制され且つ安定化される。本発明は、
上記の具体例に限定されるものではなく、例えばプツシ
ユプルの形に接続されていないトランジスタ発振器を含
む高電圧発生装置に適用することもできる。
、像増強管の入ロスクリーンにおける露光強度の相当な
範囲に渡つて、規制され且つ安定化される。本発明は、
上記の具体例に限定されるものではなく、例えばプツシ
ユプルの形に接続されていないトランジスタ発振器を含
む高電圧発生装置に適用することもできる。
この場合、補助巻線はフイードバツク巻線に直列に接続
された分割されていない巻線の形でよい。すなわち、上
述の図示の実施例では、トランジスタ発振回路は、いわ
ゆるプツシユプル発振回路であつたけれども、本発明に
従えば、その他の構成を有するトランジスタ発振回路で
あつてもよく、このときには、単一のトランジスタと、
単一の補助巻線と、単一のフイードバツク巻線とを有す
る構成であつてもよく、このような構成もまた本発明の
精神に含まれるものと解釈されるべきである。更に、図
のｎ−ｐ−ｎトランジスタの代わりに、ｐ−ｎ−ｐトラ
ンジスタを用いてもよく、この場合供給源とダイオード
とは共に極性が反対でなければならない。更にまた、ト
ランジスタの代わりに、電子管或いは電界効果トランジ
スタのような能動素子を用いてもよい。更に説明すると
、本発明は、低い供給電圧から、低いが制御された電力
（例えば、１マイクロアンペアにて３６キロボルト）の
高出力電圧の出力に変換するための高電圧発生装置に関
する。本高電圧発生装置は、特に像増強器に使用するの
に適するものである。
された分割されていない巻線の形でよい。すなわち、上
述の図示の実施例では、トランジスタ発振回路は、いわ
ゆるプツシユプル発振回路であつたけれども、本発明に
従えば、その他の構成を有するトランジスタ発振回路で
あつてもよく、このときには、単一のトランジスタと、
単一の補助巻線と、単一のフイードバツク巻線とを有す
る構成であつてもよく、このような構成もまた本発明の
精神に含まれるものと解釈されるべきである。更に、図
のｎ−ｐ−ｎトランジスタの代わりに、ｐ−ｎ−ｐトラ
ンジスタを用いてもよく、この場合供給源とダイオード
とは共に極性が反対でなければならない。更にまた、ト
ランジスタの代わりに、電子管或いは電界効果トランジ
スタのような能動素子を用いてもよい。更に説明すると
、本発明は、低い供給電圧から、低いが制御された電力
（例えば、１マイクロアンペアにて３６キロボルト）の
高出力電圧の出力に変換するための高電圧発生装置に関
する。本高電圧発生装置は、特に像増強器に使用するの
に適するものである。
像増強器によつて引き出される電流は、そのスクリーン
の光の強さに依存する。しかし、一般には、電流が増加
すると、供給電圧が低下する。これは望ましくないこと
である。巻線Ｌｌ，Ｌ６は制御ダイオードＤｌ，Ｄ２及
び温度補償ダイオードＤ３を介してトランジスタＱ３に
コレクタ電圧を提供する。
の光の強さに依存する。しかし、一般には、電流が増加
すると、供給電圧が低下する。これは望ましくないこと
である。巻線Ｌｌ，Ｌ６は制御ダイオードＤｌ，Ｄ２及
び温度補償ダイオードＤ３を介してトランジスタＱ３に
コレクタ電圧を提供する。
このコレクタ電圧は調整されたサイン波形である。この
サイン波形がトランジスタＱ３のベース電圧より高い電
圧を有している限ＯトランジスタＱ３は導通状態であり
、巻線Ｌ３，Ｌ６を介する電流の第１の部分はトランジ
スタＱ３、抵抗Ｒ４及び抵抗Ｒ５を介しで電池に流れる
。
サイン波形がトランジスタＱ３のベース電圧より高い電
圧を有している限ＯトランジスタＱ３は導通状態であり
、巻線Ｌ３，Ｌ６を介する電流の第１の部分はトランジ
スタＱ３、抵抗Ｒ４及び抵抗Ｒ５を介しで電池に流れる
。
そして、電流の他の部分はトランジスタＱｌ，Ｑ２のベ
ースに流れる。仮に、像増強器が電流を引き出さない場
合、巻線Ｌｌ，Ｌ２の電圧、従つて巻線Ｌ７の電圧、そ
して巻線Ｌ３，Ｌ６の電圧が高くなり、巻線Ｌ３，Ｌ６
の電流のほとんどがトランジスタＱ３を介して流れるこ
とになる。
ースに流れる。仮に、像増強器が電流を引き出さない場
合、巻線Ｌｌ，Ｌ２の電圧、従つて巻線Ｌ７の電圧、そ
して巻線Ｌ３，Ｌ６の電圧が高くなり、巻線Ｌ３，Ｌ６
の電流のほとんどがトランジスタＱ３を介して流れるこ
とになる。
仮に、今、像増強器が電流を引き出し始めるとすると、
巻線Ｌ２，Ｌｌの電圧、従つて、巻線Ｌ３，Ｌ６の電圧
が、像増強器によつて形成された負荷によつて、低下す
る。従つて、トランジスタＱ３のコレクタ電圧がより小
さい振幅を有し、トランジスタＱ３を介して流れる電流
の一部が減少し、一方、トランジスタＱｌ，Ｑ２のベー
スを流れる電流が巻線Ｌｌ，Ｌ２の電圧を増大せしめ、
これがこの電圧の上記低下を補償する。巻線Ｌ３，Ｌ４
が、発振器のトランジスタのベースに接続された巻線に
フイードバツタ作用を加えるように接続されており、巻
線Ｌ５，Ｌ６が、充分高いコレクタ電圧をトランジスタ
Ｑ３に与えるようになつている。
巻線Ｌ２，Ｌｌの電圧、従つて、巻線Ｌ３，Ｌ６の電圧
が、像増強器によつて形成された負荷によつて、低下す
る。従つて、トランジスタＱ３のコレクタ電圧がより小
さい振幅を有し、トランジスタＱ３を介して流れる電流
の一部が減少し、一方、トランジスタＱｌ，Ｑ２のベー
スを流れる電流が巻線Ｌｌ，Ｌ２の電圧を増大せしめ、
これがこの電圧の上記低下を補償する。巻線Ｌ３，Ｌ４
が、発振器のトランジスタのベースに接続された巻線に
フイードバツタ作用を加えるように接続されており、巻
線Ｌ５，Ｌ６が、充分高いコレクタ電圧をトランジスタ
Ｑ３に与えるようになつている。
制御トランジスタは、トランジスタＱ３のコレクタ電圧
がトランジスタＱ３のベースの電圧よりも高い間、トラ
ンジスタＱ３を介する電流値を制御する動きをする。な
お、本発明の実施態様について説明すれば次の通りであ
る。
がトランジスタＱ３のベースの電圧よりも高い間、トラ
ンジスタＱ３を介する電流値を制御する動きをする。な
お、本発明の実施態様について説明すれば次の通りであ
る。
（１）特許請求の範囲の装置であつて、そのベースが中
央タツプ・フイードバツク巻線の一端に接続された２つ
のトランジスタを含むプツシユプル発振器を具備し、該
補助巻線か、該フイードバツク巻線の半分の各々に直列
接続され且つその自由端が夫々少なくとも１つのダイオ
ードを介して該制御トランジスタのコレタタに接続され
ている２つの等しい部分から構成されているもの。
央タツプ・フイードバツク巻線の一端に接続された２つ
のトランジスタを含むプツシユプル発振器を具備し、該
補助巻線か、該フイードバツク巻線の半分の各々に直列
接続され且つその自由端が夫々少なくとも１つのダイオ
ードを介して該制御トランジスタのコレタタに接続され
ている２つの等しい部分から構成されているもの。
第１図は、従来の高電圧発生装置を含む装置の簡略図、
第２図は、本発明の高電圧発生装置を含む装置の簡略図
、第３図は、第２図示の実施例の動作を説明するための
波形図である。 Ｔ・・・・・・トランス、Ｔ１・・・・・・第１巻線、
Ｔ２・・・・・・第２巻線、Ｔ３・・・・・・第３巻線
、Ｌ３，Ｌ４・・・・・・フードバツク巻線、Ｌ５，Ｌ
６・・・・・・補助巻線、Ｂ・・・・・・像増強器、Ｍ
・・・・・・電圧増 器、Ｄｌ，Ｄ２・・・・・・ダイ
オード、Ｑ３・・・・・・制御トランジスタ。
第２図は、本発明の高電圧発生装置を含む装置の簡略図
、第３図は、第２図示の実施例の動作を説明するための
波形図である。 Ｔ・・・・・・トランス、Ｔ１・・・・・・第１巻線、
Ｔ２・・・・・・第２巻線、Ｔ３・・・・・・第３巻線
、Ｌ３，Ｌ４・・・・・・フードバツク巻線、Ｌ５，Ｌ
６・・・・・・補助巻線、Ｂ・・・・・・像増強器、Ｍ
・・・・・・電圧増 器、Ｄｌ，Ｄ２・・・・・・ダイ
オード、Ｑ３・・・・・・制御トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １次側に第１巻線Ｔ１と第２巻線Ｔ２とが電磁結合
し、２次側に第２巻線Ｔ２と電磁結合した第３巻線Ｔ３
を有し、第２巻線Ｔ２をフィードバック巻線Ｌ３、Ｌ４
と補助巻線Ｌ５、Ｌ６とに分割して成る変圧器Ｔと、そ
の変圧器Ｔの２次側の第３巻線Ｔ３に接続され、電圧を
増倍して像増強器ＢＶに与える電圧増倍器ＶＭと、前記
補助巻線Ｌ５、Ｌ６を、ダイオードＤ１、Ｄ２を介して
電流源としてのトランジスタＱ３のコレクターエミッタ
回路に接続して成る電流制御回路と、前記第１巻線Ｔ１
とフィードバック巻線Ｌ３、Ｌ４とを構成要素とするト
ランジスタ発振回路とを含み、電流制御回路は、補助巻
線Ｌ５、Ｌ６の電圧低下時にその補助巻線Ｌ５、Ｌ６の
電流を減少してフィートバック巻線Ｌ３、Ｌ４の電流を
増大し、それによつてトランジスタ発振回路の第１巻線
Ｔ１からの出力を増大するようにしたことを特徴とする
高電圧発生装置。 ２ 第１巻線Ｔ１は、一対の巻線Ｌ１、Ｌ２を含み、ト
ランジスタ発振回路は、前記一対の巻線Ｌ１、Ｌ２と、
それらの各巻線Ｌ１、Ｌ２にそれぞれ接続された一対の
トランジスタＱ１、Ｑ２と、フィートバック巻線Ｌ３、
Ｌ４の両側に分割へて設けられた一対の補助巻線Ｌ５、
Ｌ６とを含むプッシュブル発振回路であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の高電圧発生装置。 ３ 前記トランジスタ発振回路は、単一の補助巻線と単
一のフィードバック巻線とを含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の高電圧発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7409242A NL7409242A (nl) | 1974-07-09 | 1974-07-09 | Hoogspanningsgeneratorschakeling. |
| NL7409242 | 1974-07-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5130931A JPS5130931A (ja) | 1976-03-16 |
| JPS5914979B2 true JPS5914979B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=19821721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50083631A Expired JPS5914979B2 (ja) | 1974-07-09 | 1975-07-09 | 高電圧発生装置 |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4011495A (ja) |
| JP (1) | JPS5914979B2 (ja) |
| AU (1) | AU497672B2 (ja) |
| BE (1) | BE831120A (ja) |
| CA (1) | CA1048666A (ja) |
| DE (1) | DE2529357C2 (ja) |
| FR (1) | FR2278196A1 (ja) |
| GB (1) | GB1477256A (ja) |
| IL (1) | IL47627A (ja) |
| IT (1) | IT1036471B (ja) |
| NL (1) | NL7409242A (ja) |
| SE (2) | SE405302B (ja) |
| TR (1) | TR19444A (ja) |
| YU (1) | YU37039B (ja) |
| ZA (1) | ZA754213B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108880257A (zh) * | 2017-05-09 | 2018-11-23 | 通用电气公司 | 发电系统及方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3067378A (en) * | 1960-03-17 | 1962-12-04 | Gen Electric | Transistor converter |
| US3192464A (en) * | 1961-04-25 | 1965-06-29 | Admiral Corp | Transistorized regulated d.c.-d.c. converter |
| US3581098A (en) * | 1969-02-24 | 1971-05-25 | Itt | Automatic brightness control |
| GB1313919A (en) * | 1970-09-29 | 1973-04-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Image intensifier |
| JPS5152007Y2 (ja) * | 1971-04-10 | 1976-12-13 | ||
| US3694659A (en) * | 1971-09-15 | 1972-09-26 | Int Standard Electric Corp | Automatic control circuit for image intensifier |
-
1974
- 1974-07-09 NL NL7409242A patent/NL7409242A/xx not_active Application Discontinuation
-
1975
- 1975-07-01 DE DE2529357A patent/DE2529357C2/de not_active Expired
- 1975-07-01 ZA ZA00754213A patent/ZA754213B/xx unknown
- 1975-07-02 IL IL47627A patent/IL47627A/en unknown
- 1975-07-02 GB GB2787375A patent/GB1477256A/en not_active Expired
- 1975-07-02 US US05/592,467 patent/US4011495A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-07-07 SE SE7507772A patent/SE405302B/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-07-07 SE SE7507772D patent/SE7507772L/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-07-07 TR TR19444A patent/TR19444A/xx unknown
- 1975-07-07 CA CA75230925A patent/CA1048666A/en not_active Expired
- 1975-07-08 BE BE158086A patent/BE831120A/xx unknown
- 1975-07-08 IT IT68776/75A patent/IT1036471B/it active
- 1975-07-08 YU YU1730/75A patent/YU37039B/xx unknown
- 1975-07-09 FR FR7521591A patent/FR2278196A1/fr active Granted
- 1975-07-09 JP JP50083631A patent/JPS5914979B2/ja not_active Expired
- 1975-07-09 AU AU82895/75A patent/AU497672B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE831120A (nl) | 1976-01-08 |
| YU173075A (en) | 1982-06-18 |
| SE405302B (sv) | 1978-11-27 |
| SE7507772L (sv) | 1976-01-12 |
| CA1048666A (en) | 1979-02-13 |
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| YU37039B (en) | 1984-08-31 |
| TR19444A (tr) | 1979-01-22 |
| US4011495A (en) | 1977-03-08 |
| IL47627A (en) | 1977-07-31 |
| FR2278196B1 (ja) | 1981-08-21 |
| DE2529357A1 (de) | 1976-01-22 |
| IT1036471B (it) | 1979-10-30 |
| FR2278196A1 (fr) | 1976-02-06 |
| NL7409242A (nl) | 1976-01-13 |
| GB1477256A (en) | 1977-06-22 |
| IL47627A0 (en) | 1975-10-15 |
| DE2529357C2 (de) | 1986-08-07 |
| ZA754213B (en) | 1976-06-30 |
| JPS5130931A (ja) | 1976-03-16 |
| AU497672B2 (en) | 1978-12-21 |
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