JPS59149368A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子写真感光体に関し、更に詳細にはヒドラゾ
ン系化合物から成る新規な有機光導電性物質を含有する
感光層を有する電子写真用感光体に関するものである。

従来技術 従来、電子写真感光体で用いる光導電材料として、セレ
ン、硫化カドミウム、酸化岨鉛などの無機光導電性材料
が知られている。これらの光導電性材料は、数多くの利
点、例えば暗所で適当な電位に帯電できること、暗所で
電荷の逸散が少ないことあるいは光照射によって速かに
電荷を逸散できるなどの利点をもっている反面、各種の
欠漬を有している。例えば、セレン系感光体では、温度
、湿度、ごみ、圧力などの袂因で容易に結晶化が進み、
％に雰囲気温反が４０℃を越えると結晶化が著しくなり
、導電性の低下や画像に白い斑点が発生するといった欠
点がある。また、セレン系感光体や硫化カドミウム系感
光体は、多湿下の経時の使用において安定した感度と駒
久性が得られない欠点がある。

壕だ、暇化唾鉛系感光体は、ローズベンガルに代表され
る増感色素による増感効果を必要としているが、この様
な増感色素がコロナ帯電による帯電劣化や露光光による
光退色を生じるため長期に亘って安定した画像を与える
ことができない欠点ｆ：有している〇 一方、ポリビニルカルバゾールをはじめとする各紳の有
機光導電性ポリマーが提案きれて米たが、これらのポリ
マーは、前述の無村・ン糸光／厚電材料に較べ成膜性、
４１＋輩性などの点で優れているにもかかわらず、今日
までその実用化が困紗であったのは、未だ十分な成膜性
が得られておらず、また感度、記入性および環境変化に
よる安定性の点で無機系光導電材料に転べ劣っているた
めであった。また、米国特許第４１５０９８７号公報な
どに開示のヒドラゾン化合物、米国特許第３８３７８５
１号公報などに記載のトリアリールピラゾリン化合物、
特開昭５１−９４８２８号公報、特開昭５１−９４８２
９号公報などに記載の９−スチリルアントラセン化合物
や％開明５５−５５２７８号公報などに記載の４−クロ
ロオキサゾール化合物などの低分子の不機光導電材料が
提案されている。この様な低分子の有機光導電利料は、
使用するバインダーを適当に選択することによって、有
機光導電性ポリマーの分野で問題となっていた成膜性の
欠点全解消できる様になったが、感度の点で十分なもの
とは言えない。

発、明の目的 本発明の目的は、前述の欠点もしくは不利を解消した新
規な電子写真感光体を提供することにある。

本発明の別の目的は、新規な有機光樽電性材料を提供す
ることＫある。

本発明の別の目的は、電荷発生層と電荷輸送層の＃を層
構造からなる感光層で用いる電荷輸送物質に適した化合
物を提供することにある。

発明の構成、効果 本発明の上記目的は、下記一般式（１）で示されるヒド
ラゾン系化合物の少なくとも１紳全含有する層を有する
電子写真感光体によって達成される。

一般式（１） 式中、Ｒ１−Ｒ９は、水紮原子、ハロゲン原子（塩素原
子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表わす
。１価の有機残基としては、広範なものから選択するこ
とができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−
プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−アミル、ｎ−ヘギシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘ
ギンル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキシ
、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換又は未
１６′挽のアリール舛（フェニル、トリル、キシリル、
エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル
、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフ
ェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換又は
未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニルエチル
、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベンジル、
２−−ｙロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキ
シベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセチル、
フロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリ
オイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど、）、
置換又は未置換アミノ基（アミン、ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジエチルアミノ、アセチルアミノ、ベン
ゾイルアミノなど）、匍：換又は未置換スチリル基（ス
チリル、ジメチルアミノステリル、ジエチルアミノスチ
リル、ジプロピルアミノスチリル、メ）・キシスチリル
、エトキシスチリル、メチルステリルＩど’）、ニトロ
基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基および１
換又は未糾換アリールアゾ基（フェニルアゾ、α−ナフ
チルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフェニル
アゾ、クロロフェニルアゾ、ニトロフェニルアゾ、メト
キシフェニルアゾ、トリルアゾなど）’に２＃けること
ができる。又、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ４とＲ５、
Ｒ５とＲ６およびＲ６とＲ７の組合ぜのうち、少なくと
も１つの絹合せで勤換又は米飯、換の芳香族環（ヘンセ
ン、ナフタレン、クロロベンセン、ブロモベンセン、メ
チルベンセン、エチルベンセン、メトキシベンセン、エ
トキシベンゼンなど）を形成してもよい。

Ｒ８およびＲ９は鵬、換又は未ＩＮ換のアルキル基（例
えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピルＭ、ｎ−ブｆ
ルａ　、ｔ　−ブチル４、ｎ−アミル基、ｔ−アミルＭ
、ｎ−オクチルＡ、ｔ−オクチル基、ベンジル基、クロ
ロベンジル基、ジクロロベンジル基、メチルベンジル基
、メトキシベンジル基、２−フェニルエチル基、α−ナ
フチルメチル基、β−ナフチルメチル基、アリル基ナト
）およ（Ｊフェニル基（フェニル！；、トＩＪル基−キ
シリル基、ヒ゛フェニル基、クロロフェニルＭ、’）ク
ロロフェニル刀−、トリクロロフェニル基、ブロモフェ
ニル基、ジブロモフェニル基、トリブロモフェニル基、
メトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセチル
フェニル基、ベンゾイルフェニル基など）を表わす。

また、Ｒ８とＲ９で含窒素複累環（例えは、カルバゾー
ル環、フェノチアジン環など）を形成してもよい。

ｕｌ、）は水素原子および置捩又は未（２）換のアルキ
ル基（例えば、メチル基、エチルｊｈ、ｎ−プロ、ビル
基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチルＭ％ｎ−アミル基、ｔ−
アミル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基、ベンジル
ノー、クロロベンジル基、ジクロロベンジル基、メチル
ベンジル基、メトキシベンジル基、２−フェニルエテル
基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、ア
リル基など）アリール基（フェニル基、トリル基、キシ
リル基、ビフェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフ
ェニルＭ％）！Ｊクロロフェニル基、　フ’　Ｏ％　７
　エニル基、ジブロモフェニル基、トリブロモフェニル
基、メトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセ
チルフェニル基、ベンゾイルフェニル基、α−ナフチル
基、β−ナフチル基など）およびアズレニル基（アズレ
ニル？ｂ　％　　３−メチルアズレニルｉ、　４，６．
８−　トリメチルアズレニル基、５−イソプロピル−５
，８−ジメチルアズレニル基など）を表わす。

ｎは０１１又は２の整数を表わす。

前ｉｉｒ；　一般式（１）で示されるヒドラゾン化合物
の其体例を下記に列挙する。

Ｈ３ Ｈ３ Ｊ １ ｕ３ ｕ３ これらの化合物は、１種又は２種以上組合せて用いるこ
とかできる。

これら一般式（１）で示されるヒドラゾン系化合物は一
般式（乃で示されるヒドラジンと９ （ただし、Ｒ８およびＲ９は前記で定義したものと同一
の定義を有する。） 一般式（６）で示されるアルデヒドまたはケトンを（た
だしＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒｈ
ｏおよびｎは前記で定義したものと同一の定義を有する
。） 用いて合成することができる。

次に本発明に用いられるヒドラゾン化合物について合成
例を挙げて具体的に説明する。

合成例（化合物扁５） ２００−三ツロフラスコにエタノール５０ｍ１、耐酸５
０ｍ１ヒドラジン〔一般式（２）でＲ８がα−ナフチル
基、Ｒ９がフェニル基で示される化合物〕４．２４Ｆ、
１−７オルミルー５−イソプロピル−６，８−ジメチル
アズレン４．１０　ｆ全卵え室温で１時間攪拌［７て反
応させた。冷却し固形分を濾過し、水洗’ｆｃ　Ｒ１４
！シ返した後、メタノール２０（Ｊｉ中で攪拌洗浄し、
固形分’ｚ濾過乾燥した。次にメチルエチルケトンより
再結晶し、結晶３．５ｆを得た。

収率：　４３．７％ 融点＝１６２〜１６６℃ 元、累分枦：分子式Ｃ３２Ｈ５ＯＮ２ 計算値（至）　　分析値％ ０　８６．８５　　　８６．７８ Ｈ６，８５６，８９ Ｎ　　　６．３３　　　　６．４５ 本発明に用いられる他のヒドラゾン系化合物も同様にし
て合成、することができる・一般式（１）で示されるヒ
ドラゾン系化合物ｆｆ：宮有する電子写真感光体として
は、有機光導電物質を用いたいずれのタイプの電子写真
感光体にも適用できるが好ましいタイプとしては１）電
子供与性１ｊを１：にと電子受容付物質との組合せによ
υ′ヒ荷移動錯体を形成したもの０２）有様光導電体に
染料′ｆｆ：添加して増感したもの。

６）正孔マトリックスに顔料分散したもの。

４）電荷発生層と電荷輸送層にｌ桓能分離したもの。

５）染料と樹脂とからｈヵる共晶錯体と廟枦光導電体金
主欣、分とするもの。

６）電荷移動錯体中に有松ないし無機の電荷発生材料を
添加したもの。

郷があシ、中でも６）〜６）が望ましいタイプである。

更に４）タイプの感光体とした場合、つ−ｇ〜、荷発生
層と電荷輸送層の二層に、１虚能分離した感光体の電荷
輸送層に用いる電荷輸送材料として一般式、（１）で示
されるヒドラゾン系化合物を便用した」場合、牛ｙに感
光体の感度か良くなり残留電位も低い。又この場合、繰
返し使用時における感度の低下残留電位の上昇も実用上
）ｊ（ｆ、視しうる程度に抑えることができる。そこで
４）タイプの感光体についてＷトシ＜述べる。

層構成としては４邂層、電荷発生層、電荷輸送層が必須
であυ、電荷発生層は電荷輸送層の上部あるいは下部の
いずれであっても良いが、繰返し使用するタイプの雷１
子写１４．感光体においては主として物理強度の而から
、場合によっては帯電性の面から、導電層、電荷発生層
、宵、荷転送層の順に租！曽することか好盪しい。導電
層と電荷発生層との接着性を向上−する目Ｌ］っで必要
に４応じて接肘層＋Ｃ設けることかできる。

本発明で用いる電荷輸送層は、前記一般式（１）で示さ
れるヒドラゾン系化合物と結宥剤とを適当な浴剤に浴が
ｒせしめた浴液を塗布し、乾燥せしめることによシ形成
させることが好ましい。

ここに用いる結廟剤としては、セリえはポリスルホン、
アクリル樹脂、メタクリル＆４脂、塩化ビニル位脂、＃
鹸ビニル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ（１（脂、ポ
リエステル４？Ｌｊ脂、アルキド樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリウレタンあるいはこれらの樹脂の繰シ返し単位
のうち２つ以上を包む共重合体樹脂などを挙げることが
でき、肋にポリエステル樹脂、ポリカーボネートか好ま
しいものである。また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
の様にそれ自身電荷輸送能力をもつ光導電性ボリマーヲ
バインダーとしても使用することができる。

この結崩剤と電荷輸送化合物との配合割合は、結着剤ｉ
ｏｏ重串部当９電荷輸送化合物を１０〜５００重−部と
ブることか好ましい。この嘔荷幅送）―の厚さは、２〜
１００ミクロン、好ましくは５〜６０ミクロンである６
まプζ、電荷輸送層（ｉｌ−ｅける時に用いる塗布方法
としては・ブレードコーティング法、マイヤーバーコー
ティング法、スプレーコーティング法、＆漬コーティン
グ法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティン
グ法などの通常の方法を用いることかできる。

また、本発明の電荷輸送層を形成させる際に用いる浴沖
Ｉとしては、多数の有用な有（楊溶剤全包會している。

代表的なものとして、例えばベンゼン、ナフタリン、ト
ルエン１．キシレン、メシチＶン、クロロベンゼンなど
の芳香族系炭化水素類、アセトン、２−ブタノンなどの
ケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン
などのハロゲン化脂肪族系炭化水素類、テトラヒドロフ
ラン、エチルニーアルなどの堺状若しくはｉｌｎ状のエ
ーテル類など、あるいはこれらの混合浴剤を挙げること
ができる。

本発明の電荷輸送層には、糾；々の絵加剤を言有さぜる
ことかできる。かかる添加剤としでは、ジフェニル、塩
化ジフェニル、〇−ターフェニル、Ｐ−ターフェニル、
ジブチルフタレート、ジメチルグリコールツクレート、
ジオクチルフタレート、トリフェニル燐醒、メチルナフ
タリン、ベンゾフェノン、塙累化パラフィン、ジラウリ
ルチオプロピオネート、３，５−ジニトロザリチル酸、
各棟フルオロカーボンｇｒｉ　、シリコンオイル、シリ
コンゴムあるいはジブチルヒドロキシトルエン、２．２
’−メチレン−ビス−（６−ｔ−ブチル−４−メチルフ
ェノール）、α−トコフェロール、２−ｔ−オクｆルー
５−１０ロハイドロキノン、２．５−ジ−ｔ−オクチル
ハイドロキノンなどのフェノール性化合物類などを挙げ
ることができる。

電荷発生層に用いる電荷発生材料としては光を吸収し極
めて高い効率で電荷１１１体を発生する材料であれば、
いずれの材料であっても使用することができ、好ましい
材料としては、セレン、セレン−テルル、セレン・ヒ素
％　＆ｉＣ化カドミウム、アモルファスシリコン等の’
ｊｉｉｌ　ｈ物置やヒ１７ウム系染料、チオピリリウム
系染料、トリアリールメタン系染料、チアジン系染料、
シアニン系染料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔
料、インジゴ糸顔料、チオインジコ系顔料、キナクリド
ン系顔料、スクアリック岐顧科、アゾ系顔料、多項キノ
ン糸顧科、アスレニウム塩化合物等の南機物實かあけら
れる。電荷発生層の膜厚は５ミクロン以下好ましくは０
，０５〜６ミクロンが矛ましい。

本発明で用いつる電荷発生物ＩＩ４の代表例を１記に示
す。

電荷発生物質 （１）　　アモルファスシリコン （２）　　セレン−テルル （３）　　セレン・ヒ素硫化カドミウム（１０） （１１） （１２） （１３） （２７） （２９） （５０）　　　　　　　　。

（＋ （３１）　　β型、−飛フタロシアニン（３２） （６３） （３５） （６６） （３７） （５９） （４０） これらの化合物は、１袖棟ｆｃは２種以上組合せて用い
ることができる。

本発明においては、前述の化合物を用いて電荷発生層を
形成さセる際、前シＶの化合′吻を真空蒸着、スパッタ
リング、グロー族／ＱＺなどによって、その化合物の１
＠ヲ形ルすることができる。

また、適当な結着剤に前述の化合物を分散させ、こ、の
分散ｌ夜’７　Ｊ当な塗布方法によって堡布して層を形
成することができる。その他、バインダ、、　７　ｌｊ
−にして前述の化合物の層を形成することもてきる。前
述の化合物を分散させる際には、ボールミル、アトライ
ターなどを用いた公知の方法により分散でき、粒子サイ
スを５ミク　　　゛ロン以下、好ましくは２ミクロン以
下、最速には０．５ミクロン以下とすることか望ましい
。また、前述の化合物をエチレンジアミン、ジエチレン
トリアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレ
ンへキザミン、ジエチルアミノプロビルアミン、Ｎ−ア
ミノエテルピペラジン、ベンジルジメチルアミン、α−
メチルベンジルジメチルアミン、トリジメチルアミノメ
チルフェノールなどのアミン系溶剤に溶かして塗布する
こともできる。塗布方法としては、ブレードコーティン
グ法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティ
ング法、浸漬コーチインク法、ビードコーティング法、
エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法
などの渉常の方法を用いることかできる。

本発明Ｃ用いる電荷発生層の膜ノリ（ｒユ、５ミクロン
以下、￥ｆｉしくけ０．０１ミクロン〜１ミクロンが適
当である。

＾１１述の化合物を分散さ七るための結着剤としては、
ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポ
リエステル、ポリ均化ビニリデン、ポリアミド、塩化ゴ
ム、ポリビニルトルエン、ポリスチレン、ポリ堵化ビニ
ル、エチルセルロース、ポリビニルピリジン、スチレン
−無水マレイン酢コポリマーなどを挙げることができる
。この様な結着剤が電荷発生層に占める割合は１、′電
荷発生層の総重量の８０重章％以下、好ましくは５０重
量％以下が望ましい。

また、本発明の電子写真感光体では、′観荷光生層よシ
上１−の電荷輸送層のキャリア注入を均一にするために
、８讐に応じて電荷発生層の表面を研磨し、線面仕上げ
をすることができる。

銚面仕上げ法としては、例え、ば特開昭５５−１５５３
５６号公報に開示された方法を用いることかできる。

導電層としでは、導電性が付与されていれば良く、従来
用いられているいずれのタイプの導電層であってもさし
つかえない。

接着層の材質としてはカセイン、ポリビニルアルコール
、ニトロセルロース、ヒドロキシメチルセルローズ、ポ
リアミド等の従来用いられてきた＠麺バインダーが用い
られる。

接着層の厚さは０．１〜５μ好ましくは０．５〜６μが
適当である。

本発明に用いられるヒドラゾン系化合物は正孔輸送性で
あシ、導′亀層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合、電荷輸送層表面を負に帯電す
る必要があり帯電、露光すると露光部では電荷発生層に
おいて生成した正孔が電荷輸送層に注入され、そのあと
表面に達して負電荷を中和し表面電位の減衰が生じ未霧
光部との間に静電コントラストが生じる。

顕像化するには従来用いられてきた神々の現像法を用い
ることができる。

（４）タイプ以外の感光体に関しては、これまで提案さ
れた数多くの特許公報や文献に実施の態様が記されてい
るので、ここでは計細な記述を省略するが、これらのタ
イプの感光体にも本発明のヒドラゾン系化合物は有効で
ある。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならずレーサープリンター、　ＣＲＴプリンター、電
子写真式製版システムなどの電子写真応用分野にも広く
用いることかできる。

次に本発明の実施例を示す。

実施例　１ アルミ板上にカゼインのアンモニア水浴液（カモイン１
１．：ｌ、２８％アンモニア水１ｖ１水２２２−）ｉマ
イヤーバーで塗布乾燥し、塗工量１．０ｆ／ｍ２の接着
層を形成し／ヒ。次に下記構糸合有するジスアゾ順相５
１と ブチラール側脂（ブチラール化度６３モル％）２１をエ
タノール９５ｍ１に浴かした液と共に分散した後、接浄
「層土に塗工し乾燥後の塗工量が０、２　ｒ／ｍ２の′
電荷発生層を形成した。

次に前記例示ヒドラゾン化合物Ａ（１１５？　、ボ＋）
　−４＋４’−ジオキシジフェニル−２，２−’ロバン
カーボネート（粘度平均分子３３００００　）５１をジ
クロルメタン１５０　ｍｌに浴かした液を電荷発生ノー
に、傾面乾燥し塗工量が１’Ｏｆ／ｍ２の電荷輸送層を
形成した。

この様にして作成した電子写真感光体を川口電機（株）
製静電複写紙試験装置ｔＭｏｄｅＩＳＰ−４２８を用い
てスタチック方式でｅ５ＫＶでコロナ帯Ｔ４Ｌし、暗所
で１０秒間保持した後照度５　ｔｕｘで露光し帯電特性
を調べた。

初ｗＪｔ位Ｖｏ（Ｖｌ・暗所での１０秒間の電位保持率
をＲｖ−１半減衰露光量全Ｅ　ｋ　（ｔｔ□工・。。。

）とし本感光体の帯電特性を示す。

ｖｏ：ｅｓｉｏボルト Ｒｖ’８１％ ＥＩ／１２：　　５．５１ｕｘ８ｅｅｃ実施１ンリ　　
２ 下記構造を刹するアズレニウム塩化合物５２と Ｊ ブチラール樹脂（ブチラール化度６３モル％）２２をエ
タ、ノール９５ｍ／に浴がした液と共に分散した後、′
＃確ｆ１１１で作成した接加層上に塗工し乾燥後の塗工
量が０．２　ｆｆ　／　ｍ２の電荷発生ノーを形成した
。

次に前記ヒドラゾン化合物４．（，５１５１ｉ’、ポリ
−４，４’ニジオキシジフェニル−２，２−フロノξン
ヵーポネート（粘度平均分子檜３００００）５　ｒをジ
クロルメタン１５０＋ｉＫ浴かした液を電荷発生ｊ曽上
に、塗布龜ン燥し塗工量が１０１７ｍ２の電荷輸送層を
形成した。

この様にして作成した電子万力感光板を実施例１と同様
にして′＠市、　％付を調べた。その結果を次に示す。

、Ｖｏ　：ｅ４８０ポルト Ｒｙ’７８Ｘ Ｅｙ、　　：　　４．５　ｔｕｘｏｅｅｃ実施例　６〜
１５ 厚さ、１００μのアルミ板±ｒ（下ｈピ顔料を真空蒸危
し厚さ０．１５μの電荷ＸＩＢ生）＠全形成し／こ。

次にポリエステル初詣（バイロン２００、東洋紡績（株
））５りと次表に示す前記例示ヒドラゾン系化合物５２
をそれぞれジクロルメタン１５０ｎＪに俗かした液を電
荷発生層上に塗布乾燥し、塗工量が１１２７ｍ２の電荷
輸送増を形成した。

この様にして作成した電子写真感光体を実施例１と同様
にして帯電特性を調べ、その結果を次に示した。

実施例　１６ アルミ板上にセレン・テルル（テルル１０％）を真空熱
海し厚さ０．８μの電偽発生層を形Ｊ災した０ 次に実施例１で用いた電荷輪送層と同じものを塗布乾燥
し塗工ｊＪ’、　１１１７ｍ２とした。

この様にして作成した電子写真感光板全実施例１と同様
にして帯電特性を調べ、その結果を次に示す。

Ｖｏ　：ｅ４５０ボルト Ｒｖ　：　８６％ Ｅ１７２＋　　　ｉ　０．４　ｔｕｘｌｌｓｅｃ実、施
例　１７ 実施例１て用いたヒドラゾン系化合物Ａ（！＋１５２と
ポリ−Ｎ−ビニルカル／くゾール（分子量３０万）５２
をジクロルメタン１５０ｒｎｌに俗解した液にβ型鋼フ
タロシアニン１．Ｏｆを添加し、分散後、実施例１で用
いたカゼイン層を設けたアルミ板のカゼイン１＠の上に
塗布し、乾Ｗ、後の塗工量を１０　ｒ／ｍ２とした。

この様にして作成した感光体の帯電測足を実施例１と同
様にして行い、その結果を次に示す。

但し帯ｉ１．袷性をのとした。

ｖｏ：の５１０ボルト Ｒｖ　：　８１％ Ｅ％　　：　　６．５　ｔｕｘ６ｓｅｃ実施例　１８ 表面が清浄にされた０、２調厚のモリブデン基（基板）
をグロー放市蒸殉槽内の所定位僅に固定した。次に槽内
を排気し約５Ｘ　１０　””　ｔｏｒｒの真空度にした
。その後ヒーターの入力電圧を上昇させモリブデン基板
温度を１５０℃に安定はせた。その後水素ガスとシラン
ガス（水素ガスに対し１５芥邦％）を槽内へ導入しガス
流量と然着槽メインバルブを調整して０．５　ｔｏｒｒ
に安定させた。次に誘導コイルに５　ＭＨｚの高周波′
敵方を投入し槽内のコイル内部にグロー放電を発生爆ゼ
３０Ｗの入力電力とした。上記条件で基板上にアモルフ
ァスシリコン膜を生長させ膜厚が２ミクロンとなるまで
同条件を保った後グローか電を中止した。その後方口熱
ヒーター、高周波電源をオフ状態とし基板温度が１００
℃になるのを待ってから水素ガス、シランガスの流出バ
ルブを閉じ、一旦檀内金１０　””’　ｔｏｒｒ以下に
した後大気圧にもどし基板金取シ出した。次いでこのア
モルファスシリコン層の上に実施例１と全く同様にして
電荷輔；送層を形成した。

こうして得られた感光体を帯電露光実験装置に設値、ｌ
、ｅ６ＫＶでコロナ帯゛亀し直ちに光像を照射した。光
像はタングステンランプ光源を用い透過型のテストチャ
ートラ通して照射された。

その後１〜ちにｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリ・ヤ
ーを含む）を感光体ｐ面にカスケードすることによって
感光体表面に良好なトナー画像を得　／こ　。

特許出願人　キャノン株式会社 代理人　弁理士　狩野　有

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　下記一般式（１）で示される化合物の少なく
   とも１種を含有する層を有することを特徴とする電子写
   真感光体。 一般式（１） （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ
   ７は水素原子、ハロゲン原子又は１価のＭ機残基金表わ
   し、又Ｒ１とＲ２、Ｒ５とＲ４、Ｒ４とＲ５、Ｒ５とＲ
   ６およびＲ６とＲ７の組合せのうち、少なくとも１つの
   組合せで置換又は未置換の芳香族＞ｉ４２形成してもよ
   い。 Ｒ８およびＲ９は鉤゛換又は未置換のアルキル基、およ
   びアリール基を表わす。Ｒ８とＲ９で９累原子とともに
   ↓Ｒを形成してもよい。ｌＲ＋ｏは水素原子、置換又は
   未置換のアルキル基、アリール基およびアズレニル基を
   表わす。ｎはｏ、１又は２の整数を表わすＣ）