JPS5914933B2 - 信号制御回路 - Google Patents

信号制御回路

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Publication number
JPS5914933B2
JPS5914933B2 JP50119264A JP11926475A JPS5914933B2 JP S5914933 B2 JPS5914933 B2 JP S5914933B2 JP 50119264 A JP50119264 A JP 50119264A JP 11926475 A JP11926475 A JP 11926475A JP S5914933 B2 JPS5914933 B2 JP S5914933B2
Authority
JP
Japan
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transistor
signal
emitter
transistors
collector
Prior art date
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Expired
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JP50119264A
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English (en)
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JPS5243309A (en
Inventor
健三 赤桐
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPS5243309A publication Critical patent/JPS5243309A/ja
Publication of JPS5914933B2 publication Critical patent/JPS5914933B2/ja
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  • Reduction Or Emphasis Of Bandwidth Of Signals (AREA)
  • Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 例えばテープレコーダの再生信号は、磁気テープより発
生するヒスノイズなどのテープ雑音が含まれるが、記録
時になるべくレベルを上げて記録し、再生時は再生アン
プの利得を下げて再生すればS/Nの良い再生信号が得
られる。
しかし記録レベルを一様に上げて記録すると、もともと
レベルの大きい部分では磁気テープが飽和して再生信号
はその部分が歪んでしまう。
また磁気テープの飽和レベルは記録周波数が高いほど低
下する。このような点を考慮して第1図のような装置が
従来より考えられている。
すなわち、第1図において、1は記録信号及び再生信号
の入力端子、2はアンプ、3は記録再生切り換えスイッ
チ、4は記録時の負帰還抵抗器、5Pは再生時の出力端
子、5Rは記録時の出力端子、6は可変高域増強フィル
タ、7はその制御回路、8はフィルタ6への信号を所定
レベルとするためのアツテネータ、9はアツテネータ8
及びフィルタ6によるレベノレ損失を補償するためのア
ンプを示す。そしてその場合、フィルタ6は、例えば第
2図に示すように、アツテネータ8の出力端に、抵抗器
R1〜R3及びコンデンサC1、C2よりなる高域増強
フィルタ61が接続されると共に、このフィルタ61の
出力側に、コンデンサC3、抵抗器R4及びトランジス
タQ1が接続されて構成される。そしてコンデンサC3
、抵抗器R4及びトランジスタQ1の接続点に得られる
信号が、制御回路Tの高域増強特性を有するアンプ71
を通じて整流回路72に供給されて整流され、この整流
信号がアンプT3を通じてトランジスタQ1のベースに
供給されてそのコレクタ・エミッタ間インピーダンスが
制御される。そして記録時には、スイッチ3は記録側接
点Rに接続され、端子1に供給された記録信号は、アン
プ2→アツテネータ8→フィルタ6→アンプ9を通じて
端子5Rに取り出される。
従つてこの場合、端子1〜5R間の2信号周波数特性は
、その信号レベル及び周波数によつて第3図Aに示すよ
うに変化する。すなわち、第3図Aは、第1及び第2の
信号の混合信号を端子1に供給し、第2の信号に対する
周波数特性をとると共に、そのとき、第1の信号の周波
数及びレベルをパラメータとしたものであり、第3図B
がその条件で、第1の信号のレベルが一定の場合には、
曲線6A〜6Cとして示すように、第1の信号の周波数
が低いほど、第2の信号の変曲点の周波数は低くなり、
一方、第1の信号の周波数が一定の場合には、曲線6B
〜6B2,6C〜6C2として示すように、第1の信号
レベルが小さいほど、第2の信号の変曲点の周波数は低
くなる。ただし第2の信号の周波数が低い場合、例えば
100Hzの場合には、そのレベルが変化しても曲線6
Aは変化しない。一方、再生時には、スイツチ3は再生
側接点Pに接続され、端子1に供給された再生信号は、
アンプ2を通じて端子5Pに取り出される。ところがこ
の場合には、アンプ2の負帰還ループに、アツテネータ
8→フイルタ6→アンプ9が接続されるので、端子1〜
5P間の特性は、記録時の端子1〜5R間の特性とは全
く相補的な特性となる。従つてこの第1図の装置により
記録再生を行えば、入力信号の中高域はレベルが小さい
場合、記録時に増強されると共に、再生時には減衰され
るので、再生時に磁気テープより生じるヒスノイズなど
の目立ちやすい中高域の雑音は減少させられ、小信号時
でもS/Nが良くなる。また入力信号のレベルが大きい
場合には、レベルの増強が行われないので、大信号時に
磁気テープの飽和による歪みを生じることがない。とこ
ろがこの場合、トランジスタQ1の電流増幅率Hf8に
ばらつきがあると、そのベース電流対コレクタ・エミツ
タ間インビーダンスの特性がばらつくので、その結果、
十分な記録周波数特性あるいは再生周波数特性が得られ
ないことがある。
特に、記録と再生とを別の装置で行つた場合には、記録
周波数特性と再生周波数特性との相補性がくずれ、正し
い再生ができなくなつてしまう。本発明は、このような
点を改善しようとするものである。以下その一例につい
て説明しよう。
第4図の例においては、アンプ73は差動アンプにより
構成される。
すなわち、トランジスタQllを定電流源としてトラン
ジスタQl2,Ql3が差動接続され、そのコレクタに
カレントミラー回路を構成するトランジスタQl4,Q
l5が接続されると共に、トランジスタQl6を定電流
源としてトランジスタQl7がエミツタフオロワとされ
、トランジスタQl2のベース及びコレクタがトランジ
スタQl7のエミツタ及びベースに接続され、トランジ
スタQl3のベースに整流回路72よりの整流信号が供
給される。また、74はバイアス回路で、トランジスタ
Q2l,Q22が差動接続されると共に、そのコレクタ
にカレントミラー回路を構成するトランジスタQ23,
Q24が接続され、トランジスタQ2lのベースはバイ
アス電源VBBに接続され、トランジスタQ22のベー
スはトランジスタQl6のエミツタに接続され、トラン
ジスタQl6のベースがトランジスタQ22のコレクタ
に接続される。
さらにトランジスタQ1に代えてトランジスタQ3l,
Q32及びダイオードDl,D2が設けられ、トランジ
スタQ3lのエミツタ及びトランジスタQ32のコレク
タがコンデンサC3に接続され、トランジスタQ3lの
コレクタ及びトランジスタQ32のエミツタがバイアス
電源V1(V1〈VCCl)に接続され、トランジスタ
Q3,,Q32のベース・エミツタ間に、ダイオードD
l,D2がそのベース・エミツタ間と同極性にそれぞれ
並列接続される。
そしてトランジスタQ3l,Q32のベースに、エミツ
タフオロワのトランジスタQl8及び抵抗器Rl2を通
じてトランジスタQl2のコレクタ出力が供給される。
また、トランジスタQl8のコレクタ・エミツタ間と抵
抗器Rl2との直列回路に、スイツチS1と抵抗器Rl
lとダイオードDllとの直列回路が並列接続される。
このような構成において、スイツチS1をオンにした場
合には、抵抗器Rllを通じてトランジスタQ3l,Q
32に一定のベース電流が供給されるので、それらのコ
レクタ・エミツタ間インピーダンスは一定となり、フイ
ルタ6の周波数特性は平坦とされる。
従つて記録周波数特性及び再生周波数特性は、平坦とな
る。一方、スイツチS1をオフにしたときには、整流回
路72よりの整流信号が、トランジスタQl3,Ql2
で差動増幅されてからトランジスタQl8を通じてトラ
ンジスタQ3l,Q32のベースに供給される。
従つてそれらのコレクタ・エミツタ間インピーダンスが
変化し、第1図〜第3図で説明したように、記録周波数
特性あるいは再生周波数特性が変更される。そしてこの
場合、本発明によれば、トランジスタQ3l,Q32の
電流増幅率HfOにばらつきがあつても、それらのイン
ピーダンス特性はばらつかない。
すなわち、トランジスタQ3l,Q32及びダイオード
Dl,D2について各部の電流を第5図に示すように定
めると、次式が得られる。〔SD:ダイオードDl,D
2の接合の面積SQ:トランジスタQ3l,Q32のベ
ース・エミツタ間の接合の面積〕そこで、トランジスタ
Q3lとダイオードD1との組み合わされたものを、1
つのトランジスタとみなしてその合成電流増幅率Hf8
xを求めると、次のようになる。
そしてv式に示すように、Kは、ダイオードDl,D2
の接合面積SDと、トランジスタQ3l,Q32のベー
ス・エミツタ間の接合の面積SQとの比であり、トラン
ジスタQ3l,Q32及びダイオードDl,D2を例え
ばIC化した場合、この比Kは容易に=定になり、ばら
つくことがない。
従つて上式より合成電流増幅率HfOxがばらつかない
ので、トランジスタQ3l,Q32のコレクタ・エミツ
タ間インピーダンス特性がばらつくことがない。従つて
記録周波数特性あるいは再生周波数特性がばらつくこと
力粁なく、他の装置との互換性を得ることができる。し
かもそのため構成が特に複雑化することもなく、IC化
も容易である。
なお上述の例においては、入力信号の周波数及びレベル
に応じて信号路の周波数特性を変更する場合であるが、
例えば入力信号のレベルに応じて伝送利得を変更するよ
うな場合、すなわち、AGC回路などにも、本発明を適
用できる。
またダイオードDl,D2の代わりにダイオード接続し
たトランジスタでもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を説明するための系統図、第2図はその
一部の接続図、第3図はその動作を説明するための図、
第4図は本発明の一例の接続図、第5図はその説明のた
めの図である。 6は可変高域増強フイルタ、7は制御回路である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1のトランジスタのエミッタと第2のトランジス
    タのコレクタとが互いに接続され、上記第1のトランジ
    スタのコレクタと上記第2のトランジスタのエミッタと
    が互いに接続され、上記第1及び第2のトランジスタの
    ベース・エミッタ間に、第1及び第2のダイオードが、
    上記ベース、エミッタ間と同極性にそれぞれ並列接続さ
    れると共に、上記第1のトランジスタのエミッタ及び第
    2のトランジスタのコレクタの接続点と、上記第1のト
    ランジスタのコレクタ及び上記第2のトランジスタのエ
    ミッタの接続点との間が、圧縮または伸張される信号の
    通過する信号路に並列に接続され、上記圧縮または伸張
    される信号のレベルに応じた整流信号が上記第1及び第
    2のトランジスタのベースに供給され、これにより上記
    接続点間のインピーダンスが制御されて上記信号路の利
    得が上記整流信号のレベルに応じて変更されるようにし
    た圧縮または伸張のための信号制御回路。
JP50119264A 1975-10-02 1975-10-02 信号制御回路 Expired JPS5914933B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP50119264A JPS5914933B2 (ja) 1975-10-02 1975-10-02 信号制御回路

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JP50119264A JPS5914933B2 (ja) 1975-10-02 1975-10-02 信号制御回路

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Publication Number Publication Date
JPS5243309A JPS5243309A (en) 1977-04-05
JPS5914933B2 true JPS5914933B2 (ja) 1984-04-06

Family

ID=14757024

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JP50119264A Expired JPS5914933B2 (ja) 1975-10-02 1975-10-02 信号制御回路

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JP (1) JPS5914933B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529771B2 (ja) * 1986-02-28 1993-05-06 Honda Motor Co Ltd

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0529771B2 (ja) * 1986-02-28 1993-05-06 Honda Motor Co Ltd

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JPS5243309A (en) 1977-04-05

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