JPS59148384A - 電子回路用炭化珪素質基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路用基板あるいはＩＣパッケージ用用
材料として用いられる電子回路用炭化珪素質基板および
その製造方法に係り、特に本発明は炭化珪素質薄板の表
面にセラミックス薄板が接合されてなる電子回路用炭化
珪素質基板およびその製造方法に関する。

近年、電子工業技術の進歩に伴い、電子機器に対する高
密度化あるいは演算機能の高速化が進められている。そ
の結果、集積回路内における発熱量が増加するため、集
積回路の性能を確保し、高い信頼性を維持することが困
難になるという問題が生じる。したがって、集積回路用
基板あるいはＩＣパッケージ用材料としての電子回路用
基板には電気的絶縁性、気密性２機械的強度などの特性
に加えて、放熱特性に優れることが要求されている。

ところで、従来電子回路用基板としては種々のものが知
られ、実用化されており、特に信頼性の要求される用途
に対しては、主としてアルミナ焼結体基板（以下アルミ
ナ焼結体基板を単にアルミナ基板と称す）が使用されて
いる。しかしながら、アルミナ基板は熱伝導率が０．０
３〜０，０ざＣａｔ／Ｃｒｎ・ｓｅｃ　Ｃと低く、集積
回路内において発生した熱の放散特性に劣るため、電子
機器の高密度化あるいは演算機能の高速化を進める上で
極めて大きな障害となっており、また、アルミナ基板は
熱膨張率が通常集積回路として使用されるシリコンチッ
プの熱膨張率と大きく異なるため直接基板上にシリコン
チップを接着して使用することが困難である。

上述の如き欠点を解決するために、特開昭５６−ｔｔｏ
ｒｔ号公報に「炭化ケイ素を主成分とし、これに酸化ベ
リリウム、窒化ホウ素の少なくとも１種を含む焼結体か
ら成る電気絶縁用基体。」に係る発明が開示されている
。しかしながら、この電気絶縁用基体はホットプレス法
によって焼結されるため、量産が困難でしかも高価であ
抄、さらに酸化ベリリウムを含有する場合にはベリリウ
ムの毒性による問題を有している。

壕だ、本発明者らは炭化珪素焼結体を電子回路用基板と
して適用すべく、炭化珪素焼結体に電気的絶縁性を付与
する方法について種々研究し、先に特願昭５４−２０タ
タタ／号により「酸化アルミニウムと二酸化珪素との共
融生成酸化物を主成分とする密着性に優れた絶縁性表面
被膜を有する炭化珪素質基板。」およびその製造方法、
特願昭３６−２０２７２１号により「炭化珪素焼結体の
表面に８　ｉ０２とＰ２Ｏ５、８２０３、ＧｅＯ２、Ａ
ｓ２Ｏ３、５ｂ２０３　。

ＢｉＯ３，Ｖ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＰｂＯ，Ｐｂ３Ｏ４，Ｐ
ｂＯ２，ＣｄＯ。

Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ，Ｃａｂ、　ＭｇＯ，Ｂａ
ｄ、　ＳｒＯのなかから選ばれるいずれか少なくとも７
種との共融生成酸化物を主成分とする絶縁性被膜を有す
る炭化珪素質基板。」およびその製造方法および特願昭
５７−弘ｔりｓｒ号により［炭化珪素質基板上に下記の
溶着層（イ）を有し、前記溶着層（イ）上に下記の溶着
層（ロ）を有することを特徴とする印加電圧が２ｓ　Ｖ
の場合の絶縁抵抗値が３　Ｘ　１０９Ω以上である炭化
珪素質基板。（イ）酸化アルミニウムと二酸化珪素とを
主成分とする溶着層。（ロ）アルミニウム、珪素。

リン、ホウ素、ｒルマニウム、ヒ素、アンチモン。

ビスマス、バナジウムを亜鉛、カドミウムを鉛。

ナトリウム、カリウム、リチウム、カルシウム。

マグネシウム、バリウム、ストロンチウムより選ばれる
いずれか少なくとも２種の酸化物を主成分とする溶着層
。」およびその製造方法に係る発明を提案している。

ところで、前述の如き酸化物よりなる絶縁性被膜層を形
成することにより電気的絶縁性を付与した炭化珪素質基
板は炭化珪素が半導体的な特性を有していることから、
アルミナ基板に比較して誘電率の影響を受は易く信号伝
搬速度が遅くなるため、前記酸化物より人る絶縁性被膜
層を厚くして静電容量を小さくすることが重要である。

しかしながら、前記酸化物よりなる絶縁性被膜Ｍは余り
厚くすると被膜層と炭化珪素との熱膨張率の差により、
り２ツク等の欠陥が生じ易く、場合によっては剥離する
ため、欠陥のない厚い酸化物よりなる絶縁性被膜層を形
成することは困難であった。

また、電子回路用基板には他の回路部品との接続用とし
て一般にリードビンが設けられる。前記リードビ／には
取扱い時においで比較的大きな、応力が加わる場合があ
るため、容易に外れることのない程度の接合強度が要求
される。しかしながら、前記応力はリードビンの接合部
付近に集中するため、前述の如き酸化物よシなる絶縁性
被膜層にリードビンを接合すると、前記被膜ノーと炭化
珪素の接合面から破壊することが多く、強い接合強度を
有するリードビンを設・することは困難であった。

本発明者らは前記炭化珪素質基板の電気的絶縁性、静電
特性およびリードビンの接合性について種々研究を重ね
た結果、炭化珪素質薄板にセラミックス薄板を接合せし
めて積層構造とすることによυ、前記諸欠点を解決する
ことのできることを知見するに至り、本発明者らは、先
に特願昭５７−／９７１．５−号により「ノ０６ΩＣＴ
ｎ以上の体積固有抵抗率を有するセラミックス薄板がＡ
ｔ、　Ｓｉ、　Ｐ、　Ｂ。

Ｇｏ、　Ａｓ、　Ｓｂ、　Ｂｉ、　Ｖ、　Ｚｎ、　Ｃｄ
、　Ｐｂ、　Ｎ’ａ、　Ｋ、　Ｌｉ。

Ｂｅ、　Ｃａ、　Ｍｇ、　Ｂａ、　Ｓｒ　＄るいはＺｒ
よシ選ばれるいずれか少なくとも／１１の酸化物を主成
分とする接合層によって炭化珪素質薄板の表面に接合さ
れてなる電子回路用炭化珪素質基板」お、よびその製造
方法、昭和、１１年−月ダ日付の特許出願によシ［／θ
６Ω−以上の体□積固有抵抗率を有するセラペックス薄
板がＺｎ、　Ａｚ、　Ｃｄ、　Ａｇ、　Ｓｎ、　８１．
　Ｆｅ、　Ｃｕ。

Ｐｂ、　Ｎｉ　、　Ｗ、　Ｐｄ、　Ｍｎ、　Ｍｏ、　Ｔ
１．　Ｚｒ、　Ａｕ、　Ｐｔ、　Ｒｕ。

Ｔｔ、　ＳｂあるいはＩｎよｐ選ばれるいずれか少なく
ともｌｓの金属を主成分とする接合層によって炭化珪素
質薄板の表面に接合されてなる電子回路用炭化珪素質基
板」およびその製造方法に係る発明を提案している。

前記発明によれば、いずれも炭化珪素質薄板にセラミッ
クス薄板を接合せしめた積層構造とすることにより、極
めて安定した電気的絶縁性、十分に低い静電容量および
優れたリードビンとの接合性等の特性を有する炭化珪素
質基板を得ることができる。

本発明は、前記本発明者らが先に提案した発明をさらに
改良し、炭化珪素質薄板とセラミックス薄板とが極めて
強固に接合された積層構造を有しており、しかも取扱い
性に優れかつ安価な炭化珪素質基板およびその製造方法
を提供することを目的とし、／θΩの以上の体積固有抵
抗率を有するセラミックス薄板が有機高分子化合物を主
成分とする接合層によって炭化珪素質薄板の表面に接合
されて々る電子回路用炭化珪素質基板およびその製造方
法によって前記目的を達成することができる。

次に本発明の詳細な説明する。

本発明者らは炭化珪素質薄板とセラミックス薄板との接
合性を改良すべく種々検討した結果、有機高分子化合物
を主成分とする接合層によって炭化珪素質薄板とセラミ
ックス薄板を接合し、第１図に示す如き積層構造となす
ことＫよシ、容易にかつ安価に極めて強固な接合強度を
得ることができ、しかも比較的低温域で接合層を形成す
ることができるため、炭化珪素質薄板とセラミックス薄
板との熱膨張差による影響をそれ程考慮しなくても電子
回路用基板として極めて優れた特性を有する炭化珪素質
基板を得ることのできることを知見し、本発明を完成し
た。

本発明の炭化珪素質基板は炭化珪素質薄板の表面に７０
６Ω−以上の体積固有抵抗率を有するセラミックス薄板
が接合されてなる積層構造とすることが必要である。そ
の理由は、炭化珪素質薄板の表面に７０６０ｍ以上の体
積固有抵抗率を有するセラミックス薄板が接合されてな
る積層構造を有する炭化珪素質基板は、高い印加電圧の
条件下においても信頼性に優れた電気絶縁性を有し、し
かも静電容量が小さく、さらに他の回路部品との接続用
として設けられるリードビンとの接合性に極めて優れる
からである。また前記セラミックス薄板が１０Ω−以上
の体積固有抵抗率を有するものであることが必要な理由
は、前記炭化珪素質基板には通常、印刷、焼着あるいは
エツチング等の手段によって電子回路が設けられるが、
前記セラミックス薄板の体積固有抵抗率が７０６０口よ
シ低いと電気的絶縁性を維持することができず、回路内
において短絡状態となるため回路機能が正常に働かない
からであシ、よシ高い信頼性が要求されるような場合に
は１０８Ωｍ以上の体積固有抵抗率を有するセラミック
ス薄板であることが有利である。

本発明において、前記接合層は有機高分子化合物を主成
分とすることが必要である。その理由は前述の如き有機
高分子化合物を主成分とする接合層によって炭化珪素質
薄板とセラミックス薄板とを接合することにより、容易
にかつ安価に極めて強固な接合強度を得ることができる
ばかシでなく、前記接合層は比較的低温域１例えば常温
ないし３００　Ｃ程度の範囲内で形成されるため、炭化
珪素質薄板とセラミックス薄板の熱膨張率の違いによる
内部応力が小さく、炭化珪素質薄板およびセラミックス
薄板との接合性に極めて優れるからである。

本発明において、前記有機高分子化合物はポリイミド樹
脂、トリアジン樹脂、ポリパラバン酸樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、エポキシシ
リコン樹脂、アクリル酸樹゛脂、アニリン樹脂あるいは
フェノール樹脂よシ選ばれるいずれか少なくとも１種で
あることが好ましく、なかでもポリイミド樹脂、トリア
ジン樹脂。

ポリパラバン酸樹脂、７ｔ？リアミドイミド樹脂は比較
的耐熱性に優れているため、よシ好適である。

本発明において、前記接合層の厚さは少なくとも７μｍ
であることが好ましい。その理由は、前記接合層の厚さ
が／、μｍＪ：ｔ）薄いと前記炭化珪素質薄板とセラミ
ックス薄板との接合強度を十分に得ることができず、セ
ラミックス薄板と炭化珪素質薄板が剥離し易くなるから
である。また前記接合層の厚さは余層厚いと経済的でな
く３〜！ｒ００　ｐ　ｍの範囲内が最も好適である。

本発明において、前記セラミックス薄板は電気ヤ絶縁性
に優れていることが重要であシ、７オルステラ・イト、
ステアタイト、スピネル、チタニア。

アルミナ、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、ムライト
、シリマナイト、コーゾエライト、リシ乙サイアロン、
窒化珪素あるいは窒化ホウ素よシ選ばれるいずれか少な
くとも７種を主成分とするセラミックスであることが好
ましい。ところで、上記電子回路用基板として優れたセ
ラミックスおよび炭化珪素質薄板の熱膨張係数は、下記
の第１表のようである。

上表かられかるように、ベリリア、ジルコン。

ムライト、シリマナイト、コーゾエライト、サイアロン
、窒化珪素および窒化ホウ素の熱膨張係数は炭化珪素の
それに近く、温度サイクルあるいはサーマルショックな
どによって生ずる熱ストレスが小さく、炭化珪素質薄板
との接合性に優れておシ、前記セラミックス薄板として
有利である。

本発明において、前記セラミックス薄板の厚さは少なく
とも０００３ｍであることが好ましい。　その理由は、
セラミックス薄板の厚さは電子部品の小型化や軽量化を
進めたシ、放熱特性を向上せしめる上でなるべく薄い方
が好ましいが、その厚さがθ、θ３１１よシ薄いと、印
加電圧が高い場合における電気的絶縁性が低下したシ、
静電容量が犬きくなシ、基板としての機能性が劣化する
からである。

本発明において、前記セラミックス薄板は基板上にチッ
プが載置されるようチップ載置用開口部を有するもので
あることが好ましい。その理由はチップ載置用開口部を
有するセラミックス薄板が炭化珪素質薄板の表面に接合
された基板には、チップがセラミックス薄板を介するこ
となく炭化珪素質薄板の表面に直接接合されることから
チップで発生した熱は直ちに炭化珪素質薄板に伝わるた
め優れた放熱特性を有し、また炭化珪素質薄板とチップ
の熱膨張率がほぼ同じであることから温度サイクルある
いはサーマルショックなどによる熱ストレスが殆ど生じ
ないためチップが剥離したシ、破損したシすることがな
く極めて信頼性の高い接合を得ることのできる利点を有
するからである。

本発明において、前記炭化珪素質薄板の厚さは０．１〜
３０ｍの範囲内であることが有利である。

その理由は、前記炭化珪素質薄板の厚さは電子部品の小
型化を進めたシ、放熱特性を向上せしめる上でなるべく
薄いことが好ましいが、その厚さが０６１０よシ薄いと
、炭化珪素質薄板自体の強度が弱く取扱い性に劣シ、一
方３０襲よシ厚いと電子部品の小型化が困難でおるばか
シでなく、基板に要する費用が高くなるため不経済であ
るからである。

次に、本発明の炭化珪素質基板の製造方法について説明
する。

本発明によれば、炭化珪素質薄板あるいはセラミックス
薄板の少なくともいずれかに有機高分子化合物を主成分
とする接合剤組成−物を塗布した後、前記炭化珪素質薄
板とセラミックス薄板を重ね、次いで前記接合剤組成物
を硬化させて接合層を形成せしめることによって電気的
絶縁性に優れた電子回路用炭化珪素質基板が製造される
。

本発明によれば、前記炭化珪素質薄板とセラミックス薄
板との間に有機高分子化合物を主成分とする接合層を形
成せしめて接合させることが必要である。その理由は、
前述の如き有機高分子化合物を主成分とする接合層を形
成せしめて接合させることによシ、容易にかつ安価に極
めて強固な接合強度を得ることができるばかりでなく、
前記接合層を形成する有機高分子化合物は、比較的低温
域で硬化させることができるため、炭化珪素質薄板とセ
ラミックス薄板の熱膨張率の違いをそれ程考慮すること
なく強固に接合することができるからである。

本発明によれば、前記有機高分子化合物はポリイミド樹
脂、トリアジン樹脂、ポリパラバン酸樹脂、ポリアミド
イミド、樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、エポキシ
シリコン樹脂、アクリル、酸樹脂、アニリン樹脂あるい
はフェノール樹脂よシ選ばれるいずれか少なくとも７種
であることが好ましく、なかでもポリイミド樹脂、トリ
アジン樹脂。

ポリパラバン酸樹脂、ポリアミドイミド樹脂は比較的耐
熱性に優れているため、よシ好適に使用することができ
る。

本発明によれば、前記接合層の厚さを少なくとも７μｍ
となすことが好ましい。その理由は前記接合層の厚さが
７μｍよシ薄いと前記炭化珪素質薄板とセラミックス薄
板との接合強度を十分に得る−ことができず、取扱い性
に劣るからである。。

また前記接合層の厚さを余郵厚くすることは経済的でな
いはかシでなく、むしろ接合強度が重化するため前記接
合層の厚さは３〜Ａｒ００７６ｍの範囲とすることによ
シ最も好適な結果が得られる。

本発明によれば、前記セラミックス薄板は先にも記載し
た如く、フォルステライト、ステアタイト、スピネル、
チタニア、アルミナ、ベリリア。

ジルコニア、シールコン、ムライト、シリマナイト。

コーゾエライト、リシア、サイアロン、窒化珪素あるい
は窒化ホウ素より選ばれるいずれか少なくとも７種を主
成分とするセラミックスを使用することが好ましく、な
かでもムライト、シリマナイト、コージェライト、サイ
アロン、窒化珪素はその熱膨張率が炭化珪素の熱膨張率
に比較的近いことから温度サイクルあるいはサーマルシ
ョックなどによって生ずる熱ストレスが小さく、炭化珪
素質薄板との接合性に優れている。

本発明によれば、前記セラミックス薄板の厚さは少なく
ともｏ、ｏｇｍであることが好ましい。その理由は、セ
ラミックス薄板の厚さは電子部品の小型化や軽量化を進
めたり、放熱特性を向上せしめる上でなるべく薄い方が
好ましいが、その厚さが０．Ｏｋｍよシ薄いと、印加電
圧が高い場合における電気的絶縁性が低下したシ、静電
容量が犬きくなシ、基板としての機能性が劣化するばが
シでなく、セラミックス薄板の強度が弱くて破損し易く
、取扱い性に劣るからである。

本発明によれば、基板上にチップが載置されるようチッ
プ載置用開口部を有するセラミックス薄板を炭化珪素質
薄板の表面に接合することが好ましいが、前記チップ載
置用開口部を有するセラミックス薄板は、例えばグリー
ンシートを打抜きなどで生加工した後焼成する方法、チ
ップ載置用開口部を有する生成形体を直接成形すること
のできる押し型で成形した後焼成する方法あるいは一旦
焼成された薄板を超音波加工法などによシ加工する方法
によって製造することができる。

なお、本発明によれば、前記セラミックス薄板として、
その表面にあらかじめ電子回路を設けたセラミックス薄
板を炭化珪素質薄板の表面に接合して炭化珪素質基板を
製造することができ、さらに基板の高密度化を進めるこ
とを目的として前記セラミックス薄板の上にさらに接合
層を介してセラミックス薄板を７枚あるいはコ枚以上積
層した構造とすることもできる。

次に本発明を実施例について説明する。

実施例１ 炭化珪素質薄板はｊ、／９７ｃｍ３の密度を有する炭化
珪素無加圧焼結体であって、ＪＯ×３０Ｘユ露の薄板状
のものをあらかじめポリッシング加工し、最終的にす／
コ００砥石で表面仕上げをし、次いでアセトン中で煮沸
して脱脂処理したものを使用した。

セラミックス薄板は３０　Ｘ　３０　Ｘ　／　ｙｍの薄
板状で第一図に示した如きチップ載置用開口部を有する
ムライト薄板であって、上述の炭化珪素質薄板に施した
処理と同様の処理を施したものを使用した。

前記炭化珪素質薄板上およびムライト薄板上にメリイミ
ド樹脂（ＣＴａｉｏ東芝ケミカル製）を塗布し前記炭化
珪素質薄板とムライト薄板を重ねた後真空容器内で１０
時間保持し最終的にｔｓｒ　０　Ｈｇ以下の条件で真空
脱気処理を差した。次いで／ｊＯＣで１時間加熱して前
記樹脂を硬化させて第１図に示す如き積層構造を有する
炭化珪素質基板を得た。

得られた炭化珪素質基板の接合層の厚さは約ｋＯμｍで
あり、ピンホール等の欠陥も殆ど認められず、前記炭化
珪素質薄板とムライト薄板は極めて強固に密着していた
。

前記ムライト薄板が接合されている箇所における炭化珪
素質基板の絶縁抵抗は印加電圧がｔｏｏ　Ｖの場合１０
　Ω以上、耐電圧は／、？ＫＶ、静電容量はｏ、ｔｔｐ
Ｆであった。なお前記絶縁抵抗はＪＩＳ−Ｃ−３Ｏ／コ
の７．３に、耐電圧はＪＩＳ　−Ｃ−，１ｔｉｏのｇ、
３に基づいて測定し、静電容量は第３図に示す如く、銀
ペーストを用いてムライト薄板上に測定用の電極を印刷
し／ＭＨｚの周波数における両電極間の静電容量を測定
した。

実施例λ 実施例１で使用したものと同様の炭化珪素質薄板と嬉λ
表に示した如きセラミックス薄板のそれぞれの表面に硬
化剤を１重量％混合したポリイミド樹脂（ＴＵＢ　２り
０６束芝ケミカル製）を塗布し前記炭化珪素質薄板とセ
ラミックス薄板を重ねた後真空容器内で７２時間保持し
最終的に／ｋ　ｍ　Ｈｇ以下の条件で真空脱気処理を施
した。次いで／７＆　Ｃで１０時間加熱して前記樹脂を
硬化させて炭化珪素質基板を得だ。

得られた炭化珪素質基板の特性は実施例／と同様の方法
で測定し第−表に示した。

第２表 実施例３ 実施例／で使用したものと同様の炭化珪素質薄板とムラ
イト薄板のそれぞれの表面にシリコン樹脂（ＡＹ！Ｉコ
ー’７０９．東しシリコーン製）を塗布し前記炭化珪素
質薄板とムライト薄板を重ねた後真空容器内で１時間保
持し最終的にｌｓ　ｍｍ　Ｈｇ以下の条件で真空脱気処
理を施した。次いで／Ａｔ　Ｃで７２時間加熱して前記
樹脂を硬化させて炭化珪素質基板を得た。

得られた炭化珪素質基板の接合層の厚さは約ｇ。

μｍでラシ、実施例１と同様の方法で測定した絶縁抵抗
は１０１４Ω以上、耐電圧は／、？ＫＶ、静電容量はｏ
、ｑｐＦであった。

実施例ダ 実施例／で使用したものと同様の炭化珪素質薄板と実施
例／と同様の処理を施したシリマナイト薄板のそれぞれ
の表面にλ液性のエポキシ樹脂（ＣＴ／＋Ｏ，東芝ケミ
カル製）を充分に混合した後塗布し前記炭化珪素質薄板
とシリマナイト薄板を重ね真空容器内で７２時間保持し
最終的に／＆ｍｉＨｇ以下の条件で真空脱気処理を施し
た。次いで／３０Ｃで７．２時間加熱して前記樹脂を硬
化させて炭化珪素質基板を得た。

得られた炭化珪素質基板の接合層の厚さは約／よμｍで
あシ、実施例１と同様の方法で測定した絶縁抵抗は１０
１３Ω以上、耐電圧は１０ＫＶ、静電容量は八〇ｐＦで
おった。

実施例Ｓ 実施例１で使用したものと同様の炭化珪素質薄板と実施
例／と同様の処理を施したコージェライト薄板のそれぞ
れの表面にフェノール樹脂（ＴＵＢココＱよ、東芝ケミ
カル１ｌＩｉりを塗布し前記炭化珪素質薄板とコージェ
ライト薄板を重ねた後真空容器内でｉｏ時間保持し最終
的に／！ｒｍＨｇ以下の条件で真空脱気処理を施した。

次いで／コＯＣで３時間加熱して前記樹脂を硬化させて
炭化珪素質基板を得た。

得られた炭化珪素質基板の接合層の厚さは、約１０！μ
ｍであり、実施例１と同様の方法で測定した絶縁抵抗は
７０１３０以上、耐電圧は／　／　ＫＶ、静電容量はθ
、ｔ　ｐＦであった。

実施例６ 実施例／で使用したものと同様の炭化珪素質薄板と実施
例１と同様の処理を施した窒化珪素薄板のそれぞれの表
面にポリエステル樹脂（ＴＵＢ　２／　／　／。

東芝ケミカル製）を塗布し前記炭化珪素質薄板と窒化珪
素薄板を重ねた後真空容器内で７０時間保持し最終的に
ｔｒｍＨｇ以下の条件で真空脱気処理を施した。次いで
／コＯＣで７０分間加熱して前記樹脂を硬化させて炭化
珪素質基板を得た。

得られた炭化珪素質基板の接合層の厚さは約ＩＩＯμｍ
であシ、実施例１と同様の方法で測定した絶縁抵抗は７
０１４０以上、耐電圧はｔｓＫＶ、静電容量は１．ｉｐ
Ｆであった。

以上述べた如く、本発明によれば熱膨張率がシリコンチ
ップとほぼ同じで、前記シリコンチップを直接接合する
ことができ、かつ放熱特性に優れた炭化珪素質薄板を集
積回路用基板あるいはＩＣパッケージ用９材料として極
めて有利に適用でき、しかも静電容量が著しく小さく極
めて高い回路機能を発揮することのできる炭化珪素質基
板を供給できるので、産業上に寄与する効果は極めて大
きい。

【図面の簡単な説明】

第７図は本発明の実施例１で製造した炭化珪素質基板の
積層構造を示す断面図、第１図は本発明の実施例／で使
用したセラミックス薄板の形状を示す模式図、第３図は
本発明の実施例１で行なった静電容量を測定するために
セラミックス薄板上に銀ペーストで施した電極の形状を
示す図である。 ／・・・炭化珪素質薄板、：１・・・接合層、３・・・
セラミックス薄板、り・・・銀ペースト。 特許出願人　イビデン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ／、　　１０６Ω副以上の体積固有抵抗率を有するセラ
   ミックス薄板が有機高分子化合物を主成分とする接合層
   によって炭化珪素質薄板の表面に接合されてなる電子回
   路用炭化珪素質基板。 コ、前記有機高分子化合物はポリイミド樹脂、トリアゾ
   ン樹脂、ポリパラバン酸樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
   エポキシ樹脂、シリコン樹脂。 エポキシシリコン樹脂、アクリル酸樹脂、アニリン樹脂
   あるいはフェノール樹脂より選ばれるいずれか少なくと
   も７種である特許請求の範囲第１項記載の基板。 ３、前記接合層の厚さは少なくとも７μｍである特許請
   求の範囲第１あるいはコ項記載の基板。 ≠、前記セラミックス薄板は１０”Ωの以上の体積固有
   抵抗率を有する特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに
   記載の基板。 ！、前記セラミックス薄板はフォルステライト。 ステアタイト、スピネル、チタニア、アルミナ。 ベリリア、ジルコニア、ジルコン、ムライト。 シリマナイト、コージェライト、リシア、サイアロン、
   窒化珪素あるいは蟹化ホウ素より選ばれるいずれか少な
   くとも７種を主成分とするセラミックスである特許請求
   の範囲第１〜ψ項のいずれかに記載の基板。 ６、前記セラミックス薄板の厚さは少なくともｏ、ｏｓ
   ｒｒａｒｔである特許請求の範囲第１〜Ｓ項のいずれか
   に記載の基板。 ７、基板上にチップが載置されるようチップ載置用開口
   部を有するセラミックス薄板が炭化珪素質薄板の表面に
   接合されてなる特許請求の範囲第１〜６項のいずれかに
   記載の基板。 ！、炭化珪素質薄板あるいはセラミックス薄板の少なく
   ともいずれかに有機高分子化合物を主成−分とする接合
   剤組成物を塗布した後、前記炭化珪素質薄板とセラミッ
   クス薄板を重ね、次いで前記接合剤組成物を硬化させて
   接合層を形成せしめることを特徴とす−る電気絶縁性に
   優れた電子回路用炭化珪素質基板の製造方法。 り、前記有機高分子化合物はポリイミド樹脂、トリアジ
   ン樹脂、ポリパラバン酸樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
   エポキシ樹脂、シリコン樹脂。 エポキシシリコン樹脂、アクリル酸樹脂、アニリン樹脂
   あるいはフェノール樹脂よ・り選ばれるいずれか少なく
   とも７種である特許請求の範囲第ｇ項記載の製造方法。 １０、前記接合層の厚さは少なくとも７μｍである特許
   請求の範囲第ざあるいは２項記載の製造方法。 ／／、前記セラミックス薄板はフォルステライト。 ステアタイト、スぎネル、チタニア、アルミナルベリリ
   ア、ジルコニア、ジルコン、ムライト。 シリマナイト、コージェライト、リシア、サイアロン、
   窒化珪素あるいは窒化ホウ素より選ばれるいずれか少な
   くとも１種を主成分とするセラミックスである特許請求
   の範囲第８〜ＩＯ項のいずれかに記載の製造方法。 ／２．前記セラミックス薄板の厚さは少なくとも０．０
   ！ｒｍである特許請求の範囲第♂〜１１項のいずれかに
   記載の製造方法。