JPS59148156A - 光学的読取可能情報デイスクの製造方法 - Google Patents
光学的読取可能情報デイスクの製造方法Info
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- JPS59148156A JPS59148156A JP59017220A JP1722084A JPS59148156A JP S59148156 A JPS59148156 A JP S59148156A JP 59017220 A JP59017220 A JP 59017220A JP 1722084 A JP1722084 A JP 1722084A JP S59148156 A JPS59148156 A JP S59148156A
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- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、合成樹脂から作製されたか又は合成樹脂の被
着層を被着した円板状基板を備え、かつ円板状基板の少
なくとも一側に、高位置及び低位置に交互に配置した情
報区域を含む光学的読取可能構体を有する光学的読取可
能情報ディスクの製造方法に関する。
着層を被着した円板状基板を備え、かつ円板状基板の少
なくとも一側に、高位置及び低位置に交互に配置した情
報区域を含む光学的読取可能構体を有する光学的読取可
能情報ディスクの製造方法に関する。
かかる製造方法は、例えば特開昭５８−８６７５６号（
特願昭５２−１２８４１号）から既知である。この方法
では前記光学的構体と逆（負）の形状のダイスの表面に
ｆ、ｅ、アクリレートを含有する液体の硬化可能単量体
組成物を供給し、この単量体組成物の層の上に支持板（
基板）を被着する。この被着層は硬化され、基板と、硬
化された被着層との集合体をダイスから除去する。
特願昭５２−１２８４１号）から既知である。この方法
では前記光学的構体と逆（負）の形状のダイスの表面に
ｆ、ｅ、アクリレートを含有する液体の硬化可能単量体
組成物を供給し、この単量体組成物の層の上に支持板（
基板）を被着する。この被着層は硬化され、基板と、硬
化された被着層との集合体をダイスから除去する。
このようにして製造した情報ディスクは支持板と、支持
板の一側に配設され、光学的読取可能情報トラフが複製
される弱く硬化した合成樹脂の層とを備えている。情報
トラックは高位置及び低位置に交互に配設される凹凸プ
ロフィルの情報区域を有している。この光学的構体はき
わめて微細に形成され、たとえば、高位置の情報区域及
び低位置の情報区域の間の高さの差は０．１〜０．２μ
ｍである。
板の一側に配設され、光学的読取可能情報トラフが複製
される弱く硬化した合成樹脂の層とを備えている。情報
トラックは高位置及び低位置に交互に配設される凹凸プ
ロフィルの情報区域を有している。この光学的構体はき
わめて微細に形成され、たとえば、高位置の情報区域及
び低位置の情報区域の間の高さの差は０．１〜０．２μ
ｍである。
情報区域の長手方向寸法は約０．８〜８μｍにおいて変
化する。
化する。
光学的読取可能情報相体の他の製造方法として注入成形
法又は圧縮成形法がある。これらの方法では液体の熱硬
化性重合体、例えば、ポリメチルメタクリレート又はポ
リカーボネートを、合成樹脂Ｇこおいて配設すべき光学
的構体と逆形状の構造の表面を有する少なくとも１個の
ダイスを設けた型において高温高圧で成形する。
法又は圧縮成形法がある。これらの方法では液体の熱硬
化性重合体、例えば、ポリメチルメタクリレート又はポ
リカーボネートを、合成樹脂Ｇこおいて配設すべき光学
的構体と逆形状の構造の表面を有する少なくとも１個の
ダイスを設けた型において高温高圧で成形する。
光学的溝体の一側の合成樹脂上には反射層例えばＡｇ又
はＡノの金属層を被着する。この金属層は無電解堆債法
によって被着する必要がある。好適な無電解堆随法とし
て物理的方法、例えば蒸着又はスパッタリングがある。
はＡノの金属層を被着する。この金属層は無電解堆債法
によって被着する必要がある。好適な無電解堆随法とし
て物理的方法、例えば蒸着又はスパッタリングがある。
その場合、特に、熱負荷のため蒸着又はスパッタリング
に当り微細な光学的構体を損傷するという問題が起る。
に当り微細な光学的構体を損傷するという問題が起る。
他の問題は金属層と、合成樹脂の下側層との間の結合゛
（ボンディング）が不良になることである。
（ボンディング）が不良になることである。
また金属層は無電解の化学的ｍｍ法によっても（８）
被着することができ、この方法では合成樹脂の衷囲を、
金属塩、例えば、アンモニア性銀頃溶液、及び還元剤例
えばホルムアルデヒド又はグルフンｍＷナトリウムの水
溶液で同時に又は逐次処理する。これについてはｐｏｎ
ａｌｄ Ｊ、 Ｌｅｖｙ著ＩＩＴｈｅＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ ｏｆ ａｅｒｏｓｏｌ ｐｌａｔｉｎｇ ” Ｔ
ｅｃｈ、Ｐｒｏｃ−ｅｅｄ、 、 ６１ ｓｔ ７１ｎ
ｎｕａｌ Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ］ｉ：１ｅｃｔｒｏｐｌｅｔｅｓ ５ｏｃｉｅｔｙ
、 Ｊｕｎｅ １４−１８ 、 Ｓｔ。
金属塩、例えば、アンモニア性銀頃溶液、及び還元剤例
えばホルムアルデヒド又はグルフンｍＷナトリウムの水
溶液で同時に又は逐次処理する。これについてはｐｏｎ
ａｌｄ Ｊ、 Ｌｅｖｙ著ＩＩＴｈｅＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ ｏｆ ａｅｒｏｓｏｌ ｐｌａｔｉｎｇ ” Ｔ
ｅｃｈ、Ｐｒｏｃ−ｅｅｄ、 、 ６１ ｓｔ ７１ｎ
ｎｕａｌ Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃ
ａｎ］ｉ：１ｅｃｔｒｏｐｌｅｔｅｓ ５ｏｃｉｅｔｙ
、 Ｊｕｎｅ １４−１８ 、 Ｓｔ。
Ｌｏｕｉｓ １９６４ （第１８９〜１４９頁）に記載
されている。上記化学的堆漬によって被着した金属層も
結合（ボンディング）が充分でないという問題が起る。
されている。上記化学的堆漬によって被着した金属層も
結合（ボンディング）が充分でないという問題が起る。
結合は合成樹脂の表面を活溌な化学剤例えば過マンガン
酸塩又は重クロム酸塩で前処理することにより改善され
るが、その結果表面が粗くなる。そして表面上に存在す
る光学的構体は、最早や光学的に読取ることができなく
なる程邸に浸かされる。従って、化学的に粗くする方法
はきわめて微細な光学的読取可能構体を有する合成樹脂
の表面に対してはきわめて不適当である。更へ合成樹脂
の表面に付着する化学剤の残りの除去が（４） 厄介な問題になる。
酸塩又は重クロム酸塩で前処理することにより改善され
るが、その結果表面が粗くなる。そして表面上に存在す
る光学的構体は、最早や光学的に読取ることができなく
なる程邸に浸かされる。従って、化学的に粗くする方法
はきわめて微細な光学的読取可能構体を有する合成樹脂
の表面に対してはきわめて不適当である。更へ合成樹脂
の表面に付着する化学剤の残りの除去が（４） 厄介な問題になる。
特開昭５８−１９８８５号（特願昭５７−１２１８６２
号）には、光学的構体が変形されたり浸かされることが
なく、良好に付着する金属層を被着した光学的読取可能
情報ディスクの製造方法が記載されている。この方法は
化学的金属被着法に限定され、かつ特殊な形式の基板、
即ち単量体アクリレート及びＮ置換ビルリドン化合物の
混合物の重合によってＩｌｉ造される基板に限定される
。
号）には、光学的構体が変形されたり浸かされることが
なく、良好に付着する金属層を被着した光学的読取可能
情報ディスクの製造方法が記載されている。この方法は
化学的金属被着法に限定され、かつ特殊な形式の基板、
即ち単量体アクリレート及びＮ置換ビルリドン化合物の
混合物の重合によってＩｌｉ造される基板に限定される
。
刊行物 Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
８４ ？ Ａ １ 。
８４ ？ Ａ １ 。
第８９〜４０頁（１９７Ｂ）には合成樹脂用金属被着方
法が記載されており、この方法では合成樹脂特にナイロ
ンの表面を、ガス・プラズマ特に、同数の電子及び陽イ
オンから成る吊索プラズマで前処理し、次いで、処理し
た表面に、無電解化学的金属被着法にｌり銅層を被着す
る。この方法は金属被着化粧プラスチック製品をＩＩＩ
造するためには好適である。しかしこの方法は微細構造
を有する表面例えば光学的読取可能構体には適用できず
、その理由は、表面に微小孔が形成され、これは目には
見えないが、光学的溝体を損傷するからであるというこ
とを見出した。更に、反応が迅速であることに起因して
この方法はきわめて不安定であるＯ 本発明の目的は、上記欠点を除去した光学的読取可能構
体の製造方法を提供するにある。
法が記載されており、この方法では合成樹脂特にナイロ
ンの表面を、ガス・プラズマ特に、同数の電子及び陽イ
オンから成る吊索プラズマで前処理し、次いで、処理し
た表面に、無電解化学的金属被着法にｌり銅層を被着す
る。この方法は金属被着化粧プラスチック製品をＩＩＩ
造するためには好適である。しかしこの方法は微細構造
を有する表面例えば光学的読取可能構体には適用できず
、その理由は、表面に微小孔が形成され、これは目には
見えないが、光学的溝体を損傷するからであるというこ
とを見出した。更に、反応が迅速であることに起因して
この方法はきわめて不安定であるＯ 本発明の目的は、上記欠点を除去した光学的読取可能構
体の製造方法を提供するにある。
本発明の他の目的は、光学的読取可能構体を配設する合
成樹脂の基板上に、この溝体の変形その伸の劣化を伴う
ことなく、良好に付着する反射層を被着する上記製造方
法を提供するにある。
成樹脂の基板上に、この溝体の変形その伸の劣化を伴う
ことなく、良好に付着する反射層を被着する上記製造方
法を提供するにある。
本発明の他の目的は、良好に付着する反射層特に金属層
を、物理的方法例えば蒸着もしくはスパッタリング、又
は化学的金属被着方法によって達成する上記製造方法を
提供するにある。
を、物理的方法例えば蒸着もしくはスパッタリング、又
は化学的金属被着方法によって達成する上記製造方法を
提供するにある。
本発明の仲の目的は、数種の形式の合成樹脂例えばポリ
カーボネート、ポリメチルメタクルレート、ポリスルホ
ン、ポリアクリレート及びポリ塩化ビニルに良好に付着
する反射層を配設する上記製造方法を提供するにある。
カーボネート、ポリメチルメタクルレート、ポリスルホ
ン、ポリアクリレート及びポリ塩化ビニルに良好に付着
する反射層を配設する上記製造方法を提供するにある。
かかる目的を達成するため本発明のｌ！！！造方法は、
−光学的読取可能構体の一側上における前記基板を酸化
ガスの反応性、電気的中性粒子で処理し、次いで、処理
した表面に無電解堆積反射層を被着することを特徴とす
る。
−光学的読取可能構体の一側上における前記基板を酸化
ガスの反応性、電気的中性粒子で処理し、次いで、処理
した表面に無電解堆積反射層を被着することを特徴とす
る。
酸化ガスでの処理は、基板をガス流に配置するか又はガ
ス流において移動することによって達成することができ
る。使用するガス圧は低く、例えば１８．８及び６６６
．６ Ｐａの間である。好適な操作圧力は例えば４０〜
１０７ Ｐａである。ガス流量は変化することができ、
例えば１０〜１０００ Ｂｏｏｍの間で変化することが
、特に１００〜５００ ｓｏｏｍの間で変化することが
できる。ここで単位ｓｏｃｍは標準立方センチメートル
７分を意味する。標準立方センチメートルは標準温度及
び圧力において変換された立方センチメートルである。
ス流において移動することによって達成することができ
る。使用するガス圧は低く、例えば１８．８及び６６６
．６ Ｐａの間である。好適な操作圧力は例えば４０〜
１０７ Ｐａである。ガス流量は変化することができ、
例えば１０〜１０００ Ｂｏｏｍの間で変化することが
、特に１００〜５００ ｓｏｏｍの間で変化することが
できる。ここで単位ｓｏｃｍは標準立方センチメートル
７分を意味する。標準立方センチメートルは標準温度及
び圧力において変換された立方センチメートルである。
酸化ガスにおいては高い温度、例えば１００〜１２１”
Ｃ１特に１０５〜１１０℃を使用すると好適である。処
理時間は約１〜８０分である。如何なる場合にも酸化ガ
スの温度は基板の樹脂の軟化温度より低くする必要があ
る。
Ｃ１特に１０５〜１１０℃を使用すると好適である。処
理時間は約１〜８０分である。如何なる場合にも酸化ガ
スの温度は基板の樹脂の軟化温度より低くする必要があ
る。
既に述べたように、本発明の方法によれば上記（７）
目的が達成される。この方法の他の利点はガスを介する
処理であることに起因して容易に自動化できることであ
る。
処理であることに起因して容易に自動化できることであ
る。
本発明の方法の好適な実施例では、前記基板を、励起状
態における酸素原子及び／又は酸素分子で処理すること
を特徴とする。
態における酸素原子及び／又は酸素分子で処理すること
を特徴とする。
光学的構体な有する基板は、時には、光学的構体上に重
畳された余計な不所望構体を呈することがあることを見
出した。この不所望構体は恐らくは基板の製造過程の結
果であり、光学的構体の品質に悪影響を及ぼす。この不
所望構体は脈（ベイン、 ｖｅｉｎ ）の形態において
基板材料における最小スクラッチを含んでいる。この不
所望な構体は枯葉（ａｕｔｕｍｎ １ｅａｆ ）構体と
呼ばれる。酸素原子又は励起された酸素分子で処理をし
た結果、枯葉構体が生ぜず、従って光学的構体が改善さ
れることを見出した０反応性の電気的中性粒子、特に、
上述した酸素粒子の酸化ガスとしては、イオン化成分を
除去した低圧高周波プラズマが好適である。
畳された余計な不所望構体を呈することがあることを見
出した。この不所望構体は恐らくは基板の製造過程の結
果であり、光学的構体の品質に悪影響を及ぼす。この不
所望構体は脈（ベイン、 ｖｅｉｎ ）の形態において
基板材料における最小スクラッチを含んでいる。この不
所望な構体は枯葉（ａｕｔｕｍｎ １ｅａｆ ）構体と
呼ばれる。酸素原子又は励起された酸素分子で処理をし
た結果、枯葉構体が生ぜず、従って光学的構体が改善さ
れることを見出した０反応性の電気的中性粒子、特に、
上述した酸素粒子の酸化ガスとしては、イオン化成分を
除去した低圧高周波プラズマが好適である。
本発明方法の他の好適な実施例では、ハロゲン（８）
含有化合物を含みかつイオン化成分を除去したー素含有
ガスの低圧高周波プラズマ・ガスを使用する０ ここでハロゲン含有化合物とはふっ素含有化合物又は塩
素含有化合物を意味する。その例としてＦ、 、 Ｏ／
、 、 ５Ｆ６ｔ ＳＦ、０７ｌｌＪＦ、、フルオ四ア
ルキル及びり四ロアルキル、例えば、ＯＦ ｖ ０Ｆ
ＢＯ’ ＋０Ｆ、０１．、５ＦＣ１８及びＣＣｌ、又は
その混合物がある。
ガスの低圧高周波プラズマ・ガスを使用する０ ここでハロゲン含有化合物とはふっ素含有化合物又は塩
素含有化合物を意味する。その例としてＦ、 、 Ｏ／
、 、 ５Ｆ６ｔ ＳＦ、０７ｌｌＪＦ、、フルオ四ア
ルキル及びり四ロアルキル、例えば、ＯＦ ｖ ０Ｆ
ＢＯ’ ＋０Ｆ、０１．、５ＦＣ１８及びＣＣｌ、又は
その混合物がある。
上記化合物と不活性ガス、例えば稀ガス又はちとの混合
物も有用である。
物も有用である。
酸素、酸化窒素もしくは二酸化炭素、又はこれと１０〜
５０容ｉ％のハロゲン含有化合物との混合物のプラズマ
からイオン化成分を除去したプラズマはきわめて容易に
使用できる。
５０容ｉ％のハロゲン含有化合物との混合物のプラズマ
からイオン化成分を除去したプラズマはきわめて容易に
使用できる。
特に、１０〜８０容噴石の（３Ｆ、を含みかつイオン化
成分を除去された酸素のプラズマと共にきわめて良好な
結果が得られた。
成分を除去された酸素のプラズマと共にきわめて良好な
結果が得られた。
プラズマにハロゲン含有化合物を添加することにより中
性の反応粒子、例えば特に酸素ラジカル及び励起された
酸素分子の量が増大し、その結果基板の処理時間を短縮
できる。
性の反応粒子、例えば特に酸素ラジカル及び励起された
酸素分子の量が増大し、その結果基板の処理時間を短縮
できる。
特に金属を被着した合成樹脂表面に対し寿命試験例えば
反復湿気試験を行う場合、ノ嶌ロゲン含有化合物を添加
することにより分成樹脂表面に対する金属の結合が一層
改善されることも見出した。
反復湿気試験を行う場合、ノ嶌ロゲン含有化合物を添加
することにより分成樹脂表面に対する金属の結合が一層
改善されることも見出した。
プラズマからのイオン化成分の分離は、ＲＦ（無線周波
）発生器に結合した電極により普通の態様で得たプラズ
マを、微細メツシュ金属スクリーンを通過させることに
より簡単な態陣で実現できる。
）発生器に結合した電極により普通の態様で得たプラズ
マを、微細メツシュ金属スクリーンを通過させることに
より簡単な態陣で実現できる。
反応性の電気的中性粒子に対比して、イオン化成分はこ
の金属スクリーンを通過することができない。この金属
スクリーンは、内部に処理すべき基板を配置されるプラ
ズマ反応器に設けたファラデー・ケージの形態にするこ
とができる。基板はプラズマ反応器から分離した隔室に
おいて処理することもできる。その場合、プラズマにお
いて形成される電ｙ的中性の反応性成分はパイプを介し
て隔室へ送る。内部ファラデー・ケージを有するか又は
上記隔室を有するプラズマ反応器は既知であり、例えば
、商品名３ｒａｎＳＯｎ及びＴＯｋｕｄａで市販されて
いる。
の金属スクリーンを通過することができない。この金属
スクリーンは、内部に処理すべき基板を配置されるプラ
ズマ反応器に設けたファラデー・ケージの形態にするこ
とができる。基板はプラズマ反応器から分離した隔室に
おいて処理することもできる。その場合、プラズマにお
いて形成される電ｙ的中性の反応性成分はパイプを介し
て隔室へ送る。内部ファラデー・ケージを有するか又は
上記隔室を有するプラズマ反応器は既知であり、例えば
、商品名３ｒａｎＳＯｎ及びＴＯｋｕｄａで市販されて
いる。
プラズマからイオン化成分が除去されない場合には、基
板の処理に当り光学的構体が浸かされる。
板の処理に当り光学的構体が浸かされる。
処理した基板には通常の電極による通常の堆端法により
反射層特に金属層、例えばり、Ｎ又はＡ／層を被着する
。堆端法としては蒸着法、スパッタリング法又は化学的
金属被着法が好適である。これらの方法によって得た金
属層は永久的にきわめて良好な結合を示す。
反射層特に金属層、例えばり、Ｎ又はＡ／層を被着する
。堆端法としては蒸着法、スパッタリング法又は化学的
金属被着法が好適である。これらの方法によって得た金
属層は永久的にきわめて良好な結合を示す。
以下図面につき本発明の詳細な説明する。
第１図において数字１はプラズマ反応器における石英ガ
ラスの円筒状反応容器を示す。この反応容器１は入口開
口２、出口開口８及び支持部材４を備えている。反応容
器１の外壁上しこは半円筒状の相互に離間した２個の容
量性電極６，６を配設する。これら電極５，６は無線周
波（ＲＦ）プラズマ発生器７に′に気的に接続する。電
ｆＩｆｉｓ、６によって限定されるスペース８内に金網
から吃る円筒状体即ちファラデー・ケージ９を配設する
。このケージ９内には基板１１（第２図）＆こ対するホ
ルダ１０を配設する。
ラスの円筒状反応容器を示す。この反応容器１は入口開
口２、出口開口８及び支持部材４を備えている。反応容
器１の外壁上しこは半円筒状の相互に離間した２個の容
量性電極６，６を配設する。これら電極５，６は無線周
波（ＲＦ）プラズマ発生器７に′に気的に接続する。電
ｆＩｆｉｓ、６によって限定されるスペース８内に金網
から吃る円筒状体即ちファラデー・ケージ９を配設する
。このケージ９内には基板１１（第２図）＆こ対するホ
ルダ１０を配設する。
第２図は第１図の■−■線上断面図である０第２図にお
いて第１図と同一要素は同一数字で示す。
いて第１図と同一要素は同一数字で示す。
反応容器１は真空ポンプによって排気する０反応容器１
には入口開口２を介してガス１２を導入し、出口開口８
を介して反応容器からこのガスを導出する。ガスの流入
は図示しない流れ制御装置によって制御し、ガスの流出
は図示しないポンプによって制御する。ガスの各種流量
は２５０ＳＯＣｍ（標準立方センチメートル７分）であ
る。ガスの圧力は６６．５ Ｐａに１整する。所要に応
じ、ガス圧力はガスの各種流量を変えることにより１８
．８及び２６６ Ｐａの間で変化することができる。ガ
スの組成は後出の表の第１欄（左から数えて）に示しで
ある。
には入口開口２を介してガス１２を導入し、出口開口８
を介して反応容器からこのガスを導出する。ガスの流入
は図示しない流れ制御装置によって制御し、ガスの流出
は図示しないポンプによって制御する。ガスの各種流量
は２５０ＳＯＣｍ（標準立方センチメートル７分）であ
る。ガスの圧力は６６．５ Ｐａに１整する。所要に応
じ、ガス圧力はガスの各種流量を変えることにより１８
．８及び２６６ Ｐａの間で変化することができる。ガ
スの組成は後出の表の第１欄（左から数えて）に示しで
ある。
電極６．６は電力０〜１００ＯＷに調整できる無１ｉＩ
ＪＦｉ！ｉＩ波プラズマ発生器７に結合する。電力は１
００Ｗに設定する。プラズマはスペース８内に形成され
る。使用するガスの組成に応じてプラズマは帯電できる
多量の反応粒子例えば励起された（ １２ ） 酸素イオン又は電子と、電気的中性粒子例えば励起され
た酸素分子及び酸素原子とを含んでいる。
ＪＦｉ！ｉＩ波プラズマ発生器７に結合する。電力は１
００Ｗに設定する。プラズマはスペース８内に形成され
る。使用するガスの組成に応じてプラズマは帯電できる
多量の反応粒子例えば励起された（ １２ ） 酸素イオン又は電子と、電気的中性粒子例えば励起され
た酸素分子及び酸素原子とを含んでいる。
ファラデー・ケージ９は大部分の帯電粒子を阻止するの
で実際上、中性プラズマ成分だけが、ケージ９内のスペ
ースに入ることができる。プラズマの平均温間は１０５
〜１１０°Ｃである。合成樹脂の基板１１をホルダ１０
に配置し、この基板は少なくとも一側に光学的構体を備
えている。基板は後出の表の第２欄に示した持続時間に
わたり電気的中性粒子で処理する。基板を製造する合成
樹脂の形式を後出の表の第８ｍに示し、この欄において
ＰＣはポリカーボネートを示し、ＰＭＭ＆はポリメチル
メタクリレートを示す。
で実際上、中性プラズマ成分だけが、ケージ９内のスペ
ースに入ることができる。プラズマの平均温間は１０５
〜１１０°Ｃである。合成樹脂の基板１１をホルダ１０
に配置し、この基板は少なくとも一側に光学的構体を備
えている。基板は後出の表の第２欄に示した持続時間に
わたり電気的中性粒子で処理する。基板を製造する合成
樹脂の形式を後出の表の第８ｍに示し、この欄において
ＰＣはポリカーボネートを示し、ＰＭＭ＆はポリメチル
メタクリレートを示す。
後出の表に示した処理時間後に基板を反応容器から取出
す。各基板には光学的構体の側に金属層を被着する。こ
れを行うため物理的堆擢法（蒸着及びスパッタリング）
及び無電解化学的金属被着法の両方を使用した。後出の
表の第４欄においては物理的堆債法を記号Ｐ）ｌによっ
て示し、化学的堆偕法を記号ＯＨによって示す。物理的
堆債法によってＡ１反射層を被着し、化学的堆隋法によ
ってＡｇ層憂被着した。
す。各基板には光学的構体の側に金属層を被着する。こ
れを行うため物理的堆擢法（蒸着及びスパッタリング）
及び無電解化学的金属被着法の両方を使用した。後出の
表の第４欄においては物理的堆債法を記号Ｐ）ｌによっ
て示し、化学的堆偕法を記号ＯＨによって示す。物理的
堆債法によってＡ１反射層を被着し、化学的堆隋法によ
ってＡｇ層憂被着した。
情報ディスクに対し反復湿気試験を行った。この試験で
は情報ディスクを周期的に変化する気候状態において８
週間の試験期間にわたり貯蔵したｄこの目的のため情報
ディスクを気候状態フード（フライメート・フード）内
に配置して、温邸及び湿間を２４時間の周期で変化させ
、その際情報ディスクを８時間にわたり相対湿（９）７
０〜９０％において温間４５°Ｃに維持し、１６時間に
わたり相対湿度１００％において温間２５°Ｃに維持し
た。
は情報ディスクを周期的に変化する気候状態において８
週間の試験期間にわたり貯蔵したｄこの目的のため情報
ディスクを気候状態フード（フライメート・フード）内
に配置して、温邸及び湿間を２４時間の周期で変化させ
、その際情報ディスクを８時間にわたり相対湿（９）７
０〜９０％において温間４５°Ｃに維持し、１６時間に
わたり相対湿度１００％において温間２５°Ｃに維持し
た。
反復湿気試験後、反射層の結合をいわゆるダイヤモンド
・スフラッチング試験によって決定した。
・スフラッチング試験によって決定した。
この試験で反射層の厚さ弱体に延在するように反射層の
表面に１２個のスクラッチを設ける。スクラッチのパタ
ーンは互の間隔が１鰭の６個の平行スクラッチと、これ
と交さする同じく斤の間隔が１闘の６個の同様なスクラ
ッチを含み、従ってこのスクラッチ・パターンは面１１
１１鰭２の区域を２５個含んでいる。スクラッチ・パタ
ーン上に接着細条（セロテープ）を押圧し、次いでこれ
を表面から引き剥がす。結合が良好なので接着細条には
表面から離脱した材料の付着は見られない。後出の表の
第４欄には記号Ｐ）Ｉ又はＯＲの他に、湿気試験後に行
った結合試験の結果、結合が良好であったものを十で示
し、不良であったものを−で示しである。後者の場合に
は、接着細条により、情報ディスクの表面から材料の離
脱が起った。
表面に１２個のスクラッチを設ける。スクラッチのパタ
ーンは互の間隔が１鰭の６個の平行スクラッチと、これ
と交さする同じく斤の間隔が１闘の６個の同様なスクラ
ッチを含み、従ってこのスクラッチ・パターンは面１１
１１鰭２の区域を２５個含んでいる。スクラッチ・パタ
ーン上に接着細条（セロテープ）を押圧し、次いでこれ
を表面から引き剥がす。結合が良好なので接着細条には
表面から離脱した材料の付着は見られない。後出の表の
第４欄には記号Ｐ）Ｉ又はＯＲの他に、湿気試験後に行
った結合試験の結果、結合が良好であったものを十で示
し、不良であったものを−で示しである。後者の場合に
は、接着細条により、情報ディスクの表面から材料の離
脱が起った。
（１５）
表
０２ ２
ＰＭＭＡ 十
＋０□ ２０ ＰＣ
＋ ＋０ｇ ８０
ＰＣ＋ ＋０＋１５％ＯＦ４
２ ｐｃ、ｐＭＭＡ＋ ＋０□＋１５
％ＯＦ、 ５ ＰＣ＋ ＋０
＋１５％ＯＦ４ １０ ＰＣ＋
＋０＋８０％ＯＦ ４ ２ ＰＣ＋
＋Ｏ，＋ａＯ％ＯＦ ４ ４
ＰＣ＋ ＋０＋１５％ＯＦ ａ Ｏ／
２ Ｐ Ｏ＋ ＋０＋１５％（Ｈｅ／ａ％
Ｆ？、） ２ ＰＣ＋ ＋Ｎｏ
２ ＰＣ＋
＋ＩＪＯ＋１５％（Ｈｅ１５％Ｆｇ） ２
ＰＣ＋ ＋００ ｓ ２
Ｐ Ｃ＋ ＋００ ＋１５％（Ｈｅ１５％Ｆ
）２ ＰＣ＋ ＋２ｇ Ｎ、 ２ＰＣ＋ −’）Ｎ、＋１
５％ＯＦ４ ２ ＰＣ＋ −１）１）は
情報ディスクに対し反復湿気試験を行わなかった場合に
良好な結果が得られたケース。
ＰＭＭＡ 十
＋０□ ２０ ＰＣ
＋ ＋０ｇ ８０
ＰＣ＋ ＋０＋１５％ＯＦ４
２ ｐｃ、ｐＭＭＡ＋ ＋０□＋１５
％ＯＦ、 ５ ＰＣ＋ ＋０
＋１５％ＯＦ４ １０ ＰＣ＋
＋０＋８０％ＯＦ ４ ２ ＰＣ＋
＋Ｏ，＋ａＯ％ＯＦ ４ ４
ＰＣ＋ ＋０＋１５％ＯＦ ａ Ｏ／
２ Ｐ Ｏ＋ ＋０＋１５％（Ｈｅ／ａ％
Ｆ？、） ２ ＰＣ＋ ＋Ｎｏ
２ ＰＣ＋
＋ＩＪＯ＋１５％（Ｈｅ１５％Ｆｇ） ２
ＰＣ＋ ＋００ ｓ ２
Ｐ Ｃ＋ ＋００ ＋１５％（Ｈｅ１５％Ｆ
）２ ＰＣ＋ ＋２ｇ Ｎ、 ２ＰＣ＋ −’）Ｎ、＋１
５％ＯＦ４ ２ ＰＣ＋ −１）１）は
情報ディスクに対し反復湿気試験を行わなかった場合に
良好な結果が得られたケース。
（１６）
第１図は本発明の実施例で用いるプラズマ反応器の断面
図、 第２図は第１図の■−■線上断面図である。 １・・・反応容器 ２・・・入口開口８・・・
出口開口 ４・・・支持部材５．６・・・電極 ７・・・無線周波プラズマ発生器 ９・・・ファラデー・ケージ １０・・・ホルダ １１・・・基板１２・・・
ガス。
図、 第２図は第１図の■−■線上断面図である。 １・・・反応容器 ２・・・入口開口８・・・
出口開口 ４・・・支持部材５．６・・・電極 ７・・・無線周波プラズマ発生器 ９・・・ファラデー・ケージ １０・・・ホルダ １１・・・基板１２・・・
ガス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 合成樹脂から作製されたか又は合成樹脂の被着層を
被着した円板状基板を備え、かつ円板状基板の少なくと
も一側に、高位置及び低位置に交互に配置した情報区域
を含む光学的読取可能構体を有する光学的読取可能情報
ディスクの？Ａ造方法において、光学的読取可能構体の
一側上における前記基板を酸イヒガスの反応性、電気的
中性粒子で処理し、次いで、処理した表面に無電解堆端
反射層を被着することを特徴とする光学的読取可能構体
ディスクの製造方法。 ２、 前記基板を、励起状態におけるｌｖ素原子及び／
又は酸素分子で処理する特許請求の範囲第１項記載の製
造方法。 ＆ 前記基板を、イオン化成分を除去した低圧・高周波
プラズマで処理する特許請求の範囲第１又は２項記載の
製造方法。 ４、 前記基板を、ハロゲン含有化合物を含む酸素含有
ガスの低圧・高周波プラズマからイオン化成分を除去し
たプラズマで処理する特許請求の範囲第３項記載の製造
方法。 五 酸素、酸化窒素もしくは二酸化炭素、又はその一つ
と１０〜５０容積％のハロゲン含有化合物との混合物の
プラズマからイオン化成分を除去したプラズマを使用す
る特許請求の範囲第４項記載の製造方法。 ａ １０〜８０容積％のＣＦ、を含む酸素のプラズマか
らイオン化成分を除去したプラズマを使用する特許請求
の範囲第５項記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8300422 | 1983-02-04 | ||
| NL8300422A NL8300422A (nl) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | Methode voor de vervaardiging van een optisch uitleesbare informatieschijf. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148156A true JPS59148156A (ja) | 1984-08-24 |
| JPH0556578B2 JPH0556578B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=19841351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59017220A Granted JPS59148156A (ja) | 1983-02-04 | 1984-02-03 | 光学的読取可能情報デイスクの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4536415A (ja) |
| EP (1) | EP0124140B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59148156A (ja) |
| AT (1) | ATE39590T1 (ja) |
| DE (1) | DE3475843D1 (ja) |
| NL (1) | NL8300422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS6233348A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8602567A (nl) * | 1986-10-13 | 1988-05-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een diffuse reflector. |
| US4857978A (en) * | 1987-08-11 | 1989-08-15 | North American Philips Corporation | Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization |
| FR2622898B1 (fr) * | 1987-11-06 | 1990-01-26 | Valeo | Procede et dispositif de metallisation de reflecteurs,notamment de reflecteurs d'eclairage et de signalisation de vehicules automobiles et reflecteurs obtenus par ledit procede |
| DE3824889A1 (de) * | 1988-07-22 | 1990-01-25 | Leybold Ag | Optischer aufzeichnungstraeger |
| CA2022027A1 (en) * | 1989-07-28 | 1991-01-29 | Yoshinori Suga | Substrate of optical disc |
| DE4307740C2 (de) * | 1993-03-11 | 1994-12-22 | Ttk Kunststoff Tech Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Abschirmschicht |
| DE19727783A1 (de) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Oberflächenbehandlung makromolekularer Verbindungen |
| GB9717368D0 (en) * | 1997-08-18 | 1997-10-22 | Crowther Jonathan | Cold plasma metallization |
| ES2194351T3 (es) * | 1997-09-29 | 2003-11-16 | Dow Global Technologies Inc | Sustratos termoplasticos aromaticos hidrogenados amorfos con adhesion mejorada. |
| US6030680A (en) * | 1998-09-04 | 2000-02-29 | The Dow Chemical Company | Adhesion of amorphous saturated hydrocarbon thermoplastic substrates |
| EP3368240B1 (en) * | 2015-10-27 | 2021-04-14 | Hutchinson Technology Incorporated | Method of manufacturing |
| US10925663B2 (en) | 2016-06-27 | 2021-02-23 | Mound Laser & Photonics Center, Inc. | Metallized components and surgical instruments |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3309299A (en) * | 1963-08-22 | 1967-03-14 | Aerochem Res Lab | Method of treating synthetic resinous material to increase the wettability thereof |
| US3526583A (en) * | 1967-03-24 | 1970-09-01 | Eastman Kodak Co | Treatment for increasing the hydrophilicity of materials |
| US3627609A (en) * | 1969-02-24 | 1971-12-14 | Usm Corp | Adhesive processes |
| US3761299A (en) * | 1970-10-13 | 1973-09-25 | Eastman Kodak Co | Treating polymeric surfaces |
| US3686018A (en) * | 1970-11-02 | 1972-08-22 | Dow Chemical Co | Method of metallizing an organic substrate |
| US4192706A (en) * | 1975-01-22 | 1980-03-11 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Gas-etching device |
| JPS5518461A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Improving method of record disc |
| US4232057A (en) * | 1979-03-01 | 1980-11-04 | International Business Machines Corporation | Semiconductor plasma oxidation |
| US4345005A (en) * | 1979-06-28 | 1982-08-17 | Mobil Oil Corporation | Oriented polypropylene film substrate and method of manufacture |
| US4296158A (en) * | 1980-02-01 | 1981-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Information carrying discs |
| US4337279A (en) * | 1981-01-23 | 1982-06-29 | Uop Inc. | Method for increasing the peel strength of metal-clad polymers |
| JPS57169938A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-19 | Sony Corp | Optical type recording medium |
| US4422907A (en) * | 1981-12-30 | 1983-12-27 | Allied Corporation | Pretreatment of plastic materials for metal plating |
-
1983
- 1983-02-04 NL NL8300422A patent/NL8300422A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-03-30 US US06/480,196 patent/US4536415A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-02-01 DE DE8484200128T patent/DE3475843D1/de not_active Expired
- 1984-02-01 AT AT84200128T patent/ATE39590T1/de active
- 1984-02-01 EP EP84200128A patent/EP0124140B1/en not_active Expired
- 1984-02-03 JP JP59017220A patent/JPS59148156A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS6233348A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556578B2 (ja) | 1993-08-19 |
| DE3475843D1 (en) | 1989-02-02 |
| ATE39590T1 (de) | 1989-01-15 |
| NL8300422A (nl) | 1984-09-03 |
| EP0124140A1 (en) | 1984-11-07 |
| EP0124140B1 (en) | 1988-12-28 |
| US4536415A (en) | 1985-08-20 |
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