JPS59141361A - 金球の製造方法 - Google Patents
金球の製造方法Info
- Publication number
- JPS59141361A JPS59141361A JP1268683A JP1268683A JPS59141361A JP S59141361 A JPS59141361 A JP S59141361A JP 1268683 A JP1268683 A JP 1268683A JP 1268683 A JP1268683 A JP 1268683A JP S59141361 A JPS59141361 A JP S59141361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- film
- deposited film
- vapor deposited
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D25/00—Special casting characterised by the nature of the product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体素子と外部リードとの接続等に用いら
れる金球の製造方法に関するものである。
れる金球の製造方法に関するものである。
(従来例の構成とその問題点)
従来、均一な形状の金球を得る方法としては、溶湯を噴
霧して球状の金粉を形成した後、形状の分級を行って定
量化する方法や、あるいは、定量化した被レットを電気
炉などで溶融し、油中などに嬌として球状化を行う方法
などが提案されていた。しかしながら、前者の場合は、
分級工程を必要とし、完全に定量定形化するのが困難で
あシ、また後者の場合は、定量波レットを得る際に圧延
されたR &を型で打ち抜いているため、ベレットの形
状か制限されて微小な硬レットを得ることが難しく、そ
のため、この方法で製造した金球では最も小径のもので
も径が100μ程度で、半導体素子とリードとの接続に
用いるのに適した径が50μ以下の金球を製造すること
が困難であった。
霧して球状の金粉を形成した後、形状の分級を行って定
量化する方法や、あるいは、定量化した被レットを電気
炉などで溶融し、油中などに嬌として球状化を行う方法
などが提案されていた。しかしながら、前者の場合は、
分級工程を必要とし、完全に定量定形化するのが困難で
あシ、また後者の場合は、定量波レットを得る際に圧延
されたR &を型で打ち抜いているため、ベレットの形
状か制限されて微小な硬レットを得ることが難しく、そ
のため、この方法で製造した金球では最も小径のもので
も径が100μ程度で、半導体素子とリードとの接続に
用いるのに適した径が50μ以下の金球を製造すること
が困難であった。
壕だ、他の従来の金球の製造方法として、ボールミルな
どの機械的粉砕法や、環元法または電解法なとの化学的
方法があるが、これらの方法によって得られる金粉は不
定形、板状、結晶状などであシ、完全な球形の金粉を得
ることかできな力)った。
どの機械的粉砕法や、環元法または電解法なとの化学的
方法があるが、これらの方法によって得られる金粉は不
定形、板状、結晶状などであシ、完全な球形の金粉を得
ることかできな力)った。
(発明の目的)
本発明は、上記従来例の欠点に丸みてなされたもので、
分級などの後工程を必要とせず、均一な形状の微小な金
球を製造することかできる金球の製造方法を提供するも
のである。
分級などの後工程を必要とせず、均一な形状の微小な金
球を製造することかできる金球の製造方法を提供するも
のである。
(発明の構成)
」二記目的を達成するために、本発明は、耐熱性平面基
板の一表面に金蒸着膜を形成し、この金蒸着膜を基盤目
状に分割し/ζ後に加熱溶融して、分割した各金蒸着膜
を金の表面張力により球状に成形するものである。
板の一表面に金蒸着膜を形成し、この金蒸着膜を基盤目
状に分割し/ζ後に加熱溶融して、分割した各金蒸着膜
を金の表面張力により球状に成形するものである。
(実施例の説明)
以下、図面によシ本発明の実施例を詳細に説明する。小
11ネ1は、本発明の一実施例の工程を示す図である。
11ネ1は、本発明の一実施例の工程を示す図である。
第1図(a)において、■はシリコンウェーハからなる
]Il、I熱性平面基板で、その−表面接層防止層2と
して厚さ0.5〜1μのンリコン酸化嘆を熱酸化法ある
いはCVD法等により形成し、その」二、に金蒸着膜3
を形成する。次に、第1図(b)に示すように、グイン
ングソーあるいはダイヤモンド製カッターを用いて分割
溝4を形成して金蒸着膜3を分割する。この時、分割溝
4の深さは金蒸着r11−3の膜厚よシも犬でなければ
ならない。また、分割溝4は第2図に示すように分割し
た金蒸着膜3の各々が正方形と彦るように基盤目状に設
ける。
]Il、I熱性平面基板で、その−表面接層防止層2と
して厚さ0.5〜1μのンリコン酸化嘆を熱酸化法ある
いはCVD法等により形成し、その」二、に金蒸着膜3
を形成する。次に、第1図(b)に示すように、グイン
ングソーあるいはダイヤモンド製カッターを用いて分割
溝4を形成して金蒸着膜3を分割する。この時、分割溝
4の深さは金蒸着r11−3の膜厚よシも犬でなければ
ならない。また、分割溝4は第2図に示すように分割し
た金蒸着膜3の各々が正方形と彦るように基盤目状に設
ける。
その際の分割寸法は、必要とする金球の球径と金蒸着膜
3の膜厚とから ユ 分割寸法−(金球の体積/金蒸着膜の膜厚)2のように
決定することができる。そして、所望の寸法の基盤目状
に分割後、空気中1100℃で10分間加熱すると、第
1図(C)に示すように、分割されだ金蒸着膜3の各々
が溶融し、金の表面張力によりそれぞれが球状化してほ
ぼ真球に近い金球5となる。なお、1100℃以」−の
高温あるいは長時間力ロ熱すると、金がシリコンウェー
・・からなる耐熱性平面基板Iおよびシリコン酸化膜か
らなる扱者防止層2に拡散し、金球5が耐熱平面基板1
に接層することがあるので注意しなければならない。
3の膜厚とから ユ 分割寸法−(金球の体積/金蒸着膜の膜厚)2のように
決定することができる。そして、所望の寸法の基盤目状
に分割後、空気中1100℃で10分間加熱すると、第
1図(C)に示すように、分割されだ金蒸着膜3の各々
が溶融し、金の表面張力によりそれぞれが球状化してほ
ぼ真球に近い金球5となる。なお、1100℃以」−の
高温あるいは長時間力ロ熱すると、金がシリコンウェー
・・からなる耐熱性平面基板Iおよびシリコン酸化膜か
らなる扱者防止層2に拡散し、金球5が耐熱平面基板1
に接層することがあるので注意しなければならない。
また、本¥施例において50μ径の金球を製造する場合
は、金蒸着膜3の膜厚は1〜5μが適当で、膜厚が薄す
ぎると金蒸着膜3を分割後力1]熱溶融する際に、金球
の形成が良好でなく、小球に分1i+Eする恐れがあシ
、膜厚が厚すき゛ると金蒸着膜3を形成する際に蒸着時
間が長くなったり、分割する際にはがれやずくなったシ
する。なお、金蒸着膜3の膜厚を1μとすると、分割時
の寸法は]、90μ角とすればよい。
は、金蒸着膜3の膜厚は1〜5μが適当で、膜厚が薄す
ぎると金蒸着膜3を分割後力1]熱溶融する際に、金球
の形成が良好でなく、小球に分1i+Eする恐れがあシ
、膜厚が厚すき゛ると金蒸着膜3を形成する際に蒸着時
間が長くなったり、分割する際にはがれやずくなったシ
する。なお、金蒸着膜3の膜厚を1μとすると、分割時
の寸法は]、90μ角とすればよい。
第3図は、本発明の他の実施例の工程を示す図で、第1
図と同一符号のものは四−のものを示している。第3図
(a)において、耐熱性平面基板1の一表面に接着防止
層2を形成した後、マスク6を形成する。このマスク6
は、金蒸着膜;3を所望の寸法の基盤目状に分割する際
の分割線上に、クロムマスクあるいはフォトレノストを
塗布後フメトリソグラフィーに」:I)形成されている
。次に、この1liJ熱性平面基板1に金を1〜5μ厚
に蒸着すると、第3図(b)に示すようにマスク6の開
口部に金蒸着膜3が形成されろうそして、マスク6を除
去することにより、第3図(C)に示すように所望の寸
法の基盤目状に分割された金蒸着膜3を得ることかでき
る。こうして金蒸着rj戻3を分割しだ面1熱性平面基
板1を1100℃で10分間加熱することにより、第3
図(d)に示。すように溶融した金の表面張力によって
球状化した金球5を形成することができる。
図と同一符号のものは四−のものを示している。第3図
(a)において、耐熱性平面基板1の一表面に接着防止
層2を形成した後、マスク6を形成する。このマスク6
は、金蒸着膜;3を所望の寸法の基盤目状に分割する際
の分割線上に、クロムマスクあるいはフォトレノストを
塗布後フメトリソグラフィーに」:I)形成されている
。次に、この1liJ熱性平面基板1に金を1〜5μ厚
に蒸着すると、第3図(b)に示すようにマスク6の開
口部に金蒸着膜3が形成されろうそして、マスク6を除
去することにより、第3図(C)に示すように所望の寸
法の基盤目状に分割された金蒸着膜3を得ることかでき
る。こうして金蒸着rj戻3を分割しだ面1熱性平面基
板1を1100℃で10分間加熱することにより、第3
図(d)に示。すように溶融した金の表面張力によって
球状化した金球5を形成することができる。
なお、耐熱性平面基板1はシリコンウェー−・だけでな
く、11.00℃に対する耐熱性と十分な平面性があれ
ばどのような材料でもよく、例えば石英ガラスや研磨さ
れだセラミ、りを用いることもできる。
く、11.00℃に対する耐熱性と十分な平面性があれ
ばどのような材料でもよく、例えば石英ガラスや研磨さ
れだセラミ、りを用いることもできる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明は、耐熱性平面基板の一表
面に金蒸着膜を形成し、この金蒸着膜を基盤目状に分割
した後加熱溶融し、金の表面張力によって金球を形成す
るので、得られた金球は真球に近く、形状のばらつきが
少ないため分級する工程が不安となり、壕だ、マスクに
よシ金蒸着膜を分割することによシ、機械的に金蒸着膜
を分割する隙の耐熱性平面基板の損傷を防ぐとともに再
使用を可能にする等の効果を有するものである。
面に金蒸着膜を形成し、この金蒸着膜を基盤目状に分割
した後加熱溶融し、金の表面張力によって金球を形成す
るので、得られた金球は真球に近く、形状のばらつきが
少ないため分級する工程が不安となり、壕だ、マスクに
よシ金蒸着膜を分割することによシ、機械的に金蒸着膜
を分割する隙の耐熱性平面基板の損傷を防ぐとともに再
使用を可能にする等の効果を有するものである。
第1図は、本発明の一実施例の工程図、第2図は、不発
す」の一実施例の途中工程時の斜視図、第3図は、本発
明の他の実施例の工程図である。 1・・・証j熱性乎面ノ1す板、2・・・接着防止層、
3・・金蒸着膜、4・・分割溝、5・・金球、6・・マ
スク。 第1図 第2図
す」の一実施例の途中工程時の斜視図、第3図は、本発
明の他の実施例の工程図である。 1・・・証j熱性乎面ノ1す板、2・・・接着防止層、
3・・金蒸着膜、4・・分割溝、5・・金球、6・・マ
スク。 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)iliPI熱性平面基板の一表面に金蒸着膜を形
成し、該金蒸着膜を基盤目状に分割した後に加熱溶融し
て、金の表面張力により分割した前記各金蒸着膜を球状
に成形することを特徴とする金球の製造方法。 - (2) 前記金蒸着膜の分割は、予め前記耐熱性平面
基板上の分割線となる部分にマスクを設けておき、前記
金蒸着膜を形成した後に前記マスクを除去して前記金蒸
着膜を分割することを特徴とする4″f約請求の範IJ
11第(1)項記載の金球の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1268683A JPS59141361A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 金球の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1268683A JPS59141361A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 金球の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59141361A true JPS59141361A (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=11812256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1268683A Pending JPS59141361A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 金球の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59141361A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105917439A (zh) * | 2013-12-10 | 2016-08-31 | 尼斯迪格瑞科技环球公司 | 硅微球体制造 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1268683A patent/JPS59141361A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105917439A (zh) * | 2013-12-10 | 2016-08-31 | 尼斯迪格瑞科技环球公司 | 硅微球体制造 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5993000A (ja) | 単結晶薄膜製造用基板 | |
JPS59141361A (ja) | 金球の製造方法 | |
US4047286A (en) | Process for the production of semiconductor elements | |
JPS6357399B2 (ja) | ||
JPS634940B2 (ja) | ||
JPH04262895A (ja) | 金属極微小球の製造方法 | |
JPS593952A (ja) | アルミニウム配線層の形成方法 | |
JP2010261094A (ja) | Au−Sn合金蒸着用粒状材およびその製造方法 | |
Scharff et al. | Growth of monocrystalline silicon islands on insulating substrates | |
JPS5818928A (ja) | 半導体装置の製法 | |
JP2004018282A (ja) | 表面に微細なパターンを有する成形品の製造方法 | |
JPS59174514A (ja) | 多結晶シリコンウエハの製造方法 | |
JP3426403B2 (ja) | 微細金属球の製造方法 | |
JP2841108B2 (ja) | 薄膜形成基板の加熱用ヒーター | |
JPS5854652A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02188432A (ja) | 光学部品の成形型 | |
JPS60180886A (ja) | パタ−ン転写方法 | |
JPS58176931A (ja) | 素子の製造方法 | |
JPS58162035A (ja) | 多結晶シリコンウエハの製造方法 | |
JPS58162031A (ja) | 多結晶膜の熱処理方法 | |
JPS58102517A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06302646A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH01243485A (ja) | 超電導素子の製造法 | |
JPH0770567B2 (ja) | キヤリアテ−プ及びその製造方法 | |
JPH038579B2 (ja) |