JPH04262895A - 金属極微小球の製造方法 - Google Patents

金属極微小球の製造方法

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JPH04262895A
JPH04262895A JP4296691A JP4296691A JPH04262895A JP H04262895 A JPH04262895 A JP H04262895A JP 4296691 A JP4296691 A JP 4296691A JP 4296691 A JP4296691 A JP 4296691A JP H04262895 A JPH04262895 A JP H04262895A
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JP
Japan
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thin film
jig
recesses
metal
metallic thin
Prior art date
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Pending
Application number
JP4296691A
Other languages
English (en)
Inventor
Shozaburo Iwai
岩井 正三郎
Takaaki Sagawa
佐川 隆明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04262895A publication Critical patent/JPH04262895A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の高密度化の要
求に対応したマイクロリードピン用ろう材、半導体のバ
ンプ用材料として用いる金属極微小球の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、金属極微小球を得るには、■アト
マイズ法により溶融金属を水中に噴霧して粉末を作り、
この粉末を分級する。■回転電極法により金属を回転し
ながら放電溶融し、水中に飛散させて急冷により粉末を
作り、この粉末を分級する。■細い金属線をカットして
微小片となし、これを治具の多数の凹部内に入れ、炉中
にて加熱溶融して微小球を作る。等の方法があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記■、■
の方法は金属極微小球を得るには歩留りが悪く、生産性
も悪く、効率良く製造できなかった。また■の方法は、
金属線をカットして得た微小片を1個ずつ治具の多数の
凹部に入れるのが自動化といえども数段階の工程を得て
行われるので、生産性が悪く、しかも金属線のカット時
の精度が低いので、これが微小球の精度となって現れる
。従って、極微小球の得ることは困難であった。さらに
上記いずれの方法も難加工材(脆くて材料加工のできな
い合金組成の材料)の極微小球は作ることができなかっ
た。そこで本発明は、寸法精度が高く、歩留り、生産性
が良くしかも効率良く、その上、難加工材でも容易に金
属極微小球を作ることのできる方法を提供しようとする
ものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の金属極微小球の製造方法は、セラミック治具
の平滑な面に金属薄膜を形成し、次に金属薄膜に所定の
ピッチにて縦横に切り溝を付けて分断し、次いで前記の
分断した金属薄膜に対応する多数の凹部を設けたカーボ
ン治具上に、前記の分断した金属薄膜を凹部に合わせて
セラミック治具を載せ、然る後金属薄膜を加熱溶融して
凹部内に落下させ、表面張力により極微小球化すること
を特徴とするものである。
【0005】
【作用】上記のように本発明の金属極微小球の製造方法
では、セラミック治具の平滑な面に金属薄膜を形成し、
この金属薄膜を所定のピッチにて縦横に切り溝を付けて
分断するので、この分断された金属薄膜は均一な重量の
薄膜となる。従って、前記の分断した金属薄膜に対応し
てカーボン治具に多数設けた凹部に、前記の分断された
金属薄膜を合わせてセラミック治具をカーボン治具上に
載せ、金属薄膜を加熱溶融して凹部内に落下させ、表面
張力により極微小球化することにより、寸法精度の高い
金属極微小球が得られる。また従来のように粉末を作っ
た後分級する必要がないので、歩留り、生産性が良く、
しかも従来のように金属線をカットした微小片を1個ず
つ治具の多数の凹部に入れる作業が不要で、効率良く金
属極微小球が得られる。その上難加工材でも、薄膜を形
成し、切り溝を付けて分断した後加熱溶融するだけで容
易に金属極微小球が得られる。
【0006】
【実施例】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例
を説明すると、図1に示すように一辺50mm、厚さ 
0.5mmの方形のSi板1の平滑な面に、スパッタリ
ングにより4140ÅのAu薄膜を形成し、さらに27
60ÅのSn薄膜を形成し、図2に示すようにトータル
6900Åの金属薄膜2を得た。次にこの金属薄膜2に
図3に示すように縦、横に切り溝3を入れて、基盤の目
状に分断して1mm角の金属薄膜4となし、次いで図4
に示すように直径 1.0mm、深さ 0.5mmの円
形の凹部5を基盤の目状に設けたカーボン治具6上に、
前記の分断した1mm角の金属薄膜4を各円形の凹部5
に合わせて図5に示すようにSi板1を反転して載せ、
然る後これを電気炉中に入れ、H2 雰囲気中 450
℃で10分間加熱して、各1mm角の金属薄膜4を溶融
してカーボン治具6の各円形の凹部5内に落下させ、そ
してカーボン治具6を電気炉より取り出して冷却し、凹
部5内の溶融金属を図6に示すように表面張力により丸
めて極微小球化した。こうして得た極微小球7は、成分
組成がAu−Sn20%で、球径 110ミクロン、重
量0.01mgで1万個における球径のばらつきは最大
10ミクロンで極めて少なく、重量のばらつきは最大 
0.001mgで極めて少なく、寸法精度が高かった。
【0007】尚、上記実施例では、Si板1にAuとS
nの薄膜をAuターゲットとSnターゲットによる積層
スパッタリングにより形成したが、AuターゲットとS
nターゲットとによる同時スパッタリングにより形成し
ても良く、またAu−Sn20%合金ターゲットによる
スパッタリングにより形成しても良い。
【0008】また金属薄膜の形成は、上記のスパッタリ
ングに限るものではなく、蒸着、溶射等により行っても
良いものである。
【0009】
【発明の効果】以上の通り本発明の金属極微小球の製造
方法によれば、寸法精度が高く、歩留り、生産性が良く
、しかも効率良く、その上難加工材でも容易に金属極微
小球を作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例の
工程を示す図である。
【図2】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例の
工程を示す図である。
【図3】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例の
工程を示す図である。
【図4】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例の
工程を示す図である。
【図5】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例の
工程を示す図である。
【図6】本発明の金属極微小球の製造方法の一実施例の
工程を示す図である。
【符号の説明】
1  セラミック治具(Si板) 2  金属薄膜 3  切り溝 4  分断した金属薄膜 5  凹部 6  カーボン治具 7  極微小球

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  セラミック治具の平滑な面に金属薄膜
    を形成し、次に金属薄膜に所定のピッチにて縦横に切り
    溝を付けて分断し、次いで前記の分断した金属薄膜に対
    応する多数の凹部を設けたカーボン治具上に、前記の分
    断した金属薄膜を凹部に合わせてセラミック治具を載せ
    、然る後金属薄膜を加熱溶融して凹部内に落下させ、表
    面張力により極微小球化することを特徴とする金属極微
    小球の製造方法。
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