JPS59140367A - 薄膜製造方法とその装置 - Google Patents
薄膜製造方法とその装置Info
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- JPS59140367A JPS59140367A JP24761183A JP24761183A JPS59140367A JP S59140367 A JPS59140367 A JP S59140367A JP 24761183 A JP24761183 A JP 24761183A JP 24761183 A JP24761183 A JP 24761183A JP S59140367 A JPS59140367 A JP S59140367A
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- laser beam
- plate
- reactive
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜製造方法とその装置に関し、より詳細には
基板を一方向にのみ移動させ、この基板上に反応性ガス
状物の薄板状気流を供給しながら広巾のレーザビームを
照射して、基板上に帯状の加熱部を形成し、反応性ガス
状物の熱分解生成物による薄膜を基板上に形成せしめる
方法とその装置に関する。
基板を一方向にのみ移動させ、この基板上に反応性ガス
状物の薄板状気流を供給しながら広巾のレーザビームを
照射して、基板上に帯状の加熱部を形成し、反応性ガス
状物の熱分解生成物による薄膜を基板上に形成せしめる
方法とその装置に関する。
従来、基板表面に化学反応により薄膜を製造する場合に
は、基板を加熱するか、或は基板を収めた反応苓全体を
加熱し、基板周辺の反応性ガスを熱分解して熱分解生成
物の薄膜を基板上に形成せしめていた。
は、基板を加熱するか、或は基板を収めた反応苓全体を
加熱し、基板周辺の反応性ガスを熱分解して熱分解生成
物の薄膜を基板上に形成せしめていた。
しかしながら、かかる従来の薄膜形成法では、基板周辺
の空間全体が高温になっているので、反応性ガスの熱分
解生成物が更に二次的、三次的に熱分解したり、或は熱
分解生成物が未分解の反応性ガスと反応して形成した薄
膜中に大小様々なピットが生ずる問題点があった。
の空間全体が高温になっているので、反応性ガスの熱分
解生成物が更に二次的、三次的に熱分解したり、或は熱
分解生成物が未分解の反応性ガスと反応して形成した薄
膜中に大小様々なピットが生ずる問題点があった。
また、基板が強く加熱されるので、基板の歪、反り、伸
び、縮み等、加熱による寸法精度の狂いや、基板自体の
組織の変質や、すでに基板に形成された機能的構造の変
化など、形成薄膜と基板の双方に多くの損傷が発生する
欠点があった。
び、縮み等、加熱による寸法精度の狂いや、基板自体の
組織の変質や、すでに基板に形成された機能的構造の変
化など、形成薄膜と基板の双方に多くの損傷が発生する
欠点があった。
まだ、真空蒸着、スパッタリング、イオン・プレーテン
グ等の真空下の物理的方法による薄膜形成においても前
記同様な欠点を回避できなかった。
グ等の真空下の物理的方法による薄膜形成においても前
記同様な欠点を回避できなかった。
そこで本発明はかかる従来の欠点を解消すへくなされた
ものであり、レーザビームが照射された基板表面のみが
瞬間的に加熱され、その加熱表面にのみ限定された熱分
解反応を誘発することができる。
ものであり、レーザビームが照射された基板表面のみが
瞬間的に加熱され、その加熱表面にのみ限定された熱分
解反応を誘発することができる。
従って、理想的な”低温表面反応”が可能となシ、高品
質の薄膜が得られ、基体の機能的構造を変化させること
もないなどの特長を有するものである。
質の薄膜が得られ、基体の機能的構造を変化させること
もないなどの特長を有するものである。
すなわち本発明の薄膜製造方法は、広巾のレーザビーム
で基板を照射して加熱しながら該基板を一方向に移動せ
しめ、かつこれと同時に前記基板上に反応性ガス状物の
根状気流を供給して、前記基板上に反応性ガス状物の熱
分解生成物の薄膜を形成せしめることを特徴とするもの
である。
で基板を照射して加熱しながら該基板を一方向に移動せ
しめ、かつこれと同時に前記基板上に反応性ガス状物の
根状気流を供給して、前記基板上に反応性ガス状物の熱
分解生成物の薄膜を形成せしめることを特徴とするもの
である。
また本発明の薄膜製造装置は、基板上に反応性ガス状物
の板状気流を該基板に沿って供給す向けて照射する掃引
ミラーを固定すると共に、前記基板を一方向に連続して
移動可能としたことを特徴とするものである。
の板状気流を該基板に沿って供給す向けて照射する掃引
ミラーを固定すると共に、前記基板を一方向に連続して
移動可能としたことを特徴とするものである。
本発明では、基板が一方向のみに連続的に移動するので
、通常では連続法と呼ばれる。
、通常では連続法と呼ばれる。
かかる連続法において重要なことは、基板の固有吸収波
長（λＳ）に合致した波長（λＬ）のレーザビームを照
射することである。
長（λＳ）に合致した波長（λＬ）のレーザビームを照
射することである。
通常、レーザビームは基板により反射、透過、吸収され
るが、λＳとλｌ、が合致した時にのみレーザビームが
基板に吸収される。
るが、λＳとλｌ、が合致した時にのみレーザビームが
基板に吸収される。
そして基板の吸収係数（α）が大きい程、基板内に侵入
したレーザビームは基板の表面近くで、通常では１０μ
ｍ以内で吸収され、加熱エネルギーに変換され、この結
果、瞬間的な表面層加熱が起シ、通常５００°Ｃ〜６０
０°Ｃに基゛体表面が加熱される。
したレーザビームは基板の表面近くで、通常では１０μ
ｍ以内で吸収され、加熱エネルギーに変換され、この結
果、瞬間的な表面層加熱が起シ、通常５００°Ｃ〜６０
０°Ｃに基゛体表面が加熱される。
そして本発明においては、基板を連続的に一方向に移動
させることによって基板は広ｄコのレーザビームで照射
され、基板の移動にともなって基板表面が順次、瞬間的
に加熱され、基板表面に反応性ガス状物の熱分解生成物
の薄膜が形成されるのである。
させることによって基板は広ｄコのレーザビームで照射
され、基板の移動にともなって基板表面が順次、瞬間的
に加熱され、基板表面に反応性ガス状物の熱分解生成物
の薄膜が形成されるのである。
ここで本発明における広巾のレーザビームと方向に直線
状の加熱効果を発揮する場合を指す。
状の加熱効果を発揮する場合を指す。
図は本発明の薄膜製造装置の実施例を示す概要図である
。
。
基板１を輸送する軌道架台２を横断して十分に長いスリ
ットノズル３を取付け、反応性ガス状物の高速の薄板状
気流４を供給する。気流４の厚さは５〜２０朋程度で、
軌道架台２の上を移動中の基板１の表面に触れることな
く、平行に流れる。
ットノズル３を取付け、反応性ガス状物の高速の薄板状
気流４を供給する。気流４の厚さは５〜２０朋程度で、
軌道架台２の上を移動中の基板１の表面に触れることな
く、平行に流れる。
更に一定間隔を置いてスリットノズル６に対向して、長
方形の開口を有する排気ヘッド５を同様に取付け、スリ
ットノズル６から到達した板状気流４を吸引・排出する
。
方形の開口を有する排気ヘッド５を同様に取付け、スリ
ットノズル６から到達した板状気流４を吸引・排出する
。
次に、軌道架台２の中心軸Ｙの上方に掃引ミラー６を取
付け、これにより、し〜ザビームをスリットノズル３と
排気ヘッド５の間に向けて投射し、軌道架台２上を一定
速度で進行する基板１の表面を横断して、高速で掃引・
加熱する。
付け、これにより、し〜ザビームをスリットノズル３と
排気ヘッド５の間に向けて投射し、軌道架台２上を一定
速度で進行する基板１の表面を横断して、高速で掃引・
加熱する。
かくして、軌道架台上を移動中の基板１の表面には連続
的に膜面が形成されて行く。
的に膜面が形成されて行く。
本発明においては、レーザビームは発振器から出力され
た筐まの太いビームを使用し、特別にレンズ等で細く絞
る必要はない。
た筐まの太いビームを使用し、特別にレンズ等で細く絞
る必要はない。
均一な膜面を形成するためには、発信器から出たビーム
の直径をｄ（Ｃ：ＩｒＬ）、掃引ミラーの振動周波数を
ｆ（Ｈｚ）、基板の移動速度Ｖ（〜値）士よ とすると、ｉＰ／ ｖ ＞ ｌを満す必要がある。気流
の速度はｖ ） ｌ ｍ／ｓｅｃ 、気流の厚さを１〜
ＪｌｐＣｒｎとすることが好捷しい。
の直径をｄ（Ｃ：ＩｒＬ）、掃引ミラーの振動周波数を
ｆ（Ｈｚ）、基板の移動速度Ｖ（〜値）士よ とすると、ｉＰ／ ｖ ＞ ｌを満す必要がある。気流
の速度はｖ ） ｌ ｍ／ｓｅｃ 、気流の厚さを１〜
ＪｌｐＣｒｎとすることが好捷しい。
スリットノズル６は、また、必要に応じ、その高さを基
板面から、２〜２０αの高さに設定し、３０“〜６０°
の傾角で板状気流を、レーザビームによる直線掃引加熱
部（Ｈ）へ向けて噴射してもよい。
板面から、２〜２０αの高さに設定し、３０“〜６０°
の傾角で板状気流を、レーザビームによる直線掃引加熱
部（Ｈ）へ向けて噴射してもよい。
基板上のすべての点は、レーザビームが基板上を通過す
るとき瞬間的に高温に、しかも極く薄い表面層に限って
加熱され、通過後は素早く冷却される。
るとき瞬間的に高温に、しかも極く薄い表面層に限って
加熱され、通過後は素早く冷却される。
すなわち、レーザビームの掃引照射によって熱的に化学
変化を引起す捷で高温に加熱されるのは、基板の極く表
面層のみに限られる。その表面加熱層の厚さは、およそ
１０μｍ以内である。
変化を引起す捷で高温に加熱されるのは、基板の極く表
面層のみに限られる。その表面加熱層の厚さは、およそ
１０μｍ以内である。
そして基板１に接する空間に存在する反応性ガス状物は
瞬時に熱分解され、熱分解生成物の薄膜がビームの通過
部に堆積される。この膜物質の厚さは、ビームの通過速
度により変化し、通過速成が増加すると膜物質堆積速度
は低下する。
瞬時に熱分解され、熱分解生成物の薄膜がビームの通過
部に堆積される。この膜物質の厚さは、ビームの通過速
度により変化し、通過速成が増加すると膜物質堆積速度
は低下する。
従って堆積膜の厚さを一定に保つには基板１の移動によ
って掃引するレーザビームの通過速度の増大にともない
、ビームのエネルギーを増加しなければならない。
って掃引するレーザビームの通過速度の増大にともない
、ビームのエネルギーを増加しなければならない。
ところで、発明者らの検討結果によると、ビームエネル
ギーＥ（ワット）と、ビーム移動速度ｕ（ｃｎＬ／！１
ｃＣ）との間には次の関係があることが判明した。
ギーＥ（ワット）と、ビーム移動速度ｕ（ｃｎＬ／！１
ｃＣ）との間には次の関係があることが判明した。
８５０％
すなわち、基板面全体に均一な膜面を形成するだめには
、与えられたレーザビームのエネルギーにおいて、基板
移動速度を常に一定に保持する必要があることがわかる
。
、与えられたレーザビームのエネルギーにおいて、基板
移動速度を常に一定に保持する必要があることがわかる
。
本発明において使用される基板としては、従来の薄膜形
成法において用いられた基板をすべて用いることができ
、たとえばガラス板、金属板、石英板、セラミックス板
などをあげることができる。
成法において用いられた基板をすべて用いることができ
、たとえばガラス板、金属板、石英板、セラミックス板
などをあげることができる。
これら基板に加えてプラスチック、木材などを用いるこ
ともできる。この際、通常のレーザ発振器が発生ずるビ
ームの直径は小さく、１．０ｍｍφ以下なので形成され
る膜面も同程度の円形斑点となる。従って広い表面薄膜
を形成するだめには、ビーム径を必要な大きさに拡大し
なければならない。しかしながら、ビーム径を拡大すれ
ば、照射表面でのエネルギー密度が下り、熱分解反応の
誘発が困雛になる。まだ、ビーム断面にエネルギー分布
が存在するので、膜厚が不均一になる。
ともできる。この際、通常のレーザ発振器が発生ずるビ
ームの直径は小さく、１．０ｍｍφ以下なので形成され
る膜面も同程度の円形斑点となる。従って広い表面薄膜
を形成するだめには、ビーム径を必要な大きさに拡大し
なければならない。しかしながら、ビーム径を拡大すれ
ば、照射表面でのエネルギー密度が下り、熱分解反応の
誘発が困雛になる。まだ、ビーム断面にエネルギー分布
が存在するので、膜厚が不均一になる。
そこで本発明においては、基板を一方方向にのみ移動さ
せ、この基板上に反応性ガス状物の薄板状気流を供給し
ながら広巾のレーザビームを照射して基板上に反応性ガ
ス状物の分ＩＩＩｆ（生成物の薄膜を形成せしめるので
ある。
せ、この基板上に反応性ガス状物の薄板状気流を供給し
ながら広巾のレーザビームを照射して基板上に反応性ガ
ス状物の分ＩＩＩｆ（生成物の薄膜を形成せしめるので
ある。
ここで反応性ガス状物とは、加熱された基体表面に接触
して極めて速やかに熱分１簀されるガス状物、すなわち
ガス状且だは煙霧状の熱分解性原料であり、基体表面に
は熱分解生成物の清浄な薄膜が形成される。
して極めて速やかに熱分１簀されるガス状物、すなわち
ガス状且だは煙霧状の熱分解性原料であり、基体表面に
は熱分解生成物の清浄な薄膜が形成される。
使用するレーザは数ｉｏ ｍｗ以上の出力があれば連続
波でもパルス波でもよい。
波でもパルス波でもよい。
好ましくは、基板に照射したときに発熱効果の大きなも
の、換言すれば基板がレーザビームを効率良く吸収する
ものであることが好ましい。
の、換言すれば基板がレーザビームを効率良く吸収する
ものであることが好ましい。
従って基板とレーザビームとの間には最適の組合せが存
在する。
在する。
たとえば、８１基板に対しては、Ａｒレーザ（波長０．
４８μｍ）、クリプトンレーザ（０，５３μｍ）、ルビ
ーレーザ（０，６９μ兜）が、セラミックスやガラスに
対しては、ＹＡＧレーザ（１，０６１ｔｍ ）、ＨＦ／
ＤＦグミ力＃ ｖ−サ（２，５〜４．０６ ｔｔｍ ）
、ＣＯ２レーザ（１０，６ｐｍ ）が利用される。本発
明の最大の利点は、通常の高温化学蒸着法と同様、すべ
ての反応性薬品を反応性ガス状物原料として利用出来る
という汎用性にある。
４８μｍ）、クリプトンレーザ（０，５３μｍ）、ルビ
ーレーザ（０，６９μ兜）が、セラミックスやガラスに
対しては、ＹＡＧレーザ（１，０６１ｔｍ ）、ＨＦ／
ＤＦグミ力＃ ｖ−サ（２，５〜４．０６ ｔｔｍ ）
、ＣＯ２レーザ（１０，６ｐｍ ）が利用される。本発
明の最大の利点は、通常の高温化学蒸着法と同様、すべ
ての反応性薬品を反応性ガス状物原料として利用出来る
という汎用性にある。
従って、製作可能な薄膜素材−１極めて広範囲に亘る。
たとえば、ＡＪ、 Ｓｉ、 ｃｒ、 Ｎｒ、 ｃｃ＋、
Ｆｅ等の金属、ＭｏＳｉ２． ＷＳｉ２． ＴａＳｉ
２． ＰｔＳｉ２． ＮｂＳｉ、。
Ｆｅ等の金属、ＭｏＳｉ２． ＷＳｉ２． ＴａＳｉ
２． ＰｔＳｉ２． ＮｂＳｉ、。
Ｎ’Ｃｒ＋ Ｓ’Ｃ’ 、ＺｎＣｕ＋ Ｉ ｎＳｂ 、
Ｇａ５１） 、 ＬａＧａ 、 ＮｄＮ１゜Ｎｂ５Ａ
Ａ、 ＮｂＳｎ、 Ｂ１Ｔｅ等の合金、また、化合物材
刺では５１０２．Ａｚ２ｏ３． ＴｌＯ２，ｚｒｏ２．
５ｎ０２．Ｉｎ２０ｇ＋Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物、ＳｉＣ
，ＴｉＣ，Ｂ４Ｃ，ＷＣ，ＶＣ。
Ｇａ５１） 、 ＬａＧａ 、 ＮｄＮ１゜Ｎｂ５Ａ
Ａ、 ＮｂＳｎ、 Ｂ１Ｔｅ等の合金、また、化合物材
刺では５１０２．Ａｚ２ｏ３． ＴｌＯ２，ｚｒｏ２．
５ｎ０２．Ｉｎ２０ｇ＋Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物、ＳｉＣ
，ＴｉＣ，Ｂ４Ｃ，ＷＣ，ＶＣ。
ｚｒｃ等の炭化物、ＴＩＮ 、 ＢＮ 、 ＡＩ！Ｎ、
ＴａＮ 、 Ｓ’３Ｎ４ 。
ＴａＮ 、 Ｓ’３Ｎ４ 。
ＣｒＮ、 ＶＮ等の窒化物、ＴｉＢ２． ＺｒＢ２．
ＣｒＢ２． ＷＢ。
ＣｒＢ２． ＷＢ。
ＬａＢ、、 ＭＯＢ２等の硼化物、その他、硫化物など
殆んどすべての電子・情報・エネルギー・機械・化学工
業用の表面及び機能性膜素材を網羅する。
殆んどすべての電子・情報・エネルギー・機械・化学工
業用の表面及び機能性膜素材を網羅する。
以上述べたように本発明によれば、従来の技術にない明
白な効果が奏せられる。
白な効果が奏せられる。
すなわち、基板の１次元的移動によるレーザビームの掃
引照射によって熱的に化学変化を引起すまで高温に加熱
されるのは、基板の極〈表面層のみに限られる。その表
面加熱層の厚さは、およそ１０μｍ以内である。従って
、基板自体の温度は上ることはなく、高温反応は表面層
に限って起り、短時間に冷却する。すなわち、実質的に
、薄膜製作工程は低温化されたことになる。
引照射によって熱的に化学変化を引起すまで高温に加熱
されるのは、基板の極〈表面層のみに限られる。その表
面加熱層の厚さは、およそ１０μｍ以内である。従って
、基板自体の温度は上ることはなく、高温反応は表面層
に限って起り、短時間に冷却する。すなわち、実質的に
、薄膜製作工程は低温化されたことになる。
従って、従来の基板全体、あるいは基板とその周辺の原
料ガス状物全体が加熱される薄膜製造方法のように、二
次的、三次的な分解反応や副反応を生ずることがほとん
どなく、目的とする薄膜形成反応のみを優先的に実施す
ることができる。そして、製作された膜は、高温反応生
成膜に特有な高品質で、附着力の優れたものが得られる
。
料ガス状物全体が加熱される薄膜製造方法のように、二
次的、三次的な分解反応や副反応を生ずることがほとん
どなく、目的とする薄膜形成反応のみを優先的に実施す
ることができる。そして、製作された膜は、高温反応生
成膜に特有な高品質で、附着力の優れたものが得られる
。
本発明により、酸化物膜を製作する時は、大気中で実施
出来る便益がある。しかも、大面積の膜面を連続的に製
造することが可能である。
出来る便益がある。しかも、大面積の膜面を連続的に製
造することが可能である。
反応性薄板状気流を安定化したり、特種ガス雰囲気又は
減圧・真空を必要とする時は、密閉室或はペルジャー内
で実施することもできる。
減圧・真空を必要とする時は、密閉室或はペルジャー内
で実施することもできる。
レーザビームに対し透過率の高い結晶桐材を用いる。レ
ーザビームの鼓長が赤外域にあっても、可視域にあって
も利用出来る結晶板としては、Ｚｎ５ｅ、 ＭｇＦ２．
ＬｉＦ、 ｃａＦ’２． ＢａＦ２． ＮａＣ１，Ｋ
Ｃ１！。
ーザビームの鼓長が赤外域にあっても、可視域にあって
も利用出来る結晶板としては、Ｚｎ５ｅ、 ＭｇＦ２．
ＬｉＦ、 ｃａＦ’２． ＢａＦ２． ＮａＣ１，Ｋ
Ｃ１！。
Ｋ Ｂ ｒ等が挙げられる。とりわけ、５１ｏ２． Ｌ
ｉＦ。
ｉＦ。
ＭｇＦ２等は可視域において良好な性能を示す。
以下、本発明の実施例を述べる。
実施例
連続法によシ、連続して移動する板ガラスに対し、５ｉ
０２膜の形成を実施しだ。図示の如く、試料台７を水平
に定速輸送する軌道架台２を用意し、その中央上方に掃
引ミラー６を取付けだ。
０２膜の形成を実施しだ。図示の如く、試料台７を水平
に定速輸送する軌道架台２を用意し、その中央上方に掃
引ミラー６を取付けだ。
軌道架台２の長さは１６ｍ、試ト１ガラス板（１，００
ｍｍＸ １００ｍｍ×１ｍｍ ） １を輸送する試料台
７の広さは２００ ｕｎ Ｘ ２００１１ｒｍ、掃引ミ
ラー６の寸法は３０ｍｍ×２０ｍｒｎ、その増刊は高さ
は試料台７よシ１ｍ、取付は角度は水平面に対し４５°
で、ミラーの振動軸は軌道架台２の中心軸Ｙを含む垂直
面内にある。
ｍｍＸ １００ｍｍ×１ｍｍ ） １を輸送する試料台
７の広さは２００ ｕｎ Ｘ ２００１１ｒｍ、掃引ミ
ラー６の寸法は３０ｍｍ×２０ｍｒｎ、その増刊は高さ
は試料台７よシ１ｍ、取付は角度は水平面に対し４５°
で、ミラーの振動軸は軌道架台２の中心軸Ｙを含む垂直
面内にある。
更に、長さ１５０ｍｍ、巾１ｒｎｍｔｙ）スリン１−ｉ
５本刻んだスリットノズル６を軌道架台２を横断して取
付け、これと対向して、約２０１下流にｊ、１１気ヘツ
ド５を取付けだ。各々の試料台からの高さは２ｃｍとＩ
ｃｍである。抽気ヘッド５の開口は２００ｍｍ Ｘ ６
０ ｒｄｍで、２０ ｍ／ｓｅｃの吸引速度で矢印り方
向に排気を行なった。
５本刻んだスリットノズル６を軌道架台２を横断して取
付け、これと対向して、約２０１下流にｊ、１１気ヘツ
ド５を取付けだ。各々の試料台からの高さは２ｃｍとＩ
ｃｍである。抽気ヘッド５の開口は２００ｍｍ Ｘ ６
０ ｒｄｍで、２０ ｍ／ｓｅｃの吸引速度で矢印り方
向に排気を行なった。
次いで、スリットノズル６がらＳ；ＣＺ、の蒸気Ｏ２ガ
スを含んだＡｒガスを噴射した。同時に掃引ミラー６を
駆動しつつ板ガラス１を載せた試料台７を、定速度でビ
ーム掃引部■（を通過させた。
スを含んだＡｒガスを噴射した。同時に掃引ミラー６を
駆動しつつ板ガラス１を載せた試料台７を、定速度でビ
ーム掃引部■（を通過させた。
かくして、従続した３台の試料台上の板ガラス面に５Ｉ
Ｏ２膜を連続的に形成した。この時のレーザビームＬの
ビームエネルギーは５５ ｗａｔｔ 、ビーム径ｆｄ
６ ｍｍφ、ミラー振動数は１０Ｈｚ、反応性ガス状物
の総流量は１２１／ｍＵｎ （Ｓ’ｃｔ！４飽和Ａｒ：
２ １／ｍｉｎ、 ０２ ： ３ ｌ／ｍｉｎ
、 Ａｒ ： ７ ｌ／ｍ１ｎ）、 試
ｒ＝’ｌ一台７の移動速度は５ｍｒａｌψＣである。形
成した５ｉｎ２膜の厚さは約２５００穴、黄橙色の単一
干渉色を示した。
Ｏ２膜を連続的に形成した。この時のレーザビームＬの
ビームエネルギーは５５ ｗａｔｔ 、ビーム径ｆｄ
６ ｍｍφ、ミラー振動数は１０Ｈｚ、反応性ガス状物
の総流量は１２１／ｍＵｎ （Ｓ’ｃｔ！４飽和Ａｒ：
２ １／ｍｉｎ、 ０２ ： ３ ｌ／ｍｉｎ
、 Ａｒ ： ７ ｌ／ｍ１ｎ）、 試
ｒ＝’ｌ一台７の移動速度は５ｍｒａｌψＣである。形
成した５ｉｎ２膜の厚さは約２５００穴、黄橙色の単一
干渉色を示した。
図は本発明の薄膜製造装置の実施例を示す概要図である
。 １・・・基板、６・・・スリットノズル、６・・・掃引
Ｓう〜。
。 １・・・基板、６・・・スリットノズル、６・・・掃引
Ｓう〜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 広巾のレーザビームで基板を照射して加熱しなが
ら該基板を一方向に移動せしめ、かつこれと同時に前記
基板上に反応性ガス状物の板状気流を供給して、前記基
板上に反応性ガス状物の熱分解生成物の薄膜を形成せし
めることを特徴とする薄膜製造方法。 ２ 基板上に反応性ガス状物の板状気流を該基板に沿っ
て供給するスリットノズルを設け、該反応性ｉｆス状物
の板状気？ｌ”’に広巾のレーザビームを前記基板に向
けて照射する掃引ミラーを固定すると共に、前記基板を
一方向に連続して移動可能としたことを特徴とする薄膜
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24761183A JPS59140367A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 薄膜製造方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24761183A JPS59140367A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 薄膜製造方法とその装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17343682A Division JPS5961920A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 薄膜製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59140367A true JPS59140367A (ja) | 1984-08-11 |
Family
ID=17166077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24761183A Pending JPS59140367A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 薄膜製造方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59140367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4731255A (en) * | 1984-09-26 | 1988-03-15 | Applied Materials Japan, Inc. | Gas-phase growth process and an apparatus for the same |
| US4859496A (en) * | 1986-09-02 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing an electrically-conductive transparent film |
| US4936252A (en) * | 1985-08-23 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Equipment for manufacturing semiconductor devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680125A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation of monocrystalline semiconductor film |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24761183A patent/JPS59140367A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680125A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation of monocrystalline semiconductor film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4731255A (en) * | 1984-09-26 | 1988-03-15 | Applied Materials Japan, Inc. | Gas-phase growth process and an apparatus for the same |
| US4936252A (en) * | 1985-08-23 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Equipment for manufacturing semiconductor devices |
| US4859496A (en) * | 1986-09-02 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing an electrically-conductive transparent film |
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