JPS59138186A - クロマ信号のエンフアシス・デイエンフアシス回路 - Google Patents

クロマ信号のエンフアシス・デイエンフアシス回路

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JPS59138186A
JPS59138186A JP58011558A JP1155883A JPS59138186A JP S59138186 A JPS59138186 A JP S59138186A JP 58011558 A JP58011558 A JP 58011558A JP 1155883 A JP1155883 A JP 1155883A JP S59138186 A JPS59138186 A JP S59138186A
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高瀬 修
Tomomitsu Azeyanagi
畔柳 朝光
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    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00Details of colour television systems
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  • Multimedia (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、クロマ信号記録・再生方式に係り特に低レベ
ルのサイドバンドをもつクロマ信号に混入するノイズ低
減に好適で、記録、再生兼用化に好都合なりロマエンフ
ァシス・ディエンファシス回路に関する。
〔従来技術〕
従来のビデオテープレコーダ(以下VTRと称す)技術
として、トラッキング性能を向上させるものにフィリッ
プス社のV−2000方式があり、音質向上技術として
、音声信号を周波数変調し、ビデオトラック上に周波数
多重で記録することが古くから知られている。
上記の方式におけるビデオトラック上に記録される信号
のスペクトル図を第1図に示す。ここで問題となるのけ
、パイロット信号23、FM音声信号24がクロマ信号
22に干渉し、クロマ画質を劣化させることである。
第1図において、21はFM輝度信号、22は低域変換
クロマ信号、23はトラッキングコントロ。
−ル用パイロット信号、24はFM音声信号である。
問題となるのは、パイロット信号25、FM音声信号2
4がクロマ信号22のサイドバンド信号として再生され
、画面上にビート妨害を生じることと、テープ、ヘッド
系の非直線性によりスプリアスfc±2fp (tc:
りOff周波数、fp:パイロット周波数)を生じ、同
じく画面上にビート妨害を生じることである。
上記妨害は(1)クロマ信号がAM記録であること、(
2)パイロット周波数、FM音声周波数がクロマ信号帯
域と接近していること、(3)パイロット信号、FM音
声信号記録レベルが十分低くないことに寄因している。
したがって、夫々の周波数を十分離すが、クロマ信号を
FM信号に変換して記録すればよいわけだが、この場合
は広い帯域幅を必要とすることになり、記録密度の低下
を招き実用にならない、あるいけパイロット信号、FM
音声信号の記録レベルを十分下げることも考えられるが
この場合はトラッキング制御特性、音質に問題を生じ実
用にならない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来技術の欠点をなくし、クロマ信号
に混入するノイズを低域させることができ記録・再生兼
用化に適するクロマエンファシスディエンファシス回路
を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達するため、記録時、再生時にクロマ信号の
小振幅入力をそれぞれサイドバンドエンファシス、サイ
ドバンドディエンファシスするための回路を設け、該回
路はダイオードを逆極性並列接続した可変インピーダン
ス素子、および丁7とCからなるトラップ回路とから構
成する。また、エンファシス回路、ディエンファシス回
路を互いに逆特性としやすくするため、フィードバック
技術を用い、両回路を兼用化し回路規模を節約するもの
である。
〔発明の実施例〕
第2図は、本発明のクロマエンファシス回路の一実施例
を示すブロック図である。第2図において、1は信号電
圧源、2はクロマエンファシス回路の入力端子、3は電
圧制御電圧源(以下vCvと称する。)、4は抵抗、5
はエンファシス用非線形回路、6はバッファ回路、7は
加算回路、8はクロマエンファシス回路の出力端子であ
る。
エンファシス用非線形回路5は、クロマサブキャリア周
波数fsc(NTSCでは約3.58 M HzPAL
では約4.45 yr Hz )に交流インピーダンス
が零の点をもち、かつ入力レベルがある程度大の時には
入力インピーダンスがほとんど零、入力レベルが小さく
なるにつれ入力インピーダンスが増加するような回路で
ある。このような回路は例えば第5図に示す回路で実現
できる。第5図において11は入力端子+ Dt + 
D2はダイオード+ L+けインダクタンス+C+は容
量でありLI。
C1の共振周波数はfscである。ダイオードDI+D
2には、比較的小さな入力レベルで入力インピーダンス
が零に近づくショットキー型を使用すると回路の小信号
レベル化に有利である。第2図の回路の動作を説明する
。信号電圧源1によりVCV3にはAelの電圧を生じ
る。AはVCv3の増幅率である。この電圧Ae1に対
し抵抗4非線形回路5が9荷となりバッファ回路乙の入
力に次のような電圧を生じさせる。それは、クロマサブ
キャリア周波数成分を抑圧されて一サイドバンド成分の
みとなったクロマ信号であり、かつ最大レベルを制限さ
れた信号である。このような信号をバッファ回路6を通
して取り出し加算回路7でもとの信号と加算する。これ
により出力端子8に得る信号はサイドバンドが強調され
た信号であり強調される度合はもとの信号でサイドバン
ドのレベルが小さいほど大きくなっている。
つまりサイドバンドのレベルによりダイナミックにサイ
ドバンドエンファシスされたクロマ信号となる。このよ
うにエンファシス処理された信号は再生回路で逆特性を
もつディエンファシス回路に通すことにより、サイドバ
ンドレベルの小さなりロマ信号のS/Nを改善すること
ができる。
第2図で抵抗4(値はR)は、非線形回路5の駆動イン
、ピーダンスとなるもので直列共振素子I、1ス回路の
周波数特性の一例を第7図に示す。
非線形回路5は第6図のようにすることもできる。第6
図においてC2は直流分カットのための容量r R1−
R5は抵抗+ 011 Q 2 ’ri トランジスタ
L2け直流分導通のためのインダクタンスである。
第6図において第5図と同じ記号で示した要素は同じも
のを示す。この回路では’R,3/ R4= 3程度に
なるようにする。これにより入力信号レベルがあ捷り大
きく変化しなくても、ダイオードのインピーダンス変化
効果を得ることができるので、回路の低入力レベル化に
有利である。
@3図に、第2図とは別の実施例を示す。第21’2]
との違いけVCV3のかわりに電圧制御電流源(以下v
CCと称する。)9を用いることである。他の部分は全
く同様である。第3図では、信号電圧源1により、VC
C9にgmvlの電流を生じる。grnはVCC9の変
換コンダクタ源則により、VCC9と抵抗4は、第2図
における、VCV3と抵抗4に全く等価なものであるこ
とが説明できる。したがって回路動作は第2図の実施例
と全く同じである。
第4図に第2図、第3図とは別の実施例を示す。第4図
で10は第2の抵抗(値はR’) 、 16はVR/け
次のようになる。
よって出力端子8に得る信号は、抵抗4の両端に生じる
電圧にelを加えたものであり、第3図の例と全く同様
になる。このように第4図の例では加算回路7が不要と
なり回路が簡単になる。
第8図は、本発明のクロマディエンファシス回路の一実
施例を示すブロック図である。第8図で31は、(ディ
エンファシス回路に入力する)信号電圧源、3SIdク
ロマデイ工ンフアシス回路の入力端子、33は減算回路
、34ハクロマデイ工ンフアシス回路の出力端子である
。第8図の回路の伝達関数は、第2図の回路と互いに逆
になることが示される。それは、VCV3の入力からバ
ッファ回路乙の出力までの伝達関数’rG(sa)、(
ただしaは入力レベル)とすると、第2図の回路の伝達
関数: 1 +G(s、a)であるからである。
第9図は、第8図とは別のディエンファシス回路の実施
例である。第9図は第3図のエンファシス回路をフィー
ドバック型にしたものであり動作は第8図の実施例と全
く同じである0箪10図は本発明のクロマエンファシス
・ディエンファシス兼用回路の一実施例を示すブロック
図である。第10図において35は記録・再生切り換え
スイッチである。図示の切り換え位置は再生時(ディエ
ンファシス回路使用時)を示している。
第10図は第2図のエンファシス回路と、を第8図のデ
ィエンファシス回路とを兼用化したものであり構成要素
として増加するものはスイッチ35のみである。第11
図は、第10図とは別のクロマエンファシス・ディエン
ファシス兼用回路の実施例である。第11図は第6図の
エンファシス回路と、第9図のディエンファシス回路と
を兼用化したものであり構成要素として増加するものは
スイッチ35のみである。
第10図、第11図で、出力端子34への引き出し点は
スイッチ35の出力とすることもできる。また、加算回
路7へ至るスイッチ55の出力からのバスは、スイッチ
35のbの入力側か、ら引き出して加算回路7へ至るよ
うにしてもよい。
第12図は、第10図・第11図とは別のクロマエンフ
ァシス・ディエンファシス兼用回路の実施例である。第
12図は、第41図のエンファシス回路と第9図のディ
エンファシス回路とを兼用化したものである。この実施
例では第101’2]、第11図の実施例と比較して加
算回路7が不要であり[c!3路の簡略化がはかれる。
バッファ回路が第10図、11図の例と比較して1つ多
いが、そのうちバッファ回路6け、減算回路33と一体
化が容易であり実質的に複雑にならL2めることはない
第12図で、出力端子54への引き出し点はスイッチ3
5の出力とすることもできる。
次に第10図、第11図、12図の実施例のクロマエン
ファシス・ディエンファシス回路を用いるクロマ信号処
理系におけるACCへのバースト信号振幅検出点につい
て述べる。これらの実施例に見るよう々クロマエンファ
シス・ディエンファシス回路は入力レベルによって周波
数特性の変化する非線形回路であるから入力バーストレ
ベルがばらつかないようにしなければならない。
そこで、記録時にはクロマエンファシス回路の入力側を
ACCへのパース信号振幅検出点として入力レベルを合
わせる。これにより正しいダイナミックな特性でクロマ
信号へのエンファシスができる。
また再生時には記録時と信号処理の順序が全く逆になる
べきであるから、クロマディエンファシス回路の出力を
ACCへのバースト信号振幅検出点とする。これにより
正しいダイナミックな特性でクロマ信号のディエンファ
シスができる。
第13図に、本発明のクロマエンファシス・ディエンフ
ァシス兼用回路の具体的な一実施例を示す。同図におい
て、01□〜Q39はトランジスタR11−R2Oは抵
抗+ Dt 1+ Dt 2はショットキーダイオード
、C1+〜C14は容量、■ノ+3 + L12はイン
ダクタンス+ Sl + 82は記録再生切り換えスイ
ッチ回路+ EIは電圧源、 41 、42.43はそ
れぞれ第1.第2.第3の集積回路のピンである。
第13図は、方式としては第12図の実施例に準拠して
いる。
記録時の動作を説明する。記録時は、スイッチ回路84
 + 82の切り換え位置を図示と逆にする。
これによりQ26をON、 Q25 eOF F (!
: Lテ入力端子2からの信号をQ24ベース、同エミ
ッタ023 + Q27ペースへと導く。さらにQ27
エミツター、 R25+ 029ベース、同エミッタ、
Q3.ペースへと導く。それと同時に027エミツタが
らR121r 、 R,37テ分圧すレfc信号カ03
4 ヘー ス、同エミッタ、032ベースへと導かれる
。(C,2は交流カットのパスコンである。)したがっ
て差動対Q31 * Q32への入力とじては、(1R
37+R26)倍0信号が導かれる・差動対Q3+ +
 Q32は電圧制御電流源であり、R13oけ第12図
の抵抗10. R2s + R29で第12図の抵抗4
に相当するものとなっている。第1のビン41の外付け
は非線形回路5である。したがってQ31のコレクタに
生ずる信号を036のエミッタフォロワ(以下FFと称
する。)に導きさらに出力端子8へ導けばよい。等制約
に、R37の値によりgm(あるいl叶A)の調整を行
なうことができる。
再生時の動作を説明する。スイッチ回路SI+82を図
示の位置とする。入力端子32からの信号は、Qllの
EFへ導かれ、フィードバックされQ10のEFに導か
れた信号とR++ + R+2でアッテネート加算され
る。この信号はQ+sのEF。
Q+6のレベルシフトを通してさらにR15+ R16
から差動対0+s 、’ Q19に入力される。差動対
Q+s + Q10によって構成される差動増幅器の出
力rrl O,9のコレクタに得る。ここまでのアッテ
ネート→増幅の過程で利得がOdBとなるようにR36
で調整する。CI+の効用については後述する。信号は
次に021ベース、同エミッタ、022027ベースの
順に導かれる。ここから、差動対Q31 + 032ま
での動作は記録時と同様である。
フィードバックする信号は入力信号とレベルを合わせる
ためにR48とR29とによってアッテネートされた信
号を使う。ディエンファシス回路への入力信号レベルを
適当に設定することによってアッテネートをなくしても
よい。再生時の出力は(’)2+エミツタから、出力端
子34に得る。
一般的に、第12図に示す回路を理想的に実現できれば
、そのエンファシス回路とディエンファシス回路とは完
全に逆特性となる。しかし、第13図のように実回路を
作り動作させる場合、そのままでは、エンファシス回路
とディエンファシス回路とでは周波数特性の中心がずれ
るという現象が生じる。これはフィードバークパスにト
ランジスタのコレクタ容量等によりわずかながら位相遅
れを生じるためである。そこで、実質的に位相遅れを補
正するような何らかの補正が必要である。第13図の実
施例では次のような補正ができる。それは、C目を完全
なパスコンとせずにやや値を小さめに選ぶことによって
Qlg + Q19の差動増幅器を位相進みをもった増
幅器とすることである。これによりフィードツクパスに
生ずる位相遅れを補正し記録・再生で互換のよいエンフ
ァシス・ディエンファシス兼用回路ができる。
このように、C+1+ R,3aを、また前述したよう
にCI2 +’ R37を、集積回路においても外付け
にした方がよい。ただし調整の必要がない場合は、これ
らを集積回路内に内蔵してもよい。
第13図の実施例で、省電力化をはかるには、各トラン
ジスタのコレクタ電流を減らした設計全行なえばよい。
ただしR28+ R=29の値は直列共振回路CI3 
+ L13の駆動インピーダンスとなるもので、そのQ
の値をあまり小さくしないために、高インピーダンス化
には限度がある。このため03+ + Q32 + 0
33に限ってはコレクタ電流をあ甘り減らさない設計に
する。また第131辺の実施例のように記録・再生で切
り換えて、回路動作に不要なトランジスタをOFFにす
るようにすれば、さらに省電力化に効果的である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、クロマ信号に混入する雑音を低減でき
るので、再生画のクロマS/Nの改善に効果がある。ま
たエンファシス回路、ディエンファシス回路を簡単〈兼
用化することができ、回路規模の増大を小さく抑えるこ
とができる。しかもエンファシス回路、ディエンファシ
ス回路を互いに逆回路とすることが容易である。
【図面の簡単な説明】
第1図はビデオトラック上に書かれる信号のスペクトラ
ムの1例を示す特性図、第2図は本Q明によるクロマエ
ンファシス回路の一例を示すブロック図、第3図、第4
図は本発明によるクロマエンファシス回路の他の実施例
を示すブロック図、第5図、第6図は本発明に用いられ
るエンファシス用非線形回路の一例を示す回路図、第7
図はエンファシス特性の一例を示す特性図、第8図、第
9図は本発明によるクロマディエンファシス回路の一実
施例を示すブロック図、第10図、第11図、第12図
は本発明によるクロマエンファシス・ディエンファシス
兼用回路の例を示すブロック図、第13図体本発明のク
ロマエンファシス・ディエンファシス兼用の一具体回路
例を示す回路図である。 符号の説明 3・・・電圧制御電圧源 5・・・エンファシス用の非線形回路 7・・・加算回路 9・・・電圧制御電流源 33・・・減算回路 35・・・記録・再生切り換えスイッチ第1図 五 o     7    2j     4     ぴ
〜J 第3図 第4図 第6図 2 第7区 第87 喚9図 32. 2(

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 逆並列接続したダイオードと、これと実質的に並列にイ
    ンダクタンスと容量からなるトラップ回路を接続1.て
    エンファシス特性、またはディエンファシス特性を得、
    記録・再生のための切り換え手段と、記録時と再生時の
    特性を逆特性とする実質的な減算回路を有するクロマ信
    号エンファシス・ディエンファシス回路。
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