JPS5913777A - 7−ホモピペラジン置換−4−オキソ−1,4−ジヒドロキノリン−3−カルボン酸誘導体 - Google Patents
7−ホモピペラジン置換−4−オキソ−1,4−ジヒドロキノリン−3−カルボン酸誘導体Info
- Publication number
- JPS5913777A JPS5913777A JP12283682A JP12283682A JPS5913777A JP S5913777 A JPS5913777 A JP S5913777A JP 12283682 A JP12283682 A JP 12283682A JP 12283682 A JP12283682 A JP 12283682A JP S5913777 A JPS5913777 A JP S5913777A
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- carboxylic acid
- oxo
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- homopiperazine
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な7−ホモビペラシン置換−4−2キソ−
1,4−ジヒドロキノリン−6−カルボン酸KA導体、
及びその:45理学的に許容しりる塩に関するものであ
る。
1,4−ジヒドロキノリン−6−カルボン酸KA導体、
及びその:45理学的に許容しりる塩に関するものであ
る。
更(こ詳しく言えは、本発明は・般式(1)(式中、R
] はメチル又C4エチル基を表わし、R2i:を水素
原r−又は炭素数1r−4の低級−rルギル基を表わず
。) で示される新規な7−ポモビペラシン置換−4−オギソ
ー114−シヒl゛rコキノリン−ろ−カルボン酸誘導
体、及びその蓄DIj パi的に3r(容し2:する塩
に関するものである。
] はメチル又C4エチル基を表わし、R2i:を水素
原r−又は炭素数1r−4の低級−rルギル基を表わず
。) で示される新規な7−ポモビペラシン置換−4−オギソ
ー114−シヒl゛rコキノリン−ろ−カルボン酸誘導
体、及びその蓄DIj パi的に3r(容し2:する塩
に関するものである。
前記−・般式(1)で示される化合物の薬理学的に許容
し7うるI漁とし7て(才、酸fζl’ I+n塩Yけ
アルカIJ fづ加塩が挙げられ、酸(・1加塩として
は、たとえば、1盆酸、h11酸、f流酸、rA化水素
酸、ヨウ化水素酸、燐酸等の奢、酸塩、あるいは酢酸、
71−イン酸、フマール酸、クエン酸、泗石酸等の有機
酸塩が、アルカリfζJ加塩とし、ては、たとえは、ナ
トす1りl・、カリウム、カルシウム、アンモニラl−
塩等の無機アルカリ塩、あるいはエタノールアミン、N
、N−ジアルキルエタノールアミン等の有機塩基の塩等
が挙げられる。
し7うるI漁とし7て(才、酸fζl’ I+n塩Yけ
アルカIJ fづ加塩が挙げられ、酸(・1加塩として
は、たとえば、1盆酸、h11酸、f流酸、rA化水素
酸、ヨウ化水素酸、燐酸等の奢、酸塩、あるいは酢酸、
71−イン酸、フマール酸、クエン酸、泗石酸等の有機
酸塩が、アルカリfζJ加塩とし、ては、たとえは、ナ
トす1りl・、カリウム、カルシウム、アンモニラl−
塩等の無機アルカリ塩、あるいはエタノールアミン、N
、N−ジアルキルエタノールアミン等の有機塩基の塩等
が挙げられる。
本発明の前記−・般式(T)で示される新規な7−ポモ
ビにラジン箇換−4−副キソー1.4−ジヒド(コギノ
リンー6−カルボン酸誘導体は、種々の方法により弾性
することができる。
ビにラジン箇換−4−副キソー1.4−ジヒド(コギノ
リンー6−カルボン酸誘導体は、種々の方法により弾性
することができる。
本発明に係わる化合物の製造方法の第・り)様式によれ
ば、1)11記−・般式(1)で示される化合物は、次
グ)−・般式(1■) バ1 (式中、R]け1111述と同に義を表わす。)で示さ
れる7−クロロ−/I−′:Aキソー1,4−ジヒドロ
キノリン−6−カルボン酸誘導体と、次の−・般式(川
) (式中、R2は前述と同意義を表わす。)で示されるホ
モピペラジン誘導体とを、無溶媒下あるいけ溶媒下にお
いて反1+1’、Vさゼ2)ことにより製造することが
できる。
ば、1)11記−・般式(1)で示される化合物は、次
グ)−・般式(1■) バ1 (式中、R]け1111述と同に義を表わす。)で示さ
れる7−クロロ−/I−′:Aキソー1,4−ジヒドロ
キノリン−6−カルボン酸誘導体と、次の−・般式(川
) (式中、R2は前述と同意義を表わす。)で示されるホ
モピペラジン誘導体とを、無溶媒下あるいけ溶媒下にお
いて反1+1’、Vさゼ2)ことにより製造することが
できる。
本反応において使用される溶媒とし2ては、たとえば、
水、ブクノール、3−メ1−キンブタノール、イソアミ
ルアルコール’8 N’) 7 九ml−ルハ1、エチ
レングリコールジメチルニープル(モノゲライム)、ジ
エヂレングリコールジメヂルエーテル(ジグライム)、
I□リエチ1−ンクIJ コーtbジメチルニーデル(
1−リグライム)等のエーテA!、 ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスフメリ
ノクトリアミドのような非プロトン トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、あるいは、ピリジ
ン、ピコリン、ルチジン、フリジン、トリエチルアミン
等の有機塩基が挙げられて]。
水、ブクノール、3−メ1−キンブタノール、イソアミ
ルアルコール’8 N’) 7 九ml−ルハ1、エチ
レングリコールジメチルニープル(モノゲライム)、ジ
エヂレングリコールジメヂルエーテル(ジグライム)、
I□リエチ1−ンクIJ コーtbジメチルニーデル(
1−リグライム)等のエーテA!、 ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスフメリ
ノクトリアミドのような非プロトン トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、あるいは、ピリジ
ン、ピコリン、ルチジン、フリジン、トリエチルアミン
等の有機塩基が挙げられて]。
又、反応は室温から200°でflわれ、好ましくけ1
00〜18o0の範囲で適宜選択される。
00〜18o0の範囲で適宜選択される。
本発明の製造方法において出発原料となった前記一般式
(11)で示される7−クロロ−4−Aキン−1.4−
ジヒドロキノリン−6−カルボン酸誘導体は、たとえば
、特開昭53.−141286号、特開昭55−717
658号に既に開示されている公知の物質であり、又前
記一般式( III )で示されるホモピペラジン誘導
体も、たとえば、ザ・ジャーナル−Aブ づルガニノタ
ケ 、ミ ス l・ リ ー ( The
Journal of Organ1CChθ
mistry)、 26. 4 1 38 (1 96
1 )、米国時31第3210336号等で既に開示
されている公知の物質である。
(11)で示される7−クロロ−4−Aキン−1.4−
ジヒドロキノリン−6−カルボン酸誘導体は、たとえば
、特開昭53.−141286号、特開昭55−717
658号に既に開示されている公知の物質であり、又前
記一般式( III )で示されるホモピペラジン誘導
体も、たとえば、ザ・ジャーナル−Aブ づルガニノタ
ケ 、ミ ス l・ リ ー ( The
Journal of Organ1CChθ
mistry)、 26. 4 1 38 (1 96
1 )、米国時31第3210336号等で既に開示
されている公知の物質である。
本発明に係わる化合物の製造ノj法の第二の様式によれ
ば、前記一般式(1)で示される化合物は、前記一般式
(1)中R2 が水素原子である次の一般式(TV) (式中、R] は前述と同意義を表わす。)で示される
ノーホモピペラジノ−4−Aキン−1、4−ジヒドロキ
ノリン−ろーカルボン酸誘導体と、次の一般式(V) R2−X(V) (式中、R2 は前述と同意義を、Xはハロゲン原子を
表わす。) で示されるハロゲン化アルキルとを、溶媒中、脱酸剤と
しての塩基の存在干、又は不rYイEl’に反応さセる
ことにより製造することができる。
ば、前記一般式(1)で示される化合物は、前記一般式
(1)中R2 が水素原子である次の一般式(TV) (式中、R] は前述と同意義を表わす。)で示される
ノーホモピペラジノ−4−Aキン−1、4−ジヒドロキ
ノリン−ろーカルボン酸誘導体と、次の一般式(V) R2−X(V) (式中、R2 は前述と同意義を、Xはハロゲン原子を
表わす。) で示されるハロゲン化アルキルとを、溶媒中、脱酸剤と
しての塩基の存在干、又は不rYイEl’に反応さセる
ことにより製造することができる。
本発明の方法において使用される溶媒としては、反応を
阻害しない限りいかなるものでもよく、タトえば、アセ
1−ン,エタノール、エーテル、テ1ラヒドロフラン,
ジAキ゛リン、ヘンゼン,トルエン、クロロホルム等が
挙げられる。
阻害しない限りいかなるものでもよく、タトえば、アセ
1−ン,エタノール、エーテル、テ1ラヒドロフラン,
ジAキ゛リン、ヘンゼン,トルエン、クロロホルム等が
挙げられる。
本発明の方法において使用される脱酸剤としての塩基と
しては、たとえば、1−リエチルアミン,ピリジン、炭
酸カリウム等が挙げられる。
しては、たとえば、1−リエチルアミン,ピリジン、炭
酸カリウム等が挙げられる。
又、反応は室温から使用される溶媒の加熱還流下tこお
いて行われ、好ま1シ<は使用される溶媒の加熱還流F
において行うことである。
いて行われ、好ま1シ<は使用される溶媒の加熱還流F
において行うことである。
本発明に係わる化合物の製造lj法の、第三の様式によ
れば、[)11記−・般式(1)で示される化合物は、
前記一般式(IV )で示される7−ホモビペノジメー
4−メキソー7,4−ンヒドロキノリンー6−カルボン
酸誘導体と、次の一般式() %式%(1) (式中、R3は水素原子又は炭素数7〜乙の低級アルギ
ル基を表わす。) で示されるカルポール化合物とを、ギ酸のrr在七に反
1心さゼることにより製造することができる0 本発明の方法において使用されるjtiJ記一般式(V
【)で示されるカルボニル化合物としては、ホルムアル
デヒド、γセ1−アルデヒド、fロビAンアルデヒドが
挙げられ、ホルムアルデヒドはホルトアルデヒド水溶液
(ホルマリン)として使用することが好ましく、又アセ
トアルデヒ1゛人びプロピオンアルデヒドを使用する時
は、ニトロベンゼンを溶錬としてバエいることが好まし
い。
れば、[)11記−・般式(1)で示される化合物は、
前記一般式(IV )で示される7−ホモビペノジメー
4−メキソー7,4−ンヒドロキノリンー6−カルボン
酸誘導体と、次の一般式() %式%(1) (式中、R3は水素原子又は炭素数7〜乙の低級アルギ
ル基を表わす。) で示されるカルポール化合物とを、ギ酸のrr在七に反
1心さゼることにより製造することができる0 本発明の方法において使用されるjtiJ記一般式(V
【)で示されるカルボニル化合物としては、ホルムアル
デヒド、γセ1−アルデヒド、fロビAンアルデヒドが
挙げられ、ホルムアルデヒドはホルトアルデヒド水溶液
(ホルマリン)として使用することが好ましく、又アセ
トアルデヒ1゛人びプロピオンアルデヒドを使用する時
は、ニトロベンゼンを溶錬としてバエいることが好まし
い。
又、反応!′:1100〜200°で行われるが、好ま
しくは反応系の還流温度下において行うことである。
しくは反応系の還流温度下において行うことである。
この様にして製造される前記−・般式(1〕で示される
新規な7−ポモビペラシン置換−4−オキソ−1,4−
ジヒドロキノリン−ろ−カルボン酸誘導体、及びその薬
理学的に許容しうる塩は、ダラム陽性菌、グラム@性菌
に対し7広い抗菌作用を有し、医桑として締めて有/’
lである。
新規な7−ポモビペラシン置換−4−オキソ−1,4−
ジヒドロキノリン−ろ−カルボン酸誘導体、及びその薬
理学的に許容しうる塩は、ダラム陽性菌、グラム@性菌
に対し7広い抗菌作用を有し、医桑として締めて有/’
lである。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例1
1−エチル−6−フル]ロー7−(1−ホモピペラジニ
ル)−4−オキソ−1,7I−ジヒドロキノリン−6−
カルホ゛ン酸 1−エチル−6−フルオロ−ツークロロ−4−オキソ−
1,4−ジヒドロキノリン−6−カルボン酸2.00g
、ホモピペラジン3.70gの混合物を、120〜13
o0で5時間加熱攪拌する。4後、反応液に20%酢酸
水溶液20m/を加える。次いで10%水酸化リトすウ
ノ・水溶液にて中性となし、析出物を11取する。i戸
数物をエタノールで洗’ffr 後、メクノールークロ
ロホルー−(11)より阿結晶して、融点7915〜1
93°の淡黄色結晶0.97gを得る。
ル)−4−オキソ−1,7I−ジヒドロキノリン−6−
カルホ゛ン酸 1−エチル−6−フルオロ−ツークロロ−4−オキソ−
1,4−ジヒドロキノリン−6−カルボン酸2.00g
、ホモピペラジン3.70gの混合物を、120〜13
o0で5時間加熱攪拌する。4後、反応液に20%酢酸
水溶液20m/を加える。次いで10%水酸化リトすウ
ノ・水溶液にて中性となし、析出物を11取する。i戸
数物をエタノールで洗’ffr 後、メクノールークロ
ロホルー−(11)より阿結晶して、融点7915〜1
93°の淡黄色結晶0.97gを得る。
元素分析値 017820FN303 ・−820理論
値 C,56,66; H,6,15; N、 11.
66実験値 0.56.48 ; H,6,12; N
、 11.55実施例2 1−エチル−6−フル詞ロー7−(4−メチル−1−ホ
モピペラジニル)−4−オキソ−114−ジヒドロキノ
リン−ろ−カルボン酸・塩酸(奮 実施例1で得r−)れた7−エチル−6−フルオ「コー
7−(1−ホモピペラジニル)−4−オキソ−1,4−
シヒ1−ロキノリンーろ−カルボン酸093g、90%
ギ酸1.5 ml及び67%ポルマリン1.2 mlの
混合物を、6時間加熱還流する。
値 C,56,66; H,6,15; N、 11.
66実験値 0.56.48 ; H,6,12; N
、 11.55実施例2 1−エチル−6−フル詞ロー7−(4−メチル−1−ホ
モピペラジニル)−4−オキソ−114−ジヒドロキノ
リン−ろ−カルボン酸・塩酸(奮 実施例1で得r−)れた7−エチル−6−フルオ「コー
7−(1−ホモピペラジニル)−4−オキソ−1,4−
シヒ1−ロキノリンーろ−カルボン酸093g、90%
ギ酸1.5 ml及び67%ポルマリン1.2 mlの
混合物を、6時間加熱還流する。
冷後反応液を濃縮し、得られた残渣をメタノール100
胛/に溶解後、活性炭処B++をイテつ。次いでエタノ
ール性塩酸で酸性となし、析出物をi戸数し、無色結晶
0.81gを得る。メタノールから再結晶して、融点2
70〜275° (分解)の無色針状晶を得る。
胛/に溶解後、活性炭処B++をイテつ。次いでエタノ
ール性塩酸で酸性となし、析出物をi戸数し、無色結晶
0.81gを得る。メタノールから再結晶して、融点2
70〜275° (分解)の無色針状晶を得る。
元素分析値 018H22FHsos・HG!]理論値
c、 56.32 ; H,6,04; N、 10
.95実験値 a、 55.90 ; F+、 6.1
0 N、 10.86特許出願人 北陸製蓄株式会
社
c、 56.32 ; H,6,04; N、 10
.95実験値 a、 55.90 ; F+、 6.1
0 N、 10.86特許出願人 北陸製蓄株式会
社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ・般式 (式中、R1けメチル又はエチルノルを表わし、F(;
!け水素原子・又は炭素数1〜/Iの低級アルキル基を
表わす。) で示される7−ポモビペラジン置換−4−オキソ−1,
4−シヒFロギノリンーろ−カルボン酸誘導体、及びそ
の準B14学的にd′1容しつる塩。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12283682A JPS5913777A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 7−ホモピペラジン置換−4−オキソ−1,4−ジヒドロキノリン−3−カルボン酸誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12283682A JPS5913777A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 7−ホモピペラジン置換−4−オキソ−1,4−ジヒドロキノリン−3−カルボン酸誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5913777A true JPS5913777A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14845831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12283682A Pending JPS5913777A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 7−ホモピペラジン置換−4−オキソ−1,4−ジヒドロキノリン−3−カルボン酸誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5913777A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6166070A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | 株式会社東芝 | 真空断熱パネルの製造方法 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP12283682A patent/JPS5913777A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6166070A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | 株式会社東芝 | 真空断熱パネルの製造方法 |
JPH0451752B2 (ja) * | 1984-09-07 | 1992-08-19 | Tokyo Shibaura Electric Co |
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