JPS5913452B2 - 光フアイバ−母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ−母材の製造方法Info
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- JPS5913452B2 JPS5913452B2 JP5103779A JP5103779A JPS5913452B2 JP S5913452 B2 JPS5913452 B2 JP S5913452B2 JP 5103779 A JP5103779 A JP 5103779A JP 5103779 A JP5103779 A JP 5103779A JP S5913452 B2 JPS5913452 B2 JP S5913452B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- refractive index
- hydrogen gas
- optical fiber
- Prior art date
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- Expired
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/36—Fuel or oxidant details, e.g. flow rate, flow rate ratio, fuel additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
光ファイバー母材の製造方法の一方法として多5 重の
同心状のノズルを用い、中心よりそれぞれガラス原料ガ
ス、不活性ガスおよび燃焼用の水素ガスおよび酸素ガス
を流して、ガラス粉体あるいはガラス体を作る方法があ
る。
同心状のノズルを用い、中心よりそれぞれガラス原料ガ
ス、不活性ガスおよび燃焼用の水素ガスおよび酸素ガス
を流して、ガラス粉体あるいはガラス体を作る方法があ
る。
この製造方法は、ガラス原料を高温に加熱して、酸化反
応および加水10分解反応によりガラス粉体を生成させ
、かつ各々のガス流量を変えることにより、ガラス粉体
に所定の屈折率分布を与えるものであり、高速でスズ粉
体を生成することができるという大きな特徴を有してい
るが、酸化反応および加水分解反応を利15用している
ことから自ら各々のガス流量比が限定されるため、所定
の屈折率分布を有した光ファイバー母材を安定に製造す
ることが困難であつた。本発明は、上記事実に鑑み、所
定の屈折率分布を有する光ファイバー母材を高速でかつ
安定に製20造する方法に関するものである。光ファイ
バーの屈折率分布の代表例を第1図aおよびbに示す。
応および加水10分解反応によりガラス粉体を生成させ
、かつ各々のガス流量を変えることにより、ガラス粉体
に所定の屈折率分布を与えるものであり、高速でスズ粉
体を生成することができるという大きな特徴を有してい
るが、酸化反応および加水分解反応を利15用している
ことから自ら各々のガス流量比が限定されるため、所定
の屈折率分布を有した光ファイバー母材を安定に製造す
ることが困難であつた。本発明は、上記事実に鑑み、所
定の屈折率分布を有する光ファイバー母材を高速でかつ
安定に製20造する方法に関するものである。光ファイ
バーの屈折率分布の代表例を第1図aおよびbに示す。
aは屈折率が階段状に変化しているもので光源との結合
が良くかつ低損失であるという特徴を有し、bは屈折率
が放物線状に変化25しているもので、伝送帯域幅がa
に比べて広くとれ、伝送できる情報量が多いという特徴
を有している。この屈折率分布は概路次式で表わすこと
ができる。 1n(に)■ n0〔1−(に/a)α〕
2(ハ30但しに:中心よりの距離a■半径 n(に):中心よりに離れた部分の屈折率n0:中心に
おける屈折率 α:係数 35例え(よ、(1)式においてα=ωにすれば、第1
図aの屈折率分布を表す。
が良くかつ低損失であるという特徴を有し、bは屈折率
が放物線状に変化25しているもので、伝送帯域幅がa
に比べて広くとれ、伝送できる情報量が多いという特徴
を有している。この屈折率分布は概路次式で表わすこと
ができる。 1n(に)■ n0〔1−(に/a)α〕
2(ハ30但しに:中心よりの距離a■半径 n(に):中心よりに離れた部分の屈折率n0:中心に
おける屈折率 α:係数 35例え(よ、(1)式においてα=ωにすれば、第1
図aの屈折率分布を表す。
第2図bの場合の代表的なαの値は2.0である。本発
明による光フアイバ一母材の製造力法例の概略を第2図
に示す。
明による光フアイバ一母材の製造力法例の概略を第2図
に示す。
5重の同心円状のバーナー1の中心より、ガラス原料イ
21(例えばSiC4、GeCl4およびPOCl3等
)および水素ガス22、ガラス原料口23(例えばSi
Cl4およびPOCl3等)および水素ガス24、不活
性ガヌ25(例えばAr,He,N2等)、水素ガス2
6および酸素ガス27を流しバーナー1の外で酸化反応
および加水分解反応によりガラス微粒子を生成させ回転
方向2に回転した出発部材4に堆積させて光フアイバ一
用母材であるガラス微粒子堆積体5を製造する。
21(例えばSiC4、GeCl4およびPOCl3等
)および水素ガス22、ガラス原料口23(例えばSi
Cl4およびPOCl3等)および水素ガス24、不活
性ガヌ25(例えばAr,He,N2等)、水素ガス2
6および酸素ガス27を流しバーナー1の外で酸化反応
および加水分解反応によりガラス微粒子を生成させ回転
方向2に回転した出発部材4に堆積させて光フアイバ一
用母材であるガラス微粒子堆積体5を製造する。
ここで、水素ガヌ22、水素ガス24および水素ガス2
6を流量を変化させることによりガラス微粒子体5の屈
折率分布が変化し、かつバーナー中心を流れる水素ガス
22の流量と前述の式(1)におけるαの値に強い相関
があり、水素ガス22の流量を50CC/分から300
CC/分に変化させることによりαが1.16から10
.32に制御できることを実験的に見い出した。本実験
事実は、ガラス微粒子体の酸化反応および加水分解反応
が温度に大きく依存することから、熱伝導率が他のガス
より大きく可燃性である水素ガヌ22の流量によりガラ
ス微粒子3の製造時の火炎の温度分布が変化することに
帰因しているものと推察される。この推察により水素ガ
ス22の代りに他の軽元素ガス(例えばHe)を用いて
も同様な効果が得られることは容易に推測できる。実施
例 1 5重の同心円状のバーナーの中心より、以下のガヌを流
してガラス微粒子体を製造した。
6を流量を変化させることによりガラス微粒子体5の屈
折率分布が変化し、かつバーナー中心を流れる水素ガス
22の流量と前述の式(1)におけるαの値に強い相関
があり、水素ガス22の流量を50CC/分から300
CC/分に変化させることによりαが1.16から10
.32に制御できることを実験的に見い出した。本実験
事実は、ガラス微粒子体の酸化反応および加水分解反応
が温度に大きく依存することから、熱伝導率が他のガス
より大きく可燃性である水素ガヌ22の流量によりガラ
ス微粒子3の製造時の火炎の温度分布が変化することに
帰因しているものと推察される。この推察により水素ガ
ス22の代りに他の軽元素ガス(例えばHe)を用いて
も同様な効果が得られることは容易に推測できる。実施
例 1 5重の同心円状のバーナーの中心より、以下のガヌを流
してガラス微粒子体を製造した。
中心ノズル:SiCl4llOCC/分、GeCl43
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分および水素ガス50CC/分第2ノズル:Si
Cl45OCC/分、アルゴンガス70CC/分および
水素ガス200CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガス 31/
分第5ノズル:酸素ガス 71/分得られた
ガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1450℃
で透明ガラス化した後に屈折率分布を測定した結果、α
は1.16であつた。
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分および水素ガス50CC/分第2ノズル:Si
Cl45OCC/分、アルゴンガス70CC/分および
水素ガス200CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガス 31/
分第5ノズル:酸素ガス 71/分得られた
ガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1450℃
で透明ガラス化した後に屈折率分布を測定した結果、α
は1.16であつた。
実施例 25重管の同心円状のバーナーの中心より、以
下のガスを流してガラス微粒子体を製造した。
下のガスを流してガラス微粒子体を製造した。
中心ノズル:SiCl4llOCC/分、GeCl43
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分および水素ガス100CC/分第2ノズル:S
iCl45OCC/分、アルゴンガス70CC/分およ
び水素ガス200CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガヌ 31
/分第5ノズル:酸素ガス 71/分得られ
たガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1450
℃で透明ガラス化した後に屈折率分布を測定した結果、
αが2.05の放物線状の屈折率分布を示した。
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分および水素ガス100CC/分第2ノズル:S
iCl45OCC/分、アルゴンガス70CC/分およ
び水素ガス200CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガヌ 31
/分第5ノズル:酸素ガス 71/分得られ
たガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1450
℃で透明ガラス化した後に屈折率分布を測定した結果、
αが2.05の放物線状の屈折率分布を示した。
実施例 3
5重管の同心円状のバーナーの中心より以下のガスを流
してガラヌ微粒子体を製造した。
してガラヌ微粒子体を製造した。
中心ノズル:SiCl4llOCC/分、GeCl43
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分および水素ガス300CC/分第2ノズル:S
iCl45OCC/分、アルゴルガス70cc/分およ
び水素ガヌ200CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガヌ 31
,/分第5ノズル:酸素ガヌ 715/分こ
のガラス微粒子体を透明ガラス化した後屈折率分布を測
定した結果αは10.32であつた。
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分および水素ガス300CC/分第2ノズル:S
iCl45OCC/分、アルゴルガス70cc/分およ
び水素ガヌ200CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガヌ 31
,/分第5ノズル:酸素ガヌ 715/分こ
のガラス微粒子体を透明ガラス化した後屈折率分布を測
定した結果αは10.32であつた。
即ち、中心ノズルから原料ガスと共に噴出される水素ガ
スの量によつて屈折率分布が大巾に変化できることを確
認した。これに対して、原料ガスに水素ガスを添加せず
燃焼用の水素ガス流量を変化させて屈折率分布を測定し
た。比較例 1 5重の同心円状のバーナーの各層より、以下のガスを流
して、ガラス微粒子体を製造した。
スの量によつて屈折率分布が大巾に変化できることを確
認した。これに対して、原料ガスに水素ガスを添加せず
燃焼用の水素ガス流量を変化させて屈折率分布を測定し
た。比較例 1 5重の同心円状のバーナーの各層より、以下のガスを流
して、ガラス微粒子体を製造した。
中心ノズル:SlCl4llOCC/分、GeCl43
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分第2ノズル:SiCl45OCC/分、アルゴ
ンガス70cc/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガス 3。
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分第2ノズル:SiCl45OCC/分、アルゴ
ンガス70cc/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガス 3。
251/分第5ノズル:酸素ガス 71/分
得られたガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1
450℃で透明ガラス化した後に屈折率分布を測定した
結果、αは1.13であつた。
得られたガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1
450℃で透明ガラス化した後に屈折率分布を測定した
結果、αは1.13であつた。
比較例 2同上の装置を用いて、下記のガラス微粒子体
を製造した。
を製造した。
中心ノズル:SiCl4llOCC/分、GeCl43
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分第2ノズル:SiCl45OCC/分、アルゴ
ンガス70CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガス 4.1015/
分第5ノズル:酸素ガヌ 71/分得られた
ガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1450℃
で透明ガラヌ化した後に屈折率分布を測定した結果、α
は1.16.であつた。
Occ/分POCl32CC/分、アルゴンガス250
cc/分第2ノズル:SiCl45OCC/分、アルゴ
ンガス70CC/分第3ノズルリアルゴンガス
11/分第4ノズル:水素ガス 4.1015/
分第5ノズル:酸素ガヌ 71/分得られた
ガラス微粒子体をヘリウム雰囲気中において1450℃
で透明ガラヌ化した後に屈折率分布を測定した結果、α
は1.16.であつた。
以上の如く中心ノズルの原料ガス以外のノズルから噴出
される水素ガヌを変化しても屈折率分布は殆んど変化さ
せることができなかつた。
される水素ガヌを変化しても屈折率分布は殆んど変化さ
せることができなかつた。
第1図A,bは光フアイバ一の屈折率分布の二つの代表
的例を示したもので階段状に変化した屈折率分布及び放
物線状屈折率分布をそれぞれ示す。 第2図は本発明による光フアイバ一母材製造力法を説明
するための概略図を示す。1・・・・・・5重管バーナ
ー、2・・・・・・出発部材の回転方向、3・・・・・
・ガラス微粒子、4・・・・・・出発部材、5・・・・
・・ガラス微粒子堆積体、21・・・・・・ガラヌ原料
ガヌ、22・・・・・・水素ガヌ、23ガラス原料ガス
、24・・・・・・水素ガス、25・・・・・・不活性
ガス、26・・・・・・水素ガヌ、27・・・・・・酸
素ガヌ。
的例を示したもので階段状に変化した屈折率分布及び放
物線状屈折率分布をそれぞれ示す。 第2図は本発明による光フアイバ一母材製造力法を説明
するための概略図を示す。1・・・・・・5重管バーナ
ー、2・・・・・・出発部材の回転方向、3・・・・・
・ガラス微粒子、4・・・・・・出発部材、5・・・・
・・ガラス微粒子堆積体、21・・・・・・ガラヌ原料
ガヌ、22・・・・・・水素ガヌ、23ガラス原料ガス
、24・・・・・・水素ガス、25・・・・・・不活性
ガス、26・・・・・・水素ガヌ、27・・・・・・酸
素ガヌ。
Claims (1)
- 1 5重の同心円状バーナの中心および第2ノズルから
原料ガスと水素ガスとの混合ガス、第3ノズルないし第
5ノズルからそれぞれ不活性ガス、水素ガス、酸素ガス
を流し、ガラス微粒子の光ファイバー母材を製造する方
法において、中心ノズルに添加する水素ガス流量により
屈折率分布を制御することを特徴とする光ファイバー母
材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5103779A JPS5913452B2 (ja) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | 光フアイバ−母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5103779A JPS5913452B2 (ja) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | 光フアイバ−母材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55144433A JPS55144433A (en) | 1980-11-11 |
JPS5913452B2 true JPS5913452B2 (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=12875595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5103779A Expired JPS5913452B2 (ja) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | 光フアイバ−母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5913452B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171350U (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5912313U (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | 志田 行雄 | 建設用足つきブロツク |
DE19527451C2 (de) * | 1995-07-27 | 1998-06-04 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasrohlings und dafür geeigneter Brenner |
EP1216967A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | PIRELLI CAVI E SISTEMI S.p.A. | Method for manufacturing a glass optical fibre preform by vapour deposition |
US20030131626A1 (en) * | 2001-10-08 | 2003-07-17 | Schott Glas | Arrangement for improving the homogeneity of the refractive index of quartz glass objects |
-
1979
- 1979-04-24 JP JP5103779A patent/JPS5913452B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63171350U (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55144433A (en) | 1980-11-11 |
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