JPS5913344A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5913344A JPS5913344A JP12129182A JP12129182A JPS5913344A JP S5913344 A JPS5913344 A JP S5913344A JP 12129182 A JP12129182 A JP 12129182A JP 12129182 A JP12129182 A JP 12129182A JP S5913344 A JPS5913344 A JP S5913344A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- gas
- atomic weight
- film
- metallic
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に関するものであシ、特
に凹凸形状を有する半導体基板上に金属膜を形成する方
法に関するものである。
に凹凸形状を有する半導体基板上に金属膜を形成する方
法に関するものである。
（２）技術の背景
ＬＳＩにおける金属の配線層は半導体装置が集積化され
るに伴い微細化されて来た。配線層を微細化するために
は半導体基板を反応性イオンエツチングのようなドライ
エツチングで配線層形成用の溝を作らなければならない
。
るに伴い微細化されて来た。配線層を微細化するために
は半導体基板を反応性イオンエツチングのようなドライ
エツチングで配線層形成用の溝を作らなければならない
。
（３） 従来技術と問題点
しかしながら前述した反応性イオンエツチング等で形成
した溝は非常に急峻な段差となる（第１図、４で示す。
した溝は非常に急峻な段差となる（第１図、４で示す。
）。第１図は凹凸基板上に従来のプラズマＣＶＤ法によ
ってＡｔ膜を形成した概略断面図である。第１図によれ
ば１例えば＃Ｉ２を有するシリコン基板１上にアルミニ
ウム膜３が形成されている。アルミニウムを第１図のよ
うに形成するためには１例えばトリメチルアルミニウム
Ａｔ（ＣＨｓ）ａが用いられる。 トリメチルアルミニ
ウムは水素ガスと反応してアルミニウムを生ずる。
ってＡｔ膜を形成した概略断面図である。第１図によれ
ば１例えば＃Ｉ２を有するシリコン基板１上にアルミニ
ウム膜３が形成されている。アルミニウムを第１図のよ
うに形成するためには１例えばトリメチルアルミニウム
Ａｔ（ＣＨｓ）ａが用いられる。 トリメチルアルミニ
ウムは水素ガスと反応してアルミニウムを生ずる。
その反応式を以下に示す。
２ ｋｌ （ＣＨｓ ）ｓ＋ ３ Ｈｔ→２Ａｔ＋６Ｃ
Ｈ４上の反応式によって生ずるアルミニウム膜３ ｉＪ
：第１図に示した急峻な段差４を有する溝２に堆積され
るので、該急峻な段差の側面部５では該アルミニウム膜
は基板上で形成されるアルミニウム膜の１０〜２０ （
％）程廐と薄い。このように段差側面部５でアルミニウ
ム膜が十分でないのは、シリコン基板の＃１２の横幅に
も関係するが何と言っても上記反応式によって分解され
て生じたアルミニウムが自重によって垂直方向に方向性
を有し、水平方向には方向性を有しＫ＜いためである。
Ｈ４上の反応式によって生ずるアルミニウム膜３ ｉＪ
：第１図に示した急峻な段差４を有する溝２に堆積され
るので、該急峻な段差の側面部５では該アルミニウム膜
は基板上で形成されるアルミニウム膜の１０〜２０ （
％）程廐と薄い。このように段差側面部５でアルミニウ
ム膜が十分でないのは、シリコン基板の＃１２の横幅に
も関係するが何と言っても上記反応式によって分解され
て生じたアルミニウムが自重によって垂直方向に方向性
を有し、水平方向には方向性を有しＫ＜いためである。
この段差側面部でのアルミニウム薄膜は断線等を引きお
こし、半導体装置の信頼性の低下を招く。
こし、半導体装置の信頼性の低下を招く。
（４） 発明の目的
本発明の目的は、凹凸形状を有する半導体基板上に金属
配線層を良好に形成する方法を提供することである。
配線層を良好に形成する方法を提供することである。
（５）発明の構成
本発明の目的は、金属層を構成する元素の反応ガスと、
該元素の原子量より大きい原子量を有する希ガスとを含
む雰囲気中において、前記反応ガス中に含まれる傘属を
半導体基体上に堆積させることにより達成される。
該元素の原子量より大きい原子量を有する希ガスとを含
む雰囲気中において、前記反応ガス中に含まれる傘属を
半導体基体上に堆積させることにより達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第２図は本発明の方法によってアルミニウム膜を形成し
た場合の概略断面図である。
た場合の概略断面図である。
プラズマ反応装置（図示せず）内にシリコン基板を導入
して反応性イオンエツチングを行ない。
して反応性イオンエツチングを行ない。
第１図と同様の幅２〔μｍ）、深さ約１〔μｍ〕の溝１
２を形成し、凹凸形状を有するシリコン基板１１とした
。次に反応ガスであるトリメチルアルミニウムを５０
［ｃｃ／分） 、水素を５０ （ｃｏ／分） そしてア
ルゴンガスを２００ （ａａ／分〕の割合でプラズマＣ
ＶＤ反応管（図示せず）、に導入し前述の反応を行なわ
しめた。第２図に示されるよう町本方法によれば急峻な
段差の側面部１３に膜厚０．３〜０．５〔μｍ〕のアル
ミニウム膜が付着し、又平坦部には膜厚０．８〔μｍ〕
のアルミニウム膜が堆積した。すなわち段差の側面部に
形成されたアルミニウムの膜厚は、平坦部で形成された
アルミニウムの膜厚の４０〜６０ （％）程度に迄改善
された。この理由は、堆積せしめるアルミニウムの原子
量より大きな原子量の希ガスであるアルゴンガスを導入
したことによって１分解したアルミニウムが反応管内で
該アルゴン原子と衝突し、方向性が減少せしめられるか
らである。なおアルゴンを導入して形成したアルミニウ
ム膜の電気抵抗率はｌＸｌ０〔Ω・釧〕であシ、アルゴ
ンを導入しないで形成したアルミニウム膜の電気抵抗率
と＃′！！’；同一である。
２を形成し、凹凸形状を有するシリコン基板１１とした
。次に反応ガスであるトリメチルアルミニウムを５０
［ｃｃ／分） 、水素を５０ （ｃｏ／分） そしてア
ルゴンガスを２００ （ａａ／分〕の割合でプラズマＣ
ＶＤ反応管（図示せず）、に導入し前述の反応を行なわ
しめた。第２図に示されるよう町本方法によれば急峻な
段差の側面部１３に膜厚０．３〜０．５〔μｍ〕のアル
ミニウム膜が付着し、又平坦部には膜厚０．８〔μｍ〕
のアルミニウム膜が堆積した。すなわち段差の側面部に
形成されたアルミニウムの膜厚は、平坦部で形成された
アルミニウムの膜厚の４０〜６０ （％）程度に迄改善
された。この理由は、堆積せしめるアルミニウムの原子
量より大きな原子量の希ガスであるアルゴンガスを導入
したことによって１分解したアルミニウムが反応管内で
該アルゴン原子と衝突し、方向性が減少せしめられるか
らである。なおアルゴンを導入して形成したアルミニウ
ム膜の電気抵抗率はｌＸｌ０〔Ω・釧〕であシ、アルゴ
ンを導入しないで形成したアルミニウム膜の電気抵抗率
と＃′！！’；同一である。
本発明によりて形成されたアルミニウム膜をパターニン
グしアルミニウム配線を形成することが出来る。
グしアルミニウム配線を形成することが出来る。
上記実施例はアルミニウム膜のみを形成する方法につい
て述べているが他の金属膜９例えばシリコン膜、モリブ
デン膜、タングステン膜等において同様の効果が期待出
来る。たソし導入する希ガスは該それぞれの金属の原子
量より、原子量が大きいことが重要である。例えばシリ
コンの場合は希ガスとしてアルゴン、モリブデンの場合
はクリプトンが適当である。
て述べているが他の金属膜９例えばシリコン膜、モリブ
デン膜、タングステン膜等において同様の効果が期待出
来る。たソし導入する希ガスは該それぞれの金属の原子
量より、原子量が大きいことが重要である。例えばシリ
コンの場合は希ガスとしてアルゴン、モリブデンの場合
はクリプトンが適当である。
（７）発明の詳細
な説明したように本発明に係る方法によれば凹凸形状を
有する半導体基板上に良好な金属膜を形成することが可
能である。
有する半導体基板上に良好な金属膜を形成することが可
能である。
第１図は従来の方法を説明するための概略断面−図であ
り、第２図は本発明に係る方法を説明す不ための概略断
面図である。 １．１１・・・シリコン基板、２．１２・・・溝３．１
３・・・アルミニウム膜、４．１４・・・急峻な段差５
．１５・・・段差の側面部。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
り、第２図は本発明に係る方法を説明す不ための概略断
面図である。 １．１１・・・シリコン基板、２．１２・・・溝３．１
３・・・アルミニウム膜、４．１４・・・急峻な段差５
．１５・・・段差の側面部。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 金属層を構成する元素の反応ガスと、該元素の原子量よ
シ大きい原子量を有する希ガスとを含む雰囲気中におい
て、前記反応ガス中に含まれる金属を半導体基体上に堆
積させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12129182A JPS5913344A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12129182A JPS5913344A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913344A true JPS5913344A (ja) | 1984-01-24 |
| JPS646541B2 JPS646541B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=14807618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12129182A Granted JPS5913344A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091210A (en) * | 1989-09-26 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD of aluminum films |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120335A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-27 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP12129182A patent/JPS5913344A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57120335A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-27 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091210A (en) * | 1989-09-26 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD of aluminum films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646541B2 (ja) | 1989-02-03 |
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