JPS59130440A - 板状物の分離方法 - Google Patents
板状物の分離方法Info
- Publication number
- JPS59130440A JPS59130440A JP58222013A JP22201383A JPS59130440A JP S59130440 A JPS59130440 A JP S59130440A JP 58222013 A JP58222013 A JP 58222013A JP 22201383 A JP22201383 A JP 22201383A JP S59130440 A JPS59130440 A JP S59130440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive sheet
- dicing
- wafers
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェーハのダイシング方法などの板状
物の分離方法に関するものである。
物の分離方法に関するものである。
従来、半導体装置の製造にあたっては、シリコンなどの
半導体ウェーハをスターティングマテリアルとし、これ
に種々のウェーハ処理を施こして多数の素子を１枚のウ
ェーハに形成し、各素子をウェーハ表面の切シ代から分
離して、１枚のウェーハから多数の素子ベレットを得る
ことが行なわれ、分離された素子ベレットをパッケージ
に取り付けているのが一般的である。
半導体ウェーハをスターティングマテリアルとし、これ
に種々のウェーハ処理を施こして多数の素子を１枚のウ
ェーハに形成し、各素子をウェーハ表面の切シ代から分
離して、１枚のウェーハから多数の素子ベレットを得る
ことが行なわれ、分離された素子ベレットをパッケージ
に取り付けているのが一般的である。
しかしながら、従来、半導体ウエーノ・から半導体ペレ
ット（素子ベレット）ヲ得るのにダイシング方式を用い
ると、薄いウェーハや切り込み量が深いときには、ベレ
ット同志のつなぎ部分が少ないものであるため外力に対
し強度的に弱く、ダイシング中にダイヤモンドブレード
部に流しておく冷却水によりウェーハかわれたりペレッ
トが飛散したりすることがあり、ペレットの整列性が悪
くなる欠点がある。この種の問題は、ダイシング後のハ
ンドリング時、洗浄時、スピンナ乾燥時にも発生し、後
工程の自動化がやりにくくなる欠点がある。
ット（素子ベレット）ヲ得るのにダイシング方式を用い
ると、薄いウェーハや切り込み量が深いときには、ベレ
ット同志のつなぎ部分が少ないものであるため外力に対
し強度的に弱く、ダイシング中にダイヤモンドブレード
部に流しておく冷却水によりウェーハかわれたりペレッ
トが飛散したりすることがあり、ペレットの整列性が悪
くなる欠点がある。この種の問題は、ダイシング後のハ
ンドリング時、洗浄時、スピンナ乾燥時にも発生し、後
工程の自動化がやりにくくなる欠点がある。
これは、半導体ウェーハをダイシングする際、ウェーハ
をダイシング装置の真空吸引チャックテーブルにそのま
まの状態で固定し、この状態で冷却水を流しながらダイ
ヤモンドブレードを高速回転させてウェーハ表面をダイ
シングすると共に、ダイシングしたままの状態でもって
ウェーハをハンドリングしたり洗浄、スピンナ乾燥を行
なうことに起因していると考えらねる。
をダイシング装置の真空吸引チャックテーブルにそのま
まの状態で固定し、この状態で冷却水を流しながらダイ
ヤモンドブレードを高速回転させてウェーハ表面をダイ
シングすると共に、ダイシングしたままの状態でもって
ウェーハをハンドリングしたり洗浄、スピンナ乾燥を行
なうことに起因していると考えらねる。
そこで、本発明は、ウェーハのダイシング時などにウェ
ーハが割れたりペレットが飛散しないようにし、整列性
よくウェーハをダイシングしてベレット化し、ダイシン
グ時の不良事故を防止すると共に後工程の自動化を容易
とするような板状物の分離方法を提供することを目的と
するものである。
ーハが割れたりペレットが飛散しないようにし、整列性
よくウェーハをダイシングしてベレット化し、ダイシン
グ時の不良事故を防止すると共に後工程の自動化を容易
とするような板状物の分離方法を提供することを目的と
するものである。
以下、本発明を実施例にもとづいて具体的に詳述する。
第１図〜第１１図は、本発明の実施例の半導体ウェーハ
のダイシング方法とその後の半導体ペレット分離法を示
す概略図である。同図を用いて本発明の実施例の半導体
ウェーハのダイシング方法とその後工程のハンドリング
などをプロセス順に説明する。
のダイシング方法とその後の半導体ペレット分離法を示
す概略図である。同図を用いて本発明の実施例の半導体
ウェーハのダイシング方法とその後工程のハンドリング
などをプロセス順に説明する。
（１）選択不純物拡散、フォトエツチング等のウェー・
・処理を終え、多数の素子が形成されたシリコンなどの
半導体ウェーハ１の裏面に粘着シート２をはりつける（
第１図〜第２図）。粘着シート２は、ダイシング時およ
びその後工程でのウエーノ・１が個々のペレットに分離
され、無秩序に散乱しないために設けるもので、ウェー
７・１裏面に十分な強さで密着させることができ、かつ
必要に応じて容易にはがすことができるものを使用して
いる。
・処理を終え、多数の素子が形成されたシリコンなどの
半導体ウェーハ１の裏面に粘着シート２をはりつける（
第１図〜第２図）。粘着シート２は、ダイシング時およ
びその後工程でのウエーノ・１が個々のペレットに分離
され、無秩序に散乱しないために設けるもので、ウェー
７・１裏面に十分な強さで密着させることができ、かつ
必要に応じて容易にはがすことができるものを使用して
いる。
また、粘着シート２の端ｆｊＩｖＳには、ダイシング後
のウェーハ１の搬送、保管、管理を容易なものとするた
めに、ハンドリング用孔３が設けられているものを使用
している。
のウェーハ１の搬送、保管、管理を容易なものとするた
めに、ハンドリング用孔３が設けられているものを使用
している。
（２）粘着シート２が密着されている半導体ウェー／・
１をダイシング装置の平滑板（テーブル）４上に載置し
、ウェーハ１の位置合わせを行なったのち、ウェーハ１
をテーブル４に真空チャックし、固定する。この状態で
冷却水を流しながらダイヤモンドブレード５を３０００
Ｏｒｐｍ程度で高速回転させ、ウェーハ１における切り
代に溝Ａを入れる（第２図〜第３図）。ダイヤモンドブ
レード５を前後左右に操作させることによりウェーハ１
に格子状の溝Ａを形成することができる（第５図〜第６
図）。溝への深さは、ブレード５とテーブル４との離間
距離を規定することにより任意の値に選定することがで
きる。そして、粘着シート２をウェーハ１裏面にはりつ
けているため、ダイシングによる溝Ａの深さは、可及的
に深くでき、完全にウェーハｌを分断するような形状の
溝Ａをダイヤモンドブレード５ｖｃより形成することも
できる。
１をダイシング装置の平滑板（テーブル）４上に載置し
、ウェーハ１の位置合わせを行なったのち、ウェーハ１
をテーブル４に真空チャックし、固定する。この状態で
冷却水を流しながらダイヤモンドブレード５を３０００
Ｏｒｐｍ程度で高速回転させ、ウェーハ１における切り
代に溝Ａを入れる（第２図〜第３図）。ダイヤモンドブ
レード５を前後左右に操作させることによりウェーハ１
に格子状の溝Ａを形成することができる（第５図〜第６
図）。溝への深さは、ブレード５とテーブル４との離間
距離を規定することにより任意の値に選定することがで
きる。そして、粘着シート２をウェーハ１裏面にはりつ
けているため、ダイシングによる溝Ａの深さは、可及的
に深くでき、完全にウェーハｌを分断するような形状の
溝Ａをダイヤモンドブレード５ｖｃより形成することも
できる。
また、本発明においては、ウェー７１１の鼻面に粘着シ
ートをはりつけた状態でダイシングを行なうため、ダイ
シング溝Ａが深いものであっても、冷却水などにより有
害な外力が加わってもウェーハのわれやベレン）ｌａが
飛散することがない。
ートをはりつけた状態でダイシングを行なうため、ダイ
シング溝Ａが深いものであっても、冷却水などにより有
害な外力が加わってもウェーハのわれやベレン）ｌａが
飛散することがない。
（３） ダイシング後のウエーノ・１すなわちペレッ
トｌａ化されたウエーノ・１をテーブル４から取り外し
、ダイシング時の汚れを取り除くために洗浄を行なう。
トｌａ化されたウエーノ・１をテーブル４から取り外し
、ダイシング時の汚れを取り除くために洗浄を行なう。
このとき、粘着シート２におけるノ・ンドリング用孔３
に横棒６を通し、数枚のウエーノ・１を１連のものとし
て、洗浄液７に浸漬することにより行なうことができる
（第７図〜第８図）。図中、８は洗浄槽である。
に横棒６を通し、数枚のウエーノ・１を１連のものとし
て、洗浄液７に浸漬することにより行なうことができる
（第７図〜第８図）。図中、８は洗浄槽である。
従来は、洗浄槽８の中にウェーハ１保持用治具を設けて
おき、そねにウェーハ１を縦列させて行なっていたため
、洗浄中やノ・ノドリング時あるいは作業中にウェーハ
のわれやかけなどが生じたが本発明においては、このよ
うな事故をなくすことができる。また、洗浄作業が極め
て簡易なものとなる。
おき、そねにウェーハ１を縦列させて行なっていたため
、洗浄中やノ・ノドリング時あるいは作業中にウェーハ
のわれやかけなどが生じたが本発明においては、このよ
うな事故をなくすことができる。また、洗浄作業が極め
て簡易なものとなる。
（４）洗浄後のウェーハ１をスピンナ機にかけスピンナ
乾燥を行なう。このとき、粘着シート２におけるハンド
リング用孔３をスピンナ回転板９のクランプ突起１０に
挿入することにより、ウェーハ１が粘着シート２を介し
てスピンナ回転板９に装着され、回転板９を回転させて
も、ウエーノ・１が遠心力によって飛び去ることなく行
なうことができる（第９図にその概略斜視図を示す）。
乾燥を行なう。このとき、粘着シート２におけるハンド
リング用孔３をスピンナ回転板９のクランプ突起１０に
挿入することにより、ウェーハ１が粘着シート２を介し
てスピンナ回転板９に装着され、回転板９を回転させて
も、ウエーノ・１が遠心力によって飛び去ることなく行
なうことができる（第９図にその概略斜視図を示す）。
（５）スピンナ乾燥後の半導体ウェーハ１を粘着シート
２をはりつけた状態で、裏返しにして弾性ゴムなどから
なる平板１１にのせ、粘着シート２土からローラ１２を
押圧しながら回転移動させてウェーハ１を溝Ａに沿って
破折しくブレーキング）、ウェーハ１を個々の半導体ベ
レットｌａに分割する（第１０図）。
２をはりつけた状態で、裏返しにして弾性ゴムなどから
なる平板１１にのせ、粘着シート２土からローラ１２を
押圧しながら回転移動させてウェーハ１を溝Ａに沿って
破折しくブレーキング）、ウェーハ１を個々の半導体ベ
レットｌａに分割する（第１０図）。
（６）粘着シート２がはられた状態の半導体ウェー・・
ｌを、シート２下面から突き上げ針１３により機械的に
押し上げ、これと連動して降下するコレット（真空吸引
チャック）１４を用いて半導体ペレットｌａｉピックア
ップする（第１１図）。
ｌを、シート２下面から突き上げ針１３により機械的に
押し上げ、これと連動して降下するコレット（真空吸引
チャック）１４を用いて半導体ペレットｌａｉピックア
ップする（第１１図）。
上述したように、本発明は、ダイシング前にあらかじめ
半導体ウェーハの裏面に粘着シートをはりつけておくた
め、ダイシング時に冷却水などによりウェーハかわれた
り、かけたりする破損事故が防止でき、ベレットが飛び
散ることも皆無にできる。また、ダイシング後のハンド
リング（洗浄。
半導体ウェーハの裏面に粘着シートをはりつけておくた
め、ダイシング時に冷却水などによりウェーハかわれた
り、かけたりする破損事故が防止でき、ベレットが飛び
散ることも皆無にできる。また、ダイシング後のハンド
リング（洗浄。
スピンナ乾燥、ベレットピックアップ）時においても、
ハンドリング操作を粘着シートラ通して行なうものであ
るため、ウェーハに直接有害な外力が加わらないため、
ウェーハの破損やベレットの飛散が防止できる。さらに
、ダイシング時ハンドリング時にベレットの整列性を乱
すことがなく、次工程のダイボンディングなどで自動化
が容易となる。
ハンドリング操作を粘着シートラ通して行なうものであ
るため、ウェーハに直接有害な外力が加わらないため、
ウェーハの破損やベレットの飛散が防止できる。さらに
、ダイシング時ハンドリング時にベレットの整列性を乱
すことがなく、次工程のダイボンディングなどで自動化
が容易となる。
第１図〜第１１図は本発明の一実施例である半導体ウエ
ーノ・のダイシング方法とその後工程のノ・ンドリング
などをプロセス１−に謂、明するための概略図で、第１
図、第３図、第５図１．第７図、第１０図は平面図、第
２図１．第４図、第６図、第８図、第１１図はその断面
図、第９図は斜視図である。 １・・・半導体ウエーノ・、１ａ・・・ベレット、２・
・・粘着シート、３・−・ノ・ンドリング用孔、４・・
・平滑板（テープＡ／）、５・・・♂゛イヤモンドプレ
ード６・・・横棒、７・・・洗浄液、８・・・洗浄槽、
９・・・スピンナ回転板、１０・・・クランプ突起、１
１・・・平板、１２・・・ローラ、１３・・・突き上げ
針、１４・・・コレット、Ａ・・・溝。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 ／ 第 ８ 図 ／ ／ 第 ９ 図 第１０図 第１１図
ーノ・のダイシング方法とその後工程のノ・ンドリング
などをプロセス１−に謂、明するための概略図で、第１
図、第３図、第５図１．第７図、第１０図は平面図、第
２図１．第４図、第６図、第８図、第１１図はその断面
図、第９図は斜視図である。 １・・・半導体ウエーノ・、１ａ・・・ベレット、２・
・・粘着シート、３・−・ノ・ンドリング用孔、４・・
・平滑板（テープＡ／）、５・・・♂゛イヤモンドプレ
ード６・・・横棒、７・・・洗浄液、８・・・洗浄槽、
９・・・スピンナ回転板、１０・・・クランプ突起、１
１・・・平板、１２・・・ローラ、１３・・・突き上げ
針、１４・・・コレット、Ａ・・・溝。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 ／ 第 ８ 図 ／ ／ 第 ９ 図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、 （ａ） 板状物の一方の面を粘着シートには
りつける工程 （ｂ） 上記工程の後、上記板状物をダイシングする
工程 （Ｃ） 上記工程の後、上記板状物から分離された所
望の部分を他方の面からピックアップする工程 よりなる板状物の分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222013A JPS59130440A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 板状物の分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222013A JPS59130440A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 板状物の分離方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7109177A Division JPS546455A (en) | 1977-06-17 | 1977-06-17 | Dicing method for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59130440A true JPS59130440A (ja) | 1984-07-27 |
Family
ID=16775739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222013A Pending JPS59130440A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 板状物の分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59130440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58222013A patent/JPS59130440A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
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