JPS59129955A - 光磁気再生装置 - Google Patents
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- JPS59129955A JPS59129955A JP308083A JP308083A JPS59129955A JP S59129955 A JPS59129955 A JP S59129955A JP 308083 A JP308083 A JP 308083A JP 308083 A JP308083 A JP 308083A JP S59129955 A JPS59129955 A JP S59129955A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/10576—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving the transducers for maintaining alignment or spacing relative to the carrier
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｐ直線偏光成分のみからなるＰ偏光もしくは
８［線側光成分のみからなるＳ偏光のうちのいずれか−
万の偏光になる光束を放射するレーザ光源と、このレー
ザ光源から放射される光束が収束される光磁気記録体の
磁気媒体面との間における光束の光路中に、前記磁気媒
体面からの反射による戻り光束の一部を透過もしくは反
射させることにより前記レーザ光源とは異なる方向に指
向させる光路分割手段を設ける光磁気再生装置に係り、
特に光路分割技術に関するものである。
８［線側光成分のみからなるＳ偏光のうちのいずれか−
万の偏光になる光束を放射するレーザ光源と、このレー
ザ光源から放射される光束が収束される光磁気記録体の
磁気媒体面との間における光束の光路中に、前記磁気媒
体面からの反射による戻り光束の一部を透過もしくは反
射させることにより前記レーザ光源とは異なる方向に指
向させる光路分割手段を設ける光磁気再生装置に係り、
特に光路分割技術に関するものである。
背景技術とその問題点
従来、この槙のものとしては、第１図に示されるものが
ある。次に、第１図を説明する。
ある。次に、第１図を説明する。
レー→（−光源となる半導体レーザ（ＬＤｏ）から放射
される１１直線偏光成分のみからなるＰ偏光になる光束
は、コリメータレンズ（ＣＬｏ）、光束におけるＰ直線
偏光成分とＳ直線偏光成分とをいずれも同じ透過率５０
チ（反射率５０係）でもって一部透過きせる光路分割手
段である半透鏡（ＨＭｏ）および対物レンズ（ＯＬｏ）
を経由して、光磁気記録体である光磁タテイスク（Ｌ）
ｏ）の磁気媒体面にスポット状に収束され微細スポット
として結ばれる。
される１１直線偏光成分のみからなるＰ偏光になる光束
は、コリメータレンズ（ＣＬｏ）、光束におけるＰ直線
偏光成分とＳ直線偏光成分とをいずれも同じ透過率５０
チ（反射率５０係）でもって一部透過きせる光路分割手
段である半透鏡（ＨＭｏ）および対物レンズ（ＯＬｏ）
を経由して、光磁気記録体である光磁タテイスク（Ｌ）
ｏ）の磁気媒体面にスポット状に収束され微細スポット
として結ばれる。
一方、磁気媒体面からの反射による戻り光束は、偏光面
が磁気媒体に記録された信号つまり磁化方向の向きによ
り形成されるビット列によって光軸を軸線として正逆に
回転され、Ｐ直線偏光成分に加えてＳ直線偏光成分が含
まれるようになる。そして、この戻り光束は、対物レン
ズ（ＯＬｏ）を経由して半透鏡（’Ｉ−ＩＭ。〕でもっ
てＰＭ線偏光成分およびＳ直線偏光成分夫々が前記反射
率５ｏ％で一部反射きれ、アナライザ等を有する信号系
の光検出手段およびサーボ系の光検出手段に夫々入射き
れる。
が磁気媒体に記録された信号つまり磁化方向の向きによ
り形成されるビット列によって光軸を軸線として正逆に
回転され、Ｐ直線偏光成分に加えてＳ直線偏光成分が含
まれるようになる。そして、この戻り光束は、対物レン
ズ（ＯＬｏ）を経由して半透鏡（’Ｉ−ＩＭ。〕でもっ
てＰＭ線偏光成分およびＳ直線偏光成分夫々が前記反射
率５ｏ％で一部反射きれ、アナライザ等を有する信号系
の光検出手段およびサーボ系の光検出手段に夫々入射き
れる。
然るに、前記磁気媒体面で反射され、偏光面が正逆に回
転された戻り光束の電磁ベクトルは、第２図に示される
如くＰ直線偏光成分とＳ直線偏光成分とを基軸にするＰ
−８軸面で、”ｐｌ、■（。２（−は、ベクトルを示し
、以下同様である。）でもって表わされる。
転された戻り光束の電磁ベクトルは、第２図に示される
如くＰ直線偏光成分とＳ直線偏光成分とを基軸にするＰ
−８軸面で、”ｐｌ、■（。２（−は、ベクトルを示し
、以下同様である。）でもって表わされる。
そして、このような電磁ベクトルＲ・。１％Ｒ０２にな
６戻り光束、オ、前１８判６透鏡（Ｉ−ＩＭＯ）Ｔ反射
、ゎ７． ゛とにより、図示される如くの電磁ベク
トル４１、ｒｏ２で表わされる戻り光束になる。
６戻り光束、オ、前１８判６透鏡（Ｉ−ＩＭＯ）Ｔ反射
、ゎ７． ゛とにより、図示される如くの電磁ベク
トル４１、ｒｏ２で表わされる戻り光束になる。
いま、この電磁ベクトルｒｏ１、ｒｏ２になる戻りｌが
、サーボ系の光検出手段に光路分割することなく信号系
の光検出手段に直接に導かれて入射されると仮定する。
、サーボ系の光検出手段に光路分割することなく信号系
の光検出手段に直接に導かれて入射されると仮定する。
そして、例えば第２図において直ｇｏｘｏになるＳ軸に
対して角度θ３０で傾（透過特性になるアナライザに透
過されて、これによって得られる電磁ベクトルｒ。１、
ｒｏ２にもとづく光量差が光検出体で検出され、再生情
報信号が得られるとする。
対して角度θ３０で傾（透過特性になるアナライザに透
過されて、これによって得られる電磁ベクトルｒ。１、
ｒｏ２にもとづく光量差が光検出体で検出され、再生情
報信号が得られるとする。
しかして、再生情報信号つまり光量差は、前記Ｑ、。に
なる。この差Ｑｒｏは、前記直線ＯＸｏに投影される夫
々の電磁ベクトル”０１ ％ ”０２ の差Ｑ・ＲＯに
比べて小になっていることがわかる。
なる。この差Ｑｒｏは、前記直線ＯＸｏに投影される夫
々の電磁ベクトル”０１ ％ ”０２ の差Ｑ・ＲＯに
比べて小になっていることがわかる。
すなわち、このものでは、光磁気ディスク（Ｄ、）の磁
気媒体面からの反射による戻り光束が、半透鏡（ＨＭ〔
、）によりＰ血線偏光成分更にはＳ直線偏光成分が同じ
反射率で反射されて信号系の光検出手段に導かれ入射さ
れることになるために、磁気媒体に記録きれた信号内容
になるＳ直線偏光成分が減じられることとなって、信号
系の光検出手段で得られる光量差か小さくなることにな
る。このために、所要のＣ／Ｎ％性の再生情報信号がな
かなか得られないという問題点がある。
気媒体面からの反射による戻り光束が、半透鏡（ＨＭ〔
、）によりＰ血線偏光成分更にはＳ直線偏光成分が同じ
反射率で反射されて信号系の光検出手段に導かれ入射さ
れることになるために、磁気媒体に記録きれた信号内容
になるＳ直線偏光成分が減じられることとなって、信号
系の光検出手段で得られる光量差か小さくなることにな
る。このために、所要のＣ／Ｎ％性の再生情報信号がな
かなか得られないという問題点がある。
発明の目的
本発明は、このような問題点に鑑みて発明されたもので
あって、その目的とするところは、光磁気ディスクの磁
気媒体面からの反射による戻り光束を効率良く信号系の
光検出手段に導いて、所要のＣ／Ｎ特性の再生情報信号
が容易に得られる光磁気再生装置を提供することにある
。
あって、その目的とするところは、光磁気ディスクの磁
気媒体面からの反射による戻り光束を効率良く信号系の
光検出手段に導いて、所要のＣ／Ｎ特性の再生情報信号
が容易に得られる光磁気再生装置を提供することにある
。
発明の概要
本発明にかかる光磁気再生装置は、冒頭に記したものに
おいて、 前記光路分割手段が、 （ａ）、前記レーザ光源から放射される光束がＰ偏光で
ある場合であって、 （ｉ）、その光路分割手段を透過する前記Ｐ偏光の光束
の一部が前記磁気媒体面に収束されるときには、前記磁
気媒体面からの戻り光束に含まれるＳ直線偏光成分の殆
んどを反射させ、（Ｉｉ入−万、その光路分割手段で反
射される前記Ｐ偏光の光束の一部が前記磁気媒体面に収
束されるときには、前記磁気媒体面からの戻り光束に含
まれる８直線偏光成分の殆んどを透過させ、（ｂ）、ま
た、前記レーザ光源から放射きれる光束がＳ偏光である
場合であって、 （す、その光路分割手段を透過する前記Ｓ偏光の光束の
一部が前記磁気媒体面に収束されるときには、前記磁気
媒体面からの戻り光束に含まれるＰ直線偏光成分の殆ん
どを反射させ、（ｉす、一方、その光路分割手段で反射
される前記Ｓ偏光の光束の一部が前記磁気媒体面に収束
されるときには、前記磁気媒体面からの戻り光束に含ま
れるＰ直線偏光成分の殆んどを透過させる ことを特徴とするものである。
おいて、 前記光路分割手段が、 （ａ）、前記レーザ光源から放射される光束がＰ偏光で
ある場合であって、 （ｉ）、その光路分割手段を透過する前記Ｐ偏光の光束
の一部が前記磁気媒体面に収束されるときには、前記磁
気媒体面からの戻り光束に含まれるＳ直線偏光成分の殆
んどを反射させ、（Ｉｉ入−万、その光路分割手段で反
射される前記Ｐ偏光の光束の一部が前記磁気媒体面に収
束されるときには、前記磁気媒体面からの戻り光束に含
まれる８直線偏光成分の殆んどを透過させ、（ｂ）、ま
た、前記レーザ光源から放射きれる光束がＳ偏光である
場合であって、 （す、その光路分割手段を透過する前記Ｓ偏光の光束の
一部が前記磁気媒体面に収束されるときには、前記磁気
媒体面からの戻り光束に含まれるＰ直線偏光成分の殆ん
どを反射させ、（ｉす、一方、その光路分割手段で反射
される前記Ｓ偏光の光束の一部が前記磁気媒体面に収束
されるときには、前記磁気媒体面からの戻り光束に含ま
れるＰ直線偏光成分の殆んどを透過させる ことを特徴とするものである。
これにより、光磁気記録体の磁気媒体面からの反射によ
る戻り光束か、その戻り光束に含まれる磁気媒体に記録
された信号内容となるＳ直線偏光成分またはＰ直線偏光
成分が減ぜられることなく信号系の光検出手段に効率よ
く導かれ、そして光量差が十分にとれることとなって、
所要のＣ／Ｎ特性の再生情報信号が容易に得られる。
る戻り光束か、その戻り光束に含まれる磁気媒体に記録
された信号内容となるＳ直線偏光成分またはＰ直線偏光
成分が減ぜられることなく信号系の光検出手段に効率よ
く導かれ、そして光量差が十分にとれることとなって、
所要のＣ／Ｎ特性の再生情報信号が容易に得られる。
実施例
次に、本発明にかかる光磁気再生装置の実施例ｔこつき
説明する。
説明する。
第６図は、光学系の概略図である。
レーザ光源の一例である半導体レーザ（ＬＤ）から放射
される例えばＰ直線偏光成分のみからなるＰ偏光になる
光束は、コリメータレンズ（ＣＬ）によって平行光束に
直される。この平行光束は、一部透過と一部反射とでも
って入射光束を２つに分ける光路分割手段であるいわゆ
るハーフミラ−になる第１のビームスプリンタ（ＢＳｌ
）に入射される。
される例えばＰ直線偏光成分のみからなるＰ偏光になる
光束は、コリメータレンズ（ＣＬ）によって平行光束に
直される。この平行光束は、一部透過と一部反射とでも
って入射光束を２つに分ける光路分割手段であるいわゆ
るハーフミラ−になる第１のビームスプリンタ（ＢＳｌ
）に入射される。
この第１のビームスプリッタ（ＢＳＩ）の透過率は、後
述する第２のビームスプリッタ（ＢＳ２）と同様ｔこ、
入射光束におけるＰ直線偏光成分が５０％、Ｓ直線偏光
成分が殆んどＯ係になるものである。
述する第２のビームスプリッタ（ＢＳ２）と同様ｔこ、
入射光束におけるＰ直線偏光成分が５０％、Ｓ直線偏光
成分が殆んどＯ係になるものである。
すなわち、反射率において、入射光束におけるＰ直線偏
光成分が５０チ、Ｓ直線偏光成分が殆んど１００チにな
るものである。なお、第１および第２のビームスプリッ
タ（ＢＳＩ）ＣＢＳ２）は、例えば２個の三角プリズム
の接合される両斜面間に、夫々へ波長厚みになる屈折率
２．２の２酸化チタンＴ ｔ ０２ の薄膜と屈折率
１゜５の２酸化ケイ素Ｓ ｔ ０２の薄膜とを交互に重
ねて形成される多層膜をサンドインチ状に配することに
よって構成される。
光成分が５０チ、Ｓ直線偏光成分が殆んど１００チにな
るものである。なお、第１および第２のビームスプリッ
タ（ＢＳＩ）ＣＢＳ２）は、例えば２個の三角プリズム
の接合される両斜面間に、夫々へ波長厚みになる屈折率
２．２の２酸化チタンＴ ｔ ０２ の薄膜と屈折率
１゜５の２酸化ケイ素Ｓ ｔ ０２の薄膜とを交互に重
ねて形成される多層膜をサンドインチ状に配することに
よって構成される。
この第１のビームスプリッタ（ＢＳｌ）を透過したＰ偏
光の半分になる一部の光束は、対物レンズ（ＯＬ）に入
射きれ、光磁気記録体の一例である光磁気ディスクＣＤ
）の磁気媒体面にスポット状に微細スポットを結ぶよう
に収束される。
光の半分になる一部の光束は、対物レンズ（ＯＬ）に入
射きれ、光磁気記録体の一例である光磁気ディスクＣＤ
）の磁気媒体面にスポット状に微細スポットを結ぶよう
に収束される。
しかして、磁気媒体には、記録された信号つまり情報に
もとづいて磁化方向の向きを変えることによってビット
列が形成されている。なお、このビット列により、渦巻
状あるいは同心状になるトラックが構成されている。
もとづいて磁化方向の向きを変えることによってビット
列が形成されている。なお、このビット列により、渦巻
状あるいは同心状になるトラックが構成されている。
したがって、磁気媒体面に収束される光束は、磁気媒体
の磁化方向の向きによってカー（Ｋｅｒｒ）効果にもと
づき偏光面が光軸を軸線として正逆に回転きれることに
なる。すなわち、光磁気ティスフ（Ｄ）の磁気媒体から
の反射による戻り光束は、Ｐ直線偏光成分に加えて磁気
媒体に記録された信号内容となるＳ直線偏光成分が含ま
れて楕円偏光となる。そして、第４図に示きれる如くＰ
直線偏光成分と８直線偏光成分とを基軸とするＰ −Ｓ
軸面において、磁化方向の向きによってＰ軸に対して正
負の方向に偏光面の正逆の回転にもとづく角度θＫ で
もって傾く電磁ベクトル］ｔ４、Ｉ（２で表わされる戻
り光束になる。 ゛ このような電磁ベクトルＲ１，馬になる戻り光束は、対
物レンズ（ＯＬ）に拾われて平行光束に直され、再び第
１のビームスプリッタ（ＢＳｌ）に入射される。そして
、入射された戻り光束のうちＰｉ線線光光成分５ｏｑ６
、Ｓ直線偏光成分は殆んど１００％反射されて、第１の
ビームスプリッタ（ＢＳｌ）と同様の透過率等の第２の
ビームスブリツク（ＢＳ２）に入射される。この第１の
ビームスプリッタ（ＢＳｌ）に反射されて第２のビーム
スプリッタ（ＢＳ２）に入射きれる戻り光束をベクトル
で表わすと、第４図に示される如くの電磁ベクトルｒ１
１、ｒ１２になる。
の磁化方向の向きによってカー（Ｋｅｒｒ）効果にもと
づき偏光面が光軸を軸線として正逆に回転きれることに
なる。すなわち、光磁気ティスフ（Ｄ）の磁気媒体から
の反射による戻り光束は、Ｐ直線偏光成分に加えて磁気
媒体に記録された信号内容となるＳ直線偏光成分が含ま
れて楕円偏光となる。そして、第４図に示きれる如くＰ
直線偏光成分と８直線偏光成分とを基軸とするＰ −Ｓ
軸面において、磁化方向の向きによってＰ軸に対して正
負の方向に偏光面の正逆の回転にもとづく角度θＫ で
もって傾く電磁ベクトル］ｔ４、Ｉ（２で表わされる戻
り光束になる。 ゛ このような電磁ベクトルＲ１，馬になる戻り光束は、対
物レンズ（ＯＬ）に拾われて平行光束に直され、再び第
１のビームスプリッタ（ＢＳｌ）に入射される。そして
、入射された戻り光束のうちＰｉ線線光光成分５ｏｑ６
、Ｓ直線偏光成分は殆んど１００％反射されて、第１の
ビームスプリッタ（ＢＳｌ）と同様の透過率等の第２の
ビームスブリツク（ＢＳ２）に入射される。この第１の
ビームスプリッタ（ＢＳｌ）に反射されて第２のビーム
スプリッタ（ＢＳ２）に入射きれる戻り光束をベクトル
で表わすと、第４図に示される如くの電磁ベクトルｒ１
１、ｒ１２になる。
なお、第２のビームスプリッタＣＢ５２）に入射きれた
戻り光束のうちＰ直線偏光成分は５０％、Ｓ直線偏光成
分は殆んど１００％反射きれて、アナライザおよび光検
出体等を有する信号系の光検出手段（ＯＤｌ）に入射き
′れる。この入射される戻り光束をベクトルで表わすと
、第４図に示される如くの電磁ベクトルｒ２１、ｒ２２
になる。
戻り光束のうちＰ直線偏光成分は５０％、Ｓ直線偏光成
分は殆んど１００％反射きれて、アナライザおよび光検
出体等を有する信号系の光検出手段（ＯＤｌ）に入射き
′れる。この入射される戻り光束をベクトルで表わすと
、第４図に示される如くの電磁ベクトルｒ２１、ｒ２２
になる。
そして、信号系の光検出手段（ＯＤｌ）において、その
アナライザに電磁ベクトルｒ２１％ｒ２２になる戻り光
束を透過させることで得られる光量差をその光検出体で
検出することによって再生情報信号が得られることにな
る。
アナライザに電磁ベクトルｒ２１％ｒ２２になる戻り光
束を透過させることで得られる光量差をその光検出体で
検出することによって再生情報信号が得られることにな
る。
然るに、アナライザの透過特性が第４図で示される如く
のＳ軸に対して角度θ８の傾きの直線ＯＸであるとする
ならば、再生情報信号つまり光量差はその直線ＯＸに投
影される夫々の電磁ベクトルｒ２１、ｒ２２ の差とな
り、 再生情報信号（−光量差）−ＱＬＸｓｉｎ２θＫＸｓｉ
ｎ２θ８で表わされる。
のＳ軸に対して角度θ８の傾きの直線ＯＸであるとする
ならば、再生情報信号つまり光量差はその直線ＯＸに投
影される夫々の電磁ベクトルｒ２１、ｒ２２ の差とな
り、 再生情報信号（−光量差）−ＱＬＸｓｉｎ２θＫＸｓｉ
ｎ２θ８で表わされる。
したがって、前記透過特性のアナライザにおいて、第４
図で示される如くに夫々の電磁ベクトル１（１、ｌｔ２
による光量差はＱＲとなり、夫々の電磁ベクトルｒ
１１ 、’１２による光量差はＱｒｌとなり、そして夫
々の電磁ベクトルｒ２１、ｒ２２による光量差ｃ規−ｒ
２ となる。そして、第４図から ＱＲ′−Ｑｒ１Ｑｒ２ であることがわかる。
図で示される如くに夫々の電磁ベクトル１（１、ｌｔ２
による光量差はＱＲとなり、夫々の電磁ベクトルｒ
１１ 、’１２による光量差はＱｒｌとなり、そして夫
々の電磁ベクトルｒ２１、ｒ２２による光量差ｃ規−ｒ
２ となる。そして、第４図から ＱＲ′−Ｑｒ１Ｑｒ２ であることがわかる。
すなわち、第１のビームスプリッタ（ＢＳｌ）、更には
第２のビームスプリッタ（ＢＳ２）を経由するにもかか
わらす信号系の光検出手段（ＯＤＩ）で得られる光量差
は、光磁気ディスク（Ｄ）の磁気媒体面からの反射され
た時点で得られる光量差と殆んどかわることがない。言
い換えれば、光磁気デ線偏光成分が、第１および第２の
ビームスプリッタ（ＢＳ１〕（ＢＳ２）にて殆んど１０
０％反射されることから、戻り光束が効率良く信号系の
光検出手段（ＯＤｌ）に導かれて、断髪のＣ／Ｎ特性の
再生情報信号が容易に得られるのである。
第２のビームスプリッタ（ＢＳ２）を経由するにもかか
わらす信号系の光検出手段（ＯＤＩ）で得られる光量差
は、光磁気ディスク（Ｄ）の磁気媒体面からの反射され
た時点で得られる光量差と殆んどかわることがない。言
い換えれば、光磁気デ線偏光成分が、第１および第２の
ビームスプリッタ（ＢＳ１〕（ＢＳ２）にて殆んど１０
０％反射されることから、戻り光束が効率良く信号系の
光検出手段（ＯＤｌ）に導かれて、断髪のＣ／Ｎ特性の
再生情報信号が容易に得られるのである。
一方、サーボ系の光検出手段（０１）２）には、第２の
ビームスプリッタ（ＢＳ２）に入射される戻り光束のう
ちＰ直線偏光成分の５０チの一部のみが透過されて入射
される。
ビームスプリッタ（ＢＳ２）に入射される戻り光束のう
ちＰ直線偏光成分の５０チの一部のみが透過されて入射
される。
なお、前記実施例では、第１および第２のビームスプリ
ッタ（ＢＳＩ）（ＢＳ２）のＰｊｉ線偏線取光成分過率
をいずれも５０％（反射率５０％）としているが、２０
〜８０％の範囲内であれば適宜変更してもよく、かつ、
第１および第２のビームスプリンタ（ＢＳｌ）（ＢＳ２
）夫々をその範囲内で個個に適宜変更してもよい。また
、Ｓ直線偏光成分の透過率のいずれをも殆んど０チ（反
射率殆んど１００％）としているが、再生情報信号のＣ
／Ｎ特性とＳ直線偏光成分の透過率との関係はＰ直線偏
光成分の一定の透過率のもとで、第５図に示される如く
になることから、Ｆ５ｒ要のＣ／Ｎ％性に対応させて多
少の適宜な変更は可能である。
ッタ（ＢＳＩ）（ＢＳ２）のＰｊｉ線偏線取光成分過率
をいずれも５０％（反射率５０％）としているが、２０
〜８０％の範囲内であれば適宜変更してもよく、かつ、
第１および第２のビームスプリンタ（ＢＳｌ）（ＢＳ２
）夫々をその範囲内で個個に適宜変更してもよい。また
、Ｓ直線偏光成分の透過率のいずれをも殆んど０チ（反
射率殆んど１００％）としているが、再生情報信号のＣ
／Ｎ特性とＳ直線偏光成分の透過率との関係はＰ直線偏
光成分の一定の透過率のもとで、第５図に示される如く
になることから、Ｆ５ｒ要のＣ／Ｎ％性に対応させて多
少の適宜な変更は可能である。
更に、第１のビームスプリッタ（ＢＳｌ）を、８直線偏
光成分を殆んど透過きせるビームスプリッタ（ＢＳｌ、
）’にして、第６図に示される如き構成にすることもよ
い。同様に、第２のビームスプリンタ（ＥＳ２）を、Ｓ
直線偏光成分を殆んど透過させるビームスプリッタにす
ることもよい。なお、この場合、信号系の光検出手段（
Ｏｌ）１）とサーボ系の光検出手段（ＯＤ２）の配置関
係が入れ換わる。
光成分を殆んど透過きせるビームスプリッタ（ＢＳｌ、
）’にして、第６図に示される如き構成にすることもよ
い。同様に、第２のビームスプリンタ（ＥＳ２）を、Ｓ
直線偏光成分を殆んど透過させるビームスプリッタにす
ることもよい。なお、この場合、信号系の光検出手段（
Ｏｌ）１）とサーボ系の光検出手段（ＯＤ２）の配置関
係が入れ換わる。
更にまた、前記実施例では、ｐｆｆｉｉＫ偏光成分のみ
からなるＰ偏光の光束を放射きせる半導体レーザ（ＬＤ
）を用いたが、Ｓ直線偏光成分のみからなるＳ偏光の光
束を放射させる半導体レーザを用いることもよい。この
場合は、第７および第２のビームスプリッタ（ＢＳｌ）
（ＢＳ２）のＰ直線偏光成分と８直線偏光成分との透過
特性が逆になり、第４図の基軸が逆等になるが、他は同
様である。
からなるＰ偏光の光束を放射きせる半導体レーザ（ＬＤ
）を用いたが、Ｓ直線偏光成分のみからなるＳ偏光の光
束を放射させる半導体レーザを用いることもよい。この
場合は、第７および第２のビームスプリッタ（ＢＳｌ）
（ＢＳ２）のＰ直線偏光成分と８直線偏光成分との透過
特性が逆になり、第４図の基軸が逆等になるが、他は同
様である。
発明の効果
本発明は、次のような利点を有するものである。
光磁気記録体の磁気媒体面からの反射による戻り光束に
含才れて磁気媒体に記録された信号内容となる。
含才れて磁気媒体に記録された信号内容となる。
（ｉ）、磁気媒体面にＰ偏光の光束が収束されるときに
はＳ直線偏光成分 ｊｉ）、または磁気媒体面にＳ偏光の光束が収束される
ときｌこはＰ直線偏光成分 が、光路分割手段によって殆んど反射もしくは透過させ
ることになって、透過もしくは反射される戻り光束の一
部としてレーナ光源とは異なる方向に指向されることに
なる。
はＳ直線偏光成分 ｊｉ）、または磁気媒体面にＳ偏光の光束が収束される
ときｌこはＰ直線偏光成分 が、光路分割手段によって殆んど反射もしくは透過させ
ることになって、透過もしくは反射される戻り光束の一
部としてレーナ光源とは異なる方向に指向されることに
なる。
これによって、磁気媒体に記録された信号内容つまりＳ
直線偏光成分またはＰ直線偏光成分が減ぜられることな
く信号系の光検出手段に導かれもすなわち、戻り光束が
信号系の光検出手段に効率よく導かれ、光量差か十分に
とれることとなって、所要のＣ／Ｎ特性の再生情報信号
が容易に得られる。
直線偏光成分またはＰ直線偏光成分が減ぜられることな
く信号系の光検出手段に導かれもすなわち、戻り光束が
信号系の光検出手段に効率よく導かれ、光量差か十分に
とれることとなって、所要のＣ／Ｎ特性の再生情報信号
が容易に得られる。
第１図および第２図は従来の装置を説明するための図面
であって、第１図は光学系の概略図、第２図は再生情報
信号になる光量差を説明するためのベクトル図、第６図
ないし第６図は本発明にかかる光磁気再生装置を説明す
るための図匍であって、第６図は光学系の概略図、第４
図は再生情報信号になる光量差を説明するためのベクト
ル図−第５図は再生情報信号のＣ／Ｎ特性とＳ直線偏光
成分の透過率との関係を示す図、第６図は変形例の光学
系の概略図である。 なお、図面中に用いられている符号において（ＬＤ）・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザ（Ｂ
ＳＩ）・・・・・・・・・・・・・・・第１のビームス
プリッタ（Ｄ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・
光磁気ディスクである。 代理人 土星 勝 第５図
であって、第１図は光学系の概略図、第２図は再生情報
信号になる光量差を説明するためのベクトル図、第６図
ないし第６図は本発明にかかる光磁気再生装置を説明す
るための図匍であって、第６図は光学系の概略図、第４
図は再生情報信号になる光量差を説明するためのベクト
ル図−第５図は再生情報信号のＣ／Ｎ特性とＳ直線偏光
成分の透過率との関係を示す図、第６図は変形例の光学
系の概略図である。 なお、図面中に用いられている符号において（ＬＤ）・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザ（Ｂ
ＳＩ）・・・・・・・・・・・・・・・第１のビームス
プリッタ（Ｄ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・
光磁気ディスクである。 代理人 土星 勝 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｐ直線偏光成分のみからなるＰ偏光もしくはＳ直線偏光
成分のみからなるＳ偏光のうちいずれか一方の偏光にな
る光束を放射するレーザ光源と、このレーザ光源がら放
射される光束が収束される光磁気記録体の磁気媒体面と
の間における光束の光路中に、前記磁気媒採面からの反
射による戻り光束の一部を透過もしくは反射させること
により前記レーザ光源とは異なる方向に指向させる光路
分割手段を設ける光磁気再生装置において、前記光路分
割手段が、 （ａ）、前記レーザ光源から放射される光束がＰ偏光で
ある場合であって、 （ｉ）、その光路分割手段を透過する前記Ｐ偏光の光束
の一部か前記磁気媒体面に収束されるとき゛ には、前
記磁気媒体面からの戻り光束に含まれるＳ直線偏光成分
の殆んどを反射させ、（ｉ〕、一方、その光路分割手段
で反射される前記Ｐ偏光の光束の一部が前記磁気媒体面
に収束されるときには、前記磁気媒体面からの戻り光束
に含まれるＳ直線偏光成分の殆んどを透過させ、（ｂ）
、また、前記レーザ光源から放射される゛光束かＳ偏光
である場合であって、 （ｉ）、その光路分割手段を透過する前記Ｓ偏光の光束
の一部が前記磁気媒体面に収束されるときには、前記磁
気媒体面からの戻り光束に含まれるＰ直線偏光成分の殆
んどを反射させ、（ｉす、−万、その光路分割手段で反
射される前記Ｓ偏光の光束の一部が前記磁気媒体面に収
束されるときには、前記磁気媒体面からの戻り光束に含
まれるＰ直線偏光成分の殆んどを透過させる ことを特徴とする光磁気再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP308083A JPS59129955A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 光磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP308083A JPS59129955A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 光磁気再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129955A true JPS59129955A (ja) | 1984-07-26 |
Family
ID=11547359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP308083A Pending JPS59129955A (ja) | 1983-01-12 | 1983-01-12 | 光磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129955A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196640A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Olympus Optical Co Ltd | 磁気光学記録再生装置 |
-
1983
- 1983-01-12 JP JP308083A patent/JPS59129955A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196640A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Olympus Optical Co Ltd | 磁気光学記録再生装置 |
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