JPS59126440A - 金型清掃用樹脂成形材料 - Google Patents

金型清掃用樹脂成形材料

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Publication number
JPS59126440A
JPS59126440A JP85183A JP85183A JPS59126440A JP S59126440 A JPS59126440 A JP S59126440A JP 85183 A JP85183 A JP 85183A JP 85183 A JP85183 A JP 85183A JP S59126440 A JPS59126440 A JP S59126440A
Authority
JP
Japan
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resin
molding material
molds
mold
cleaning
Prior art date
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Pending
Application number
JP85183A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Nakamura
隆行 中村
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Publication of JPS59126440A publication Critical patent/JPS59126440A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は7E子部品月止用月、j出成形用金ノ1yやト
ランスファー成形用金型の汚染物を2if掃する用途に
用いられる樹脂成形材料の分野に属するものである。
〔背景技術〕
従来、金型で成形材料を成形していると金型内部表面に
成形材料成分が付着蓄積され、金型くもシとなり成形品
の外観を低下させたD 14f型性を阻害する原因とな
っていた。このため金型を清掃する方法としては金型を
高温に加熱して金型内に充填されている成形材料を度化
或は劣化させてから金属棒で少量づつ除去したシ、金型
を溶剤中に長期間浸漬し膨潤軟化させてから少量づつ除
去したシしていたが清掃作業は困難で長時間を要し更に
金型を傷つけることが頻発していた。特に電子部品封止
用金型にあってはゲート寸法が0.4 K O,4H程
度のほめて小さいものが多く、金型傷っけの多発、清掃
作業の困雌性を大きくしていたものである。
〔発明の目的〕
本発明は土肥欠、ぐ、を解決するもので、金型を傷つけ
ることなく容易に金型を肩掃することを目的とするもの
である。
〔発明の開示〕
本発明は熱硬化性樹脂、粒子径がタイラー標準篩Cメツ
シュ通過の無機質充填剤、繊維長が0.4騙以下の繊維
質充填剤を含有し、全体粒子径がタイラー標1$、篩む
メツシュ通過であることを特徴とする金型清掃用樹脂成
形材料で、以下本発明を詳しく説明する。金型で成形材
料を連続、長時間成形(〜でいると金型内部表面に成形
材料中の離型剤、加熱による発生揮発ガス等による汚染
物が蓄積し金型くもシとなり成形品の外観不良や離型不
良を惹起することになる。このためある時点で定期的に
金型汚染物を除去する必要がある。本発明は金型汚染物
除去の時点で、成形作業を停市するのではなく本発明の
金型清掃用樹脂成形材料で成形することにより金型内部
表面に蓄積された汚染物が本発明の金型清掃用樹脂成形
材料に押出きれ金型を傷つけることなく一容易に金型を
清浄にすることができるものである。しかも成形作m 
>中断しなくてもよいという利点もあるものである。
本発明に用いる熱硬化性樹脂はフェノール樹脂、不飽和
ポリエヌテル樹脂、メラミン樹脂、ユリア411j 脂
、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート初詣等の単独、混
合物、変性物等熱硬化性樹脂全般を用いることができ特
に限定するものではない。無機質充填剤は熔融粘度を上
げ金型汚染物を押出すだめに必要で無機質充填剤として
はタイラー標準篩(以下単に篩と記す)42メツシユ通
過の伏酸カルシウム、伏酸マグネシウム、シリカ、クレ
ー等の無機質充填剤全般が用いられ特に限定するもので
はないが篩Cメ、シュ通過は金型ゲート詰りを防止する
ために必要である。繊維質充填剤は本発明の金型清掃用
樹脂成形材料の強度を向上させ金型から成形品を取出す
時の作業を容易にするため必要で繊維質充填剤としては
繊維長04層以下 のパルプ、#6粉、木粉、ガラス繊
維、テトロン繊維、ナイロンわ゛表維、アクリル繊維等
の繊維質充填剤全般が用いられ特に限定するものではな
いが繊維長が0.40以下であることは金型ゲート詰シ
ヲ防止するだめに必要である。更に必要に応じて本発明
になる金型清掃用樹脂成形材料に硬化剤、硬化促進剤、
離型剤、可塑剤、M色剤等を加えてもよい。
本発明においては熱硬化性ed脂は15〜85重量部(
以下単に部と記す)、篩Cメツシュ通過の無機質充填剤
10〜50部、繊維長0.4M以下の繊維質充填剤5〜
35部の範囲で用いることが好ましい。
以下本発明を実施例にもとすいて説明する。
実施例1 メラミン樹脂5部に対し、60メツシユの7リ力祠部、
繊維長0.8mのガラス繊維(至)部、ステアリン酸亜
鉛1部を混線、粉砕し篩Cメツシュ通過品を金型清掃用
樹脂成形材料とした。
実施例 メラミン!脂75部に対し60メツシユのシリカ14部
、繊維長0.8 rtmrのガラス繊維10部、ステア
リン酸亜鉛1部を混線、粉砕し篩42メツシユ通過品を
金型清掃用樹脂成形材料とした。
比較例 、メラミン樹脂恥部に対し60メツシユの シリカ四部
、繊維長0.6Mのガラス繊維20部、ステアリン酸亜
鉛1部を混線、粉砕しf!71i 32メツシユ通過、
Cメッシュ不通過品を金型清掃用樹脂成形材料とした。
〔発明の効果〕
上記実施例1及び2と比較例の金を′清掃用樹脂成形材
料を、エポキシ樹脂系封止成1し材料で汚染されたゲー
ト寸法0.4 x O,4vryrの48 (li’i
l DJ D金型にて、金型温度160°C1前部シリ
ンダ一温度110″C1後部シリンダ一温度80°C1
射呂時間15秒間、保圧時間10秒で射出成形した結果
は第1表に明白なように本発明の金型lrf掃川樹用成
形材料の充填性、清掃性はよく、本発明の優れているこ
とを確認した。
第  1  表 注 米14811I′iのギヤビティー内に充填される数※
2 金4すくもシを除去し成形品外観が良好になる迄に
必要な射出回数 特許出願人 松下電工株式会社 代理人9+埋士  竹 元 敏 丸 (ほか2名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 熱硬化性樹脂、粒子径がタイラー標準篩Cメツシュ通過
    の無機質充填剤、稼維長がo、4#以下の繊維質充填剤
    を含有し、全体粒子径がタイラー標準篩Cメツシュ通過
    であることを特徴とする金型清掃用樹脂成形材料。
JP85183A 1983-01-06 1983-01-06 金型清掃用樹脂成形材料 Pending JPS59126440A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4838945A (en) * 1986-02-20 1989-06-13 Chisso Corporation Thermoplastic resin composition for cleaning
US5397498A (en) * 1991-12-23 1995-03-14 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Method for cleaning molding machine in which residual thermoplastic resins remain and cleaning composition therefor
US5427623A (en) * 1990-04-21 1995-06-27 Bayer Ag Cleaning of machines for the production and processing of plastics
KR100470079B1 (ko) * 2001-12-28 2005-03-08 (주) 선엔지니어링종합건축사사무소 균열방지를 위한 황토미장방법
US7537967B2 (en) 2001-05-18 2009-05-26 Renesas Technology Corp. Mold cleaning sheet and manufacturing method of a semiconductor device using the same

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