JPS59125009A - パタ−ン検知法 - Google Patents
パタ−ン検知法Info
- Publication number
- JPS59125009A JPS59125009A JP23164082A JP23164082A JPS59125009A JP S59125009 A JPS59125009 A JP S59125009A JP 23164082 A JP23164082 A JP 23164082A JP 23164082 A JP23164082 A JP 23164082A JP S59125009 A JPS59125009 A JP S59125009A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- copper foil
- pattern
- pin
- reflected light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント板鋼箔パターン検知法に関し、に銅箔
パターンの上幅と下幅を別々に判別できようにしたｉＥ
ターン検知法に関するものである８（２）従来技術と問
題点 従来銅箔パターンの検知法としてはテレビカメを用いあ
るいはレーザ走査を用いて銅箔ノ々ターの画像を検知し
該・七ターン信号をｌ〈示するものあった。第１し１（
Ａ）は２個の銅箔・平ターン（上幅下幅が両ノセターン
で同じである）をテレビカメ −で撮像したテレビ
画像であって１８１において１は箔パターン、２は基板
を示す。し７かしかかるテビカメラの画像ではパターン
信号から第１１号１ （［３１示すごとき」二幅と下幅
を判別し７でｉｆ］ｌ定することでき々かった。また第
２昭１は第１図（５）の：Ｊ：＋ｌ箔パーンをテレビ信
号で表示したものであって３は箔パターン信号、４は基
材に対する出力１８陣でるがやｔ１シ上幅と下幅とを判
別して画定するこはできなかった。
パターンの上幅と下幅を別々に判別できようにしたｉＥ
ターン検知法に関するものである８（２）従来技術と問
題点 従来銅箔パターンの検知法としてはテレビカメを用いあ
るいはレーザ走査を用いて銅箔ノ々ターの画像を検知し
該・七ターン信号をｌ〈示するものあった。第１し１（
Ａ）は２個の銅箔・平ターン（上幅下幅が両ノセターン
で同じである）をテレビカメ −で撮像したテレビ
画像であって１８１において１は箔パターン、２は基板
を示す。し７かしかかるテビカメラの画像ではパターン
信号から第１１号１ （［３１示すごとき」二幅と下幅
を判別し７でｉｆ］ｌ定することでき々かった。また第
２昭１は第１図（５）の：Ｊ：＋ｌ箔パーンをテレビ信
号で表示したものであって３は箔パターン信号、４は基
材に対する出力１８陣でるがやｔ１シ上幅と下幅とを判
別して画定するこはできなかった。
即ち、銅箔・ぐターン信号の左側波形では、スレとにエ
リ下幅の６１す定は可能であるが、右ｆｒｉｌ＋波形に
なると、点■、■間が下幅に相当し、これを一定のスレ
ッシュホールドレベルｖＬでスライスシタのでは下幅の
測定はでき々い。
リ下幅の６１す定は可能であるが、右ｆｒｉｌ＋波形に
なると、点■、■間が下幅に相当し、これを一定のスレ
ッシュホールドレベルｖＬでスライスシタのでは下幅の
測定はでき々い。
そこで、これら信号の微分波形を一定のスレッシュホー
ルドレベルでスライスすることも考エラれるが、銅箔パ
ターン信号の上部が相当変動していることから、この変
動信号も強調され、雑音としてスライスされた信号に影
響を力える。
ルドレベルでスライスすることも考エラれるが、銅箔パ
ターン信号の上部が相当変動していることから、この変
動信号も強調され、雑音としてスライスされた信号に影
響を力える。
又、上幅の測定に関しては、スレッシュホールド・レベ
ルｖＨでスライスすることに々るが、このときの右４１
１１１１波形では、下幅に相当する信号位置かずれてい
ると回様に、上幅に相当する情号位１１ζもずれておジ
、適切な上幅測定手段がなかった。
ルｖＨでスライスすることに々るが、このときの右４１
１１１１波形では、下幅に相当する信号位置かずれてい
ると回様に、上幅に相当する情号位１１ζもずれておジ
、適切な上幅測定手段がなかった。
尚、同一パターンであっても、かかる波形に相違が生じ
るのは、照射光が基材４て拡散されること、および、基
イネ中の中間層或は裏面の物質、例えば、中間層の導体
ノＲターンの存在の有無によって大きく左右されるため
である。
るのは、照射光が基材４て拡散されること、および、基
イネ中の中間層或は裏面の物質、例えば、中間層の導体
ノＲターンの存在の有無によって大きく左右されるため
である。
ところが、パターンの上幅と下幅とを区別して測定する
ことは切れかかりあるいはショートしかかシな′どの欠
陥パターンの検知能力を上げる上において必要なことで
ある。
ことは切れかかりあるいはショートしかかシな′どの欠
陥パターンの検知能力を上げる上において必要なことで
ある。
第３図および第４図はレーザ光による反射信号であって
、ｊ：Ｉ”＋ ３図において５は錯ｊ箔パターンである
が反射迷電６による妨害があり、−シ〆のスレッシュホ
ールドレベルの設定で、上幅、上幅を測定することは不
可能である。また乞１τ４図において７は銅箔・ぐター
ンに対応する信号の拡犬凶であるが銅箔部周辺の信号の
（威少のため′ｉ４・６ｆｉの−Ｆ幅に相当する幅８を
検知することもｆａｉｌ 難−ひあった。
、ｊ：Ｉ”＋ ３図において５は錯ｊ箔パターンである
が反射迷電６による妨害があり、−シ〆のスレッシュホ
ールドレベルの設定で、上幅、上幅を測定することは不
可能である。また乞１τ４図において７は銅箔・ぐター
ンに対応する信号の拡犬凶であるが銅箔部周辺の信号の
（威少のため′ｉ４・６ｆｉの−Ｆ幅に相当する幅８を
検知することもｆａｉｌ 難−ひあった。
（３） 発明の目的
一不発明は、−にｆｆ１ｒ、１従米の欠点にかんがみ′
７′リント板からの反射光成分のうり鋼箔のイ＠号に影
響を与えずに、主に基相部からの反射光成分を除去し、
その銅箔の上幅お工ひ下幅ｔ ａ＋＋］定することを口
」能としたパターン検知法を提供すること全目的とする
ものである。
７′リント板からの反射光成分のうり鋼箔のイ＠号に影
響を与えずに、主に基相部からの反射光成分を除去し、
その銅箔の上幅お工ひ下幅ｔ ａ＋＋］定することを口
」能としたパターン検知法を提供すること全目的とする
ものである。
（４）発明の構成
この目的は不発明によれば、九−ルへ敢伯−を有する基
材上に形成でれた非拡散性パターンを１７一ザ元て走査
しその反射光を集光してＬＨ度を検知することに工９パ
ターン寸法を測定する／Ｊパターン検知法おいて、集光
系のピンホールの径の大きさを非拡散反ｕ、［つｆ像の
ぼけを許容する範囲で小さくすることを！１で１敞とす
る・やターン検り、１１法全提供することに裏って達成
されるっ 仁の目的はさらにＴｈ１ｆ記非拡故性・ぐターンの上１
１％とＦ幅との差と同程度の大きさの直径をもつ元ビー
ムにより前記非拡散ペターンを走査することにより該パ
ターンを検知すること全特徴とするパターン検知法を雨
供することによって達成される０、（５）￥１ジ明の実
施例 以下不発明の実施例１を１区１面によってｉ゛１１１１
にｈ）？１明する。
材上に形成でれた非拡散性パターンを１７一ザ元て走査
しその反射光を集光してＬＨ度を検知することに工９パ
ターン寸法を測定する／Ｊパターン検知法おいて、集光
系のピンホールの径の大きさを非拡散反ｕ、［つｆ像の
ぼけを許容する範囲で小さくすることを！１で１敞とす
る・やターン検り、１１法全提供することに裏って達成
されるっ 仁の目的はさらにＴｈ１ｆ記非拡故性・ぐターンの上１
１％とＦ幅との差と同程度の大きさの直径をもつ元ビー
ムにより前記非拡散ペターンを走査することにより該パ
ターンを検知すること全特徴とするパターン検知法を雨
供することによって達成される０、（５）￥１ジ明の実
施例 以下不発明の実施例１を１区１面によってｉ゛１１１１
にｈ）？１明する。
第５［ン田、イ〈発明の構成を示す型図であって、レー
ザ元帥１１Ｊニジレーザ元を出射し、平面鏡１２で曲げ
られてビーム拡大器１３で拡大され）・−フミラ〜１４
を通過し、回転ミラー１５で走丁〒され、偏３ｕされて
スキャンニングレンズ】６で収束された元が鋼箔・ぐタ
ーン１７で形成されたプリントＪＫ板１８上に投射され
る。その反射光は（（ｌびスキャンニングレンズ１６、
回転ミラー１５と逆行してハーフミラ−１４にいたり、
ハーフミラ−１４により反射されて結像レンズ１９．１
４ｊ径１．００μｍ程度のピンポールが設けられたピン
ホールマスク２１を通過してｙＣＪ“：９信管２２で亀
の！ｒ’Ｊｉ Ｉｆが険知塾れる。
ザ元帥１１Ｊニジレーザ元を出射し、平面鏡１２で曲げ
られてビーム拡大器１３で拡大され）・−フミラ〜１４
を通過し、回転ミラー１５で走丁〒され、偏３ｕされて
スキャンニングレンズ】６で収束された元が鋼箔・ぐタ
ーン１７で形成されたプリントＪＫ板１８上に投射され
る。その反射光は（（ｌびスキャンニングレンズ１６、
回転ミラー１５と逆行してハーフミラ−１４にいたり、
ハーフミラ−１４により反射されて結像レンズ１９．１
４ｊ径１．００μｍ程度のピンポールが設けられたピン
ホールマスク２１を通過してｙＣＪ“：９信管２２で亀
の！ｒ’Ｊｉ Ｉｆが険知塾れる。
このように反射光を同一の丸字系に用いてｆ、ζ像させ
る方法を１１ ドロリフ１／クデイブ法と称するが、上
記のパターン検知器の特色はビ′ンホール２０を通過さ
せることＶＣあり、この孔２０をｊ内ずと光強度比が犬
きく現われる。これはｆ；ｉ：像ｉＭｉ 、Ｊ−では基
＜ｂｔ部の拡散反射光はピンホール２０で除〕！べされ
るが一方銅箔部の非拡Ｎｊ＜性反射元はビンボールによ
って影響をうけない女め嘉ｘ３の化−′ｌ！−のＳＡ４
比が向」ニするからである。
る方法を１１ ドロリフ１／クデイブ法と称するが、上
記のパターン検知器の特色はビ′ンホール２０を通過さ
せることＶＣあり、この孔２０をｊ内ずと光強度比が犬
きく現われる。これはｆ；ｉ：像ｉＭｉ 、Ｊ−では基
＜ｂｔ部の拡散反射光はピンホール２０で除〕！べされ
るが一方銅箔部の非拡Ｎｊ＜性反射元はビンボールによ
って影響をうけない女め嘉ｘ３の化−′ｌ！−のＳＡ４
比が向」ニするからである。
そして、この光ｇ・１信管２２からのＧ、：ｉ ””ｉ
は、第９図に示す様に信号増１】器２３によって増ｒｌ
】Ｌ、上幅用比較器２４と下幅用比較器２５とに入力す
る。
は、第９図に示す様に信号増１】器２３によって増ｒｌ
】Ｌ、上幅用比較器２４と下幅用比較器２５とに入力す
る。
上幅用比較器２４では高７６準電圧Ｖｒｉと比較されて
、測長回路２６に入り、測長回路はカウンタから構成さ
れていて、人力信号数をカウントして寸法が測長される
。又、下幅用比較器２５では低基準電圧ｖＬと比較され
て、測長回路２７に入り、そこで入力伯°号数をカウン
トして、寸法が測長される。
、測長回路２６に入り、測長回路はカウンタから構成さ
れていて、人力信号数をカウントして寸法が測長される
。又、下幅用比較器２５では低基準電圧ｖＬと比較され
て、測長回路２７に入り、そこで入力伯°号数をカウン
トして、寸法が測長される。
尚、２０はこれらのｉｔ’ｌｌ碩ｌ糸ｌＬｉ１ｌ銘を示
す。
す。
ここで、第６図において代はピンホールを設けない場合
の全体信号（ａ）とその一部の拡大図（ｂ）を示し、図
において３１および３２は＠遁ハターン信妥、３３は水
制部信号、３４は銅箔／４’ターン（ｉｆ ’ｌである
。 （ｔ’）は直径２００伽程度のピンホールを設けた
場合で（ｃ）は全体信号、（ｄ）は一部拡大信号を示す
。（Ｑは１ば径１００μη１程度の、偏は直径５０μｍ
程度のピンホールを設けた場合で、（ｅ）、彊）は全体
信号、（ｆ） 、 （ｇ）は一部拡犬匍号全示す。
の全体信号（ａ）とその一部の拡大図（ｂ）を示し、図
において３１および３２は＠遁ハターン信妥、３３は水
制部信号、３４は銅箔／４’ターン（ｉｆ ’ｌである
。 （ｔ’）は直径２００伽程度のピンホールを設けた
場合で（ｃ）は全体信号、（ｄ）は一部拡大信号を示す
。（Ｑは１ば径１００μη１程度の、偏は直径５０μｍ
程度のピンホールを設けた場合で、（ｅ）、彊）は全体
信号、（ｆ） 、 （ｇ）は一部拡犬匍号全示す。
第６図（ｂ）に示すごとくピンホール勿設けない１越合
には銅箔のド１１路の測定はできない１．シかしピンホ
ールを設けその［直径−ｔ ／ＪＸさくしていきピンホ
ールの直径が１００μｍになると第６図（ｆ）のごとく
、゛まだピンホールの直径５０μｍになると第６図（ｈ
）のととく銅箔の下幅部示す信〜冴があられれてくる。
には銅箔のド１１路の測定はできない１．シかしピンホ
ールを設けその［直径−ｔ ／ＪＸさくしていきピンホ
ールの直径が１００μｍになると第６図（ｆ）のごとく
、゛まだピンホールの直径５０μｍになると第６図（ｈ
）のととく銅箔の下幅部示す信〜冴があられれてくる。
以上のようにピンホールの径はこれを透過する基板反射
信号光量がｔ１１箭反射＞’ｔ−、ｉｊｔより十分小さ
くなるよう（Ｃ辺ぶ必要があり、ピンホール上での結ｒ
雫のほけが、Ｆ１身？できる範囲で小さくする乙とが堕
゛＋しい。
信号光量がｔ１１箭反射＞’ｔ−、ｉｊｔより十分小さ
くなるよう（Ｃ辺ぶ必要があり、ピンホール上での結ｒ
雫のほけが、Ｆ１身？できる範囲で小さくする乙とが堕
゛＋しい。
第７図はピンホールの１版径を１００μｍとして走査ビ
ーム径を変えたときの（、（号波形を示し、第７図にお
いて（６）はビーム匝５０μｍφ、 （Ｌ３１はビーム
径２５μｍφ、シ）ハビーム径１２ ｆｉｍφの場合′
に７ｊ’くし、（ａ） 、 （ｃ） 、 （ｅ）はそれ
ぞれ全体イ１−号、（ｂ！ 、 （ｄ） 、 （ｆ）は
それぞれ一部拡大信号を示す。第７図１（ｂ）において
は元ビーム径５０μフｎφではビーム径が太すざて′！
ｌｊｌ ：’ｉ′“１パターンの細部のおＣ１１間７）
；わから−す、第７図げ）に４イいては元ビーム径１２
μｍφ″′Ｃは１１１１すき−ご不必要な信号３５が発
生する。したがって最適ビーム径は２０μｍφである。
ーム径を変えたときの（、（号波形を示し、第７図にお
いて（６）はビーム匝５０μｍφ、 （Ｌ３１はビーム
径２５μｍφ、シ）ハビーム径１２ ｆｉｍφの場合′
に７ｊ’くし、（ａ） 、 （ｃ） 、 （ｅ）はそれ
ぞれ全体イ１−号、（ｂ！ 、 （ｄ） 、 （ｆ）は
それぞれ一部拡大信号を示す。第７図１（ｂ）において
は元ビーム径５０μフｎφではビーム径が太すざて′！
ｌｊｌ ：’ｉ′“１パターンの細部のおＣ１１間７）
；わから−す、第７図げ）に４イいては元ビーム径１２
μｍφ″′Ｃは１１１１すき−ご不必要な信号３５が発
生する。したがって最適ビーム径は２０μｍφである。
これは検査対象の土曜１と上幅の差の大きさである。こ
のことがら元ビーム？−￥＝ ｔｔ：ｔ 銅箔パターン
のＪＺ １ｌｌｉ、！Ｉと下幅の差に等しく１ハぶこと
が必要である。
のことがら元ビーム？−￥＝ ｔｔ：ｔ 銅箔パターン
のＪＺ １ｌｌｉ、！Ｉと下幅の差に等しく１ハぶこと
が必要である。
第８図は本発明にかかる方法により銅箔パターンの欠陥
部を検知する応用叩を示し、第８図（Ａ）は銅箔・ｇタ
ーンＡとＢが短絡した場合の状（６）（ａ）とその像半
信号（ｂ）を示すものでパターンＡとＢとの間に反射光
が得られるのでその欠陥を判別できる。
部を検知する応用叩を示し、第８図（Ａ）は銅箔・ｇタ
ーンＡとＢが短絡した場合の状（６）（ａ）とその像半
信号（ｂ）を示すものでパターンＡとＢとの間に反射光
が得られるのでその欠陥を判別できる。
第８図回、０は銅箔ノぐターンの欠は欠陥を丞ずもので
あって、第８図（ｄ）、 （ｆ）に示すごとく上幅部が
細くなり上幅欠陥が検知できることがわかる８（６）発
明の効果 以上の￥施何かられかるように不発明はプリント仮にお
ける銅箔パターンの上幅と下幅とを区別して容易に検知
でき、プリント板上における銅箔ノやターンの欠陥を容
易に検出できるものであり、４（発明の効果は頗る大で
ある。
あって、第８図（ｄ）、 （ｆ）に示すごとく上幅部が
細くなり上幅欠陥が検知できることがわかる８（６）発
明の効果 以上の￥施何かられかるように不発明はプリント仮にお
ける銅箔パターンの上幅と下幅とを区別して容易に検知
でき、プリント板上における銅箔ノやターンの欠陥を容
易に検出できるものであり、４（発明の効果は頗る大で
ある。
第１図１は銅箔パターンのテレビ画像の１例、小 。
２図は第１図の画像に対応するテレビ信号図、第３１ン
１および第４図は銅箔パターンのレーザ走査による反射
信号図、第５図は本発明の構＋ｊ１２図、第６１ンｌ目
髪へ５図においてピンホールの直径を変化した場合の銅
箔パターンの出力信書を示す１ツ１、ｉ′合７図はピン
ホールの直径を一定とし元ビームの径と出力信号の強度
を示す図、ｒ官８１に＋はプリント・？ターンの欠陥に
よる出カイｄＪＰｊｆ）状態を／Ｊ＜す図、第９ ［’
＜１は不発明の回路図である。 図面において、２０がピンホール、２１がピンホールマ
スク、３１，３２．３４が銅箔パターンの出力信号、３
３が基材部反射出力信号をそれぞれ示す、 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代°理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 円 １）幸 男 弁理士山］］昭之 第１ 図 （Ａ、） （Ｂ） 第２− 第３藺 第４図 第２，６ 図′ （Ａ） （ＣＩ） （ｂ）ｚ （Ｂ） （Ｃ） （ｄ）糸６回 （Ｃ） ２ （Ｄ）
１および第４図は銅箔パターンのレーザ走査による反射
信号図、第５図は本発明の構＋ｊ１２図、第６１ンｌ目
髪へ５図においてピンホールの直径を変化した場合の銅
箔パターンの出力信書を示す１ツ１、ｉ′合７図はピン
ホールの直径を一定とし元ビームの径と出力信号の強度
を示す図、ｒ官８１に＋はプリント・？ターンの欠陥に
よる出カイｄＪＰｊｆ）状態を／Ｊ＜す図、第９ ［’
＜１は不発明の回路図である。 図面において、２０がピンホール、２１がピンホールマ
スク、３１，３２．３４が銅箔パターンの出力信号、３
３が基材部反射出力信号をそれぞれ示す、 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代°理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 円 １）幸 男 弁理士山］］昭之 第１ 図 （Ａ、） （Ｂ） 第２− 第３藺 第４図 第２，６ 図′ （Ａ） （ＣＩ） （ｂ）ｚ （Ｂ） （Ｃ） （ｄ）糸６回 （Ｃ） ２ （Ｄ）
Claims (1)
- １、光拡散性を有する基材上に形成された非拡散性パタ
ーン奢レーザ光で走査しその反射光を集 ラ元して
光強度を検知することによＪ ／、？ターン寸法
ンを測定するパターン検知法において、集光系のビ
がンホールの径の大きさを非拡散反射光像のほけを
と許答する範囲で小さくすることを特徴とするパタ
ラーン検知法。
銅２、光拡散性を有する基材上に形成された
非拡 し散性パターン葡し−ザ元で走査しその反射
光全集 に元して光強度を検知することによりパタ
ーン寸法 はを測定するパターン検知法において、
前記非拡散 タ性ノｊターンの上幅と下幅の差と同
程度の大きさの 銅直径をもつ元ビームにエフ前記
非拡散・やターンを あ走査すること全特徴とする
パターン検知法。 と
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23164082A JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23164082A JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125009A true JPS59125009A (ja) | 1984-07-19 |
| JPS6365883B2 JPS6365883B2 (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=16926661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23164082A Granted JPS59125009A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン検知法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125009A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6287809A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | Canon Inc | 多方向距離測定装置 |
| JPH04250308A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板のパターン幅測定方法 |
| US5517312A (en) * | 1993-11-09 | 1996-05-14 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Device for measuring the thickness of thin films |
| US6038029A (en) * | 1998-03-05 | 2000-03-14 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Method and apparatus for alignment of a wafer |
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| US7030957B2 (en) | 1998-07-14 | 2006-04-18 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Monitoring apparatus and method particularly useful in photolithographically processing substrates |
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| JPS5453562A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-26 | Canon Inc | Photoelectric detector |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23164082A patent/JPS59125009A/ja active Granted
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| US6212961B1 (en) | 1999-02-11 | 2001-04-10 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Buffer system for a wafer handling system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6365883B2 (ja) | 1988-12-19 |
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