JPS59124752A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置にかかり、特に素子数の多い大規
模集積回路に関するものである。

従来、大規模集積回路は、単位面積の中により効率的に
、しかも信頼性ｆ、損なわず、出力が高アクセススピー
ド、低消費電力を実現するという観点から配置が決定さ
れてきた。よって、犬芥量の集積（ロ）路になるに従か
い素子の数が増加してくると、故障半導体装置の解析を
行なう場合に、故障箇所を外部出力より特定し、しかる
のちに、実際の故障箇所を金属顕微鏡で外観を見ながら
特定する場合にペレットの端から、どれだけの距離にあ
たるかを調べるのが、非常に時間がかかり、しかも間違
いやすいという欠点があった。

この発明の目的は、故障解析の際に故障箇所を容易に見
つけることのできる半導体装置を提供することにある。

この発明の半導体装置は、半導体集積回路において、そ
の内部の特定の位置が容易にわかるように１方向あるい
は２方向に目印となるパターンを配列した事を停機とす
る。

この発明の半導体装置は、故障半導体装置の解析を行な
う場合に故障箇所を容易に見つける事ができ、不良解析
の迅速化ができる。

次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。

第１図はこの発明の一実施例を説明するためのメモリー
アレイの配置図である。この実施例のメモリーアレイは
、その製造する工程において、素子を栴造するパターン
以外にメモリーセルアレイ３の一部に目印となるパター
ン２（ｉｌ一つけたことを％級とするものである。

この実施例によれば、２５６キロビツトメモリーのよう
な大容鈑のメモリー　Ｉ　Ｃの場合に、故障メモリーの
中の故障アドレスを特定する揚台にます、出力情報から
故障アドレスの番地を特ホし。

しかるのちに金属Ｋｌ微絣や電子顕微鏡により、外観を
見ながら、故障アドレスをさがす不良解相牛段をとる場
合に、メモリーアレイ端から何希目のアドレスかを実際
のアドレス紺をメモリーアレイ端からｌｌｒｌ番に教え
る事なく、目印をｙ、る！（（により特定する事ができ
る。

この実施例の半導体装置は例えばアビレフ５番地おきや
１０番地おきに目印がつい゛〔いる為に、容易に故障ア
ドレス’ｆｒ：Ｍ、つＱする事がで〜るというオＵ点を
有する。

＠２図はこの発明の他の実施例である。図によれば、メ
モリーセル１の１０コおきに目印２が入り、さらに目印
５コごとに異なる形状の目印１２３− がついている為、故障アドレスの発見がさらに容易にな
る。

第３図は目印として、数字２２を用いた場合で、故障ア
ドレスの発見がさらに容易になる。

本特徴を有する半導体装置としては、他にゲートアレイ
のような、同一くりかえしパターンを多数有するような
半導体装置が挙げられる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す。第２図は本発明の第
２の実施例を示す。第３図は本発明の第３の実施例を示
す。 図中、１・・・・・・単体メモリーセル、２・・・・・
・目印、３・・・・・・メモリーアレイ部、１２・・・
・・・異なるタイプの目印、１３・・・・・・メモリー
アレイ音５％　２２・・・・・・目印としてつけた数字
を示す。 ４−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体集積回路において、その内部の特定の位置が容易
   にわかるように、１方向あるいは２方向に、目印となる
   パターンを配列し、た事を特徴とする半導体装置。