JPS59122464A - N−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造方法 - Google Patents

N−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造方法

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JPS59122464A
JPS59122464A JP23198382A JP23198382A JPS59122464A JP S59122464 A JPS59122464 A JP S59122464A JP 23198382 A JP23198382 A JP 23198382A JP 23198382 A JP23198382 A JP 23198382A JP S59122464 A JPS59122464 A JP S59122464A
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JP
Japan
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phthalimide
triethylamine
ccl4
reaction
carbon tetrachloride
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JP23198382A
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Ichiro Kawamoto
一郎 河本
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフタルイミドとシクロへキシルスμフエニμク
ロリドからN−(シクロヘキフルチオ)−フタルイミド
を製造する方法に関するものである。さらに詳しくは、
フタルイミドとシクロヘキシルスルフェニルクロリドを
、三級アミンの存在下で反応させる場合の溶媒に、四塩
化炭素を用いることによって、目的とするN−(シクロ
へキシルチオ)−フタルイミドを経済的に取得する方法
に関するものである。
N−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドは天然ゴム
または合成ゴムの添加剤として極めて有用である。N−
(シクロへキシルチオ)−フタμイミトヲフタμイミド
とシクロへキシルスμフエ二μクロリドから合成する方
法は公知である(特公昭47−6499号公報、特開昭
57−80369号公報)。
特公昭47−6499号公報による場合には、フタルイ
ミドとシクロヘキシルスルフェニルクロリドの反応系の
溶媒としてジメチμホμムアミド(DMF)を使用して
いるため、DMFの回収が難しくなり、経済性が大きく
低下する。また、特開昭57−80569号公報による
場合ではフタルイミドとシクロへキシルスルフエニ!レ
クロリドの反応系に添加する塩基としてアルカリ金属水
酸化物またはアルカリ土類金属水酸化物の水溶液を使用
する一方、シクロへキシルス〜フエニμクロリドの溶媒
にペンタン”、ヘキサン、トルエンの有機溶媒が用いら
れ、結果的に反応系は塩基の水溶液層と有機溶媒の2液
層になる。従って反応を円滑に進めるために経済的をこ
不利な乳化剤の添加が必要となる。
本発明者らは経済的なN−(シクロヘキシフレチオ)−
フタルイミドの製造法について鋭意検討しt、ニー 結
果、フタルイミドとシクロヘキシ!レスlレフエニルク
ロリドおよびトリエチルアミンの反応を四塩化炭素中で
行うことによって、溶媒が容易tこ回収され、乳化剤の
使用も必要としない極めて経済的す方法で高純度のN−
(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドを製造する本発
明の方法に到達したものである。
すなわち、本発明は、フタルイミドとシクロヘキシルス
ルフェニルクロリドとを反応せしめる際、反応溶媒とし
て四塩化炭素を用いることを特徴とするN−(シクロへ
キシルチオ)−フタルイミドの製造方法である。
本発明において、原料として使用されるシクロヘキシル
スルフエニルクロリドは特に限定するものではないが、
シクロヘキサンチオ−μまたはジシクロヘキシフレジス
ルフィドと塩素の反応によツテ合成すレルシクロへキシ
ルスルフェニルクロリドが適用される。
シクロヘキシルスルフェニルクロ1JFf/)ifli
;l:、フタルイミドに対して厳密には等モルの量が好
ましいか等モルより少ない場合でも本質的な支障はない
。等モルより多いと、反応系内から未反応のシクロヘキ
シルヌルフェニルクロリトヲ分離スルのに手間を要する
。従ってシクロへキシルスルフェニルクロリドの量はフ
タルイミド1モルに対して0.5モルから1モlしの範
囲が好ましく適用される。すなわち、等モル若しくはフ
タルイミド過剰の状態で反応するのが好ましい。還基と
してはトリエチルアミンが好ましく用いられる。
反応系に供給されるトリエチルアミンの量はフタルイミ
ドの量を基準にして決定される。フタフレイミド1モル
に対してトリエチルアミンは論理的には1モルでなけれ
ばならないが、1.0〜1.2モルの範囲であればよい
本発明において、反応溶媒として使用する四塩化炭素ハ
ffi 料の7クロヘキシルスルフエニlレクロリドと
トリエチルアミンおよび生成物のN−(シクロへキシル
チオ)−フタルイミドをよ<#J解L、−41tX料の
フタルイミドとトリエチルアミン塩酸塩を溶解しにくい
特性を有する。この特性が本発明において極めて大きな
意味を有する。
溶媒特性による効果を具体的に述べる。スラリー状態で
存在する原料のフタルイミドは反応が進むにつれて四塩
化炭素溶媒の反応液中にN−(シクロヘキシルチオ)−
フタルイミドとして変化溶解し、過剰分あるいは未反応
のフタルイミドは不溶状で反応液中のN−(シクロヘキ
シルチオ)−フタルイミドと容易に分離される。この結
果、生成物と未反応物を分離する繁雑な操作を必要とせ
ず、生成物の収量低下が回避できる。またトリエチルア
ミンについても反応が進行して副生じてくルトリエチル
アミン塩酸塩は、四塩化炭素溶媒の反応液から不溶分と
して分離するので反応液中のN−(シクロへキシルチオ
)−7り!レイミドとの分離操作を容易にして、収量低
下が回避できる。
さらに反応液から分離したトリエチルアミン塩酸塩は、
水に溶解中和後蒸留すると再使用可能なトリエチルアミ
ンとして回収できる。また、不溶分を除去した反応液を
濃縮してN−(シクロへキシルチオ)−フタルイミドを
晶析分離すると再使用可能な四塩化炭素が極めて容易t
こ回収できる。
以上のように原料のフタルイミドとトリエチルアミンが
効率よく分離、回収でき使用した溶媒の回収が容易に行
なわれるとともに、N−(シクロへキシルチオ)−フタ
ルイミドが高純匿テ、カつ高収率で取得できるのは、四
塩化炭素を溶媒に使う本発明の極めて特徴的な効果であ
る。
本発明の四塩化炭素を溶媒に用いるもう一つの効果ハ原
料のシクロヘキシルスルフェニルクロリドをジシクロヘ
キシルジスルフィドの塩素化により合成する場合には、
塩素化反応と本発明の方法における溶媒を共通溶媒にす
ることができ、本発明の原料に使用するに際し、シクロ
ヘキシフレスルフェニルクロリドから塩素化溶媒の四塩
化炭素を厳密に分離、除去する必要がな(なる。
本発明の効果を得るための四塩化炭素の量は、原料のフ
タルイミド1重量部に対して四塩化炭素3重量部から1
2重量部の範囲がよく、好ましくは6重量部から10重
量部の範囲である。
四塩化炭素の量が少な過ぎると、フタlレイミドのスラ
リー濃度が高くなって操作性が悪化し、また四塩化炭素
が多いと、単位操作当りの主成分の処理量が小さくなっ
て経済的に好ましくない。反応温度はOt!から40℃
の範囲内で行われる。反応温度が高いと反応系に供給さ
れたシクロへキシルスルフェニルクロリドの分解と生成
したN−(シクロヘキシルチオ)−7りlレイミドが不
純化するので40℃以上の温度は好ましくない。また反
応温度があまり低いと、四塩化炭素に対するN−(シク
ロヘキシルチオ)−フタルイミドの溶解度が小さくなっ
て、操作面で不利になる。
反応時間は特に限定するものでなく、他の要件に従って
最も適切な反応時間が選定される。
実施例1 滴下ロート、逆流コンデンサ、かきまぜ機、温度計を備
えた3 00 m/容ガラス製四つロフラスコの中に純
度98%のフタルイミド15.09と純度99チ以上の
トリエチルアミン12.7gヲ95 g1/)四塩化炭
素と一緒に仕込み、四つロフラスコを水浴で冷却しなが
ら内液をかきまぜた。
四つロフラスコの内液温度を20℃から30℃ニ維持シ
、この中にシクロへキシルスルフェニルクロリド15.
05 Ljと四塩化炭素45Qの混合溶液を滴下ロート
から徐々に添加した。添加終了後も60分間かぎまぜを
継続して温度を20℃から田℃に維持した。
反応系に加えたトリエチルアミンはフタlレイミドとシ
クロヘキシルスルフェニルクロリドの反応で生成する塩
化水素と等モ)V量がトリエチルアミン塩酸塩となって
祈出した。過剰分のトリエチルアミンはそのまま反応液
中に溶存する。
四つロフラスコ内液のか#まぜを続けなから3チ塩酸水
溶歇31.4Mを滴下ロートがら餘々に添加すると未反
応のトリエチルアミンは塩酸塩になりトリエチルアミン
塩酸塩の全量が水層に溶解して、液は2層に分液した。
全量を分液ロートに移液して上層と下層を分離した。
下層を200ゴ容ロータリーエバポレータで液を留去さ
せ25.79の結晶性固形物と138gの留出液を得た
。固形物の融点は92.5℃でN−(シクロヘキシルチ
オ)−フタルイミドの純度ハlクロマトダラムで分析し
た結果99.4%であった。
また留出液の四塩化炭素純度はガスクロマトグラムで9
9.8%を示し、そのまま7タpイミドとシクロヘキシ
ルスルフエニ!レクロリドの反応溶媒トして適用可能な
品質であった。上層をビーカ中でかきまぜながら、48
%苛性ソーダ水溶1i10.5りを少量ずつ餘々に添加
すると2層に分液するので、分液ロートに移して上層と
下層に分離する。
上層はガスクロマトグラムで分析すると、98.0チの
トリエチルアミンでフタルイミドと7クロヘキシルスル
フエニルクロリドの反応に再供給できる。
実施例2 実施例1と同じ反応装置中に純度98チのフタルイミl
” 15 、 Ofと純度99.9−のトリエチルアミ
ン12.7gを実施例1で回収した四塩化炭素959と
一緒に仕込み、四つロフラヌコを水浴で冷却しながら内
液をかきまぜた。
四つロフラスコの内液温度を20t’3から60℃の範
囲に維持し、この中にシクロヘキシルスルフェニルクロ
リド15.0層Mlと実施例1で回収した四塩化炭素4
0gの混合溶液を滴下ロートから餘Iff、に添加した
。添加終了後60分間かきまぜて温度を20℃から60
′Cの範囲に保った。
反応終了液に3qI)塩酸水溶液31,4Mをイ余々に
加えてから分液ロートに移液し、上層と下層を分離した
下層ヲ2004容のロータリーエバポレータの蒸発フラ
スコtこ仕込み、液を留出させて24.5gの結晶性固
形物と1359の留出液を得た。固形物の融点は92℃
で、液クロマトグラムによるN−(シクロヘキシルチオ
)−フタルイミドの純度は99.1%であった。また留
出した四塩化炭素純度はガスクロマトグラムで99.5
%であった。
上層はビーカ中でかぎまぜながら48%苛性ソ−ダ水溶
液10.!IMを餘々に添加し、分液した上層をガスク
ロマトダラムで分析して、純度98.1−のトリエチル
アミンであることを確認した。
実施例3 ′  実施例1と同じ反応装置中に、純度98チのフタ
ルイミド15.Ogと実施例1.2で回収した純度98
チのトリエチルアミン12.9 gとを四塩化炭素95
gと一緒に仕込み四つ目フラスコを水浴で冷却しながら
内液をかきまぜた。
四つロフラスコの内液温度を20℃から30℃の範囲に
維持し、この中にシクロヘキ7μスルフェニルクロリド
150口5すと四塩化炭素409の混合溶液を滴下ロー
トからイ余々tこ添加した。
添加終了後60分間かきまぜて温度を20uから60℃
に保った。反応終了液に3%塩酸水溶液31.5gを餘
々に加えてから分液ロートに移液し、上層と下層を分離
した。
下層は200 ml容のロータリーエバポレータの蒸発
フラスコに仕込み液を留出させて25.6gの固形物と
134gの留出液を得た。固形物の融点は91+6℃で
液体クロマトグラムにょるN−(シクロヘキシルチオ)
−フタルイミドの含有率は98.2%であった。また留
出した四塩化炭素純度は99.6チであった。
上層はビーカ中でかぎまぜながら48チ苛性ソーダ水溶
液10.5gをイ余々に添加し、分液した上層をガスク
ロマトダラムで分析して、純[97,9チのトリエチル
アミンであることを確認した。
参  考  例 表1に示す種々の溶媒を用いてジシクロへキシルシヌル
フイドの塩−X 化、  シクロヘキシルスルフェニル
クロリドとフタルイミドの反応、シクロヘキシルチオフ
タルイミドの再結晶における適、不適を検討した結果を
表に示す。
表 O:適  △:あi抄適さない  ×:不適四塩化炭素
のみは、すべての工程において適用可能であったが、そ
の他の溶媒は必ずしもすべての工程において適用可能で
はなかった。
特許出願人 東し株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フタルイミドとシクロヘキシルスルフェニルクロリドと
    を反応せしめる際、反応溶媒として四塩化炭素を用いる
    ことを特徴とするN−(シクロへキシルチオ)−7タル
    イミドの製造方法。
JP23198382A 1982-12-29 1982-12-29 N−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造方法 Pending JPS59122464A (ja)

Priority Applications (1)

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JP23198382A JPS59122464A (ja) 1982-12-29 1982-12-29 N−(シクロヘキシルチオ)−フタルイミドの製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108568128A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 东丽精细化工株式会社 合成溶剂的回收方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4922939A (ja) * 1972-04-24 1974-02-28

Patent Citations (1)

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JPS4922939A (ja) * 1972-04-24 1974-02-28

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