JPS59122442A - 高純度α−ニトロナフタレンの製造方法 - Google Patents
高純度α−ニトロナフタレンの製造方法Info
- Publication number
- JPS59122442A JPS59122442A JP9670282A JP9670282A JPS59122442A JP S59122442 A JPS59122442 A JP S59122442A JP 9670282 A JP9670282 A JP 9670282A JP 9670282 A JP9670282 A JP 9670282A JP S59122442 A JPS59122442 A JP S59122442A
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- Japan
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- naphthalene
- nitronaphthalene
- sulfuric acid
- inert solvent
- mol
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規に改良された高純度σ−ニトロナフタレン
の工業的製造方法に関する。
の工業的製造方法に関する。
ａ−ニトロナフタレンは染料、顔料、農薬、礪能性高分
子材料等ファインケミカルズの素原料として重要な化合
物である。しかしながら、従来の製造方法においてはナ
フタレンを混酸でモノニトロ化する方法が工業的に採用
されているが、該方法では約５％のβ−二トロナフタレ
ンの副生を抑制することができず、又、該副生β一体の
分離方法もスウエツティング方法等の多大の労力を用い
て分離しており、この点も生産性の向上を阻畜する大き
な要因の一つになっている。
子材料等ファインケミカルズの素原料として重要な化合
物である。しかしながら、従来の製造方法においてはナ
フタレンを混酸でモノニトロ化する方法が工業的に採用
されているが、該方法では約５％のβ−二トロナフタレ
ンの副生を抑制することができず、又、該副生β一体の
分離方法もスウエツティング方法等の多大の労力を用い
て分離しており、この点も生産性の向上を阻畜する大き
な要因の一つになっている。
又、ナフタレンの混酸によるモノニトロ化方法において
は、反応の進行と共に生成するモノニトロナフタレンを
溶解させ、かきませをｇ易にするための目的に多酸の硫
酸が用いられている。これら多量の硫酸は一部回収、再
利用されてはいるが、大部分は中和、廃棄処理されてい
る現状にあり、省エネルギー、省資源の端点からも解決
されなければならない多くの問題点を含んでいた。
は、反応の進行と共に生成するモノニトロナフタレンを
溶解させ、かきませをｇ易にするための目的に多酸の硫
酸が用いられている。これら多量の硫酸は一部回収、再
利用されてはいるが、大部分は中和、廃棄処理されてい
る現状にあり、省エネルギー、省資源の端点からも解決
されなければならない多くの問題点を含んでいた。
本発明者等はこれらの状況から、これら多くの問題点を
解決すべく、鋭意研究をかさね、ついに本発明を完成し
た。
解決すべく、鋭意研究をかさね、ついに本発明を完成し
た。
即ち、本発明は、ナフタレンを硝酸でモノニトロ化して
、α−ニトロナフタレンを製造する方法において、炭素
数１乃至２の塩素置換炭化水素類。
、α−ニトロナフタレンを製造する方法において、炭素
数１乃至２の塩素置換炭化水素類。
ニトロメタン、ｏ−ジクロルベンゼン、シクロヘキサン
の中より選ばれた１棟、或いはそれ以上の不活性溶媒中
で、ナフタレン１モルに対し、硫酸０．１モル乃至１．
１モルの存在下、硝酸１．０モル乃至１．１モル倍を反
応系内の遥度を一１０℃以下に保ちつつ反応系に導入す
る高純度α−ニトロナフタレンの製造方法であり、又、
更にはナフタレンを硝酸でモノニトロ化して、α−ニト
ロナフタレンを製造する方法において、炭素故１乃至２
の塩素置洟炭化水素頌、ニトロメタン、ｏ−ジクロルベ
ンゼン。
の中より選ばれた１棟、或いはそれ以上の不活性溶媒中
で、ナフタレン１モルに対し、硫酸０．１モル乃至１．
１モルの存在下、硝酸１．０モル乃至１．１モル倍を反
応系内の遥度を一１０℃以下に保ちつつ反応系に導入す
る高純度α−ニトロナフタレンの製造方法であり、又、
更にはナフタレンを硝酸でモノニトロ化して、α−ニト
ロナフタレンを製造する方法において、炭素故１乃至２
の塩素置洟炭化水素頌、ニトロメタン、ｏ−ジクロルベ
ンゼン。
シクロヘキサンの中より選ばれた１種、或いはそれ以上
の不活性溶媒中で、ナフタレン１モルに対し、硫酸０．
１モル乃至１．１モルの存在下、硝酸１．０モル乃至１
．１モル倍を反応系内の温度を５℃以下に保ちつつ反応
系内に導入し、該ニトロ化反応終了後、一部不活性溶媒
を除去し、析出する高純度α−ニトロナフタレンを分離
する高純度α−ニトロナフタレンの製造方法である。
の不活性溶媒中で、ナフタレン１モルに対し、硫酸０．
１モル乃至１．１モルの存在下、硝酸１．０モル乃至１
．１モル倍を反応系内の温度を５℃以下に保ちつつ反応
系内に導入し、該ニトロ化反応終了後、一部不活性溶媒
を除去し、析出する高純度α−ニトロナフタレンを分離
する高純度α−ニトロナフタレンの製造方法である。
更に詳細に説明するならば、本発明に用いられる溶媒は
、反応系内で導入する硝酸と容易に混和する場合は、叉
応終了＊の不活性溶媒の回収、再利用が容易におこない
かたく、このため、工業的にはこのような溶媒は用いる
ことは不適当となる。
、反応系内で導入する硝酸と容易に混和する場合は、叉
応終了＊の不活性溶媒の回収、再利用が容易におこない
かたく、このため、工業的にはこのような溶媒は用いる
ことは不適当となる。
これらの理由から、本発明に用いられる不活性溶媒とし
ては、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリ
クレン、パークレン、テトラクロルエタン、等の塩素置
換炭化水素類並びにニトロメタン、ｏ−ジクロルベンゼ
ン、シクロヘキサンがあげられる。又、用いる硫酸は触
媒量を用いればよく、好ましくはナフタレン１モルに対
し、硫酸０．１モル乃至１．０モルの範囲で用いられ、
この量は従来用いられていた硫酸轍の２／５乃至１／２
５と着しく減少させることを可能にした。
ては、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリ
クレン、パークレン、テトラクロルエタン、等の塩素置
換炭化水素類並びにニトロメタン、ｏ−ジクロルベンゼ
ン、シクロヘキサンがあげられる。又、用いる硫酸は触
媒量を用いればよく、好ましくはナフタレン１モルに対
し、硫酸０．１モル乃至１．０モルの範囲で用いられ、
この量は従来用いられていた硫酸轍の２／５乃至１／２
５と着しく減少させることを可能にした。
しかしながら、これら溶媒中で触媒量の硫酸の存在下で
の反応であっても、従来と同様の反応温度域ではα一体
、β一体の生成比を変え、α一体を増加させることは出
来ず、このため、これら条件に更に反応温度を氷点下１
０℃以下、好ましくは氷点下１５℃以下に反応系を保ち
つつ、且つ良好なかきまぜ状態を保ちつつ反応をする必
要がある。以上、これらの条件を満足することによって
はじめて反応生成吻甲のβ一体生成率を１％以下に抑制
することが可能となる。
の反応であっても、従来と同様の反応温度域ではα一体
、β一体の生成比を変え、α一体を増加させることは出
来ず、このため、これら条件に更に反応温度を氷点下１
０℃以下、好ましくは氷点下１５℃以下に反応系を保ち
つつ、且つ良好なかきまぜ状態を保ちつつ反応をする必
要がある。以上、これらの条件を満足することによって
はじめて反応生成吻甲のβ一体生成率を１％以下に抑制
することが可能となる。
一方、不活性溶媒中、硫酸触媒の存在下での条件で、従
来知られている通常の反応温度、即ち。
来知られている通常の反応温度、即ち。
０℃付近での反応によっても、多量の硫酸溶媒中での反
応と同程度の反応結果を得ることができ、その上、反応
終了麦、水蒸気蒸留等により一部不活性溶媒を除去して
から、冷却して結晶を析出させることによって、高純度
のα−ニトロナフタレンを得ることができる。このため
、低温による反応により２％以下のβ一体金含有ケーキ
場合には、不活性容媒の使用の減少、更には回収率の向
上が可能となり、硫酸の使用量減少と併せ、漣に工業的
に有利な製造方法となる。
応と同程度の反応結果を得ることができ、その上、反応
終了麦、水蒸気蒸留等により一部不活性溶媒を除去して
から、冷却して結晶を析出させることによって、高純度
のα−ニトロナフタレンを得ることができる。このため
、低温による反応により２％以下のβ一体金含有ケーキ
場合には、不活性容媒の使用の減少、更には回収率の向
上が可能となり、硫酸の使用量減少と併せ、漣に工業的
に有利な製造方法となる。
使用される触媒量の硫酸濃度は比較的高濃度であれば可
能であるが、工業的に好ましい濃度は６５％乃全９５％
程度がよい。９５％以上の高濃度であるとジニトロ体ま
で反応が進行し、目的物の収率が着しく低下し、６５％
以下であると反応時間が着しく延長され、工業的に不利
となる。
能であるが、工業的に好ましい濃度は６５％乃全９５％
程度がよい。９５％以上の高濃度であるとジニトロ体ま
で反応が進行し、目的物の収率が着しく低下し、６５％
以下であると反応時間が着しく延長され、工業的に不利
となる。
本発明を更に詳述するため、以下に実施例を挙げ説明す
るが、本発明はこれら実権例のみに限定されるものでは
ない。
るが、本発明はこれら実権例のみに限定されるものでは
ない。
実施列１〜４
不活性溶媒５ｍｌと９０％の濃度の硫酸（廃酸のＤＶＳ
がＬ７になるように調整）中にナフタレン０．０２モル
を加え−１８℃乃至−２０℃の範囲で激しくかきまぜな
がら、約１時間を映して９８％硝酸０．０２１モルを贋
下し、同温度で１０時間反応した。反応終了後、ガスク
ロマトグラフィーで分析、その生成率を測定した。結果
は表１に示す。
がＬ７になるように調整）中にナフタレン０．０２モル
を加え−１８℃乃至−２０℃の範囲で激しくかきまぜな
がら、約１時間を映して９８％硝酸０．０２１モルを贋
下し、同温度で１０時間反応した。反応終了後、ガスク
ロマトグラフィーで分析、その生成率を測定した。結果
は表１に示す。
実施例５〜２５
反応温間を０Ｃ乃至２Ｃの範囲とし、魔酸のＤＶＳが１
．６８となるよう櫨々の嬢度の硫酸で調整した以外は実
施例ｌと同様におこない、反応終後、ガスクロマトグラ
フィーで分析、その生成率を測定した。その結果を第２
表に示す。
．６８となるよう櫨々の嬢度の硫酸で調整した以外は実
施例ｌと同様におこない、反応終後、ガスクロマトグラ
フィーで分析、その生成率を測定した。その結果を第２
表に示す。
次いで、各反応系より一部の不活性溶媒を水蒸気蒸留で
除去し、冷却して析出する結晶を分離、水洗、乾燥した
。
除去し、冷却して析出する結晶を分離、水洗、乾燥した
。
生成物の分析はガスクロマトグラフィーで定数分析した
。その結果を表３に示す。
。その結果を表３に示す。
手続：１ｃｒｌｉ正棗〈方式）
１、事件の表示 昭和５７年特許願第９６７０２月２、
発明の名称 コウシＬシトｒ０フ？ 高純度α−ニトロナフタレンの製造方法３、補正をづる
者 事例との関係 特許出願人 ″Ｉツ°”ｔ ？７ ９ ｒ−Ｙ ＋ｓ％ ＩＴ
ＸＩ ｙｉ’ ｒｈ京都府綴喜郡田辺町大任ケ丘 昭和５８年１０月２５日 ゛・５．堀ギ ′ ５、補正の対象 願書 特許請求の範囲に記載された発明の数の欄、発明者及び
出願人平島恒亮の住所の欄 明細書 ６、補正の内容 願書 １、特許請求の範囲に記載された発明の数の欄及び発明
数２の加筆及び発明者及び出願人平島恒亮の住所の誤記
訂正。
発明の名称 コウシＬシトｒ０フ？ 高純度α−ニトロナフタレンの製造方法３、補正をづる
者 事例との関係 特許出願人 ″Ｉツ°”ｔ ？７ ９ ｒ−Ｙ ＋ｓ％ ＩＴ
ＸＩ ｙｉ’ ｒｈ京都府綴喜郡田辺町大任ケ丘 昭和５８年１０月２５日 ゛・５．堀ギ ′ ５、補正の対象 願書 特許請求の範囲に記載された発明の数の欄、発明者及び
出願人平島恒亮の住所の欄 明細書 ６、補正の内容 願書 １、特許請求の範囲に記載された発明の数の欄及び発明
数２の加筆及び発明者及び出願人平島恒亮の住所の誤記
訂正。
２、明細書の浄書（内容に変更なし）
添伺書類の目録
１、誤記の理由書
２、住民票
２９２
Claims (2)
- １．ナフタレンを硝酸でモノニトロ化して、α−二トロ
ナフタレンを製造する方法において、炭痰数１乃至２の
塩素置換炭化水素類、ニトロメタン、ｏ−ジクロルベン
ゼン、シクロヘキナンの中より選ばれた１題、或いはぞ
れ以上の不活性溶媒中で、ナフタレン１モルに対し、硫
酸０．１モル乃至１．０モルの存在下、硝酸１．０モル
乃至１．１モル倍を反応系内の温度を−１０Ｃ以下に保
ちつつ反応系に導入することを特徴とする高純度α−ニ
トロナフタレンの製造方法。 - ２．ナフタレンを硝酸でモノニトロ化シテ、α−二トロ
ナフタレンを製造する方法において、炭奏敢ｌ乃至２の
塩素置換炭化水素類、ニトロメタン、ｏ−ジクロルベン
ゼン、シクロヘキサンの中より選ばれた１櫨、或いはそ
れ以上の不活性溶媒中で、ナフタレン１モルに対し、硫
酸０．１モル乃至１．０モルの存在下、硝酸１．０モル
乃至１．１モル倍を反応系内の温度を５℃以下、に保ち
つつ反応系内に導入し、該ニトロ化反応終了後、一部不
活性溶媒を除去し、析出する高純度α−ニトロナフタレ
ンを分層することを特徴とする毘純度α−ニトロナフタ
レンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9670282A JPS59122442A (ja) | 1982-06-05 | 1982-06-05 | 高純度α−ニトロナフタレンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9670282A JPS59122442A (ja) | 1982-06-05 | 1982-06-05 | 高純度α−ニトロナフタレンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59122442A true JPS59122442A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=14172088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9670282A Pending JPS59122442A (ja) | 1982-06-05 | 1982-06-05 | 高純度α−ニトロナフタレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59122442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012886A1 (de) * | 1997-09-08 | 1999-03-18 | Bayer Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines dinitronaphthalin-isomerengemisches mit hohem anteil an 1,5-dinitronaphthalin |
-
1982
- 1982-06-05 JP JP9670282A patent/JPS59122442A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999012886A1 (de) * | 1997-09-08 | 1999-03-18 | Bayer Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines dinitronaphthalin-isomerengemisches mit hohem anteil an 1,5-dinitronaphthalin |
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