JPS59121967A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS59121967A JPS59121967A JP22901482A JP22901482A JPS59121967A JP S59121967 A JPS59121967 A JP S59121967A JP 22901482 A JP22901482 A JP 22901482A JP 22901482 A JP22901482 A JP 22901482A JP S59121967 A JPS59121967 A JP S59121967A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/8605—Resistors with PN junctions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に相補型誘電体
分離基板の少くとも一つの分離領域に抵抗素子が形成さ
れる半導体集積回路装置に関する。
分離基板の少くとも一つの分離領域に抵抗素子が形成さ
れる半導体集積回路装置に関する。
従来の半導体集積回路装置では、一般にN型の半導体領
域に選択的にP型不純物を拡散して抵抗素子を形成して
いた。
域に選択的にP型不純物を拡散して抵抗素子を形成して
いた。
第1図は従来の抵抗素子の断面図である。
多結晶シリコン支持体領域4中に分離酸化膜3により分
離されたNfi単結晶の半導体領域1の表面にフィール
ド酸化膜5を形成したのち、所定領域のフィールド酸化
膜5を除去し、P型不純物としてのホウ素(B)を拡散
し、P型拡散抵抗領域6を形成する。そして、このP型
拡散抵抗領域6表面に酸化膜7を形成したのち、P型拡
散抵抗領域6上の酸化膜7にオーミックコンタクト用窓
8をあける。次に、アルミニウム(At)を半導体領域
1の全面に蒸着したのち、選択エツチングによりAt配
線9を形成し、抵抗素子を完成させる。なお、2は高濃
度N型単結晶の半導体領域である。
離されたNfi単結晶の半導体領域1の表面にフィール
ド酸化膜5を形成したのち、所定領域のフィールド酸化
膜5を除去し、P型不純物としてのホウ素(B)を拡散
し、P型拡散抵抗領域6を形成する。そして、このP型
拡散抵抗領域6表面に酸化膜7を形成したのち、P型拡
散抵抗領域6上の酸化膜7にオーミックコンタクト用窓
8をあける。次に、アルミニウム(At)を半導体領域
1の全面に蒸着したのち、選択エツチングによりAt配
線9を形成し、抵抗素子を完成させる。なお、2は高濃
度N型単結晶の半導体領域である。
この様な構造に形成された抵抗素子においては、P型拡
散抵抗領域6を形成するために用いられるBは拡散又は
イオン注入された後の酸化工程で、表面のば化膜7中に
も拡散される。
散抵抗領域6を形成するために用いられるBは拡散又は
イオン注入された後の酸化工程で、表面のば化膜7中に
も拡散される。
第2図は第1図に示す拡散抵抗領域近傍における不純物
の濃度分布図である。
の濃度分布図である。
P型拡散抵抗領域6内のBの濃度Nは、半導体領域1の
深さ方向Xに対し減少するが、その表面の酸化膜7の近
傍でも低下する。従って、オーミックコンタクト用窓8
近傍のオーミック抵抗が高くなると共に、そのばらつき
のため抵抗素子の品質が低下するという欠点がある。
深さ方向Xに対し減少するが、その表面の酸化膜7の近
傍でも低下する。従って、オーミックコンタクト用窓8
近傍のオーミック抵抗が高くなると共に、そのばらつき
のため抵抗素子の品質が低下するという欠点がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、品質の良い抵抗素
子を有する半導体集積回路装置を提供することにある。
子を有する半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の半導体集積回路装置は、多結晶シリコン支持体
領域に表面が露出するように埋設され絶縁膜によって分
離された少くとも1つずつの相異なる導電型の半導体領
域と、前記半導体領域の少(とも一つのP型半導体領域
に設けられた抵抗素子と、前記半導体領域のうちの残り
の半導体領域に形成された回路導子とを含んで構成され
る。
領域に表面が露出するように埋設され絶縁膜によって分
離された少くとも1つずつの相異なる導電型の半導体領
域と、前記半導体領域の少(とも一つのP型半導体領域
に設けられた抵抗素子と、前記半導体領域のうちの残り
の半導体領域に形成された回路導子とを含んで構成され
る。
本発明によれば、N型拡散抵抗領域を形成するために用
いられるN型不純物としてのリン(P)及びヒ素(As
)は、拡散又はイオン注入された後の酸化工程で、表面
の酸化膜中にはほとんど拡散されないため、オーミック
抵抗は低くなり、従って抵抗値の精度はBの場合に較べ
て再現性が良く。
いられるN型不純物としてのリン(P)及びヒ素(As
)は、拡散又はイオン注入された後の酸化工程で、表面
の酸化膜中にはほとんど拡散されないため、オーミック
抵抗は低くなり、従って抵抗値の精度はBの場合に較べ
て再現性が良く。
品質の良い抵抗素子が形成される。
次に、図面を参照して本発明について説明する。
第3図は、本発明の一実施例の抵抗素子の断面図である
。
。
多結晶シリコン支持体領域4中に分離酸化膜3により分
離された相異なる導電型の半導体領域のうちのP型巣結
晶の半導体領域110表面にフィールド酸化膜5を形成
したのち、所定領域例のフィールド酸化膜5を除去する
。次で、N型不純物としてP又はAsを拡散又はイオン
注入によりP型巣結晶の半導体領域110表面にN型拡
散抵抗領域16を形成する。そして、このN型拡散抵抗
領域16表面に酸化膜7を形成したのち、N型拡散抵抗
領域16上の酸化膜7にオーミックコンタクト用窓8を
あける。次に%Atを半導体領域11の全面に蒸着した
のち、選択エツチングによりAt配線9を形成して抵抗
素子を完成させる。
離された相異なる導電型の半導体領域のうちのP型巣結
晶の半導体領域110表面にフィールド酸化膜5を形成
したのち、所定領域例のフィールド酸化膜5を除去する
。次で、N型不純物としてP又はAsを拡散又はイオン
注入によりP型巣結晶の半導体領域110表面にN型拡
散抵抗領域16を形成する。そして、このN型拡散抵抗
領域16表面に酸化膜7を形成したのち、N型拡散抵抗
領域16上の酸化膜7にオーミックコンタクト用窓8を
あける。次に%Atを半導体領域11の全面に蒸着した
のち、選択エツチングによりAt配線9を形成して抵抗
素子を完成させる。
なお、12は高濃度P型巣結晶の半導体領域である。
この様な構造に形成した抵抗素子においては。
N型拡散抵抗領域16を形成するために用いるP又はA
sは、拡散又はイオン注入された後の酸化工程でも表面
の酸化膜中へはほとんど拡散されない。
sは、拡散又はイオン注入された後の酸化工程でも表面
の酸化膜中へはほとんど拡散されない。
第4図は第3図に示す拡散抵抗領域近傍における不純物
の濃度分布図である。
の濃度分布図である。
N型拡散抵抗領域16内の不純物濃度N′は、N型拡散
抵抗領域16の表面では高濃度のままとなっている。従
って、オーミック接触部での抵抗は低くなるので、素子
抵抗の抵抗値はN型拡散抵抗領域16の層抵抗に依存し
、接触抵抗の影響をほとんど受けない。このため素子抵
抗のばらつきは少くなり品質は向上する。
抵抗領域16の表面では高濃度のままとなっている。従
って、オーミック接触部での抵抗は低くなるので、素子
抵抗の抵抗値はN型拡散抵抗領域16の層抵抗に依存し
、接触抵抗の影響をほとんど受けない。このため素子抵
抗のばらつきは少くなり品質は向上する。
N型拡散抵抗領域16形成のための不純物の拡散又はイ
オン注入は、PNPI−ランジスタのベース拡散又はN
PNトランジスタのエミッタ拡散と同時に行なえば、特
に工程を増す必要はない。また、P型巣結晶の半導体領
域11の電位を固定する場合は、オーミックコンタクト
部の一方に短絡させて高濃度P型層を拡散させてもよい
。
オン注入は、PNPI−ランジスタのベース拡散又はN
PNトランジスタのエミッタ拡散と同時に行なえば、特
に工程を増す必要はない。また、P型巣結晶の半導体領
域11の電位を固定する場合は、オーミックコンタクト
部の一方に短絡させて高濃度P型層を拡散させてもよい
。
以上詳細に説明したように、本発明によれば。
ばらつきの少い品質の向上した抵抗素子を有する半導体
集積回路装置が得られ、特にカレントミラー回路等の抵
抗の比精度が要求される半導体集積回路装置においては
その効果は極めて大きい。
集積回路装置が得られ、特にカレントミラー回路等の抵
抗の比精度が要求される半導体集積回路装置においては
その効果は極めて大きい。
第1図は従来の抵抗素子の断面図、第2図は第1図に示
す拡散抵抗領域近傍における不純物の濃度分布図、第3
図は本発明の一実施例の抵抗素子の断面図、第4図は第
3図に示す拡散抵抗領域近傍における不純物の濃度分布
図である。 1・・・・・・N型単結晶の半導体領域、2・・・・・
・高濃度N型単結晶の半導体領域、3・・・・・・分離
酸化膜、4・・・・・・多結晶シリコン支持体、5・・
・・・・フィールド酸化膜、6・・・・・・P型拡散抵
抗領域、7・・・・・・酸化膜。 8・・・・・・オーミックコンタクト用窓、9・・四A
t配線、11・・・・・・P型巣結晶の半導体領域、1
2・・・・・・高濃度P型巣結晶の半導体領域、16・
・・・・・N型拡散抵抗領域。
す拡散抵抗領域近傍における不純物の濃度分布図、第3
図は本発明の一実施例の抵抗素子の断面図、第4図は第
3図に示す拡散抵抗領域近傍における不純物の濃度分布
図である。 1・・・・・・N型単結晶の半導体領域、2・・・・・
・高濃度N型単結晶の半導体領域、3・・・・・・分離
酸化膜、4・・・・・・多結晶シリコン支持体、5・・
・・・・フィールド酸化膜、6・・・・・・P型拡散抵
抗領域、7・・・・・・酸化膜。 8・・・・・・オーミックコンタクト用窓、9・・四A
t配線、11・・・・・・P型巣結晶の半導体領域、1
2・・・・・・高濃度P型巣結晶の半導体領域、16・
・・・・・N型拡散抵抗領域。
Claims (1)
- 多結晶シリコン支持体領域に表面が露出するように埋設
され絶縁膜によって分離された少くとも1つずつの相異
なる導電型の半導体領域と、前記半導体領域の少くとも
一つのP型半導体領域に設けられた抵抗素子と、前記半
導体領域のうちの残りの半導体領域に形成された回路素
子とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22901482A JPS59121967A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22901482A JPS59121967A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59121967A true JPS59121967A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16885402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22901482A Pending JPS59121967A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59121967A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5521434A (en) * | 1994-10-17 | 1996-05-28 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip and electronic module with integrated surface interconnects/components |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22901482A patent/JPS59121967A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5521434A (en) * | 1994-10-17 | 1996-05-28 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip and electronic module with integrated surface interconnects/components |
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