JPS59119322A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS59119322A JPS59119322A JP57228948A JP22894882A JPS59119322A JP S59119322 A JPS59119322 A JP S59119322A JP 57228948 A JP57228948 A JP 57228948A JP 22894882 A JP22894882 A JP 22894882A JP S59119322 A JPS59119322 A JP S59119322A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アクティブマトリックス液晶表示装置に関し
、製造工程において発生した画素欠陥の1伽正盆目日′
りとしたものである、以下図面ケ参照して説明する。
、製造工程において発生した画素欠陥の1伽正盆目日′
りとしたものである、以下図面ケ参照して説明する。
液晶表示装置に、小型・戦貫・低省費ぼ力・受f、衆ボ
テバイスといった%艮を活し、時計・電卓などに広く使
用されており、将来有望な表示装置のひとつである、こ
の内示機内に信号線と画素駆動電鴎とtオン・オフする
スイッチング素子音形成したアクティブマトリックス型
のものは、画素駆動′1圧の保持ができればg晶の駆動
デユーティ比100%が可能であり、大冊■・徴n@画
素による尚棺細度に通している。しかしながら、画素サ
イズが小さくなるにつれ、画素駆動電圧ケ保付する1ζ
めの画素部m屯僕と対同電1侶との間に散晶ケ秋む抹狩
谷磁が少さくなり、別に谷りt全退別しないと車圧が珠
てなくなる。そのためアクティブマトリックス115也
円に保cfd膚r形ノ或゛rる方法がとられるが、乙の
場合には、画素駆動′1憾の一部ケ用いる場合には、ア
クティブマトリックス基板を元が通過するようなTN型
液晶ケ用いた場合などVこおいては、光の透過率が低下
し、表ツバのコントラスト洛ち、表示品頁が悪くなると
いった間:屯がある。そこで画素部dJ電極とそれに瞬
接するタイミング線との間にコンデンサ7形成する方法
がとられる、この万ff1U非選択レベルにあるタイミ
ング線とのiH]に答献r作るもので、現仕遇択レベル
にあるタイミング線のひとつθIJのタイミング線と画
素部IAjJ電極によって形成される。
テバイスといった%艮を活し、時計・電卓などに広く使
用されており、将来有望な表示装置のひとつである、こ
の内示機内に信号線と画素駆動電鴎とtオン・オフする
スイッチング素子音形成したアクティブマトリックス型
のものは、画素駆動′1圧の保持ができればg晶の駆動
デユーティ比100%が可能であり、大冊■・徴n@画
素による尚棺細度に通している。しかしながら、画素サ
イズが小さくなるにつれ、画素駆動電圧ケ保付する1ζ
めの画素部m屯僕と対同電1侶との間に散晶ケ秋む抹狩
谷磁が少さくなり、別に谷りt全退別しないと車圧が珠
てなくなる。そのためアクティブマトリックス115也
円に保cfd膚r形ノ或゛rる方法がとられるが、乙の
場合には、画素駆動′1憾の一部ケ用いる場合には、ア
クティブマトリックス基板を元が通過するようなTN型
液晶ケ用いた場合などVこおいては、光の透過率が低下
し、表ツバのコントラスト洛ち、表示品頁が悪くなると
いった間:屯がある。そこで画素部dJ電極とそれに瞬
接するタイミング線との間にコンデンサ7形成する方法
がとられる、この万ff1U非選択レベルにあるタイミ
ング線とのiH]に答献r作るもので、現仕遇択レベル
にあるタイミング線のひとつθIJのタイミング線と画
素部IAjJ電極によって形成される。
第1図は、従来のアクティブマトリックス基板の構成r
示すものであり、現任選択レベルにあるタイミング線2
によりスイッチング素子であるMOSトランジスタ8t
オン状態としデータ+tM 1の信号rlI!II累駆
動゛亀襖6に光電する、このとき第2図の回路図に示す
ようにデータ緋1の1汀号tMOSトランジスタ8盆辿
じて、幽累駆鯛′亀醜と液晶セルr構j戎するガラス着
根上の゛1惨によって形成される容量Aと画素駆動電極
と非選択レベルにあるタイミング線5との間に形成した
dt5に貸々光篭する。これによって画素サイズが小さ
くなることによる容量4の低下を谷t5で袖なうことが
できるが、−万で画素駆嬌電4甑と非選択レベルのタイ
ミング線と2貞ね7ci11分6における、上記画素駆
動電極とう「エベ択レベルのタイミング線に迭1れる絶
縁膜におけるピンホールが製造工程において発生した場
合画素部動電4枳はタイミング線の非選択レベルに保た
ルてし1いデータ線刀諷らの信号は消去されてしまつに
の工つなピンホールの発生は、形成される電極7の面頂
が表示装置全体では刀λなりの大きさにな仝ため確率は
商い。こ? の楊せ表示装置としては、その画素が点灯した寸ま、あ
るいは全く点灯しないといった画素欠陥となるため、著
しい品質の低下をまねく。
示すものであり、現任選択レベルにあるタイミング線2
によりスイッチング素子であるMOSトランジスタ8t
オン状態としデータ+tM 1の信号rlI!II累駆
動゛亀襖6に光電する、このとき第2図の回路図に示す
ようにデータ緋1の1汀号tMOSトランジスタ8盆辿
じて、幽累駆鯛′亀醜と液晶セルr構j戎するガラス着
根上の゛1惨によって形成される容量Aと画素駆動電極
と非選択レベルにあるタイミング線5との間に形成した
dt5に貸々光篭する。これによって画素サイズが小さ
くなることによる容量4の低下を谷t5で袖なうことが
できるが、−万で画素駆嬌電4甑と非選択レベルのタイ
ミング線と2貞ね7ci11分6における、上記画素駆
動電極とう「エベ択レベルのタイミング線に迭1れる絶
縁膜におけるピンホールが製造工程において発生した場
合画素部動電4枳はタイミング線の非選択レベルに保た
ルてし1いデータ線刀諷らの信号は消去されてしまつに
の工つなピンホールの発生は、形成される電極7の面頂
が表示装置全体では刀λなりの大きさにな仝ため確率は
商い。こ? の楊せ表示装置としては、その画素が点灯した寸ま、あ
るいは全く点灯しないといった画素欠陥となるため、著
しい品質の低下をまねく。
そこで本発明においては、このような欠陥の発生に対し
て蚊から1参止の方法2与えるもので、第3凶に下すよ
うに画素駆動電極6とを屋5の′心憎7會接続都9以外
で′スリット10により分離しておくパターンとするこ
とである、 このパターン?用いて実際に篭憾7においてピンホール
による欠陥が発生した礪付、接続部9オレーザなどによ
!llψノー■し画系駆動社・1嗅6と児全に分離して
し゛まつことにJ:!7画素駆IjJJJ亀・襖がタイ
ミング線の非選択レベルに保たれてし1つこともなく、
かつ1@素としての電°圧保狩谷量が谷敵4だげになっ
てしまうが、点灯か非点灯かといった極端な欠陥状態で
はなく、データ煉からの信号によって一応コントロール
される状態とな9、刀)なジ改善される。
て蚊から1参止の方法2与えるもので、第3凶に下すよ
うに画素駆動電極6とを屋5の′心憎7會接続都9以外
で′スリット10により分離しておくパターンとするこ
とである、 このパターン?用いて実際に篭憾7においてピンホール
による欠陥が発生した礪付、接続部9オレーザなどによ
!llψノー■し画系駆動社・1嗅6と児全に分離して
し゛まつことにJ:!7画素駆IjJJJ亀・襖がタイ
ミング線の非選択レベルに保たれてし1つこともなく、
かつ1@素としての電°圧保狩谷量が谷敵4だげになっ
てしまうが、点灯か非点灯かといった極端な欠陥状態で
はなく、データ煉からの信号によって一応コントロール
される状態とな9、刀)なジ改善される。
これによりアクティブマトリックス基板の製這歩dジを
同上し、表ボ装痰としての品質向上を計ることができる
、
同上し、表ボ装痰としての品質向上を計ることができる
、
、B1図は従来のアクティブマトリックス基板の構成図
、 42図は41図の′電気回路図。 第3図は本発明による画素駆動電極と谷薦電惚の構成図
。 1・・・テータ脚 2・・・現在選択レベルにあるタイミング線ろ・・・現
住非迅択レベルにあるタイミング線4・・・画業、駆動
電愼と対向電イaに液晶全仏んで作られる容菫 5°゛11素#JA動゛亀11スと非選択レベルにある
、タイミング線3との間に1・「られる容量 6・・・画素駆動電極 7・・谷型57T:構成する画素駆動′亀体6と接続さ
れた゛電極 8・・MOS トランジスタ 9・・画素駆動電極と谷貫蛋傳を分割するスリット IU−°一画素駆動′覗憚と谷献也悼の接枕都以
上 出願人 株式会社諏訪梢工案 代理人 弁理士取上 務 第3図
、 42図は41図の′電気回路図。 第3図は本発明による画素駆動電極と谷薦電惚の構成図
。 1・・・テータ脚 2・・・現在選択レベルにあるタイミング線ろ・・・現
住非迅択レベルにあるタイミング線4・・・画業、駆動
電愼と対向電イaに液晶全仏んで作られる容菫 5°゛11素#JA動゛亀11スと非選択レベルにある
、タイミング線3との間に1・「られる容量 6・・・画素駆動電極 7・・谷型57T:構成する画素駆動′亀体6と接続さ
れた゛電極 8・・MOS トランジスタ 9・・画素駆動電極と谷貫蛋傳を分割するスリット IU−°一画素駆動′覗憚と谷献也悼の接枕都以
上 出願人 株式会社諏訪梢工案 代理人 弁理士取上 務 第3図
Claims (1)
- 基板上に多数本のデータ線およびタイミング、潔會互い
に直間して形成し、介は父部分に画集駆動′亀他と、該
画素駆動成憾とデータフ蝉との1111の成就tタイミ
ング緋の1g号Vこよジ側−するスイッチング素子全役
けたアクティブマトリックス基叡Vこ、−万の面に透明
導′亀膜r形j戎したガラス基似とン該画累駆動電極面
と該透明導電膜面と忙スペーサを介して平行に配直し、
液晶を封入してなるアクティブマトリックス液晶表示装
置において、画素駆動′1物と該画累ljA動亀誂に隣
づ汐するタイミング線との間に設けたコンデンサの−を
秘と前記画素駆動1襖と?依就するパターン忙、按絖都
以外の部分について1μm〜10μmの帰のスリットに
より分離することケ特徴とするアクティブマトリックス
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228948A JPS59119322A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228948A JPS59119322A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119322A true JPS59119322A (ja) | 1984-07-10 |
JPH0473569B2 JPH0473569B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=16884359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57228948A Granted JPS59119322A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119322A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60230118A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 記憶容量内蔵型液晶表示装置 |
JPH01219824A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板 |
JPH0298333U (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-06 | ||
JPH02275927A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-11-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
JPH02284120A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
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FR2662290A1 (fr) * | 1990-05-15 | 1991-11-22 | France Telecom | Procede de realisation d'un ecran d'affichage a matrice active et a condensateurs de stockage et ecran obtenu par ce procede. |
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-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228948A patent/JPS59119322A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0473569B2 (ja) | 1992-11-24 |
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