JPS59117825A - 半導体切替装置 - Google Patents
半導体切替装置Info
- Publication number
- JPS59117825A JPS59117825A JP23161582A JP23161582A JPS59117825A JP S59117825 A JPS59117825 A JP S59117825A JP 23161582 A JP23161582 A JP 23161582A JP 23161582 A JP23161582 A JP 23161582A JP S59117825 A JPS59117825 A JP S59117825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- circuit
- semiconductor switching
- switch circuit
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテレビ及びラジオ伝送装置の映像信号切替回路
、音声信号切替回路などに用いられる半導体切替装置に
関する。
、音声信号切替回路などに用いられる半導体切替装置に
関する。
従来、この種の半導体切替回路としては、ダイオードを
用いたもの、トランジスタを用いたもの、又はトランジ
スタをダイオード的動作で用いたものが知られている。
用いたもの、トランジスタを用いたもの、又はトランジ
スタをダイオード的動作で用いたものが知られている。
これらの回路は比較的簡単な構成であるが、ダイオード
スイッチの出力側の影響がそのまま入力側に現われる欠
点がある。またこれらスイッチング素子がオンとなって
いる出力の数の違いにより、映像信号などは伝送特性の
カラー位相が変化してしまう欠点があった。さらに、コ
ンプリメンタリ・トランジスタをエミッタフォロウの動
作をさせ、これら両トランジスタのバイアス電圧をスイ
ッーテ／グトランジスタにより制御して信号をオンオフ
するスイッチャ回路があるが、これらスイッチャ回路を
多数接続した多入力スイッチャとしては伝送特性の微分
位相（ＤＰ入微分利得（ＤＧ）が悪くなる欠点があった
。
スイッチの出力側の影響がそのまま入力側に現われる欠
点がある。またこれらスイッチング素子がオンとなって
いる出力の数の違いにより、映像信号などは伝送特性の
カラー位相が変化してしまう欠点があった。さらに、コ
ンプリメンタリ・トランジスタをエミッタフォロウの動
作をさせ、これら両トランジスタのバイアス電圧をスイ
ッーテ／グトランジスタにより制御して信号をオンオフ
するスイッチャ回路があるが、これらスイッチャ回路を
多数接続した多入力スイッチャとしては伝送特性の微分
位相（ＤＰ入微分利得（ＤＧ）が悪くなる欠点があった
。
本発明の目的は、これらの欠点を除去し、スイッチ特性
のばらつきを抑え、スイッチングのクロストーク特性を
改善し、ＤＧ％ＤＰ特性を良くした半導体切替装置を提
供することにある。
のばらつきを抑え、スイッチングのクロストーク特性を
改善し、ＤＧ％ＤＰ特性を良くした半導体切替装置を提
供することにある。
本発明の半導体切替装置の構成は、信号入力を受は緩衝
増幅するトランジスタと、このトランジスタのエミッタ
あるいはソースに順極性方向に接続された第１のダイオ
ードと、この第１のダイオードの逆極性側に同じ逆極性
側を接続した第２のダイオードと、仁れら第１および第
２のダイオードの接続個所へ一端が接続された定電流源
回路と、前記接続個所に一端を接続し外部制御できるス
イッチ回路と、前記第２のダイオードの順極性側と接続
される出力端子とを含む半導体切替回路を複数個備え、
これら半導体切替回路の各出力端子と共通負荷抵抗とを
接続し、その接続点を出力端とすることを特徴とする。
増幅するトランジスタと、このトランジスタのエミッタ
あるいはソースに順極性方向に接続された第１のダイオ
ードと、この第１のダイオードの逆極性側に同じ逆極性
側を接続した第２のダイオードと、仁れら第１および第
２のダイオードの接続個所へ一端が接続された定電流源
回路と、前記接続個所に一端を接続し外部制御できるス
イッチ回路と、前記第２のダイオードの順極性側と接続
される出力端子とを含む半導体切替回路を複数個備え、
これら半導体切替回路の各出力端子と共通負荷抵抗とを
接続し、その接続点を出力端とすることを特徴とする。
以下、本発明を図面により杆細に説明する。
第１図は本発明の実施例の回路図である。図において、
入力端子１よりＮＰＮ）ランジスタ２のベースに信号を
入力してそのエミッタから緩衝増幅された出力信号を覗
出し、このエミッＩに順極・ 性で接続したダイオード
３のアノードに入力し、このダイオード３のカソードか
ら信号を出力し、この出力信号をダイオード４のカソー
ド側に入力し、このダイオード４のアノード側に接続さ
れた共通負荷抵抗８に出力信号を得る。この状態におい
て、トランジスタ２、ダイオード３、ダイオード４はダ
イオード３とダイオード４の接続点から定電流源回路５
により駆動される。また、その接続点はスイッチ回路６
により外部制御されオンあるいはオフ状態になる。
入力端子１よりＮＰＮ）ランジスタ２のベースに信号を
入力してそのエミッタから緩衝増幅された出力信号を覗
出し、このエミッＩに順極・ 性で接続したダイオード
３のアノードに入力し、このダイオード３のカソードか
ら信号を出力し、この出力信号をダイオード４のカソー
ド側に入力し、このダイオード４のアノード側に接続さ
れた共通負荷抵抗８に出力信号を得る。この状態におい
て、トランジスタ２、ダイオード３、ダイオード４はダ
イオード３とダイオード４の接続点から定電流源回路５
により駆動される。また、その接続点はスイッチ回路６
により外部制御されオンあるいはオフ状態になる。
更に、この半導体切替回路と同一の第２の切替回路と出
力端同志を接続し、第２切替回路のスイッチ回路６を外
部制御によりオンにする事に依りダイオードを逆バイア
スとし、第１の切替回路をオン、第２の切替回路をオフ
にした半導体切替装置が得られる。
力端同志を接続し、第２切替回路のスイッチ回路６を外
部制御によりオンにする事に依りダイオードを逆バイア
スとし、第１の切替回路をオン、第２の切替回路をオフ
にした半導体切替装置が得られる。
以上説明した様に、本発明において、第２の切替回路を
複数設ける事により、複数人力対−出力の半導体切替装
置が出来る事は明らかである。
複数設ける事により、複数人力対−出力の半導体切替装
置が出来る事は明らかである。
また、本実施例では、ＮＰＮ）ランジスタの極性を考慮
した説明を示したが、ＰＮＰ）ランジスタ、電界効果ト
ランジスタを使用して、極性の順逆を考慮すれば同様回
路が得られることは明白である。
した説明を示したが、ＰＮＰ）ランジスタ、電界効果ト
ランジスタを使用して、極性の順逆を考慮すれば同様回
路が得られることは明白である。
第１図は本発明の実施例の回路図である。
図において、ｌ・・・・・・信号の入力端子、２・・・
・・・ＮＰＮ）ランジスタ、３，４・・団・ダイオード
、５・・・・・・定電流回路、６・・・・・・外部制御
可能なスイッチ回路、７・・・・・・出力端子、８・・
・・・・共通負荷抵抗である。 ヤＶ 十Ｖ Ｖ ￥１閾
・・・ＮＰＮ）ランジスタ、３，４・・団・ダイオード
、５・・・・・・定電流回路、６・・・・・・外部制御
可能なスイッチ回路、７・・・・・・出力端子、８・・
・・・・共通負荷抵抗である。 ヤＶ 十Ｖ Ｖ ￥１閾
Claims (1)
- 信号入力を受は緩衝増幅するトランジスタと、このトラ
ンジスタのエミッタあるいはソースに順接性に接続され
た第１のダイオードと、この第１のダイオードの逆極性
側に同じ逆極性側を接続した第２のダイオードと、これ
ら第１のダイオードおよび第２のダイオードの接続個所
へ一端を接続した定電流源回路と、前記接続個所に一端
を接続し〆外部制御できるスイッチ回路と、前記第２の
ダイオードの順極性側と接続される出力端子とを含む半
導体切替回路を複数個備え、これら半導体切替回路の各
出力端子同志と共通負荷抵抗とを接続し、その接続点を
出力端とする事を特徴とする半導体切替装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23161582A JPS59117825A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体切替装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23161582A JPS59117825A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体切替装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117825A true JPS59117825A (ja) | 1984-07-07 |
Family
ID=16926280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23161582A Pending JPS59117825A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 半導体切替装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117825A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643333U (ja) * | 1987-06-24 | 1989-01-10 | ||
| JPH0235534U (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-07 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP23161582A patent/JPS59117825A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643333U (ja) * | 1987-06-24 | 1989-01-10 | ||
| JPH0235534U (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-07 |
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