JPS59117802A - 高出力ｍｉｃ回路 - Google Patents
高出力ｍｉｃ回路Info
- Publication number
- JPS59117802A JPS59117802A JP23067182A JP23067182A JPS59117802A JP S59117802 A JPS59117802 A JP S59117802A JP 23067182 A JP23067182 A JP 23067182A JP 23067182 A JP23067182 A JP 23067182A JP S59117802 A JPS59117802 A JP S59117802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- projection
- case
- side face
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ、）究明の技トド■分野
＋り６明は、マイクロ波、ミリ波帯における高出力１ｖ
ｌ ｉ Ｃ回路に係り、とくに回路素子を搭載するキャ
リアの形状勿改善し、熱を側面から放熱せしめるように
した高出力Ｍ工にｔ！ｌ！ｌ路に関するものである。
ｌ ｉ Ｃ回路に係り、とくに回路素子を搭載するキャ
リアの形状勿改善し、熱を側面から放熱せしめるように
した高出力Ｍ工にｔ！ｌ！ｌ路に関するものである。
（Ｆ）） 従来枝肉と問題侭
イ、１来チップ状の半導体回路素子を用いた増幅器。
冗振イｇ等をＩｆｆ成してなる高出力Ｍ工Ｃ回路を第１
図および第２図に示し、第１図はキャリアを搭載した概
略斜視図、第２図はキャリアの斜視図で、ｌは金属たと
えば銅（Ｃｕ）等からなるケース、２は金属たとえばＣ
ｕ等からなり複数の取付孔２１を芽孔してなるキャリア
、８はキャリア２に搭載するセ嚇体チップ、４はセラミ
ック等からなり表面に、＃；４１を形成してなる基板、
５は金属たとえば金（Ａｕ）等からなり半導体チップ８
と基板４の導体４１とを接続溶着するワイヤ、６は入力
コネクタ、７は出力コネクタ、８は締付ねじ、９はＡｌ
１等からなるリボンである。
図および第２図に示し、第１図はキャリアを搭載した概
略斜視図、第２図はキャリアの斜視図で、ｌは金属たと
えば銅（Ｃｕ）等からなるケース、２は金属たとえばＣ
ｕ等からなり複数の取付孔２１を芽孔してなるキャリア
、８はキャリア２に搭載するセ嚇体チップ、４はセラミ
ック等からなり表面に、＃；４１を形成してなる基板、
５は金属たとえば金（Ａｕ）等からなり半導体チップ８
と基板４の導体４１とを接続溶着するワイヤ、６は入力
コネクタ、７は出力コネクタ、８は締付ねじ、９はＡｌ
１等からなるリボンである。
Ｃｕ等からなり取付孔２１を穿設してなるキャリア２に
金（Ａｕ）メッキを施したるのち、該キャリア２の中央
に半導体チップ８と、該半４体チップ８を所定の距離を
隔て挾む形で、しかも導体４１を前記半導体チップ８に
隣接せしめて接着する。
金（Ａｕ）メッキを施したるのち、該キャリア２の中央
に半導体チップ８と、該半４体チップ８を所定の距離を
隔て挾む形で、しかも導体４１を前記半導体チップ８に
隣接せしめて接着する。
そして該半導体チップ８と基板４に形成した導体４１と
を金（Ａｕ）等からなるワイヤ５で接続した複数のキャ
リア２をり−７１内に実装して締付ねじ８で螺着する。
を金（Ａｕ）等からなるワイヤ５で接続した複数のキャ
リア２をり−７１内に実装して締付ねじ８で螺着する。
そして隣接するキャリア２間をＡｕ等からなるリボン９
にて接続し、前記ケースｌにイ・１設されている人力コ
ネクタ６と出力コネクタ７に接続するようになっており
、半導体チップ８で１６生する熱はキャリア２の底面か
らケース１に放熱される。ところが周波数が高くなると
、キＡ′リア２間の間隙が問題になるとともにキャリア
２の厚さが波長に対して無視できなくなり、キャリア２
の接続部分にリアクタンスが接続された形となってイン
ピーダンス特性が悪くなり高出力ＭＩＣ凹略特性を低下
させるという問題点があった。
にて接続し、前記ケースｌにイ・１設されている人力コ
ネクタ６と出力コネクタ７に接続するようになっており
、半導体チップ８で１６生する熱はキャリア２の底面か
らケース１に放熱される。ところが周波数が高くなると
、キＡ′リア２間の間隙が問題になるとともにキャリア
２の厚さが波長に対して無視できなくなり、キャリア２
の接続部分にリアクタンスが接続された形となってイン
ピーダンス特性が悪くなり高出力ＭＩＣ凹略特性を低下
させるという問題点があった。
（Ｑ） 猜明の目的
本冗明は、Ｌ記従来の問題点に鑑み、面周ｅ、接続部の
キャリアの厚さを薄くし、中央部を厚くして、キャリア
の強度を増すとともに、キャリアの側面から放熱するよ
うにした高出力ＭＩＣｕ路を提供すること全目的とする
ものである。
キャリアの厚さを薄くし、中央部を厚くして、キャリア
の強度を増すとともに、キャリアの側面から放熱するよ
うにした高出力ＭＩＣｕ路を提供すること全目的とする
ものである。
＋ｄ、） 発明の横１戊
ＭｉＪｉホの１」的を達成するために本発明は、回路素
子を平聞キャリアに搭載してなる篩出力ＭｉＣ回、ｉ烙
に訃いて、＋４ｉ１把平而ギヤリアの接続端部を薄く形
成して中央部を厚い逆突状に形成し、前記回路素子から
の発熱をｆｌｕ記キャリアの側面から放熱することによ
って達成される。
子を平聞キャリアに搭載してなる篩出力ＭｉＣ回、ｉ烙
に訃いて、＋４ｉ１把平而ギヤリアの接続端部を薄く形
成して中央部を厚い逆突状に形成し、前記回路素子から
の発熱をｆｌｕ記キャリアの側面から放熱することによ
って達成される。
（ｅ） 発明の実施例
以ｒ図面を参照しながら本発明に係る高出力Ｍ■Ｃ回路
の実施例について詳細に説明する。
の実施例について詳細に説明する。
第８図および第４図は本発明の一実施例を説明するだめ
の第８図は要部側断面図、第４図は警部平面図で、Ｏｉ
１図と同等の部分については同一符号を付しており、１
０は金属たとえば銅等からなり複数のキャリア取付孔１
０１とキャリア匿入溝１０２を９設してなるケース、１
１”牡金属たとえば銅（Ｃｕ）等からなり中央製面に突
出部ｌｌｌを設け、該突出部１１１の側面に複数のねじ
孔１１２とケース１０への取付孔１１Ｂを穿設してなる
キャリア、１２は締付ねじである。
の第８図は要部側断面図、第４図は警部平面図で、Ｏｉ
１図と同等の部分については同一符号を付しており、１
０は金属たとえば銅等からなり複数のキャリア取付孔１
０１とキャリア匿入溝１０２を９設してなるケース、１
１”牡金属たとえば銅（Ｃｕ）等からなり中央製面に突
出部ｌｌｌを設け、該突出部１１１の側面に複数のねじ
孔１１２とケース１０への取付孔１１Ｂを穿設してなる
キャリア、１２は締付ねじである。
Ｃｕ等からなり複数のねじ孔１１２と取付孔１２を穿設
してなるキャリア１１に金（Ａｕ）メッキを施したるの
ち、該キャリア１１の突出部１１１を形成した反対側す
なわち表面中央に半４体チップ８と、該１’−、）Ｊ
＋杢チップ８を所定の距ｌａを隔て挾む形で、しかも４
陣４１を前記半導体チップ８に隣接せ（〜めで接着する
。そして該半導体チップ８と基板４に形成した４咋４１
とを金（Ａｕ）等からなるワイヤ５で接続した複数のキ
ャリア２を、該キャリア１１の突出部１１１を挿入する
溝１０２を形成してなるケース１０の該溝１０２に前記
キャリア１１の突出部１１１が挿入する形で実装し締付
ねじ８で螺府するとともに、ケースＩＯの側面からも締
付ねじ１２で螺眉する。そして隣接するキャリア１１間
ｆｆＡｕ等からなるリボン９にて接続し、配列取着した
キャリア１１の両端をケースｌＯの側面に１＝Ｊ設した
人力コネクタおよび出力コネクタに電界結合される。そ
して半導体チップ８から発生する熱Ｖよキャリアｌｌの
側面から矢印方向に放熱される。
してなるキャリア１１に金（Ａｕ）メッキを施したるの
ち、該キャリア１１の突出部１１１を形成した反対側す
なわち表面中央に半４体チップ８と、該１’−、）Ｊ
＋杢チップ８を所定の距ｌａを隔て挾む形で、しかも４
陣４１を前記半導体チップ８に隣接せ（〜めで接着する
。そして該半導体チップ８と基板４に形成した４咋４１
とを金（Ａｕ）等からなるワイヤ５で接続した複数のキ
ャリア２を、該キャリア１１の突出部１１１を挿入する
溝１０２を形成してなるケース１０の該溝１０２に前記
キャリア１１の突出部１１１が挿入する形で実装し締付
ねじ８で螺府するとともに、ケースＩＯの側面からも締
付ねじ１２で螺眉する。そして隣接するキャリア１１間
ｆｆＡｕ等からなるリボン９にて接続し、配列取着した
キャリア１１の両端をケースｌＯの側面に１＝Ｊ設した
人力コネクタおよび出力コネクタに電界結合される。そ
して半導体チップ８から発生する熱Ｖよキャリアｌｌの
側面から矢印方向に放熱される。
なお、本実施例ではキャリアを３個配列した説明をした
が３個に限らず１個または複数個であつ−Ｃも４イ４わ
ない。またケースＩＯのキャリア挿入溝ｔ０２の深さお
よび幅はキャリア１１の突出部１１１の突出部の寸法よ
り若干大きく形成することが好ましい。
が３個に限らず１個または複数個であつ−Ｃも４イ４わ
ない。またケースＩＯのキャリア挿入溝ｔ０２の深さお
よび幅はキャリア１１の突出部１１１の突出部の寸法よ
り若干大きく形成することが好ましい。
（ｆ）＠明の効果
以北の説明から明らかなように本発明に係る毘出力Ｍ工
Ｃ回路によれば従来の平面キャリアの１氏而への放熱に
くらべて、キャリアの中央性突出部の側面から放熱せし
めるので放熱効果が向上するとともに接続端部を薄く形
成することが可能となるのでＭ工Ｃ回路の高周波特性の
向上が期待できる。
Ｃ回路によれば従来の平面キャリアの１氏而への放熱に
くらべて、キャリアの中央性突出部の側面から放熱せし
めるので放熱効果が向上するとともに接続端部を薄く形
成することが可能となるのでＭ工Ｃ回路の高周波特性の
向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来の高出力Ｍ工Ｃ回路を説明す
るだめのキャリアを搭載した概略斜視図とキャリアの斜
視図、第８図および第４図は本発明に係る高出力Ｍ工Ｃ
回路の一実施例を説明するだめの安部側断面図と要部平
面図である。
るだめのキャリアを搭載した概略斜視図とキャリアの斜
視図、第８図および第４図は本発明に係る高出力Ｍ工Ｃ
回路の一実施例を説明するだめの安部側断面図と要部平
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回路素子を平面ヤヤリアに搭載してなる高出力Ｍ 工Ｃ
回路において、１１１］記平面キャリアの接続端ｔ１ｂ
をγ−リく形成して中央部を厚い逆突状に形成し。 ｔＱ！Ｊ ｉｆ［３回路素子からの発熱を、前記キャリ
アの側面から放熱するようにしたことを特徴とする高出
力Ｍ工Ｕ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23067182A JPS59117802A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 高出力ｍｉｃ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23067182A JPS59117802A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 高出力ｍｉｃ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117802A true JPS59117802A (ja) | 1984-07-07 |
Family
ID=16911471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23067182A Pending JPS59117802A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 高出力ｍｉｃ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004741A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-03-19 | Tdk Corporation | Band-pass filter |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP23067182A patent/JPS59117802A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004741A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-03-19 | Tdk Corporation | Band-pass filter |
| US5311159A (en) * | 1990-09-10 | 1994-05-10 | Tdk Corporation | Bandpass type filter having tri-plate line resonators |
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