JPS59117413A - プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部 - Google Patents

プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部

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JPS59117413A
JPS59117413A JP22957282A JP22957282A JPS59117413A JP S59117413 A JPS59117413 A JP S59117413A JP 22957282 A JP22957282 A JP 22957282A JP 22957282 A JP22957282 A JP 22957282A JP S59117413 A JPS59117413 A JP S59117413A
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JP
Japan
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layer
cable
semiconducting layer
shielding
cable connection
Prior art date
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Application number
JP22957282A
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JPH028528B2 (ja
Inventor
大畠 勝一
正幸 山口
丹野 史郎
井出 成夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Tokyo Electric Power Co Holdings Inc
Original Assignee
Tokyo Electric Power Co Inc
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electric Power Co Inc, Hitachi Cable Ltd filed Critical Tokyo Electric Power Co Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プラスチック絶縁ケーブル接続部、特に絶縁
補強体周上の遮蔽層の途中に縁切り部を設けてなるプラ
スチック絶縁ケーブル接続部の改良に関するものである
長距離化したケーブル線路ではケーブル遮蔽層の誘起電
圧が大きくなるのでこれを低減する必要があり、その最
も一般的な手段としては、線路相聞を撚架する方法があ
る。このため、この種線路のケーブル接続部においては
、遮蔽層の途中に縁切り部を設りた所謂絶縁型ケーブル
接続部く以下rlJBJという。)とする必要があるこ
とは知るところである。
しかるに、従来のIJBにおいては、縁切り部を持たな
い普通一般のケーブル接続部(以下rNJBjという。
)に比べて縁切り部を設けた分だけどうしても大型化し
易いと云う難点があつlこ 。
一方、最近の電力需要の増加に伴い、ケーブル線路は益
々過密化の傾向にあり、従ってそのケーブル接続部にあ
ってはできるだけスペースファクターの少ないものが良
しとされている。
本発明は以上の点に鑑みて為されたものであって、その
目的は、基本的にはNJBと同じくして構成できるIJ
Bを提供することにある。
すなわち、本発明の要旨は、ケーブル導体接続部を囲む
ようにして形成された絶縁補強体の周上に遮蔽層を設け
、更に当該遮蔽層の途中に縁切り部を設けてなるケーブ
ル接続部において、上記縁切り部の両遮蔽層端間をつな
ぐようにして体積抵抗率が103〜10TΩ−cmで誘
電率が103以上の特定半導電層を形成せしめてなる点
にある。
上記特定半導電層としては、常時の商用周波電圧の印加
に対してこれが異常発熱をしないこと、ケーブル導体に
侵入した雷インパルスによる誘起電圧が小さいこと、異
常時の継続性商用周波電圧(例えば1〜3Kv、1秒間
)で焼損しないことなどであり、これらの条件を満足す
るには上記範囲の体積抵抗率および誘電率が必要となる
なお、特に条件設定しなかったが、両遮蔽層端間の抵抗
は、概ね10〜1000にΩとするのが望ましい。
半導電層の発熱量は、ケーブル通電容量に対する影響を
考慮すると、概ねケーブル導体発熱量の半分以下に抑え
ることが望ましい。誘起電圧は概ね雷インパルスに対し
ては100KV以下に、商用周波電圧に対しては100
V以下になることが望ましい。異常時の継続性商用周波
電圧による焼損は、半導電層の熱容量(比熱、比重)に
依存するが、半導電層発熱量を小さくする必要から、両
遮蔽層端間抵抗を上記設定値の範囲にすれば防げる。
次に、添付の図面を参照しながら本発明の一実施例を説
明すると、1および1′はそれぞれそれ自身のビニルシ
ース(省略)、外部遮蔽層2および2−1外部半導電層
3および3′、架橋化ポリエチレン絶縁層4および4−
1内部半導電層(省略)を端部において順次段剥して露
出させたケーブル導体5および5−同志を導体接続管6
で接続せしめてなる架橋化ポリエチレン絶縁ビニルシー
スケーブル(以下[CVケーブルJという。)である。
7は上記ケーブル導体5および5−1導体接続管6を囲
むようにしてこれらの1周上に設けられた接続部内部半
導電層にして、これは半導電性ポリオレフィンあるいは
ゴムの熱収縮チューブ、半導電性ゴムプレモールドユニ
ットなどで構成される。8は両絶縁層4および4′、接
続部内部半導電層7を囲むようにして設けられた絶縁補
強体にして、これは絶縁H4および4′を構成する材料
ど同じものでなり、月つ当該材料を加熱モールド成型す
ることで構成されている。9は両件部半導電層3および
3−1絶縁層強体8を囲むようにして設(プられた接続
部内側外部半導電層にして、これは体積抵抗率が103
〜107Ω−cm 、誘電率が103以上の材料で構成
されている。1oは必要に応じて接続部内側外部半導電
層9の周上に設けられた接続部外側外部半導電層にして
、これはケーブルの外部半導電層3および3−と同じも
ので構成されている。そして、これは図示の如く後述の
遮蔽層と同様縁切り部を有している。
なお、以上の接続部内部半導電層7、絶縁補強体8接続
部内側外部半導電層9および接続部外側外へ 部半導電層10は、加熱融着一体化されているが、必要
によっては個々に独立して設けられる場合もある。
絶縁補強体8と接続部内側外部半導電層9との界面には
、信頼性向上の目的で更に別の介在層(例えば、架橋剤
入りポリオレフィン層あるいはゲル分率が低いポリオレ
フィン熱収縮デユープ)を設ける場合もある。
11は接続部外側外部半導電層1oの周上に設けられた
接続部遮蔽層にして、当該遮蔽層11はその途中に所定
の間隔をもって縁切り部15を設けている。接続部遮蔽
層11(Jい接続部外側外部半導電層10の上に載せる
ようにしても良く、埋め込むようにしても良い。接続部
遮蔽1iJ11としては、銅テープ、銅線、あるいはこ
れらの編組などが用いられる。
なお、接続部遮蔽層11は、両端を接地端子12および
12′に接続されている。13は絶縁補強層にして、こ
れはゴム・プラスチック絶縁テープを巻くか、もしくは
絶縁性パテを充填するがして構成される。14は難燃性
ポリオレフイン絶縁熱収縮チューブよりなる外装である
以上のようにして構成されて成る本実施例によれば、縁
切り部の両遮蔽層端間をつなぐようにして前記特定半導
電層(接続部内側外部半導電層)を設けてなることから
、当該特定半導電層の持つ抵抗により接続部遮蔽層、延
いてはケーブル遮蔽層への誘起電圧を効果的に低減せし
め得る。その上、本実施例によれば、図からも明らかな
通り、従来のこの種JJBのように縁切り部において径
方向の厚みを格別厚くすると云った必要はなく、基本的
にはNJBと略同−厚みで構成することが可能となる。
また、基本的には、NJBと同様何ら特殊な技術を必要
としないで施工が可0しであり従って従来のこの種IJ
8に比べて施工作業が大幅に簡易化される。
なお、第1表は、種々の体積抵抗率および誘電率の接続
部内側外部半導電層を用いて構成した本実施例の縁切り
部における発熱量ならひに誘起電圧の良し無しを表わし
たものである。
備考 (1)接続部内側外部半導電層としては、内径が145
mmで厚さが1mmのしのを用い、よ16瘍蔽層輻1間
距効は100mmとしIこ。
(2)発熱tnについては、ケーブル導体の訂容梵熱1
0.3w/cmの半分(0,15W/Cm)未ル)を○
(合格)、それ以」ニを×(不合格)とした。
(3)誘起電圧については、絶縁補強層およびケーブル
シースの耐圧強1哀から判断し℃50Kv未渦をO(合
格)、50KV以上を×(不合4δ)とした。
以上の表からも判る通り、接続部内側外部半導電層とし
て、体積抵抗率が103〜107Ω−cmで、誘電率が
103以上のものを用いた時に、発熱量および誘起電圧
を効果的に抑え得る。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明プラスチック絶縁ケーブル接続部の一実施
例説明図である。 1.1′:CVケーブル、2.2−:外部遮蔽層、3.
3′:外部半導電層、 4.4.”:架橋化ポリエチレン絶縁層、5.5′:導
体、6:導体接続管、 7:接続部内部半導電層、8:絶縁補強体、9:接続部
内側外部半導電層(特定半導電層ン、10:接続部外側
外部半導電層、 11:接続部遮蔽層、12.12− :接地端子、13
:絶縁補強層、14:外装、 15:縁切り部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ケーブル導体接続部を囲むようにして形成された絶
    縁補強体の周上に遮蔽層を設(ブ、更に当該遮蔽層の途
    中に縁切り部を設【ブてなるケーブル接続部において、
    上記縁切り部の両遮蔽層端間をつなぐようにして体積抵
    抗率が103〜107Ω−cmで誘電率が103以上の
    特定半導電層を形成uしめてなることを特徴とするプラ
    スチック絶縁ケーブル接続部。 2 絶縁補強体、を囲むようにして特定半導電層を設け
    、更に当該特定半導電層の同上に遮蔽層を設けて構成し
    た特許請求の範囲第1項記載のプラスチック絶縁ケーブ
    ル接続部。
JP22957282A 1982-12-24 1982-12-24 プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部 Granted JPS59117413A (ja)

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JP22957282A JPS59117413A (ja) 1982-12-24 1982-12-24 プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部

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JP22957282A JPS59117413A (ja) 1982-12-24 1982-12-24 プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59117413A true JPS59117413A (ja) 1984-07-06
JPH028528B2 JPH028528B2 (ja) 1990-02-26

Family

ID=16894274

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154811A (ja) * 1984-08-24 1986-03-19 日立電線株式会社 電力ケ−ブルの絶縁接続部

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55112426U (ja) * 1979-01-31 1980-08-07

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55112426U (ja) * 1979-01-31 1980-08-07

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JPH028528B2 (ja) 1990-02-26

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