JPH028528B2 - - Google Patents
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- JPH028528B2 JPH028528B2 JP57229572A JP22957282A JPH028528B2 JP H028528 B2 JPH028528 B2 JP H028528B2 JP 57229572 A JP57229572 A JP 57229572A JP 22957282 A JP22957282 A JP 22957282A JP H028528 B2 JPH028528 B2 JP H028528B2
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Landscapes
- Cable Accessories (AREA)
Description
本発明は、プラスチツク絶縁ケーブル接続部、
特に絶縁補強体周上の遮蔽層の途中に縁切り部を
設けてなるプラスチツク絶縁ケーブル接続部の改
良に関するものである。 長距離化したケーブル線路ではケーブル遮蔽層
の誘起電圧が大きくなるのでこれを低減する必要
があり、その最も一般的な手段としては、線路相
間を撚架する方法がある。このため、この種線路
のケーブル接続部においては、遮蔽層の途中に縁
切り部を設けた所謂絶縁型ケーブル接続部(以下
「IJB」という。)とする必要があることは知ると
ころである。 しかるに、従来のIJBにおいては、縁切り部を
持たない普通一般のケーブル接続部(以下
「NJB」という。)に比べて縁切り部を設けた分
だけどうしても大型化し易いと云う難点があつ
た。 一方、最近の電力需要の増加に伴い、ケーブル
線路は益々過密化の傾向にあり、従つてそのケー
ブル接続部にあつてはできるだけスペースフアク
ターの少ないものが良しとされている。 本発明は以上の点に鑑みて為されてものであつ
て、その目的は、基本的にはNJBと同じくして
構成できるIJBを提供することにある。すなわ
ち、本発明の要旨は、ケーブル導体接続部を囲む
ようにして形成された絶縁補強体の周上に遮蔽層
を設け、更に当該遮蔽層の途中に縁切り部を設け
てなるケーブル接続部において、上記縁切り部の
両遮蔽層端間をつなぐようにして体積抵抗率が
103〜107Ω−cmで誘電率が103以上の特定半導電層
を形成せしめてなる点である。 上記特定半導電層としては、常時の商用周波電
圧の印加に対してこれが異常発熱をしないこと、
ケーブル導体に侵入した雷インパルスによる誘起
電圧が小さいこと、異常時の継続性商用周波電圧
(例えば1〜3Kv、1秒間)で焼損しないことな
どであり、これらの条件を満足するには上記範囲
の体積抵抗率および誘電率が必要となる。 なお、特に条件設定しなかつたが、両遮蔽層端
間の抵抗は、概ね10〜1000kΩとするのが望まし
い。 半導電層の発熱量は、ケーブル通電容量に対す
る影響を考慮すると、概ねケーブル導体発熱量の
半分以下に抑えることが望ましい。誘起電圧は概
ね雷インパルスに対しては100Kv以下に、商用周
波電圧に対しては100V以下になることが望まし
い。異常時の継続性商用周波電圧による焼損は、
半導電層の熱容量(比熱、比重)に依存するが、
半導電層発熱量を小さくする必要から、両遮蔽層
端間抵抗を上記設定値の範囲にすれば防げる。 次に、添付の図面を参照しながら本発明の一実
施例を説明すると、1および1′はそれぞれそれ
自身のビニルシース(省略)、外部遮蔽層2およ
び2′、外部半導電層3および3′、架橋化ポリエ
チレン絶縁層4および4′、内部半導電層(省略)
を端部において順次段剥して露出させたケーブル
導体5および5′同志を導体接続管6で接続せし
めてなる架橋化ポリエチレン絶縁ビニルシースケ
ーブル(以下「CVケーブル」という。)である。
7は上記ケーブル導体5および5′、導体接続管
6を囲むようにしてこれらの周上に設けられた接
続部内部半導電層にして、これは半導電性ポリオ
レフインあるいはゴムの熱収縮チユーブ、半導電
性ゴムプレモールドユニツトなどで構成される。
8は両絶縁層4および4′、接続部内部半導電層
7を囲むようにして設けられた絶縁補強体にし
て、これは絶縁層4および4′を構成する材料と
同じものでなり、且つ当該材料を加熱モールド成
型することで構成されている。9は両外部半導電
層3および3′、絶縁補強体8を囲むようにして
設けられた接続部内側外部半導電層にして、これ
は体積抵抗率が103〜107Ω−cm、誘電率が103以上
の材料で構成されている。10は必要に応じて接
続部内側外部半導電層9の周上に設けられた接続
部外側外部半導電層にして、これはケーブルの外
部半導電層3および3′と同じもので構成されて
いる。そして、これは図示の如く後述の遮蔽層と
同様縁切り部を有している。 なお、以上の接続部内部半導電層7、絶縁補強
体8、接続部内側外部半導電層9および接続部外
側外部半導電層10は、加熱融着一体化されてい
るが、必要によつては個々に独立して設けられる
場合もある。 絶縁補強体8と接続部内側外部半導電層9との
界面には、信頼性向上の目的で更に別の介在層
(例えば、架橋剤入りポリオレフイン層あるいは
ゲル分率が低いポリオレフイン熱収縮チユーブ)
を設ける場合もある。 11は接続部外側外部半導電層10の周上に設
けられた接続部遮蔽層にして、当該遮蔽層11は
その途中に所定の間隔をもつて縁切り部15を設
けている。接続部遮蔽層11は、接続部外側外部
半導電層10の上に載せるようにしても良く、埋
め込むようにしても良い。接続部遮蔽層11とし
ては、銅テープ、銅線、あるいはこれらの編組な
どが用いられる。 なお、接続部遮蔽層11は、両端を接地端子1
2および12′に接続されている。13は絶縁補
強層にして、これはゴム・プラスチツク絶縁テー
プを巻くか、もしくは絶縁性パテを充填するかし
て構成される。14は難燃性ポリオレフイン絶縁
熱収縮チユーブよりなる外装である。 以上のようにして構成されて成る本実施例によ
れば、縁切り部の両遮蔽層端間をつなぐようにし
て前記特定半導電層(接続部内側外部半導電層)
を設けてなることから、当該特定半導電層の持つ
抵抗により接続部遮蔽層、延いてはケーブル遮蔽
層への誘起電圧を効果的に低減せしめ得る。その
上、本実施例によれば、図からも明らかな通り、
従来のこの種IJBのような縁切り部において径方
向の厚みを格別厚くすると云つた必要はなく、基
本的にはNJBと略同一厚みで構成することが可
能となる。また、基本的には、NJBと同様何ら
特殊な技術を必要としないで施工が可能であり、
従つて従来のこの種IJBに比べて施工作業が大幅
に簡易化される。 なお、第1表は、種々の体積抵抗率および誘電
率の接続部内側外部半導電層を用いて構成した本
実施例の縁切り部における発熱量ならびに誘起電
圧の良し悪しを表わしたものである。
特に絶縁補強体周上の遮蔽層の途中に縁切り部を
設けてなるプラスチツク絶縁ケーブル接続部の改
良に関するものである。 長距離化したケーブル線路ではケーブル遮蔽層
の誘起電圧が大きくなるのでこれを低減する必要
があり、その最も一般的な手段としては、線路相
間を撚架する方法がある。このため、この種線路
のケーブル接続部においては、遮蔽層の途中に縁
切り部を設けた所謂絶縁型ケーブル接続部(以下
「IJB」という。)とする必要があることは知ると
ころである。 しかるに、従来のIJBにおいては、縁切り部を
持たない普通一般のケーブル接続部(以下
「NJB」という。)に比べて縁切り部を設けた分
だけどうしても大型化し易いと云う難点があつ
た。 一方、最近の電力需要の増加に伴い、ケーブル
線路は益々過密化の傾向にあり、従つてそのケー
ブル接続部にあつてはできるだけスペースフアク
ターの少ないものが良しとされている。 本発明は以上の点に鑑みて為されてものであつ
て、その目的は、基本的にはNJBと同じくして
構成できるIJBを提供することにある。すなわ
ち、本発明の要旨は、ケーブル導体接続部を囲む
ようにして形成された絶縁補強体の周上に遮蔽層
を設け、更に当該遮蔽層の途中に縁切り部を設け
てなるケーブル接続部において、上記縁切り部の
両遮蔽層端間をつなぐようにして体積抵抗率が
103〜107Ω−cmで誘電率が103以上の特定半導電層
を形成せしめてなる点である。 上記特定半導電層としては、常時の商用周波電
圧の印加に対してこれが異常発熱をしないこと、
ケーブル導体に侵入した雷インパルスによる誘起
電圧が小さいこと、異常時の継続性商用周波電圧
(例えば1〜3Kv、1秒間)で焼損しないことな
どであり、これらの条件を満足するには上記範囲
の体積抵抗率および誘電率が必要となる。 なお、特に条件設定しなかつたが、両遮蔽層端
間の抵抗は、概ね10〜1000kΩとするのが望まし
い。 半導電層の発熱量は、ケーブル通電容量に対す
る影響を考慮すると、概ねケーブル導体発熱量の
半分以下に抑えることが望ましい。誘起電圧は概
ね雷インパルスに対しては100Kv以下に、商用周
波電圧に対しては100V以下になることが望まし
い。異常時の継続性商用周波電圧による焼損は、
半導電層の熱容量(比熱、比重)に依存するが、
半導電層発熱量を小さくする必要から、両遮蔽層
端間抵抗を上記設定値の範囲にすれば防げる。 次に、添付の図面を参照しながら本発明の一実
施例を説明すると、1および1′はそれぞれそれ
自身のビニルシース(省略)、外部遮蔽層2およ
び2′、外部半導電層3および3′、架橋化ポリエ
チレン絶縁層4および4′、内部半導電層(省略)
を端部において順次段剥して露出させたケーブル
導体5および5′同志を導体接続管6で接続せし
めてなる架橋化ポリエチレン絶縁ビニルシースケ
ーブル(以下「CVケーブル」という。)である。
7は上記ケーブル導体5および5′、導体接続管
6を囲むようにしてこれらの周上に設けられた接
続部内部半導電層にして、これは半導電性ポリオ
レフインあるいはゴムの熱収縮チユーブ、半導電
性ゴムプレモールドユニツトなどで構成される。
8は両絶縁層4および4′、接続部内部半導電層
7を囲むようにして設けられた絶縁補強体にし
て、これは絶縁層4および4′を構成する材料と
同じものでなり、且つ当該材料を加熱モールド成
型することで構成されている。9は両外部半導電
層3および3′、絶縁補強体8を囲むようにして
設けられた接続部内側外部半導電層にして、これ
は体積抵抗率が103〜107Ω−cm、誘電率が103以上
の材料で構成されている。10は必要に応じて接
続部内側外部半導電層9の周上に設けられた接続
部外側外部半導電層にして、これはケーブルの外
部半導電層3および3′と同じもので構成されて
いる。そして、これは図示の如く後述の遮蔽層と
同様縁切り部を有している。 なお、以上の接続部内部半導電層7、絶縁補強
体8、接続部内側外部半導電層9および接続部外
側外部半導電層10は、加熱融着一体化されてい
るが、必要によつては個々に独立して設けられる
場合もある。 絶縁補強体8と接続部内側外部半導電層9との
界面には、信頼性向上の目的で更に別の介在層
(例えば、架橋剤入りポリオレフイン層あるいは
ゲル分率が低いポリオレフイン熱収縮チユーブ)
を設ける場合もある。 11は接続部外側外部半導電層10の周上に設
けられた接続部遮蔽層にして、当該遮蔽層11は
その途中に所定の間隔をもつて縁切り部15を設
けている。接続部遮蔽層11は、接続部外側外部
半導電層10の上に載せるようにしても良く、埋
め込むようにしても良い。接続部遮蔽層11とし
ては、銅テープ、銅線、あるいはこれらの編組な
どが用いられる。 なお、接続部遮蔽層11は、両端を接地端子1
2および12′に接続されている。13は絶縁補
強層にして、これはゴム・プラスチツク絶縁テー
プを巻くか、もしくは絶縁性パテを充填するかし
て構成される。14は難燃性ポリオレフイン絶縁
熱収縮チユーブよりなる外装である。 以上のようにして構成されて成る本実施例によ
れば、縁切り部の両遮蔽層端間をつなぐようにし
て前記特定半導電層(接続部内側外部半導電層)
を設けてなることから、当該特定半導電層の持つ
抵抗により接続部遮蔽層、延いてはケーブル遮蔽
層への誘起電圧を効果的に低減せしめ得る。その
上、本実施例によれば、図からも明らかな通り、
従来のこの種IJBのような縁切り部において径方
向の厚みを格別厚くすると云つた必要はなく、基
本的にはNJBと略同一厚みで構成することが可
能となる。また、基本的には、NJBと同様何ら
特殊な技術を必要としないで施工が可能であり、
従つて従来のこの種IJBに比べて施工作業が大幅
に簡易化される。 なお、第1表は、種々の体積抵抗率および誘電
率の接続部内側外部半導電層を用いて構成した本
実施例の縁切り部における発熱量ならびに誘起電
圧の良し悪しを表わしたものである。
【表】
以上の表からも判る通り、接続部内側外部半導
電層として、体積抵抗率が103〜107Ω−cmで、誘
電率が103以上のものを用いた時に、発熱量およ
び誘起電圧を効果的に抑え得る。
電層として、体積抵抗率が103〜107Ω−cmで、誘
電率が103以上のものを用いた時に、発熱量およ
び誘起電圧を効果的に抑え得る。
図は、本発明プラスチツク絶縁ケーブル接続部
の一実施例説明図である。 1,1′:CVケーブル、2,2′:外部遮蔽層、
3,3′:外部半導電層、4,4′:架橋化ポリエ
チレン絶縁層、5,5′:導体、6:導体接続管、
7:接続部内部半導電層、8:絶縁補強体、9:
接続部内側外部半導電層(特定半導電層)、1
0:接続部外側外部半導電層、11:接続部遮蔽
層、12,12′:接地端子、13:絶縁補強層、
14:外装、15:縁切り部。
の一実施例説明図である。 1,1′:CVケーブル、2,2′:外部遮蔽層、
3,3′:外部半導電層、4,4′:架橋化ポリエ
チレン絶縁層、5,5′:導体、6:導体接続管、
7:接続部内部半導電層、8:絶縁補強体、9:
接続部内側外部半導電層(特定半導電層)、1
0:接続部外側外部半導電層、11:接続部遮蔽
層、12,12′:接地端子、13:絶縁補強層、
14:外装、15:縁切り部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ケーブル導体接続部を囲むようにして形成さ
れた絶縁補強体の周上に遮蔽層を設け、更に当該
遮蔽層の途中に縁切り部を設けてなるケーブル接
続部において、上記縁切り部の両遮蔽層端間をつ
なぐようにして体積抵抗率が103〜107Ω−cmで誘
電率が103以上の特定半導電層を形成せしめてな
ることを特徴とするプラスチツク絶縁ケーブル接
続部。 2 絶縁補強体を囲むようにして特定半導電層を
設け、更に当該特定半導電層の周上に遮蔽層を設
けて構成した特許請求の範囲第1項記載のプラス
チツク絶縁ケーブル接続部。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22957282A JPS59117413A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22957282A JPS59117413A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59117413A JPS59117413A (ja) | 1984-07-06 |
JPH028528B2 true JPH028528B2 (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16894274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22957282A Granted JPS59117413A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59117413A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6154811A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-19 | 日立電線株式会社 | 電力ケ−ブルの絶縁接続部 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5832448Y2 (ja) * | 1979-01-31 | 1983-07-19 | 昭和電線電纜株式会社 | 絶縁接続部の遮蔽縁切り部 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22957282A patent/JPS59117413A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59117413A (ja) | 1984-07-06 |
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