JPS5911401Y2 - 電界放射型イオン源 - Google Patents
電界放射型イオン源Info
- Publication number
- JPS5911401Y2 JPS5911401Y2 JP2564480U JP2564480U JPS5911401Y2 JP S5911401 Y2 JPS5911401 Y2 JP S5911401Y2 JP 2564480 U JP2564480 U JP 2564480U JP 2564480 U JP2564480 U JP 2564480U JP S5911401 Y2 JPS5911401 Y2 JP S5911401Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tip
- ion source
- conical body
- field emission
- liquid metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電界放射型イオン源に関し、特にイオンプロー
ブマイクロアナライザーあるいはイオン注入装置等に使
用して最適なイオン源に関する。
ブマイクロアナライザーあるいはイオン注入装置等に使
用して最適なイオン源に関する。
本考案に基づくイオン源はチップ先端に附着した液体金
属を該チップ先端部近傍に形或された強電界によってイ
オン化して取り出すようにしており、先端にエミツター
チツプが固着された円錐体の外側表面に液体金属が貯留
される溝を形或し、該溝部からチップに液体金属を供給
するように構或しており簡単な構戒で長寿命のイオン源
が提供される。
属を該チップ先端部近傍に形或された強電界によってイ
オン化して取り出すようにしており、先端にエミツター
チツプが固着された円錐体の外側表面に液体金属が貯留
される溝を形或し、該溝部からチップに液体金属を供給
するように構或しており簡単な構戒で長寿命のイオン源
が提供される。
以下添付図面に基づき本考案の一実施例を詳述する。
図中１は絶縁板であり、該絶縁板１にはタンタルあるい
はタングステンによって形或された円錐体２が取り付け
られている。
はタングステンによって形或された円錐体２が取り付け
られている。
該円錐体２の先端部には例えばタングステンにて形或さ
れたチツプ３がスポット溶接されており、又その外側表
面には螺旋状に溝４が形或されている。
れたチツプ３がスポット溶接されており、又その外側表
面には螺旋状に溝４が形或されている。
更に該円錐体２の周囲には溝４内に貯留される液体金属
を加熱するためのヒーター５が巻回されている。
を加熱するためのヒーター５が巻回されている。
６はイオン引出し用電極であり、該電極６とチツプ３と
の間には高電圧が印加される。
の間には高電圧が印加される。
上述した如き構戒において溝４内にはイオン化される液
体金属７が貯留されるが、該金属の貯留に当っては絶縁
板１、円錐体２、チップ３、ヒーター５より或るエミツ
タ一部がイオン源から外部に取り出される。
体金属７が貯留されるが、該金属の貯留に当っては絶縁
板１、円錐体２、チップ３、ヒーター５より或るエミツ
タ一部がイオン源から外部に取り出される。
該エミツタ一部を外部加熱炉内で加熱されて液状になっ
たガリウム等の金属中に浸し、円錐体２の溝４内に液体
金属を満たした後エミツタ一部を炉から引き上げて冷却
し、該金属を固化する。
たガリウム等の金属中に浸し、円錐体２の溝４内に液体
金属を満たした後エミツタ一部を炉から引き上げて冷却
し、該金属を固化する。
その後エミツタ一部をイオン源に装着し、ヒーター５に
加熱電流を流せば、金属７は加熱されて再び液化し、チ
ツプ３先端へと染み出し、チップ表面には薄い液体金属
膜が形或される。
加熱電流を流せば、金属７は加熱されて再び液化し、チ
ツプ３先端へと染み出し、チップ表面には薄い液体金属
膜が形或される。
ここでチツプ３と電極６との間に高電圧を印加すれば、
チツプ３の尖鋭な先端部近傍には強電界が形或され、該
先端部の液体金属はイオン化されて引出される。
チツプ３の尖鋭な先端部近傍には強電界が形或され、該
先端部の液体金属はイオン化されて引出される。
該チップ先端部への液体金属の補給は溝４から行われ、
長時間連続してイオンを発生させることができる。
長時間連続してイオンを発生させることができる。
以上詳述した如く本考案はチップを支持する円錐体に溝
を設ける簡単な構或により長寿命のイオン源が提供され
る。
を設ける簡単な構或により長寿命のイオン源が提供され
る。
尚上述した実施例において、溝を螺旋状に形威したが、
円錐体の長手方向に複数体の直線状の溝を形戊しても良
い。
円錐体の長手方向に複数体の直線状の溝を形戊しても良
い。
添付図面は本考案の一実施例を示す断面図である。
１：絶縁体、２：円錐体、３：チツプ、４：溝、５：ヒ
ーター ６：電極、７：液体金属。
ーター ６：電極、７：液体金属。
Claims (1)
- 外側壁面に溝が形戊された円錐体と、該円錐体の先端部
に固着されたエミツターチツプと、該円錐体の溝部に貯
留される液体金属を加熱するための加熱手段と、該チッ
プ先端部からイオンを引出すための電極とを備え、該チ
ップと電極との間に高電圧を印加するように構威した電
界放射型イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564480U JPS5911401Y2 (ja) | 1980-02-29 | 1980-02-29 | 電界放射型イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564480U JPS5911401Y2 (ja) | 1980-02-29 | 1980-02-29 | 電界放射型イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56127660U JPS56127660U (ja) | 1981-09-29 |
| JPS5911401Y2 true JPS5911401Y2 (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=29621675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2564480U Expired JPS5911401Y2 (ja) | 1980-02-29 | 1980-02-29 | 電界放射型イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911401Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59101749A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Hitachi Ltd | イオン源およびイオンビーム形成方法 |
-
1980
- 1980-02-29 JP JP2564480U patent/JPS5911401Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56127660U (ja) | 1981-09-29 |
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