JPS59111131A - 熱書込み形液晶表示素子 - Google Patents
熱書込み形液晶表示素子Info
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- JPS59111131A JPS59111131A JP22064082A JP22064082A JPS59111131A JP S59111131 A JPS59111131 A JP S59111131A JP 22064082 A JP22064082 A JP 22064082A JP 22064082 A JP22064082 A JP 22064082A JP S59111131 A JPS59111131 A JP S59111131A
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- heating electrode
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- substrate
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は画素数が多くかつ表示速度が大きい熱書込み形
液晶表示素子に関するものである。
液晶表示素子に関するものである。
情報化社会の進展に伴ない、表示素子はその形態、表示
容量、表示密度（画素密度）などが１すます多様性を要
求されるようになってきている。
容量、表示密度（画素密度）などが１すます多様性を要
求されるようになってきている。
特に平面形であり、表示容量が大きく、かつ画素密度が
大きな素子を安価に供給されることが期待されている。
大きな素子を安価に供給されることが期待されている。
平面形表示素子には液晶、ＥＬ（エレクトロ・ルミネセ
ンス）、ＦＤＰ（プラズマ。
ンス）、ＦＤＰ（プラズマ。
ディスプレイ）などがあり、それぞれ長所、短所を有し
ているが、素子の作製方法の膚から液晶表示素子は安価
であるという大きな特徴を有する。
ているが、素子の作製方法の膚から液晶表示素子は安価
であるという大きな特徴を有する。
液晶表示素子には、ツイスト・ネマチック形、相転移形
、熱書込み形やあるいは動散乱効果を利用ずろもの、ゲ
スト−ホスト などがある。こね、らの中で表示容量が大きく、かつ比
較的表示速度が大きい素子は相転移形と熱書込み形であ
る。相転移形は電界形素子であり、表示面積が大きくな
ると液晶膜厚のばらつきが犬きくなり、このため表示コ
ントラストのばらつきが著しく悪くなるという欠点を有
している。
、熱書込み形やあるいは動散乱効果を利用ずろもの、ゲ
スト−ホスト などがある。こね、らの中で表示容量が大きく、かつ比
較的表示速度が大きい素子は相転移形と熱書込み形であ
る。相転移形は電界形素子であり、表示面積が大きくな
ると液晶膜厚のばらつきが犬きくなり、このため表示コ
ントラストのばらつきが著しく悪くなるという欠点を有
している。
熱書込み形には、レーザ光を表示部に照射して加熱する
方法のものと、素子内部に加熱電極を具備してこの加熱
電極に電圧を加えて加熱する方法のものとがある。レー
ザ光を用いる方法は、その構成」−装置の平面性Ａ；失
なわれ、素子の応用−に著しい制限がある。一方、加熱
電極により液晶をノＪロ熱する方式の液晶表示素子は、
以上のような欠，へがカ＜、表示容量が大きく、かつ画
素密度が大きな平面形表示素子を安価に実現できる。
方法のものと、素子内部に加熱電極を具備してこの加熱
電極に電圧を加えて加熱する方法のものとがある。レー
ザ光を用いる方法は、その構成」−装置の平面性Ａ；失
なわれ、素子の応用−に著しい制限がある。一方、加熱
電極により液晶をノＪロ熱する方式の液晶表示素子は、
以上のような欠，へがカ＜、表示容量が大きく、かつ画
素密度が大きな平面形表示素子を安価に実現できる。
従来のこの加熱電極方式の熱書込み形液晶表示素子〔以
下Ｉ−ＴＭＬＣＤ （ Ｈｅａｔ Ｍｏｄｅ Ｌｉｑｕ
ｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ ）と略記する〕
は例えば１９８１年１０月兄行、英国雑誌” Ｄｉｓｐ
ｌａｙ パ３４９頁〜３５１頁に詳細に記載されている
が、第１図を用いてその基本的な構造及び動作について
説明する。第１図は素子の断面図を示し、２は透明な前
面支持基板であり、この前面支持基板２の内表面に紙面
に平行々方向に並んでいる複数のＴＴＯ （ ｒｎｒｌ
ｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ ）透明電極１が配設され、
こね、とほぼ１０Ｂｍ離れて対向する後面支持基板４が
配置され、この後面支持基板４の内表面に紙面に垂直な
方向に並ぶ平行な複数の加熱電極６が配設され、そして
両支持基板２、４０間に液晶層５が挾持され５ている。
下Ｉ−ＴＭＬＣＤ （ Ｈｅａｔ Ｍｏｄｅ Ｌｉｑｕ
ｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ ）と略記する〕
は例えば１９８１年１０月兄行、英国雑誌” Ｄｉｓｐ
ｌａｙ パ３４９頁〜３５１頁に詳細に記載されている
が、第１図を用いてその基本的な構造及び動作について
説明する。第１図は素子の断面図を示し、２は透明な前
面支持基板であり、この前面支持基板２の内表面に紙面
に平行々方向に並んでいる複数のＴＴＯ （ ｒｎｒｌ
ｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ ）透明電極１が配設され、
こね、とほぼ１０Ｂｍ離れて対向する後面支持基板４が
配置され、この後面支持基板４の内表面に紙面に垂直な
方向に並ぶ平行な複数の加熱電極６が配設され、そして
両支持基板２、４０間に液晶層５が挾持され５ている。
ここで両支持基板２、４は通常、ガラスが用いられ５、
液晶層５は例えばシアノビフェニール系混合液晶が用い
られる。加熱電極６はその両端に外部電気回路（図示せ
ず）が接続されており、電圧を印加することにより加熱
電極近傍の液晶の温度を上げることができる。また透明
電極１と加熱電極６との間には別の外部電気回路（図示
せず）により電圧を加えることができる。
液晶層５は例えばシアノビフェニール系混合液晶が用い
られる。加熱電極６はその両端に外部電気回路（図示せ
ず）が接続されており、電圧を印加することにより加熱
電極近傍の液晶の温度を上げることができる。また透明
電極１と加熱電極６との間には別の外部電気回路（図示
せず）により電圧を加えることができる。
第１図のＴ−Ｔ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄは次のように動作する
。液晶層５としてオクチル−ノアノービフェニールとデ
ノル−７アノービフエニールと重量比で６０ ： ４０
に混合した液晶を用いた場合に、この液晶は下記の相変
化を示す。
。液晶層５としてオクチル−ノアノービフェニールとデ
ノル−７アノービフエニールと重量比で６０ ： ４０
に混合した液晶を用いた場合に、この液晶は下記の相変
化を示す。
結晶品スメクチック相丼エネマチノク相ｐＮ液体
この性質を利用してスメクチック相で表示コントラスト
を得るには、丑ず加熱電極乙に電圧を印加して液晶層５
を液体まで昇温する。次に電圧を除去して液晶の温度が
ネマチック相まで降下したとき、書込み画素には透明電
極１と加熱電極ろの間に液晶層５の分子を配向させるに
十分々電圧を加える。この結果、液晶層５の温度がさら
に降下してスメクチック相になったときには液晶分子が
配向した透明状態に々る。一方、非書込み画素にはネマ
チック相において電圧を印加しないようにすれば、スメ
クチック相τは液晶分子が液体でのランダム配向を保存
して光散乱状態になる。加熱電極ろをマトリクス駆動線
順次走査方式の走査電極として、まだ透明電極１を信号
電極として用いて上記操作を行なうことで所望の表示画
素が得られる。以」二のようにＩ（Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ Ｎ
二その駆動原理から電気的クロストークを生じることが
なく、従って走査線を増大し表示容量を犬きくすること
ができる利点がある。
を得るには、丑ず加熱電極乙に電圧を印加して液晶層５
を液体まで昇温する。次に電圧を除去して液晶の温度が
ネマチック相まで降下したとき、書込み画素には透明電
極１と加熱電極ろの間に液晶層５の分子を配向させるに
十分々電圧を加える。この結果、液晶層５の温度がさら
に降下してスメクチック相になったときには液晶分子が
配向した透明状態に々る。一方、非書込み画素にはネマ
チック相において電圧を印加しないようにすれば、スメ
クチック相τは液晶分子が液体でのランダム配向を保存
して光散乱状態になる。加熱電極ろをマトリクス駆動線
順次走査方式の走査電極として、まだ透明電極１を信号
電極として用いて上記操作を行なうことで所望の表示画
素が得られる。以」二のようにＩ（Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ Ｎ
二その駆動原理から電気的クロストークを生じることが
なく、従って走査線を増大し表示容量を犬きくすること
ができる利点がある。
しかし々から、従来のＩ（Ｍ Ｌ Ｃ Ｉ）には次のよ
うな問題点があった。即ち、走査電極数を一定にして走
査時間を短かくしていくと、特定の加熱電極から発生し
た熱の一部が次に走査する加熱電極近傍の液晶の温度を
増加させる結果、加熱電極に印加する電圧に対する近傍
の液晶の昇温特性を変化させ、即ち液晶が不必要に加熱
されすぎて表示動作が不安定になり、従って実際には走
査時間の最小値に制限が生じ高速表示に支障をきたすと
いう問題点があった。
うな問題点があった。即ち、走査電極数を一定にして走
査時間を短かくしていくと、特定の加熱電極から発生し
た熱の一部が次に走査する加熱電極近傍の液晶の温度を
増加させる結果、加熱電極に印加する電圧に対する近傍
の液晶の昇温特性を変化させ、即ち液晶が不必要に加熱
されすぎて表示動作が不安定になり、従って実際には走
査時間の最小値に制限が生じ高速表示に支障をきたすと
いう問題点があった。
本発明の目的は、従来技術での」二記した問題点を解決
し、走査時間をより減縮化し高速表示を可能とする熱書
込み形液晶表示素子を提供することにある。
し、走査時間をより減縮化し高速表示を可能とする熱書
込み形液晶表示素子を提供することにある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために、特定の加
熱電極から発生した熱が隣接の加熱電極に伝導するより
も、加熱電極支持基板の反対面へ伝導する割合の方を大
きくするように、支持基板内に熱伝導率の大きい領域と
より小さい領域とが形成されている構成とするにある。
熱電極から発生した熱が隣接の加熱電極に伝導するより
も、加熱電極支持基板の反対面へ伝導する割合の方を大
きくするように、支持基板内に熱伝導率の大きい領域と
より小さい領域とが形成されている構成とするにある。
本発明の詳細な説明に入る前に、隣接加熱電極間の熱的
相互作用の問題をさらに詳しく考えてみる。第２図は特
定の加熱電極６（紙面に垂直方向に伸びている）を加熱
したときの熱の伝導を示す模式断面図である。第２図に
おいて加熱電極６から発生した熱は近傍の液晶７に伝導
するのを含めて矢印８．９．１０で示すように伝導する
。ここで支持基板４として通常用いられるガラスの熱伝
導率は液晶５の熱伝導率にくらべて約１桁以上大きいの
で、加熱電極６から発生した熱の大部分は支持基板４を
温め、従って隣接加熱電極１１をも温めることになる。
相互作用の問題をさらに詳しく考えてみる。第２図は特
定の加熱電極６（紙面に垂直方向に伸びている）を加熱
したときの熱の伝導を示す模式断面図である。第２図に
おいて加熱電極６から発生した熱は近傍の液晶７に伝導
するのを含めて矢印８．９．１０で示すように伝導する
。ここで支持基板４として通常用いられるガラスの熱伝
導率は液晶５の熱伝導率にくらべて約１桁以上大きいの
で、加熱電極６から発生した熱の大部分は支持基板４を
温め、従って隣接加熱電極１１をも温めることになる。
加熱電極６からの熱による隣接加熱電極の温度上昇を低
減するには、矢印９方向の熱伝導率を矢印１０方向の熱
伝導率にくらべて小さくし、相対的に隣接電極への熱の
伝導を減らしてやれば良い、即ち、支持基板４内に基板
面垂直方向への熱伝導率が相対的に大きく々るように支
持基板４内に熱伝導率の大きい領域と小さい領域とを形
成してやればよい。
減するには、矢印９方向の熱伝導率を矢印１０方向の熱
伝導率にくらべて小さくし、相対的に隣接電極への熱の
伝導を減らしてやれば良い、即ち、支持基板４内に基板
面垂直方向への熱伝導率が相対的に大きく々るように支
持基板４内に熱伝導率の大きい領域と小さい領域とを形
成してやればよい。
支持基板４内において基板面垂直方向に相対的に熱伝導
率が大きく々るように熱伝導率が大きい領域と小さい領
域とを形成する具体的な実施例を第６図（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）、（ｄ）に示す。第３図において、領域１６は
領域１４にくらべて相対的に熱伝導率が大きい領域で°
ある。第６図（ａ）においては、支持基板４の加熱電極
３（紙面に垂直に伸びている）の直下から支持基板４の
反対面１２まで熱伝導率の大きい領域１６が形成されて
おり、そして２つの加熱電極の間の直下は領域１６にく
らべて熱伝導率の小さい領域１４が同じく支持基板の反
対面１２まで伸びている。しかし、本発明における領域
１６と領域１４の形状は、必ずしも第３図（ａ）の形状
に限定されるものでなく、例えば第３図（ｔ）、ｌに示
すように、領域１４は反対面１２′！！で伸びていなく
ても良く、第６図（Ｃ）に示すように、領域１３が加熱
電極乙の下面まで達していなくても良く、寸だ第６図（
Ｃ）、（ｄ）に示すように、・加熱電極乙の直下に領域
１４がある形状とすることも可能である。即ち、特定の
加熱電極から発生した熱が隣接の加熱電極に伝導するよ
りも、支持基板の反対面へ伝導する割合の方が大きくな
る形状であれば良い。
率が大きく々るように熱伝導率が大きい領域と小さい領
域とを形成する具体的な実施例を第６図（ａ）、（ｂ）
、（ｃ）、（ｄ）に示す。第３図において、領域１６は
領域１４にくらべて相対的に熱伝導率が大きい領域で°
ある。第６図（ａ）においては、支持基板４の加熱電極
３（紙面に垂直に伸びている）の直下から支持基板４の
反対面１２まで熱伝導率の大きい領域１６が形成されて
おり、そして２つの加熱電極の間の直下は領域１６にく
らべて熱伝導率の小さい領域１４が同じく支持基板の反
対面１２まで伸びている。しかし、本発明における領域
１６と領域１４の形状は、必ずしも第３図（ａ）の形状
に限定されるものでなく、例えば第３図（ｔ）、ｌに示
すように、領域１４は反対面１２′！！で伸びていなく
ても良く、第６図（Ｃ）に示すように、領域１３が加熱
電極乙の下面まで達していなくても良く、寸だ第６図（
Ｃ）、（ｄ）に示すように、・加熱電極乙の直下に領域
１４がある形状とすることも可能である。即ち、特定の
加熱電極から発生した熱が隣接の加熱電極に伝導するよ
りも、支持基板の反対面へ伝導する割合の方が大きくな
る形状であれば良い。
このような形状の領域を持つ支持基板の作製手順の実施
例について述べる。本発明のＩ−Ｔ ＩＸ Ｌ ＣＤは
安価に作製できることが大きな特徴の１つであるので支
持基板の材質及び作製方法も、安価な材料を用い簡単な
工程である必要がある。このため最も優れているのは金
属板を部分的に酸化して作製する方法である。一般に金
属の酸化物は金属にくらべて熱伝導率が小さい。金属を
部分的に酸化する方法には種々の方法があるが、陽極酸
化法が簡単であり、酸化速度が大きく、酸化位置の選択
性も高い。陽極酸化が可能な金属には、アルミニウム、
チタニウム、タンタル、シリコン、タングステンなどが
あるが、材料コストの点からアルミニウムが最も優れて
いる。
例について述べる。本発明のＩ−Ｔ ＩＸ Ｌ ＣＤは
安価に作製できることが大きな特徴の１つであるので支
持基板の材質及び作製方法も、安価な材料を用い簡単な
工程である必要がある。このため最も優れているのは金
属板を部分的に酸化して作製する方法である。一般に金
属の酸化物は金属にくらべて熱伝導率が小さい。金属を
部分的に酸化する方法には種々の方法があるが、陽極酸
化法が簡単であり、酸化速度が大きく、酸化位置の選択
性も高い。陽極酸化が可能な金属には、アルミニウム、
チタニウム、タンタル、シリコン、タングステンなどが
あるが、材料コストの点からアルミニウムが最も優れて
いる。
第４図に、アルミニウムを用い代表的な陽極酸化法によ
り支持基板内に熱伝導率の大きい領域と小さい領域とを
形成させる実施例の工程図と各工程における支持基板の
模式断面図を示す。工程４１のアルミニウム基板１５と
しては、厚み０．５〜５ｍｍの平面度の良い材料を用い
る。工程４２の前処理は例えばトリクレンによる超音波
洗浄を行なった後、６０℃で５％水酸化ナトリウム水溶
液で処理し、水洗する方法が良い。工程４３のレジスト
除去工程においては、レジスト１６は例えばフィルムレ
ジストを用い通常の露光技術を用いて所望のパターンを
形成する。次にこのパターンを利用し工程４４において
部分的にアルミニウム基板１５の面内垂直方向に陽極酸
化膜１７を成長させる次にレジスト除去工程４５におい
てレジストを片面のみ除去し、陽極酸化工程４６におい
て全面を陽（全酸化し、続いてレジスト除去工程４７に
おいてレジスト１６を除去する。最後に加熱電極形成工
程４８において、同じくレジスト作業により加熱電極１
８を所望の位置に形成する。
り支持基板内に熱伝導率の大きい領域と小さい領域とを
形成させる実施例の工程図と各工程における支持基板の
模式断面図を示す。工程４１のアルミニウム基板１５と
しては、厚み０．５〜５ｍｍの平面度の良い材料を用い
る。工程４２の前処理は例えばトリクレンによる超音波
洗浄を行なった後、６０℃で５％水酸化ナトリウム水溶
液で処理し、水洗する方法が良い。工程４３のレジスト
除去工程においては、レジスト１６は例えばフィルムレ
ジストを用い通常の露光技術を用いて所望のパターンを
形成する。次にこのパターンを利用し工程４４において
部分的にアルミニウム基板１５の面内垂直方向に陽極酸
化膜１７を成長させる次にレジスト除去工程４５におい
てレジストを片面のみ除去し、陽極酸化工程４６におい
て全面を陽（全酸化し、続いてレジスト除去工程４７に
おいてレジスト１６を除去する。最後に加熱電極形成工
程４８において、同じくレジスト作業により加熱電極１
８を所望の位置に形成する。
陽極酸化によって形成される酸化アルミニウムに１ポー
ラス型とバリア型がある。ポーラス型は多孔質であり硫
酸浴やしゆう酸浴などを用いて作製するが、酸化速度を
毎分数μｍ以上と大きくすることができる。一方、バリ
ア型は、はう酸浴や酒石酸浴を用いて形成し、酸化速度
は毎時数μｍと遅いが、膜はち密である。従って、例え
ば工程４４ではポーラス型を、加熱電極と支持基板を絶
縁する工程４６のアルミニウム陽極酸化膜１７の形成に
ばバリア型を用いるなどと使いわけると良い。工程４８
の加熱電極１８はニクロム、ニッケルー金合金、アルミ
ニウム酸化錫などから選べば良いが、本発明は本質的に
は加熱電極の材質には依存しない。
ラス型とバリア型がある。ポーラス型は多孔質であり硫
酸浴やしゆう酸浴などを用いて作製するが、酸化速度を
毎分数μｍ以上と大きくすることができる。一方、バリ
ア型は、はう酸浴や酒石酸浴を用いて形成し、酸化速度
は毎時数μｍと遅いが、膜はち密である。従って、例え
ば工程４４ではポーラス型を、加熱電極と支持基板を絶
縁する工程４６のアルミニウム陽極酸化膜１７の形成に
ばバリア型を用いるなどと使いわけると良い。工程４８
の加熱電極１８はニクロム、ニッケルー金合金、アルミ
ニウム酸化錫などから選べば良いが、本発明は本質的に
は加熱電極の材質には依存しない。
次に具体例を挙げて説明する。
具体例 １
厚みｊ ｍｍのアルミニウム板を用い第４図の工程に従
い、第３図（ｄ）の構造の支持基板を作製した。ただ口
、第４図工程４４においては１０％硫酸浴を用い、液温
５℃、電流密度５Ａ／ｄｍ２とし、３６ｍ分陽極酸化し
た結果、ポーラス型の酸化膜の生長厚はＱ、６ｍｍであ
った。丑だ第４図工程４６においては６係はう酸アンモ
ニウム液を用い、２０℃、５０ｍＡ／ｄｍ２で３０分陽
極酸化した結果、バリア型の酸化膜約１μｍが形成でき
た。加熱電極１８の形成は、ニクロムを用い、幅２００
μｍ、’Ｋ［数１００本、ピッチ２５０Ｉｔｒｎとしだ
。次にこの支持基板と、ＴＴＯを蒸着した厚み２ｍｍの
ガラスから成る支持基板とを用い、液晶として６０％４
トｎ−オクチル−４′−シアノビフェニール、４０％４
−ｎ−ｆツルー４７−シアノビフエニール混合液晶を、
厚み１５μｎ］の第１図構造のＨＭ Ｌ ＣＤを作製し
た。このＴ−Ｔ Ｍ Ｌ ＣＤを線順走査法により駆動
した結果、コントラストを損なわない最小の走査時間は
、加熱電極支持基板としてガラスを用い他は全く同様な
構成のＨＭ Ｌ ＣＤの最小の走査時間の１／４てあっ
た。
い、第３図（ｄ）の構造の支持基板を作製した。ただ口
、第４図工程４４においては１０％硫酸浴を用い、液温
５℃、電流密度５Ａ／ｄｍ２とし、３６ｍ分陽極酸化し
た結果、ポーラス型の酸化膜の生長厚はＱ、６ｍｍであ
った。丑だ第４図工程４６においては６係はう酸アンモ
ニウム液を用い、２０℃、５０ｍＡ／ｄｍ２で３０分陽
極酸化した結果、バリア型の酸化膜約１μｍが形成でき
た。加熱電極１８の形成は、ニクロムを用い、幅２００
μｍ、’Ｋ［数１００本、ピッチ２５０Ｉｔｒｎとしだ
。次にこの支持基板と、ＴＴＯを蒸着した厚み２ｍｍの
ガラスから成る支持基板とを用い、液晶として６０％４
トｎ−オクチル−４′−シアノビフェニール、４０％４
−ｎ−ｆツルー４７−シアノビフエニール混合液晶を、
厚み１５μｎ］の第１図構造のＨＭ Ｌ ＣＤを作製し
た。このＴ−Ｔ Ｍ Ｌ ＣＤを線順走査法により駆動
した結果、コントラストを損なわない最小の走査時間は
、加熱電極支持基板としてガラスを用い他は全く同様な
構成のＨＭ Ｌ ＣＤの最小の走査時間の１／４てあっ
た。
」」、体側 ２
Ｊｉｍみ１ｍｍのアルミニウム板をアルミニウム板を用
い第６図（Ｃ）の構造の支持基板を作製した。
い第６図（Ｃ）の構造の支持基板を作製した。
作製工程は具体例１と同様である。ただし第４図下［程
４ろにおいてはレジスト１６のパターンを５０１ｔｍ１
５０１１ｍのライン／スペースとし、一方、加熱電極１
８のパターンは具体例１と同様にして支持基板を作製し
た。この支持基板を用い具体例１と同様の液晶表示素子
構成を備えたＩ−Ｉ Ｍ Ｌ ＣＤを作製して測定した
、コントラストを損々わない最小の走査時間は、両支持
基板ともガラスを用いた以外は全く同様なＩ−ＴＭＬＣ
Ｄの場合の最小の走査時間にくらべて１／ろであった。
４ろにおいてはレジスト１６のパターンを５０１ｔｍ１
５０１１ｍのライン／スペースとし、一方、加熱電極１
８のパターンは具体例１と同様にして支持基板を作製し
た。この支持基板を用い具体例１と同様の液晶表示素子
構成を備えたＩ−Ｉ Ｍ Ｌ ＣＤを作製して測定した
、コントラストを損々わない最小の走査時間は、両支持
基板ともガラスを用いた以外は全く同様なＩ−ＴＭＬＣ
Ｄの場合の最小の走査時間にくらべて１／ろであった。
以上説明したように、本発明によれば、Ｉ−ＴＭＪ・Ｃ
Ｄの加熱電極を具備した支持基板に、その基板面垂直方
向の熱伝導率が相対的に大きくなるように熱伝導率の大
きい領域と小さい領域とを形成したことにより、加熱電
極から発生した熱が隣接加熱電極に伝導するのにくらべ
て、支持基板面の加熱電極と反対面側へ相対的に多く伝
導することになり、これによりＩ−Ｉ Ｍ Ｌ ＣＤの
走査時間を短かくすることができる利点がある。
Ｄの加熱電極を具備した支持基板に、その基板面垂直方
向の熱伝導率が相対的に大きくなるように熱伝導率の大
きい領域と小さい領域とを形成したことにより、加熱電
極から発生した熱が隣接加熱電極に伝導するのにくらべ
て、支持基板面の加熱電極と反対面側へ相対的に多く伝
導することになり、これによりＩ−Ｉ Ｍ Ｌ ＣＤの
走査時間を短かくすることができる利点がある。
第１図は従来の加熱電極方式の熱書込み形液晶表示素子
の断面図、第２図は特定の加熱電極を加熱したときの熱
の伝導を示す模式断面図、第６図は本発明実施例の加熱
電極支持基板の構造例を示す図、第４図は本発明素子作
製の実施例工程図である。 符号の説明 １・・・ＩＴＯ透明電極 ２・・・前面支持基板５
．６．１８・・・加熱電極 ４・・・後面支持基板 ５・・・液晶層７・・近傍
の液晶 １１・・・隣接加熱電極１２・・反対面 １６・・・熱伝導率が大きい領域 １４・熱伝導率が小さい領域 １５・・・アルミニウム基板 １６ し／スト １７・プルパニウム陽極酸化膜 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助 才１ 閉 ワ 矛２図 ？ オ゛３図 （ｂ）。 ’ＩＰ４ 図 ４１ アルミ本１反 「＝＝＝＝）−
１５４２河々理 ロ二二＝コ〜１５４５シジ
゛スト殊去 Ｐ＝甲４丁；に５ ４６ ｈ”””
ｍ：’ｅ５
の断面図、第２図は特定の加熱電極を加熱したときの熱
の伝導を示す模式断面図、第６図は本発明実施例の加熱
電極支持基板の構造例を示す図、第４図は本発明素子作
製の実施例工程図である。 符号の説明 １・・・ＩＴＯ透明電極 ２・・・前面支持基板５
．６．１８・・・加熱電極 ４・・・後面支持基板 ５・・・液晶層７・・近傍
の液晶 １１・・・隣接加熱電極１２・・反対面 １６・・・熱伝導率が大きい領域 １４・熱伝導率が小さい領域 １５・・・アルミニウム基板 １６ し／スト １７・プルパニウム陽極酸化膜 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中村純之助 才１ 閉 ワ 矛２図 ？ オ゛３図 （ｂ）。 ’ＩＰ４ 図 ４１ アルミ本１反 「＝＝＝＝）−
１５４２河々理 ロ二二＝コ〜１５４５シジ
゛スト殊去 Ｐ＝甲４丁；に５ ４６ ｈ”””
ｍ：’ｅ５
Claims (4)
- （１）液晶を挾む２枚の支持基板の一方の支持基板と液
晶との間に加熱電極を具備する熱書込み形液晶表示素子
において、加熱電極を具備する支持基板の基板面垂直方
向の熱伝導率を相対的に大きくするように熱伝導率の大
きい領域と小さい領域とが支持基板内に形成されている
ことを特徴とする熱書込み形液晶表示素子。 - （２）前記加熱電極を具備する支持基板が金属から成る
支持基板であり前記熱伝導率の大きい領域が上記金属の
酸化物で形成される領域であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の熱書込み形液晶表示素子。 - （３）前記金属酸化物が金属を陽極酸化することにより
形成される金属酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の熱書込み形液晶表示素子。 - （４）前記金属がアルミニウムであり前記金属酸化物が
酸化アルミニウムであることを特徴とする特許請求の範
囲第６項記載の熱書込み形液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22064082A JPS59111131A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 熱書込み形液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22064082A JPS59111131A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 熱書込み形液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111131A true JPS59111131A (ja) | 1984-06-27 |
Family
ID=16754130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22064082A Pending JPS59111131A (ja) | 1982-12-16 | 1982-12-16 | 熱書込み形液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59111131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033128A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Hitachi Maxell, Ltd. | Ecran a cristaux liquides et procede de production de cristaux liquides |
-
1982
- 1982-12-16 JP JP22064082A patent/JPS59111131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033128A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Hitachi Maxell, Ltd. | Ecran a cristaux liquides et procede de production de cristaux liquides |
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