JPS59107602A - マイクロストリツプライン形誘電体フイルタ - Google Patents
マイクロストリツプライン形誘電体フイルタInfo
- Publication number
- JPS59107602A JPS59107602A JP21698282A JP21698282A JPS59107602A JP S59107602 A JPS59107602 A JP S59107602A JP 21698282 A JP21698282 A JP 21698282A JP 21698282 A JP21698282 A JP 21698282A JP S59107602 A JPS59107602 A JP S59107602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor film
- filter
- dielectric plate
- elements
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯の無線装置に使用される
誘電体フィルタに関し、特に、マイクロストリップライ
ン形の誘電体フィルタに関するものである。
誘電体フィルタに関し、特に、マイクロストリップライ
ン形の誘電体フィルタに関するものである。
（２）技術の背景
最近、■Ｆ帯及びＵＨＦ帯の無線装置にマイクロストリ
ップライン形誘電体フィルタが多用されるようになった
。これは誘電体が温度変化に対する影響が少く、また誘
電体を用いるとフィルタの小型化が図れることが主な理
由である。特に、移動無線と呼ばれる車載無線や携帯無
線装置ではその性質上各部品の小型化及び軽量化が重要
な課題となっている。このマイクロストリップライン形
誘電体フィルタは小型化が可能であるという利点を有し
ている。しかしながら、さらに一層の小型化が要望され
ているが、従来のこの種のフィルタは、後述するように
、この点に関して問題点を有しておシ、この問題の解決
が課題となっている。
ップライン形誘電体フィルタが多用されるようになった
。これは誘電体が温度変化に対する影響が少く、また誘
電体を用いるとフィルタの小型化が図れることが主な理
由である。特に、移動無線と呼ばれる車載無線や携帯無
線装置ではその性質上各部品の小型化及び軽量化が重要
な課題となっている。このマイクロストリップライン形
誘電体フィルタは小型化が可能であるという利点を有し
ている。しかしながら、さらに一層の小型化が要望され
ているが、従来のこの種のフィルタは、後述するように
、この点に関して問題点を有しておシ、この問題の解決
が課題となっている。
（３）従来技術と問題点
第１図は従来のマイクロストリップライン形誘電体フィ
ルタを説明するための図である。同図において、符号１
０は誘電体板を示す。誘電体板１０の底面には厚膜焼成
等の手法でメタライズされた導体膜によって外部導体膜
（接地導体）１１が構成され一方、上面には同様にメタ
ライズされた複数個の線路導体膜（ストリップライン）
１２が所要間隔で設けられ、これらが共振素子（共振器
）として構成されている。線路導体膜１２の一端側は、
誘電体板１０の側面に設けられた導体膜１３を介して外
部導体膜１１と接続されている。賞、この線路導体膜１
２はその長さＬを凶波長（λ／４）とする周波数で共振
する共振素子として形成されている。誘電体板１０の両
端の線路導体膜１２に隣接して励振体１４が設けられて
いる、（但し、一端側のみ図示）。との励振体１４は線
路導体膜１２と同様にメタライズされた導体膜からなシ
、隣接する線路導体膜１２と電磁界結合すると共にケー
ブル１５を介して外部回路に接続される。このように形
成された誘電体板１０が金属製の筐体１６に収容されて
マイクロストリップライン形誘電体フィルタが構成され
る。但し、この筐体１６は必ずしも必要とされるもので
はなく、筐体１６を省略してこの種のフィルタが構成さ
れる場合もある。しかし々から、このフィルタは、図示
の如く、共振素子１２相互間の離間距離Ｐ、が比較的大
きく定められ、このため、共振素子１２の面積に対する
他の部分の面積の割合が非常に大きいという問題がある
。この離間距離Ｐ、は、フィルタの電気的特性、例えば
通過帯域幅や共振素子の形状等で定められる共振素子１
２間の′＋イ、磁界の結合強度によって決定されるもの
である。そして、通過帯域幅は、フィルタに与えられた
規格があるため勝手に変えることはできない。また、共
振素子１２間の電磁界の結合強度は共振素子１２の形状
及び配置等によって決定され、そして決定された電磁界
の結合強度は一定に保つ必要がある。
ルタを説明するための図である。同図において、符号１
０は誘電体板を示す。誘電体板１０の底面には厚膜焼成
等の手法でメタライズされた導体膜によって外部導体膜
（接地導体）１１が構成され一方、上面には同様にメタ
ライズされた複数個の線路導体膜（ストリップライン）
１２が所要間隔で設けられ、これらが共振素子（共振器
）として構成されている。線路導体膜１２の一端側は、
誘電体板１０の側面に設けられた導体膜１３を介して外
部導体膜１１と接続されている。賞、この線路導体膜１
２はその長さＬを凶波長（λ／４）とする周波数で共振
する共振素子として形成されている。誘電体板１０の両
端の線路導体膜１２に隣接して励振体１４が設けられて
いる、（但し、一端側のみ図示）。との励振体１４は線
路導体膜１２と同様にメタライズされた導体膜からなシ
、隣接する線路導体膜１２と電磁界結合すると共にケー
ブル１５を介して外部回路に接続される。このように形
成された誘電体板１０が金属製の筐体１６に収容されて
マイクロストリップライン形誘電体フィルタが構成され
る。但し、この筐体１６は必ずしも必要とされるもので
はなく、筐体１６を省略してこの種のフィルタが構成さ
れる場合もある。しかし々から、このフィルタは、図示
の如く、共振素子１２相互間の離間距離Ｐ、が比較的大
きく定められ、このため、共振素子１２の面積に対する
他の部分の面積の割合が非常に大きいという問題がある
。この離間距離Ｐ、は、フィルタの電気的特性、例えば
通過帯域幅や共振素子の形状等で定められる共振素子１
２間の′＋イ、磁界の結合強度によって決定されるもの
である。そして、通過帯域幅は、フィルタに与えられた
規格があるため勝手に変えることはできない。また、共
振素子１２間の電磁界の結合強度は共振素子１２の形状
及び配置等によって決定され、そして決定された電磁界
の結合強度は一定に保つ必要がある。
すなわち、離間距離ＰＩ を小にすると、結合強度が強
められこれに伴なって通過帯域幅が大となり、これと逆
に離間距離Ｐ１を大にすると結合強度が弱められこれに
伴なって通過帯域幅が小となる。
められこれに伴なって通過帯域幅が大となり、これと逆
に離間距離Ｐ１を大にすると結合強度が弱められこれに
伴なって通過帯域幅が小となる。
従って、離間距離Ｐ１は決定された所定値を保つ必要が
ある。このため、この従来のフィルタは、これ以上小型
化することは不可能である。
ある。このため、この従来のフィルタは、これ以上小型
化することは不可能である。
（４）発明の目的
本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑み、共振素子相
互間の電磁界の結合強度を弱める手段を案出し、これに
よシ共振素子相互間の離間距離の短縮を可能とし、さら
に一層小型化され得るマイフロストリラグライン形部電
体フィルタを提供することにある。
互間の電磁界の結合強度を弱める手段を案出し、これに
よシ共振素子相互間の離間距離の短縮を可能とし、さら
に一層小型化され得るマイフロストリラグライン形部電
体フィルタを提供することにある。
（５）発明の構成
そして、この目的を達成するために、本発明に依れば、
誘電体板の底面に導体膜を形成してこれを外部導体膜と
して構成すると共に、該誘電体板上面に複数個の線路導
体膜を所要間隔で形成してこれらを共振素子として構成
し、かつ前記誘電体板の両端に配設された共振素子と電
磁界結合すると共に外部回路と接続するための励振体を
設けて成るマイクロストリップライン形誘電体フィルタ
において、前記共振素子相互間に、該相互間の電磁界結
合強度を弱める機能を有する接地導体を設けたことを特
徴とするマイクロストリップライン形誘電体フィルタが
提供される。
誘電体板の底面に導体膜を形成してこれを外部導体膜と
して構成すると共に、該誘電体板上面に複数個の線路導
体膜を所要間隔で形成してこれらを共振素子として構成
し、かつ前記誘電体板の両端に配設された共振素子と電
磁界結合すると共に外部回路と接続するための励振体を
設けて成るマイクロストリップライン形誘電体フィルタ
において、前記共振素子相互間に、該相互間の電磁界結
合強度を弱める機能を有する接地導体を設けたことを特
徴とするマイクロストリップライン形誘電体フィルタが
提供される。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第２図は本発明釦よるマイクロストリップライン形部電
体の実施例の斜視図、第３図は第２図の矢印入方向から
みた平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ′線に沿った側面
断面図である。これらの図において、符号２０は誘電体
板、２１は外部導体膜（接地導体）、２２は線路導体膜
（マイクロストリップライン；共振素子）、２３は導体
膜、２４は励振体を示し、これらは、前出の第１図に示
した従来のフィルタと基本的には同様に形成されている
。さらに符号２５は、本発明の特徴である貫通穴を示す
。貫通穴２５は、共振素子２２相互間それぞれに複数個
配列して誘電体板２２を上下方向に貫通して形成され、
内面にメタライズされた導体膜２５ａを有し、この導体
膜２５１ｋが誘電体板２０底面の外部導体膜（接地導体
）２１に短絡されて形成されたもので、一種の接地導体
とじて構成されている。このように構成し念貫通孔２５
、すなわち接地導体を共振素子２２相互間に設けること
により、共振素子２２相互間の電磁界の一部がこれらの
貫通穴２５を介して外部導体膜２１の方向へ曲げられて
流出することになる。この結果、共振素子２２相互間の
電磁界の結合強度はその分だけ弱められることになる。
体の実施例の斜視図、第３図は第２図の矢印入方向から
みた平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ′線に沿った側面
断面図である。これらの図において、符号２０は誘電体
板、２１は外部導体膜（接地導体）、２２は線路導体膜
（マイクロストリップライン；共振素子）、２３は導体
膜、２４は励振体を示し、これらは、前出の第１図に示
した従来のフィルタと基本的には同様に形成されている
。さらに符号２５は、本発明の特徴である貫通穴を示す
。貫通穴２５は、共振素子２２相互間それぞれに複数個
配列して誘電体板２２を上下方向に貫通して形成され、
内面にメタライズされた導体膜２５ａを有し、この導体
膜２５１ｋが誘電体板２０底面の外部導体膜（接地導体
）２１に短絡されて形成されたもので、一種の接地導体
とじて構成されている。このように構成し念貫通孔２５
、すなわち接地導体を共振素子２２相互間に設けること
により、共振素子２２相互間の電磁界の一部がこれらの
貫通穴２５を介して外部導体膜２１の方向へ曲げられて
流出することになる。この結果、共振素子２２相互間の
電磁界の結合強度はその分だけ弱められることになる。
従って、例えば、前出の第１図に示した従来例と同じ電
磁界結合強度を得るためには、つまり同じ通過帯域幅を
得るためには、共振素子２２相互間の離間距離Ｐ２を前
出の第１図におけるＰｌ よりも小さくする必要がある
。換言すれば、このように共振素子２２相互間に接地導
体を設けることによシ、共振素子相互間の離間距離Ｐ１
を小さくすることができ、このため誘電体板２０の外形
寸法を小さくすることができる。このことは、フィルタ
の小型化が可能であることを意味する。岡、貫通穴２５
の穴径や個数を適宜に変えることによシ、離間距離Ｐ２
を適宜に変えることができ、また共振素子２２相互間の
電磁界結合強度の調整は、貫通穴２５内面の導体膜２５
ａの高さ寸法、若しくは面積の調整によるか、又は誘電
体板２０が筐体（図示がし）に収容された場合は、降■
ｌｌにこれら貫通穴２５に対応して金属製の調整ねじ（
図示なし）を設けこれらの調整ねじによっても行なうこ
とができる。このように、本実施例に依れば、簡易構造
でフィルタの小型化が容易に実現できる。
磁界結合強度を得るためには、つまり同じ通過帯域幅を
得るためには、共振素子２２相互間の離間距離Ｐ２を前
出の第１図におけるＰｌ よりも小さくする必要がある
。換言すれば、このように共振素子２２相互間に接地導
体を設けることによシ、共振素子相互間の離間距離Ｐ１
を小さくすることができ、このため誘電体板２０の外形
寸法を小さくすることができる。このことは、フィルタ
の小型化が可能であることを意味する。岡、貫通穴２５
の穴径や個数を適宜に変えることによシ、離間距離Ｐ２
を適宜に変えることができ、また共振素子２２相互間の
電磁界結合強度の調整は、貫通穴２５内面の導体膜２５
ａの高さ寸法、若しくは面積の調整によるか、又は誘電
体板２０が筐体（図示がし）に収容された場合は、降■
ｌｌにこれら貫通穴２５に対応して金属製の調整ねじ（
図示なし）を設けこれらの調整ねじによっても行なうこ
とができる。このように、本実施例に依れば、簡易構造
でフィルタの小型化が容易に実現できる。
第５図から第７図は上記実施例の応用例を示す平面図で
ある。これらの図において、符号３０゜４０．５０はそ
れぞれ誘電体板を示し、４１゜５１は外部導体膜（接地
導体）、３２，４２゜５２は線路導体膜（共振素子）、
３４１４４゜５４は励振体をそれぞれ示す。
ある。これらの図において、符号３０゜４０．５０はそ
れぞれ誘電体板を示し、４１゜５１は外部導体膜（接地
導体）、３２，４２゜５２は線路導体膜（共振素子）、
３４１４４゜５４は励振体をそれぞれ示す。
第５図は、共振素子３２の両端が開放されて形成され、
底面のみに外部導体膜（接地導体）（図示なし）が形成
されているフィルタを示す。このフィルタは構造が比較
的簡単であるという利点がある。
底面のみに外部導体膜（接地導体）（図示なし）が形成
されているフィルタを示す。このフィルタは構造が比較
的簡単であるという利点がある。
第６図は、共振素子４２の両端が、底面及び側面に形成
された外部導体膜４１（接地導体）に短絡されたフィル
タを示す。このフィルタは誘電体板４０の巾寸法を共振
素子４２と同一に形成することができるのでフィルタの
巾を最小限に構成できるという利点がある。
された外部導体膜４１（接地導体）に短絡されたフィル
タを示す。このフィルタは誘電体板４０の巾寸法を共振
素子４２と同一に形成することができるのでフィルタの
巾を最小限に構成できるという利点がある。
第７図は、外部導体膜５１が第６図の場合と同様に形成
され、共振素子５２が互い違いに一端開放で他端短絡に
形成されたフィルタを示す。
され、共振素子５２が互い違いに一端開放で他端短絡に
形成されたフィルタを示す。
このように構成することにより、本発明のフィルタは、
さらに一層の小型化が可能であシ、特に、通過帯域幅が
狭いフィルタに対しては、きわめて有用性が高い。
さらに一層の小型化が可能であシ、特に、通過帯域幅が
狭いフィルタに対しては、きわめて有用性が高い。
伺、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、貫通穴（２５，３５，４５゜５５）を他の形状
の接地導体に形成することが可能であυ、またこれらの
接地導体と組合せて共振素子（２２，３２，４２，５２
）を他の形状に形成してフィルタの小型化を実現するこ
とができる。
例えば、貫通穴（２５，３５，４５゜５５）を他の形状
の接地導体に形成することが可能であυ、またこれらの
接地導体と組合せて共振素子（２２，３２，４２，５２
）を他の形状に形成してフィルタの小型化を実現するこ
とができる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明のマイクロストリ
ップライン形誘電体フィルタは、共振素子相互間に電磁
界結合強度を減衰せしめる接地導体を設けることによシ
、簡易構造でフィルタのさらに一層の小型化ヲ笑現する
ことができるといった効果大なるものがある。
ップライン形誘電体フィルタは、共振素子相互間に電磁
界結合強度を減衰せしめる接地導体を設けることによシ
、簡易構造でフィルタのさらに一層の小型化ヲ笑現する
ことができるといった効果大なるものがある。
第１図は従来のマイクロストリップライン形誘電体フィ
ルタの説明図、第２図は本発明に依るマイクロストリッ
プライン形誘電体フィルタの実施例の斜視図、第３図は
第２図の矢印Ａ方向からみた平面図、第４図は第３図の
Ｂ −Ｂ’線に沿った側面断面図、第５図から第７図は
第２図の実施例の応用例を示す図で、第５図は共振素子
の両端が開放されて形成されたフィルタの平面図、第６
図は共振素子の両端が外部導体膜（接地導体）に短絡さ
れて形成されたフィルタの平面図、第７図は共振素子が
互い違いに一端開放で他端短絡状に形成されたフィルタ
の平面図である。 ２０．３０，４０．５０・・・誘電体板、２１゜４１．
５１・・・外部導体膜（接地導体）、２２゜３２．４２
．５２・・・線路導体膜（ストリップライン；共振素子
）、２３・・・側面導体膜（外部導体膜Ｘ２４，３４，
４４，５４・・・励振体、２５，３５゜４５．５５・・
・接地導体と短絡された導体膜を内面に有する貫通穴（
電磁界結合強度減衰用接地導体）、２５ａ・・・導体膜
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （１１） ８−
ルタの説明図、第２図は本発明に依るマイクロストリッ
プライン形誘電体フィルタの実施例の斜視図、第３図は
第２図の矢印Ａ方向からみた平面図、第４図は第３図の
Ｂ −Ｂ’線に沿った側面断面図、第５図から第７図は
第２図の実施例の応用例を示す図で、第５図は共振素子
の両端が開放されて形成されたフィルタの平面図、第６
図は共振素子の両端が外部導体膜（接地導体）に短絡さ
れて形成されたフィルタの平面図、第７図は共振素子が
互い違いに一端開放で他端短絡状に形成されたフィルタ
の平面図である。 ２０．３０，４０．５０・・・誘電体板、２１゜４１．
５１・・・外部導体膜（接地導体）、２２゜３２．４２
．５２・・・線路導体膜（ストリップライン；共振素子
）、２３・・・側面導体膜（外部導体膜Ｘ２４，３４，
４４，５４・・・励振体、２５，３５゜４５．５５・・
・接地導体と短絡された導体膜を内面に有する貫通穴（
電磁界結合強度減衰用接地導体）、２５ａ・・・導体膜
。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （１１） ８−
Claims (1)
- １、誘電体板の底面に導体膜を形成してこれを外部導体
膜として構成すると共に、該誘電体板上面に複数個の線
路導体膜を所要間隔で形成してこれらを共振素子として
構成し、かつ前記誘電体板の両端に配設された共振素子
と電磁界結合すると共に外部回路と接続するための励振
体を設けて成るマイクロストリップライン形誘電体フィ
ルタにおいて、前記共振素子相互間に、該相互間の電磁
界結合強度を弱める機能を有する接地導体を設けたこと
を特徴とするマイクロストリップライン形誘電体フィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21698282A JPS59107602A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | マイクロストリツプライン形誘電体フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21698282A JPS59107602A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | マイクロストリツプライン形誘電体フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107602A true JPS59107602A (ja) | 1984-06-21 |
Family
ID=16696957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21698282A Pending JPS59107602A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | マイクロストリツプライン形誘電体フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107602A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196402U (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-14 | ||
| JPH02237008A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JPH0653705A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| US6542052B2 (en) * | 2000-08-09 | 2003-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic LC components |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019341A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-02-28 | ||
| JPS5354943A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-18 | Nec Corp | Microwave filter |
| JPS56117401A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-14 | Nec Corp | Directional coupler |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21698282A patent/JPS59107602A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019341A (ja) * | 1973-06-20 | 1975-02-28 | ||
| JPS5354943A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-18 | Nec Corp | Microwave filter |
| JPS56117401A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-14 | Nec Corp | Directional coupler |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196402U (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-14 | ||
| JPH02237008A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JPH0654749B2 (ja) * | 1989-03-09 | 1994-07-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JPH0653705A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| US6542052B2 (en) * | 2000-08-09 | 2003-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic LC components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6414572B2 (en) | Dielectric resonator having a frequency tuning member spirally engaged with the cavity | |
| US6686815B1 (en) | Microwave filter | |
| KR100296847B1 (ko) | 유전체공진기장치 | |
| EP0038996A1 (en) | A high frequency filter | |
| EP0948077B1 (en) | Dielectric resonator device | |
| EP0858123A2 (en) | Dielectric waveguide | |
| EP1372212A1 (en) | Dielectric resonator and high frequency circuit element using the same | |
| US5446430A (en) | Folded strip line type dielectric resonator and multilayer dielectric filter using the same | |
| JPS638641B2 (ja) | ||
| US6812813B2 (en) | Method for adjusting frequency of attenuation pole of dual-mode band pass filter | |
| JPH0367362B2 (ja) | ||
| JPS61201501A (ja) | 高周波ろ波器 | |
| JP3405198B2 (ja) | 非放射性誘電体線路共振器、非放射性誘電体線路フィルタおよびそれを用いたデュプレクサ、通信機装置 | |
| EP1079457A2 (en) | Dielectric resonance device, dielectric filter, composite dielectric filter device, dielectric duplexer, and communication apparatus | |
| JPS59107602A (ja) | マイクロストリツプライン形誘電体フイルタ | |
| EP1170819B1 (en) | Dual mode band pass filter | |
| US7274273B2 (en) | Dielectric resonator device, dielectric filter, duplexer, and high-frequency communication apparatus | |
| JPS6212682B2 (ja) | ||
| JP2730323B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
| JPS6390201A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| WO2022044405A1 (ja) | フィルタ装置 | |
| JPH0526802Y2 (ja) | ||
| JPS6055702A (ja) | 高周波ろ波器 | |
| JPS61161803A (ja) | 高周波ろ波器 | |
| JPH09167902A (ja) | 誘電体フィルタ |