JPS59105358A - 固体撮像素子の偏向装置 - Google Patents
固体撮像素子の偏向装置Info
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- JPS59105358A JPS59105358A JP57215726A JP21572682A JPS59105358A JP S59105358 A JPS59105358 A JP S59105358A JP 57215726 A JP57215726 A JP 57215726A JP 21572682 A JP21572682 A JP 21572682A JP S59105358 A JPS59105358 A JP S59105358A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
- G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、固体撮像素子の高解像度化に適した偏向装置
に関する。
に関する。
固体撮像装置は従来の撮像管とくらべ、小型、軽量、高
信頼性、特性面では図形歪がなく、残像が小さく、焼付
きがない等多くの利点金有している。このため、■TV
、家庭用ビデオカメラ、銀塩フィルムを用いない電子カ
メラ等、応用は広く、今後更に拡大されると考えられる
。これらの応用において現在の固体撮像装置に対して高
解像度化の要求が強い。しかし一方固体撮像装置に目を
向けると、該装置は現在のLSIの中でも最も大きいチ
ップサイズを有してお9゛、低価格化へのアプローチと
してもチップサイズの縮小化が求められている。従って
、チップサイズの縮小化全行ない、更に高密度化を行な
って高解像度化を行なわなくてはならなく、製造技術的
にも困難である。
信頼性、特性面では図形歪がなく、残像が小さく、焼付
きがない等多くの利点金有している。このため、■TV
、家庭用ビデオカメラ、銀塩フィルムを用いない電子カ
メラ等、応用は広く、今後更に拡大されると考えられる
。これらの応用において現在の固体撮像装置に対して高
解像度化の要求が強い。しかし一方固体撮像装置に目を
向けると、該装置は現在のLSIの中でも最も大きいチ
ップサイズを有してお9゛、低価格化へのアプローチと
してもチップサイズの縮小化が求められている。従って
、チップサイズの縮小化全行ない、更に高密度化を行な
って高解像度化を行なわなくてはならなく、製造技術的
にも困難である。
このような問題に対処するため、インターライン転送方
式COD (以下IT−CCDと称す)の如き、感光部
(例えばフォトダイオード、以下PDと称す)に蓄積さ
れた信号電荷が垂直ブランキング期間(無効期間)にお
いて同時に垂直CCDに移動され、次のフィールド有効
期間中に読出される撮像動作金有した固体撮像チッゾ基
板金前記フィールド期間の無効期間に振動中心に位置す
る如く振動せしめることにより高解像度化が試みられて
いる。つまシ、固体撮像チップ基板を該チップ面に対し
て水平に適当な周波数で適当な型幅を与えることで、従
来の固体撮像装置の高解像度化を図ろうとするものであ
る。
式COD (以下IT−CCDと称す)の如き、感光部
(例えばフォトダイオード、以下PDと称す)に蓄積さ
れた信号電荷が垂直ブランキング期間(無効期間)にお
いて同時に垂直CCDに移動され、次のフィールド有効
期間中に読出される撮像動作金有した固体撮像チッゾ基
板金前記フィールド期間の無効期間に振動中心に位置す
る如く振動せしめることにより高解像度化が試みられて
いる。つまシ、固体撮像チップ基板を該チップ面に対し
て水平に適当な周波数で適当な型幅を与えることで、従
来の固体撮像装置の高解像度化を図ろうとするものであ
る。
一方、従来技術において、微小変位金与えるための装置
としてバイモルフ振動子を用いることは周知でちゃ1通
常用いられる片持梁方式のバイモルフ振動子の応用例と
してはビデオディスク等の光学系を用いたシステムで該
バイモルフ振動子の先端にミラーを取υ付はレーザー光
の偏向素子として、あるいは、ヘリカルスキャン型VT
Rでのオートトラッキングのためのビデオヘッド偏向素
子等が挙げられる。これらの応用例はいずれもバイモル
フ振動子を単−型で用い、又、偏向物を該バイモルフ振
動子を片持梁で用い、その先端に取り付ける等の方法が
主流である。しかるにこの方法においては、ノクイモル
フ振動子先端に、バイモルフ振動子と比較して軽量の物
体を取り付けることが常であり、たとえばヘリカルスキ
ャン型VTRでの応用例ではビデオヘッドの重量は5〜
10m9と、バイモルフ振動子のそれに比べ十分軽いた
め、このような応用例ではバイモルフ振動子の耐久性、
機械的強度と偏向物には大きな関係はない。ところが上
記固体撮像素子全バイモルフ振動子によって振動させよ
うとした場合、固体撮像素子は代表的な素子の大きさで
、縦30,5μs、構15聰、厚さ3霜、重さ5gであ
り、従来の偏向物に比較して形状、重量共に大きいため
バイモルフ振動子の先端にこのように重量のあるものを
取り付けるとするとバイモルフ振動子の耐久性について
問題が生ずる。
としてバイモルフ振動子を用いることは周知でちゃ1通
常用いられる片持梁方式のバイモルフ振動子の応用例と
してはビデオディスク等の光学系を用いたシステムで該
バイモルフ振動子の先端にミラーを取υ付はレーザー光
の偏向素子として、あるいは、ヘリカルスキャン型VT
Rでのオートトラッキングのためのビデオヘッド偏向素
子等が挙げられる。これらの応用例はいずれもバイモル
フ振動子を単−型で用い、又、偏向物を該バイモルフ振
動子を片持梁で用い、その先端に取り付ける等の方法が
主流である。しかるにこの方法においては、ノクイモル
フ振動子先端に、バイモルフ振動子と比較して軽量の物
体を取り付けることが常であり、たとえばヘリカルスキ
ャン型VTRでの応用例ではビデオヘッドの重量は5〜
10m9と、バイモルフ振動子のそれに比べ十分軽いた
め、このような応用例ではバイモルフ振動子の耐久性、
機械的強度と偏向物には大きな関係はない。ところが上
記固体撮像素子全バイモルフ振動子によって振動させよ
うとした場合、固体撮像素子は代表的な素子の大きさで
、縦30,5μs、構15聰、厚さ3霜、重さ5gであ
り、従来の偏向物に比較して形状、重量共に大きいため
バイモルフ振動子の先端にこのように重量のあるものを
取り付けるとするとバイモルフ振動子の耐久性について
問題が生ずる。
さらにバイモルフ振動子に取りつけた固体撮像素子はバ
イモルフ振動子への入力信号波形に応じた変位量及び変
位応答をさせる必要がある。
イモルフ振動子への入力信号波形に応じた変位量及び変
位応答をさせる必要がある。
しかしながらバイモルフ振動子に矩形波おるいはノコギ
リ波の入力信号に対してその変位応答はバイモルフ振動
子の共振周波数、共振尖鋭度の程度によりリンギング応
答が起る。このリンギング応答は同体撮像素子の高解像
度化を低下させる原因となり、のぞましくない。
リ波の入力信号に対してその変位応答はバイモルフ振動
子の共振周波数、共振尖鋭度の程度によりリンギング応
答が起る。このリンギング応答は同体撮像素子の高解像
度化を低下させる原因となり、のぞましくない。
従来、バイモルフ振動子のリンギング応答全ダンプする
手段としてバイモルフ振動子全体、もしくは部分的にた
とえばシリコンゴム等の弾性物でつつみ込む等の方法が
とられている。しかし、これらの方法はダンピング特性
が改善されると同時に変位量も減少する欠点を有してい
るため、ダンピング特性をもたせると同時に変位量の犬
なるバイモルフ変位素子を設計することが極めて困雅で
、性能面で十分な製品を得ることができなかった。
手段としてバイモルフ振動子全体、もしくは部分的にた
とえばシリコンゴム等の弾性物でつつみ込む等の方法が
とられている。しかし、これらの方法はダンピング特性
が改善されると同時に変位量も減少する欠点を有してい
るため、ダンピング特性をもたせると同時に変位量の犬
なるバイモルフ変位素子を設計することが極めて困雅で
、性能面で十分な製品を得ることができなかった。
本発明は固体撮像素子の高解像化のために振動を与える
バイモルフ圧電素子において、その変位量を減少させる
ことなくダンピング特性を改善した固体撮像素子の偏向
装置を提供しようとするものである。
バイモルフ圧電素子において、その変位量を減少させる
ことなくダンピング特性を改善した固体撮像素子の偏向
装置を提供しようとするものである。
本発明は基台と固体撮像素子とを互に離間して平行に配
置し、これら基台と固体撮像素子の間にバイモルフ圧電
素子を設け、該・ぐイモルフ圧電素子の両端を基台に固
着した保持具にスプリング作用を有する支持板金倉して
固定し、更に前記固体撮像素子を前記圧電素子にその変
位発生方向と平行に移動可能となるように取着した構造
において、前記圧電素子両端の支持板のスプリング部と
前記支持具の間、又は・ぐイモルフ圧電素子金複数個使
用の場合は各圧電素子両端の支持板における対向するス
プリング部同志、全弾性物で連結することにより固体撮
像素子を高解像化するための/NOイモルフ圧電素子の
変位量の低下2招くことなくダンピング特性全改善する
こと全骨子とするものである。
置し、これら基台と固体撮像素子の間にバイモルフ圧電
素子を設け、該・ぐイモルフ圧電素子の両端を基台に固
着した保持具にスプリング作用を有する支持板金倉して
固定し、更に前記固体撮像素子を前記圧電素子にその変
位発生方向と平行に移動可能となるように取着した構造
において、前記圧電素子両端の支持板のスプリング部と
前記支持具の間、又は・ぐイモルフ圧電素子金複数個使
用の場合は各圧電素子両端の支持板における対向するス
プリング部同志、全弾性物で連結することにより固体撮
像素子を高解像化するための/NOイモルフ圧電素子の
変位量の低下2招くことなくダンピング特性全改善する
こと全骨子とするものである。
以下、本発明の実施例を第1図を参照して説明する。
図中の1は基台であり、この基台1上には・ぐイモルフ
圧准素子2がその振動方向を該基台1表面と平行となる
ように載置されている。このバイモルフ圧電素子2は2
枚のPZT又は三成分系の圧電セラミック撮動子3.3
′全、それら振動子3,3′の分極方向が同一方向とな
るようにニッケル薄板又は黄銅薄板からなる支持板4全
挾んで接合し、かつ前記賑動子3,3′の電極(図示せ
ず)に一方の入力信号リード線5を共通に接続すると共
に前記振動子3,3′の接合面(支持板4)に他方の入
力信号リード線6を接続した構造になっている。前記支
持板4の両端はバイモルフ圧電素子2の長手方向の端部
から突出しており、かつこれら突出した支持板4両端の
該圧電素子2近傍には夫々スプリング部としての彎曲部
7,7′が形成されている。また、前記支持板4の突出
した両端は保持具8,8′に固着されておシ、かつこれ
ら保持具8,8′は前記基台1上に固着されている。そ
して、前記保持具8.8′の対向面には前記支持板4と
平行する爪部9,9′が延出しており、前記支持板4の
彎曲部7t 7’の先端は夫々シリコンゴム、ネオプシ
コゞム、ウレタンゴム又はエポキシ系接着剤(硬度:シ
ョアーA30〜8o)等の弾性物10゜10’ l介し
て前記爪部9,9′に設けられている。
圧准素子2がその振動方向を該基台1表面と平行となる
ように載置されている。このバイモルフ圧電素子2は2
枚のPZT又は三成分系の圧電セラミック撮動子3.3
′全、それら振動子3,3′の分極方向が同一方向とな
るようにニッケル薄板又は黄銅薄板からなる支持板4全
挾んで接合し、かつ前記賑動子3,3′の電極(図示せ
ず)に一方の入力信号リード線5を共通に接続すると共
に前記振動子3,3′の接合面(支持板4)に他方の入
力信号リード線6を接続した構造になっている。前記支
持板4の両端はバイモルフ圧電素子2の長手方向の端部
から突出しており、かつこれら突出した支持板4両端の
該圧電素子2近傍には夫々スプリング部としての彎曲部
7,7′が形成されている。また、前記支持板4の突出
した両端は保持具8,8′に固着されておシ、かつこれ
ら保持具8,8′は前記基台1上に固着されている。そ
して、前記保持具8.8′の対向面には前記支持板4と
平行する爪部9,9′が延出しており、前記支持板4の
彎曲部7t 7’の先端は夫々シリコンゴム、ネオプシ
コゞム、ウレタンゴム又はエポキシ系接着剤(硬度:シ
ョアーA30〜8o)等の弾性物10゜10’ l介し
て前記爪部9,9′に設けられている。
更に、前記バイモルフ圧電素子2上には固体撮像素子1
1が該バイモルフ圧電素子2の最大振幅位置である中心
位置に設けられている。
1が該バイモルフ圧電素子2の最大振幅位置である中心
位置に設けられている。
このような構成によれば、バイモルフ圧電素子2の両側
の電極を共通にした入力信号リード線5とバイモルフ圧
電素子2の接合点(支持板4)から取出した入力信号リ
ード線6との間に電気信号を印加すると、バイモルフ圧
電素子2はベンディング振動を起こし、かつ支持板4の
スプリング作用によシその中央部は矢印方向に十分に変
位し、これに伴なって該圧電素子2に取着された固体撮
像素子11が振動して高解像度化がなされる。こうした
入力信号リード線546間に電気信号を印加する際、一
般にバイモルフ圧電素子2の基本共振周波数よりも低い
周波数領域で強制振動によシ励振される。このため、サ
イン波で励振した時は問題ないが、固体撮像素子11の
高解像度を目的とする場合、矩形波や三角波が利用され
るので変位波形はリンギングを含む波形となる。しかる
に本発明の偏向装置はバイモルフ圧電素子2の変位を助
長させる支持板4のスプリング部(彎曲部)y、v’@
保持具8,8′の爪部9,9′に弾性物l O、10’
を介して設けることによって、該圧電素子2の変位量を
減少させることなくリンギングの発生を抑制できる、い
わゆるダンピング効果を発揮し得る。
の電極を共通にした入力信号リード線5とバイモルフ圧
電素子2の接合点(支持板4)から取出した入力信号リ
ード線6との間に電気信号を印加すると、バイモルフ圧
電素子2はベンディング振動を起こし、かつ支持板4の
スプリング作用によシその中央部は矢印方向に十分に変
位し、これに伴なって該圧電素子2に取着された固体撮
像素子11が振動して高解像度化がなされる。こうした
入力信号リード線546間に電気信号を印加する際、一
般にバイモルフ圧電素子2の基本共振周波数よりも低い
周波数領域で強制振動によシ励振される。このため、サ
イン波で励振した時は問題ないが、固体撮像素子11の
高解像度を目的とする場合、矩形波や三角波が利用され
るので変位波形はリンギングを含む波形となる。しかる
に本発明の偏向装置はバイモルフ圧電素子2の変位を助
長させる支持板4のスプリング部(彎曲部)y、v’@
保持具8,8′の爪部9,9′に弾性物l O、10’
を介して設けることによって、該圧電素子2の変位量を
減少させることなくリンギングの発生を抑制できる、い
わゆるダンピング効果を発揮し得る。
事実、本発明に係る偏向装置のバイモルフ圧電素子2へ
の印加電圧に対するその変位量を調べたところ第2図に
示す特性図となった。第2図中のaは本発明に係る偏向
装置の特性線、bは支持板のスプリング部に弾性物を設
けない場合の特性線、である。この第2図よシ、バイモ
ルフ圧電素子2の支持板4のスプリング部(彎曲部)7
.7’f弾性物10 、10’f介して爪部9.9′に
設けても、バイモルフ圧電素子の変位量は該スプリング
部を弾性物を介して設けない場合と比べてほとんど変わ
らず、良好な変位計が得られることがわかる。
の印加電圧に対するその変位量を調べたところ第2図に
示す特性図となった。第2図中のaは本発明に係る偏向
装置の特性線、bは支持板のスプリング部に弾性物を設
けない場合の特性線、である。この第2図よシ、バイモ
ルフ圧電素子2の支持板4のスプリング部(彎曲部)7
.7’f弾性物10 、10’f介して爪部9.9′に
設けても、バイモルフ圧電素子の変位量は該スプリング
部を弾性物を介して設けない場合と比べてほとんど変わ
らず、良好な変位計が得られることがわかる。
また、バイモルフ圧電素子に第3図(4)に示す矩形涙
金印加した場合、バイモルフ圧電素子の支持板のスプリ
ング部に弾性物を設けない偏向装置では同図(B)に示
す変位波形となるのに対し、本発明の偏向装置では同図
(C)に示す変位波形となった、この第3図より、弾性
物を伺加しない偏向装置では変位波形にリンギング応答
が現われ、固体撮像素子の高解像度のための高精度微小
偏向に支障をきたす。これに対し、本発明の偏向装置で
はリンギング応答がダンピング(抑制)されて第3図囚
の印加波形に忠実で理想的な変位応答性を示すことがわ
かる。
金印加した場合、バイモルフ圧電素子の支持板のスプリ
ング部に弾性物を設けない偏向装置では同図(B)に示
す変位波形となるのに対し、本発明の偏向装置では同図
(C)に示す変位波形となった、この第3図より、弾性
物を伺加しない偏向装置では変位波形にリンギング応答
が現われ、固体撮像素子の高解像度のための高精度微小
偏向に支障をきたす。これに対し、本発明の偏向装置で
はリンギング応答がダンピング(抑制)されて第3図囚
の印加波形に忠実で理想的な変位応答性を示すことがわ
かる。
なお、上記実施例では圧電セラミック振動子3.3′の
接合面に支持板4全挾むことによシバイモルフ圧電素子
2を支持したが、これに限定されない。例えば第4図に
示す如く圧電セラミック振動子3.3’f、それら振動
子3,3′の分極方向が同一方向となるように接合し、
一方の振動子(例えば3′)の両端面に彎曲部7.7’
f有する支持板4 a 、 4 b f、(取着した構
造にしてもよい。
接合面に支持板4全挾むことによシバイモルフ圧電素子
2を支持したが、これに限定されない。例えば第4図に
示す如く圧電セラミック振動子3.3’f、それら振動
子3,3′の分極方向が同一方向となるように接合し、
一方の振動子(例えば3′)の両端面に彎曲部7.7’
f有する支持板4 a 、 4 b f、(取着した構
造にしてもよい。
また、上記実施例では1枚のバイモルフ圧電素子を用い
て偏向装置全構成したが、これに限定されない。例えば
、第5図に示す如く2枚のバイモルフ圧電素子を用いて
偏向装置を構成してもよい1.即ち、第5図中の1は基
台であり、この基台1上には2枚のバイモルフ圧電素子
21゜22が互に所望距ツ1へだでて平行に載置されて
いる。なお、これら圧電素子21,2□は夫々2枚のP
ZT又は三成分系の圧電セラミック振動子31゜31’
p 32132’ fそれらの分極方向が同一方向とな
るように二、ケル箔板又は黄銅箔板からなる支持板41
p 42を挾んで接合し、かつ前記振動子31+ 31
’ +32132’の電極(図示せず)に一方の入力信
号リード線5を共通に接続すると共に、前記振動子31
+31’と32 、32’の接合面(支持板41+ 4
2 )に他方の入力信号リード線6を共通に接続した構
造になっている。前記各支持板4、。
て偏向装置全構成したが、これに限定されない。例えば
、第5図に示す如く2枚のバイモルフ圧電素子を用いて
偏向装置を構成してもよい1.即ち、第5図中の1は基
台であり、この基台1上には2枚のバイモルフ圧電素子
21゜22が互に所望距ツ1へだでて平行に載置されて
いる。なお、これら圧電素子21,2□は夫々2枚のP
ZT又は三成分系の圧電セラミック振動子31゜31’
p 32132’ fそれらの分極方向が同一方向とな
るように二、ケル箔板又は黄銅箔板からなる支持板41
p 42を挾んで接合し、かつ前記振動子31+ 31
’ +32132’の電極(図示せず)に一方の入力信
号リード線5を共通に接続すると共に、前記振動子31
+31’と32 、32’の接合面(支持板41+ 4
2 )に他方の入力信号リード線6を共通に接続した構
造になっている。前記各支持板4、。
42の両端は夫々バイモルフ圧電素子21p22の長手
方向の端部から突出しており、かつこれら各突出した支
持板41.42の両端の該圧電素子21゜22近傍には
夫々スプリング部となる彎曲部71+y1/ p 72
r y2′が形成されている。また、前記各支持板4
1.42の突出した両端は棒状の保持具81+81’
+ 82 + 82’に巻回、保持されておシ1、かつ
これら保持具81+ 81’ 、 82 r 82’は
前記基台1に植設されている。そして前記各支持板41
+42の互に対向した彎曲部71,7□及び71L 、
72/の先端は夫々シリコンゴム、ネオゾレンゴム、
ウレタンゴム又はエポキシ系接着剤(硬度:ショアーA
30〜80)等の棒状の弾性物10.10’を介して設
けている。更に、前記各バイモルフ圧電素子21 、2
2上には固体撮像素子11がそれらバイモルフ圧電素子
21 、22の最大振幅位置である中心位置に設けられ
ている。このような構成によれば2枚のバイモルフ圧電
素子21.22上に固体撮像素子11を載設するため、
該素子11の取付安定性を向上できる。
方向の端部から突出しており、かつこれら各突出した支
持板41.42の両端の該圧電素子21゜22近傍には
夫々スプリング部となる彎曲部71+y1/ p 72
r y2′が形成されている。また、前記各支持板4
1.42の突出した両端は棒状の保持具81+81’
+ 82 + 82’に巻回、保持されておシ1、かつ
これら保持具81+ 81’ 、 82 r 82’は
前記基台1に植設されている。そして前記各支持板41
+42の互に対向した彎曲部71,7□及び71L 、
72/の先端は夫々シリコンゴム、ネオゾレンゴム、
ウレタンゴム又はエポキシ系接着剤(硬度:ショアーA
30〜80)等の棒状の弾性物10.10’を介して設
けている。更に、前記各バイモルフ圧電素子21 、2
2上には固体撮像素子11がそれらバイモルフ圧電素子
21 、22の最大振幅位置である中心位置に設けられ
ている。このような構成によれば2枚のバイモルフ圧電
素子21.22上に固体撮像素子11を載設するため、
該素子11の取付安定性を向上できる。
以上詳述した如く、本発明によればバイモルフ圧電素子
を、その変位量全減少させることなくダンピング特性を
改善でき、該圧電素子に取着される固体撮像素子を水平
にかつ平行に移動させて、その固体撮像素子内の各セル
を同一に移動でき、ひいては均一に固体撮像素子の高解
像度化を達成し得る固体撮像素子の偏向装置全提供でき
る。
を、その変位量全減少させることなくダンピング特性を
改善でき、該圧電素子に取着される固体撮像素子を水平
にかつ平行に移動させて、その固体撮像素子内の各セル
を同一に移動でき、ひいては均一に固体撮像素子の高解
像度化を達成し得る固体撮像素子の偏向装置全提供でき
る。
第1図は本発明の一実施例金子す固体撮像素子の偏向装
置の斜視図、第2図は本発明の偏向装置における印加電
圧と変位量との関係を示す特性図、第3図(A)は偏向
装置のバイモルフ圧電素子に印加する印加波形図、同図
(B)は支持板のスプリング部に弾性物を固着しない場
合のバイモルフ圧電素子の変位波形図、同図(C)は本
発明の偏向装置におけるバイモルフ圧電素子の変位波形
図、第4図は本発明の他の実施例を示す固体撮像素子の
偏向装置の平面図、第5図は本発明の更に他の実施例を
示す固体撮像素子の偏向装置の斜視図である。 1・・・基台、2 r 21 + 22・・・バイモル
フ圧電素子、414814 b + 41 + 42”
’支持板、7p7’、71+71’ H72r 72’
・・・彎曲部(スプリング部)、8゜8’ H81r
+!11 ’ + 82 + +!j2’・・・保持具
、10・10’・・・弾性物、11・・・固体撮像素子
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第 2 図 第 3 図
置の斜視図、第2図は本発明の偏向装置における印加電
圧と変位量との関係を示す特性図、第3図(A)は偏向
装置のバイモルフ圧電素子に印加する印加波形図、同図
(B)は支持板のスプリング部に弾性物を固着しない場
合のバイモルフ圧電素子の変位波形図、同図(C)は本
発明の偏向装置におけるバイモルフ圧電素子の変位波形
図、第4図は本発明の他の実施例を示す固体撮像素子の
偏向装置の平面図、第5図は本発明の更に他の実施例を
示す固体撮像素子の偏向装置の斜視図である。 1・・・基台、2 r 21 + 22・・・バイモル
フ圧電素子、414814 b + 41 + 42”
’支持板、7p7’、71+71’ H72r 72’
・・・彎曲部(スプリング部)、8゜8’ H81r
+!11 ’ + 82 + +!j2’・・・保持具
、10・10’・・・弾性物、11・・・固体撮像素子
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第 2 図 第 3 図
Claims (1)
- 基台と、この基台上に固着された保持具と、この保持具
に両端がスプリング作用を有する支持板を介して固定さ
れたバイモルフ圧電素子と、このバイモルフ圧電素子に
該圧電素子の変位発生方向と平行に移動可能に取着され
た固体虚像素子と全具備した偏向装置において、前記支
持板のスプリング部に前記バイモルフ圧電素子の変位尖
鋭度を緩和させる弾性物を設けたことを特徴とする固体
撮像前まの偏向装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57215726A JPS59105358A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 固体撮像素子の偏向装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57215726A JPS59105358A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 固体撮像素子の偏向装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59105358A true JPS59105358A (ja) | 1984-06-18 |
Family
ID=16677164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57215726A Pending JPS59105358A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 固体撮像素子の偏向装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59105358A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0214366A2 (de) * | 1985-04-19 | 1987-03-18 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Einrichtung zur Bestimmung der Schwingungsparameter und deren Anwendung |
JPS62276966A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像素子振動装置 |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57215726A patent/JPS59105358A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0214366A2 (de) * | 1985-04-19 | 1987-03-18 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Einrichtung zur Bestimmung der Schwingungsparameter und deren Anwendung |
JPS62276966A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-12-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像素子振動装置 |
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