JPS59105252A - 画像転送方法と装置 - Google Patents
画像転送方法と装置Info
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- JPS59105252A JPS59105252A JP58221349A JP22134983A JPS59105252A JP S59105252 A JPS59105252 A JP S59105252A JP 58221349 A JP58221349 A JP 58221349A JP 22134983 A JP22134983 A JP 22134983A JP S59105252 A JPS59105252 A JP S59105252A
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- cathode
- image
- tip
- charge transfer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
- H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影スクリーン上に画像を転送するための方法
及び装置に関し、転送される画像に相当する制御される
電子ビームをもって、投影スフ−リンのけい光中心を励
起するものである。公知の通常のテレビセットに応用さ
れる方法は投影スクリーン上に画像を転送するために電
子ビーム(ブラウン)管を応用することであり、その際
熱カソードから生ずる亀子はその強度が変調され、点状
にけい光薄膜上に絞られる。時間的に次々に起る走査に
より投影される画Ig!に一部するラインスキャンニン
グパターンを生ずる。画像はその際けい光を発する画像
スクリーン上に生ずる槙々の階調のけい光点の総体から
なる。
及び装置に関し、転送される画像に相当する制御される
電子ビームをもって、投影スフ−リンのけい光中心を励
起するものである。公知の通常のテレビセットに応用さ
れる方法は投影スクリーン上に画像を転送するために電
子ビーム(ブラウン)管を応用することであり、その際
熱カソードから生ずる亀子はその強度が変調され、点状
にけい光薄膜上に絞られる。時間的に次々に起る走査に
より投影される画Ig!に一部するラインスキャンニン
グパターンを生ずる。画像はその際けい光を発する画像
スクリーン上に生ずる槙々の階調のけい光点の総体から
なる。
通常のかなりかさばった受像管をやめて新しいシステム
を発見する目的をもって多方面での発展が進められてき
た。
を発見する目的をもって多方面での発展が進められてき
た。
たとえばエレクトロルミネセンスによる方法により見出
すことが研究され、この意味において所謂、高成界−二
しクトロルミネセンス表示はよく知られている。高電界
エレクトロルミネセンス表示において、平らなガラス基
板上に塗布された多結晶の活性層は発光中心によりドー
プされ、尚エネルギ電荷転送によって励起し、つづいて
基底状態に戻るときに光を放出する(ツアイトシュリフ
トエレクトロニーク、17巻、1982 78負Zei
tschrift j(lectronik Heft
17,1982Seite 78)。
すことが研究され、この意味において所謂、高成界−二
しクトロルミネセンス表示はよく知られている。高電界
エレクトロルミネセンス表示において、平らなガラス基
板上に塗布された多結晶の活性層は発光中心によりドー
プされ、尚エネルギ電荷転送によって励起し、つづいて
基底状態に戻るときに光を放出する(ツアイトシュリフ
トエレクトロニーク、17巻、1982 78負Zei
tschrift j(lectronik Heft
17,1982Seite 78)。
そのような装置は、しかも小さく、平らな術成体であり
、しかもそれは実質的にただパイロットランプにかわっ
て測定器および変調器への応用が知られているにすぎな
い。
、しかもそれは実質的にただパイロットランプにかわっ
て測定器および変調器への応用が知られているにすぎな
い。
ガス放電によって構成される原理は公知であり、(ツア
イトシュリフト エレクトロニーり、17巻、1982
.86頁 Zeitschrift Hlectron
ikHeft 17.1982.586)、目のつんだ
集積シタ構造に数多くの密に互に配列したガス放′Bダ
イオードが使用される。ダイオードはその集積構造の内
部を通じて操作される陰極線及び陽極線とをマトリック
ス状に交差し、ダイオ−ドラスフを形成し、ダイオ−ド
ラスフはシフトレジスタにより連続的にデータがシフト
入力されて行毎に記憶されその際各ダイオードは画素を
作り出す。そのようなガス放電ラスク投影スク)リーン
の製造にはしかもなお比較的高い出費が要求される。比
較的粗粒状のIai +#再成がこの方法により機能技
術的に条件付けられるダイオード幅の比較的高い下限値
によって生ずる。
イトシュリフト エレクトロニーり、17巻、1982
.86頁 Zeitschrift Hlectron
ikHeft 17.1982.586)、目のつんだ
集積シタ構造に数多くの密に互に配列したガス放′Bダ
イオードが使用される。ダイオードはその集積構造の内
部を通じて操作される陰極線及び陽極線とをマトリック
ス状に交差し、ダイオ−ドラスフを形成し、ダイオ−ド
ラスフはシフトレジスタにより連続的にデータがシフト
入力されて行毎に記憶されその際各ダイオードは画素を
作り出す。そのようなガス放電ラスク投影スク)リーン
の製造にはしかもなお比較的高い出費が要求される。比
較的粗粒状のIai +#再成がこの方法により機能技
術的に条件付けられるダイオード幅の比較的高い下限値
によって生ずる。
本発明には最初に述べたできるかぎり密な構成を有し、
高品質な画It’を投影スクリーン上に投影することの
できる方法を開発するという課題がある。
高品質な画It’を投影スクリーン上に投影することの
できる方法を開発するという課題がある。
この課題は本発明によれば薄膜−電界効果型カソードに
電界を放出させ、その表面上に規則正しく配分された平
面に個々の画素に配属する発光先端を設けることおよび
発光先端は別々に制御することによって解決される。
電界を放出させ、その表面上に規則正しく配分された平
面に個々の画素に配属する発光先端を設けることおよび
発光先端は別々に制御することによって解決される。
薄曝−電界効果型カソードの原理は公知である(ジャナ
ールオブアプライドフィジクス47巻、12号、197
6年、5248貞以下の頁にわたる(Journai
of Appl ied pbysics 、 Vo1
147、No、12.1976.8eit 5248
ff) )o平面に互に配列され、二つの電極の間に
あるカソード先端は加速電圧の印加のとき各円すい形状
の電子流を電極に放出する。
ールオブアプライドフィジクス47巻、12号、197
6年、5248貞以下の頁にわたる(Journai
of Appl ied pbysics 、 Vo1
147、No、12.1976.8eit 5248
ff) )o平面に互に配列され、二つの電極の間に
あるカソード先端は加速電圧の印加のとき各円すい形状
の電子流を電極に放出する。
本発明によればカソード先端または発光先端は転送され
るll1ffl像に一致して個別的に制御され、放出電
子を直接に投影スクリーン上に投影し、投影スクリーン
は薄膜カソードが相当する間隔をもって配置されている
。その際カソード先端ごとに画素が発生し、付属する方
ソード先端の発光電流の大きさはその階調値に一致する
。また電子ビーム管に要求される放出される電子の回折
は間・・”ハにならない。このことにより静的な画像再
生が示されて画1象再生において従来方法の閃光現象は
もはやおこらない。発光先端の固定配置及びそのために
画素は、両区の煩または電界もしくは磁界によってひき
おこされる画像妨害を生じないという特別に決定的な利
点を示す。本発明による方法は、冷放出に基づき熱カソ
ードを使用する方法よりも必要とされるエネルギーは特
にすくない。
るll1ffl像に一致して個別的に制御され、放出電
子を直接に投影スクリーン上に投影し、投影スクリーン
は薄膜カソードが相当する間隔をもって配置されている
。その際カソード先端ごとに画素が発生し、付属する方
ソード先端の発光電流の大きさはその階調値に一致する
。また電子ビーム管に要求される放出される電子の回折
は間・・”ハにならない。このことにより静的な画像再
生が示されて画1象再生において従来方法の閃光現象は
もはやおこらない。発光先端の固定配置及びそのために
画素は、両区の煩または電界もしくは磁界によってひき
おこされる画像妨害を生じないという特別に決定的な利
点を示す。本発明による方法は、冷放出に基づき熱カソ
ードを使用する方法よりも必要とされるエネルギーは特
にすくない。
非常に小さい発光先端の間隔を有する薄膜カソードは1
2μmの範囲に製造することができるのに対応してその
応用によって茜いPill力を有する細かな粒子状の画
像を生じ、その際よく知られているガス放電のラスタス
ク−リンでガス放電ダイオードの故障によって低下がお
こるというようなとくに個々の画素の故障を発見するこ
とはできない。
2μmの範囲に製造することができるのに対応してその
応用によって茜いPill力を有する細かな粒子状の画
像を生じ、その際よく知られているガス放電のラスタス
ク−リンでガス放電ダイオードの故障によって低下がお
こるというようなとくに個々の画素の故障を発見するこ
とはできない。
本発明iこよる方法は従って高品質をもった画像の発生
を投影スクリーン上に許す。さらに電子放出投影スクリ
ーン装置はただ数センチメートルの大きさを有する平面
構成物であり、従来のセットに対して大きさが著しく減
少することはテレビセットに応用するのに有利である。
を投影スクリーン上に許す。さらに電子放出投影スクリ
ーン装置はただ数センチメートルの大きさを有する平面
構成物であり、従来のセットに対して大きさが著しく減
少することはテレビセットに応用するのに有利である。
発光先端はとくに二重タスクの形成で制御することがで
きる。
きる。
従来の転送レジスタの応用がiJ能であり、転送レジス
タは転送される画像を走査するスクリーンからの情報を
得て、電子−放出部に転送して行くのに応用できる。
タは転送される画像を走査するスクリーンからの情報を
得て、電子−放出部に転送して行くのに応用できる。
本発明の構成は発光先端の制御に対して、二重(行、列
)の相互接続されていないが、交差配置される導体路を
電極として設けている。各行、各列の導体路群には次か
ら次へと制御パルスが供給される。
)の相互接続されていないが、交差配置される導体路を
電極として設けている。各行、各列の導体路群には次か
ら次へと制御パルスが供給される。
従って各行列群の導体路の1つに各々パルスが供給され
ると、これら導体路の交差位置にある発光先端が制御さ
れる。また、簡単な技術で行群の導体路に順次パルスを
入力し、列群の導体路に順次パルスを入力することによ
って行列状に配置されたカソード先端を次から次へと個
別的に制御することができる。
ると、これら導体路の交差位置にある発光先端が制御さ
れる。また、簡単な技術で行群の導体路に順次パルスを
入力し、列群の導体路に順次パルスを入力することによ
って行列状に配置されたカソード先端を次から次へと個
別的に制御することができる。
本発明の他の構成によれば電荷転送系を通してカソード
先端が制御処理される。
先端が制御処理される。
電荷転送系は一般的に連続するメモリを含有し、これら
のメモリが異なった電荷パケットとともに充電され、そ
のとき一定サイクルでメモリの電荷パケットをメモリ領
域に移すことができる。
のメモリが異なった電荷パケットとともに充電され、そ
のとき一定サイクルでメモリの電荷パケットをメモリ領
域に移すことができる。
そのような電荷転移系では、第1のメモリ群は1面像入
力部に、第2のメモリ群は、加速成極をカソード先端に
対して配置され、そのときメモリごとの配置は、そのと
きどきの一つの画素もしくはカソード先端の刀口速電極
をもって生じる。今や画素に基く第1群のメモリが相当
する階調1【μに充電されるならば、そこで第2のメモ
リ群に電荷パケットの移動により電極は別々に制御され
る。そのためにこれによって瞬IW的画像の発生に対し
てすべての電極先端とすべてのけい光中心は投影スクリ
ーンで一度に励起され、そのことによって画像の品質に
一層改良が加えられるという可能性が与えられた。それ
で投影スクリーン上に生じた画像は“静止画像?であり
、絶対的に閃光がない。
力部に、第2のメモリ群は、加速成極をカソード先端に
対して配置され、そのときメモリごとの配置は、そのと
きどきの一つの画素もしくはカソード先端の刀口速電極
をもって生じる。今や画素に基く第1群のメモリが相当
する階調1【μに充電されるならば、そこで第2のメモ
リ群に電荷パケットの移動により電極は別々に制御され
る。そのためにこれによって瞬IW的画像の発生に対し
てすべての電極先端とすべてのけい光中心は投影スクリ
ーンで一度に励起され、そのことによって画像の品質に
一層改良が加えられるという可能性が与えられた。それ
で投影スクリーン上に生じた画像は“静止画像?であり
、絶対的に閃光がない。
電荷転送系はとくに薄膜カソードに集積されている。そ
のとき電荷転送系のメモリは連続に個々のカソード先端
に対して個別的にメモ!Jit4&として応用される。
のとき電荷転送系のメモリは連続に個々のカソード先端
に対して個別的にメモ!Jit4&として応用される。
残りのメモリはカソード先端の゛連続とその電極に互い
ちがいになるように連続するシフトレジスタに集積され
る。そのため、そのときどき連続する転送レジスタは画
像を一行毎に走査するタスクの行に関係づけられる。
ちがいになるように連続するシフトレジスタに集積され
る。そのため、そのときどき連続する転送レジスタは画
像を一行毎に走査するタスクの行に関係づけられる。
本発明は、特許請求の範囲第5項から第10項記載の特
徴部の方法を実施するための装置に及ぶものである。
徴部の方法を実施するための装置に及ぶものである。
本発明の実施例は概略図として示され、第1図は一般的
構成の透視図であり、第2図は薄膜′電界効果型カソー
ドの別の実施例で、第3図および第4図は582図の各
々の断面図を示している。
構成の透視図であり、第2図は薄膜′電界効果型カソー
ドの別の実施例で、第3図および第4図は582図の各
々の断面図を示している。
第1図は、画像転送装置の概略的に図示した全構成を示
し、記憶レジスター11から薄膜−電界効果型カソード
10は電子ビーム12の発光のために励起され、電子ビ
ーム12をけい光jpH3を設けた投影スクリーン14
の上に投射する。
し、記憶レジスター11から薄膜−電界効果型カソード
10は電子ビーム12の発光のために励起され、電子ビ
ーム12をけい光jpH3を設けた投影スクリーン14
の上に投射する。
薄膜−′電界効果型カソードはたとえばモリブデンから
なる数多く円すい形のカソード先端15を有する層構造
の平面構成体からなる。カソード先端15は各応用の場
合、先端間隔16を12μm又はそれ以上にして互に並
べられている。そのつど行(Z)のカソード先端15は
一般的に導体帯として構成されるけい素電極17と電気
的に導体帯接触するような状態にあり、そのけい素電極
は互にならんで支持体18の上に配置される。第2電極
のために同じようにモリブデンからつくられ、導体帯と
して構成される制御電極20が設けられる。
なる数多く円すい形のカソード先端15を有する層構造
の平面構成体からなる。カソード先端15は各応用の場
合、先端間隔16を12μm又はそれ以上にして互に並
べられている。そのつど行(Z)のカソード先端15は
一般的に導体帯として構成されるけい素電極17と電気
的に導体帯接触するような状態にあり、そのけい素電極
は互にならんで支持体18の上に配置される。第2電極
のために同じようにモリブデンからつくられ、導体帯と
して構成される制御電極20が設けられる。
制御゛電極20はそのつど列几のカソード先j415を
配置している。
配置している。
カソード先端20はけい素モノオキサイドからの絶縁体
21を中間に挿入して゛電極17の上に配置されている
。制御電極20と、絶縁層21とは一列にならんだ開口
部22をMし、その開口部22のなかにそのつど電極先
端15が配taされている。
21を中間に挿入して゛電極17の上に配置されている
。制御電極20と、絶縁層21とは一列にならんだ開口
部22をMし、その開口部22のなかにそのつど電極先
端15が配taされている。
画像19の転送のためにこれらはラスク状に走査され、
相当する情報23はさらに制御レジスター11に伝えら
れる。制御レジスタ11は相当する周期において例えば
、行25にパルスIzを、同時に列30,31.32等
々にはパルスIRを送り、そのため行25の連続は電極
先端15を制御する。そのあとひきつづいて行26のパ
ルス■2が同時に列30等々にパルスエ8を入力し、そ
れによって今や第2の行の連続が制御される。この方法
で、そのつど電極格子17.20が交差する位置に配置
される個々の電極先端15の個別的制御を行ない、両方
に属する電極17および20が同時にパルスを得るとき
にのみ制御されるのである。そのとき各電極先端15に
付属する画点35の強度もしくは階調値にイ目当すると
ころの加速電圧が印加される。最終的には、投影スクリ
ーン14上に点36からことなった階調値が画隊19に
一致する電子ビーム12の強度により構成される像に応
じて生ずる。
相当する情報23はさらに制御レジスター11に伝えら
れる。制御レジスタ11は相当する周期において例えば
、行25にパルスIzを、同時に列30,31.32等
々にはパルスIRを送り、そのため行25の連続は電極
先端15を制御する。そのあとひきつづいて行26のパ
ルス■2が同時に列30等々にパルスエ8を入力し、そ
れによって今や第2の行の連続が制御される。この方法
で、そのつど電極格子17.20が交差する位置に配置
される個々の電極先端15の個別的制御を行ない、両方
に属する電極17および20が同時にパルスを得るとき
にのみ制御されるのである。そのとき各電極先端15に
付属する画点35の強度もしくは階調値にイ目当すると
ころの加速電圧が印加される。最終的には、投影スクリ
ーン14上に点36からことなった階調値が画隊19に
一致する電子ビーム12の強度により構成される像に応
じて生ずる。
投影スクリーンは一方では円すい形電極12が多くの粒
子のけい光膜に光をあて、他方ではけい光小区画36が
互に密に置くことができて、十分な解1象が保証される
ように薄膜カソード10から離れている。
子のけい光膜に光をあて、他方ではけい光小区画36が
互に密に置くことができて、十分な解1象が保証される
ように薄膜カソード10から離れている。
第2図は本発明の実施形態の薄膜カソードの概略図を示
す。この場合には眠子放出部40はlljm移動系41
と共に装置の個別的な部品のなかに集−・ )・1 積されている。前にのべた例のように導体帯は、加諦葡
極20′として各、カソード先端の連続几に対して設け
られている。電荷移動糸41は@4図の長さ方向の断面
で示された輸送レジスタと第2図から明らかなトランス
ファレジスタとからなっている。輸送レジスタはP−2
JjJQけい素基板42の上に連続して配置され、しゃ
断層43によって互に分離されたN−型けい素記憶素子
44ならびに二つの輸送電[45,46を含有する。
す。この場合には眠子放出部40はlljm移動系41
と共に装置の個別的な部品のなかに集−・ )・1 積されている。前にのべた例のように導体帯は、加諦葡
極20′として各、カソード先端の連続几に対して設け
られている。電荷移動糸41は@4図の長さ方向の断面
で示された輸送レジスタと第2図から明らかなトランス
ファレジスタとからなっている。輸送レジスタはP−2
JjJQけい素基板42の上に連続して配置され、しゃ
断層43によって互に分離されたN−型けい素記憶素子
44ならびに二つの輸送電[45,46を含有する。
トランスファレジスタは@極部40と輸送レジスタとの
間に接続している。チャージトランスファ系41のトラ
ンスファレジスタは個々のカソード先端15′に平行に
配置されたN”m 、 N−型メモリ対49,44を形
成する。そのときN+型型上モリ49個別のカソード先
端15′に関係づけられる第2の電極を形成するもので
あり、N〜湖湖上モリ44輸送レジスタである。同時に
二つの輸送電極の一つがトランスファレジスタに対しト
ランスファ電極として役立ち、45なる数字で明示され
ている。
間に接続している。チャージトランスファ系41のトラ
ンスファレジスタは個々のカソード先端15′に平行に
配置されたN”m 、 N−型メモリ対49,44を形
成する。そのときN+型型上モリ49個別のカソード先
端15′に関係づけられる第2の電極を形成するもので
あり、N〜湖湖上モリ44輸送レジスタである。同時に
二つの輸送電極の一つがトランスファレジスタに対しト
ランスファ電極として役立ち、45なる数字で明示され
ている。
画像転送装置の駆動において、加速電極20′にそのつ
どポテンシャルPが印加される。カソード先端15′の
制御はチャージトランスファ系41を通して行われる。
どポテンシャルPが印加される。カソード先端15′の
制御はチャージトランスファ系41を通して行われる。
これに対してはセンサSを通して転送される画像に対し
で、行で走査され、輸送レジスタの第1のメモリ50は
走fgれた行のそのつどの画像点に比例し前後して充電
される。充電は同時に相補的周波数φ1とφ、を通して
そのつどさらにメモリ索子44からメモリ素子44に矢
印の方向に(第4図)輸送し、それによって横送゛14
極45と46の下部では瞬間的なポテンシャル波51(
16iiの波)を形成する。
で、行で走査され、輸送レジスタの第1のメモリ50は
走fgれた行のそのつどの画像点に比例し前後して充電
される。充電は同時に相補的周波数φ1とφ、を通して
そのつどさらにメモリ索子44からメモリ素子44に矢
印の方向に(第4図)輸送し、それによって横送゛14
極45と46の下部では瞬間的なポテンシャル波51(
16iiの波)を形成する。
最も近い周波数において充電パックは一点断線の波52
で示すよう匿一つの区域のまわりに移される。そのとき
第1のメモリ50は最も近い画像点の強さに一致して新
しく記憶される。輸送レジスタの印加ののちセンサは第
2の画像列を走査し、そのため第2の輸送レジスタは充
゛成される。同時に輸送レジスタの充電パックは一つの
信号の入力によって一つのカソード先端の4 Mr、
Rの電極49の上のトランスファ電極45に移り、それ
によって相当するカソード先端15′は相当する電流に
なり発光のために制御される。付属するポテンシャル波
はトランスファの前と後で第2図に初いて数字53もし
くは54で示しである。そのためカソード先端15′の
連続は順々に制御される。しかしながらすべてのカソー
ド先端15′の同時制御は可能であり、すべての輸送レ
ジスタはたたちに充電され、ぞの充電は同時にトランス
ファーレジスタに移される。
で示すよう匿一つの区域のまわりに移される。そのとき
第1のメモリ50は最も近い画像点の強さに一致して新
しく記憶される。輸送レジスタの印加ののちセンサは第
2の画像列を走査し、そのため第2の輸送レジスタは充
゛成される。同時に輸送レジスタの充電パックは一つの
信号の入力によって一つのカソード先端の4 Mr、
Rの電極49の上のトランスファ電極45に移り、それ
によって相当するカソード先端15′は相当する電流に
なり発光のために制御される。付属するポテンシャル波
はトランスファの前と後で第2図に初いて数字53もし
くは54で示しである。そのためカソード先端15′の
連続は順々に制御される。しかしながらすべてのカソー
ド先端15′の同時制御は可能であり、すべての輸送レ
ジスタはたたちに充電され、ぞの充電は同時にトランス
ファーレジスタに移される。
カソード先端マl−IJフックスイ[J別的にそのつど
の画像点に比例する加速鑞圧によりIHIJ御さイLる
ために各可能性ある方法が原則的に応用できる。rii
、’界発光に対して入力点の下部に不十分によこたわる
カソード先端に一定のバイアス或圧を印加することは可
能である。そのため発光曲橡の比較的小さな領域が生じ
、全加速di圧の形成におよばないのですべてのけい光
膜の階調濃淡を動的に制御のため約10Vを通すことが
必要である。
の画像点に比例する加速鑞圧によりIHIJ御さイLる
ために各可能性ある方法が原則的に応用できる。rii
、’界発光に対して入力点の下部に不十分によこたわる
カソード先端に一定のバイアス或圧を印加することは可
能である。そのため発光曲橡の比較的小さな領域が生じ
、全加速di圧の形成におよばないのですべてのけい光
膜の階調濃淡を動的に制御のため約10Vを通すことが
必要である。
画像転送装置は、科学的領域において光学的指示及びテ
レビ技術による制御技術及びコントロール技術に対して
応用することができる。小さな投影スクリーン上に生じ
る画昧は通常の投影光学により必要に応じて拡大される
。
レビ技術による制御技術及びコントロール技術に対して
応用することができる。小さな投影スクリーン上に生じ
る画昧は通常の投影光学により必要に応じて拡大される
。
カラー画像の製造は多色のけい光膜の応用によりできる
。そのためにたとえば公知の原理が使用でき、カラー像
は全肉1象を通して通り抜ける並列に横たわる三つの青
、隙、赤色の円板により構成される。画像薄板の僅小な
測定のために、その前によこだわる色円板により三つに
分離された画像薄板は重りあって簡単に投影される。
。そのためにたとえば公知の原理が使用でき、カラー像
は全肉1象を通して通り抜ける並列に横たわる三つの青
、隙、赤色の円板により構成される。画像薄板の僅小な
測定のために、その前によこだわる色円板により三つに
分離された画像薄板は重りあって簡単に投影される。
第1図は本発明の画像転送装置の一般的構造の透視図、
;412図は本発明の薄IQ−1界効果型カソードの他
の実施例を示す図、第3図と第4図は第2図のそれぞれ
異なる断面線1−1.IV−IVによる断面図である。 10・・・・・・薄膜−祇界効釆型カンード、11・・
・・・・制御レジスタ、12・・・・・・電子ビーム、
13・・・・・・けい光膜、14・・・・・・投影スク
リーン、15.15’・・・・・・カソード先端、16
・・・・・・先端間隔、17・・・・・・けい素電極、
18・・・・・・支持物、19・・・・・・画像、20
゜20′・・・・・・制御または加速電極、21.21
’・・、・、。 絶縁体(層)、22,22’・・・・・・開口部、23
・・・・・・情報、25,26,27・・・・・・行、
30,31,32・・・・・・列、40・・・・・・電
子放出部、41・・・・・・電荷転送モリ、51,52
・・・・・・ポテンシャル波、P・川・・ポテンシャル
、S・・・・・・センサ、工具・・印・列方向のパ/I
/ス、I、・・・・・・行方向のパルス。 出願人 エム、アー、エン。
;412図は本発明の薄IQ−1界効果型カソードの他
の実施例を示す図、第3図と第4図は第2図のそれぞれ
異なる断面線1−1.IV−IVによる断面図である。 10・・・・・・薄膜−祇界効釆型カンード、11・・
・・・・制御レジスタ、12・・・・・・電子ビーム、
13・・・・・・けい光膜、14・・・・・・投影スク
リーン、15.15’・・・・・・カソード先端、16
・・・・・・先端間隔、17・・・・・・けい素電極、
18・・・・・・支持物、19・・・・・・画像、20
゜20′・・・・・・制御または加速電極、21.21
’・・、・、。 絶縁体(層)、22,22’・・・・・・開口部、23
・・・・・・情報、25,26,27・・・・・・行、
30,31,32・・・・・・列、40・・・・・・電
子放出部、41・・・・・・電荷転送モリ、51,52
・・・・・・ポテンシャル波、P・川・・ポテンシャル
、S・・・・・・センサ、工具・・印・列方向のパ/I
/ス、I、・・・・・・行方向のパルス。 出願人 エム、アー、エン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、画像スクリーンに画像を転送するために画像スクリ
ーンの発光中心が転送される画像に相当して制御される
電子ビームにより励起される方法であり、電界(12)
が薄膜電界効果型カソード(10)により放出され、そ
の面上に規則正しく割り当てられ個々の像点(35)に
関係づけられるカソード先端(15)を設けること及び
前記カソード先端を別々に制御することを特徴とする画
1線伝送方法。 2、前記カソード先端(15)が二重ラスタの型式で制
御されることを特徴とする特許h?1求の範囲第1項記
載による方法。 3、前記カソード先端(15)の制御に二つの導′亀帯
セット(17もしくは20)を電極として使用し、各セ
ットの二つの導電帯が4t5F、してメモリ用パルスを
受けとることをt$Pckとする特許請求の範囲第2項
記載による方法。 4、前記カソード先端(15’)のft1Hi)lが、
電荷転送系(41)を通じて行われることを特徴とする
特許請求の範囲第2項記載の方法。 5、本発明の方法を実施するために別々に制御すること
のできるカソード先端(15)を有する薄膜−電界効果
型カソード(10)と電子ビームの電界(12)のなか
にあるけい光投影スクリーン(13・14)とからなる
ことを特徴とする画像転送装置。 6、行(Z ’)0)カソード先端(15)はそのつど
共通の電極(17)を持ち、列(几)のカソード先端は
そのつど共通の加速電極(2o)に関係づけられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載による装置
。 7、前記薄膜−電界効果型カソード(1o)はカソード
先端(15)の制御のために電荷転送系に関係づけられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載によ
る装j1゜ 8、前記rα電荷転送系41)が薄模−電界効果型カソ
ード(4o)のなかに集積されることを特徴とする特許
請求の範囲第7項記載による装置。 9、前記電荷転送系(41)はメモリ素子(44゜49
)を持ち、前記メモリ素子の一部は同時にカソード先端
(15’)の′1極(49)を形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第8項記載による装置。 10、前記薄膜−′電界効果型カソードは絶縁層(21
′)の−側止に電荷転送系のメモリ素子(44,49)
を包含すること及び前記絶縁層の他側上に電荷転送系(
41)のための転送電極対(45,46)を交互に配置
纜し、連続カソード先端(4o)に関係づける導電帯状
の刀日速電極(20’)を配置することをtf!j徴と
する特許請求の範囲第8項または第9項記載による一つ
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE3243596A DE3243596C2 (de) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm |
DE32435967 | 1982-11-25 |
Publications (1)
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JPS59105252A true JPS59105252A (ja) | 1984-06-18 |
Family
ID=6178993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP58221349A Pending JPS59105252A (ja) | 1982-11-25 | 1983-11-24 | 画像転送方法と装置 |
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Country | Link |
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US (1) | US4575765A (ja) |
JP (1) | JPS59105252A (ja) |
DE (1) | DE3243596C2 (ja) |
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FR2593953B1 (fr) * | 1986-01-24 | 1988-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ |
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