JPS59101702A - セラミツク導電材及びそれを用いた電気的装置 - Google Patents

セラミツク導電材及びそれを用いた電気的装置

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JPS59101702A
JPS59101702A JP21093882A JP21093882A JPS59101702A JP S59101702 A JPS59101702 A JP S59101702A JP 21093882 A JP21093882 A JP 21093882A JP 21093882 A JP21093882 A JP 21093882A JP S59101702 A JPS59101702 A JP S59101702A
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nitride
carbide
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ceramic
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山田 宏秀
竹田 幸男
松下 安男
小杉 哲夫
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はセラミック導電材及びそれを用いた電気的装置
に関する。
〔従来技術〕
炭化ケイ素は硬度、強度および耐酸化性、耐食性にすぐ
れている。また、炭化ケイ素は熱膨張率が低く、熱伝導
性にすぐれるため、高温での耐熱衝撃性の大きいことも
公知である。上記のすぐれた特性を持つ炭化ケイ素は工
業用材料として有望でアシ、自動車エンジン部材、ター
ビン部材、熱交換器用部材、金属溶解用るつは、高温用
治具等広範囲な分野で使用されることが期待できる。さ
らに炭化ケイ素の用途拡大を図、るため、炭化ケイ素に
セラミックスあるいは金属間化合物を複合化させる仁と
によって、炭化ケイ素焼結体のある特性を著しく改善し
たシあるいは新しい機能を付与させる研究も盛んに行わ
れている。これらの研究の例は特開昭57−67296
号、同57−71677号、および同57−71677
号各公報に記載されている。
従来、たとえば周知のグロープラグとしては金属シース
型(間接加熱形)と裸コイル型(直熱加熱形)の2種類
がある。シース型は金属チューブの中に、発熱コイル及
びその周囲に酸化マグネシウムなどの耐熱熱伝導性のセ
ラミックス粉末を充填して構成されている。一方、裸コ
イル型は、エンジン内に発熱コイルを露出させて構成さ
れたものである。
前者は堅固で燃焼ガスに対する耐久性が大であるが、発
熱コイルの熱伝達が悪くシース表面温度が始動可能な温
度に達するまでに5秒以上を要し急速加熱性に欠ける欠
点がある。また加熱スピードを早めようとすると発熱“
コイル温度が高くなシ、やがて発熱金属の融□点に近く
なシ耐久性が著しく低下する。このため、シース表面温
度は950tl’が限界となる制約を受けることになる
。また、後者は、急速加熱は可能であるが、燃焼ガスに
よる発熱金属の劣化が大でラシ、カーボン付着によって
ショートを生じやすい。また、高温腐食の点から発熱コ
イルの表面温度Fi900Cが限界である等の欠点があ
る。したがって現在では急速加熱性に欠ける問題があっ
てもシース型が主流となっている。
しかしながら、近年ディーゼル車もガソリン車並の急速
始動性が強く要求されるようになシ、このため直熱タイ
プ(表面加熱形)のグロープラグが見直され、昇温スピ
ードが早く、シかも高温耐久性に優れたグロープラグ用
ヒータエレメントの出現が強く望まれている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は金属に近い導電性を示す導電性セラミッ
クを用いた電気的装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明の電気的装置に用いるセラミック焼結体は優れた
導電性を示し、(a)炭化ケイ素(,9jC)と、(b
)窒化バナジウム(V N ) 、窒化ニオブ(N b
 N)、窒化タンタル(TaN)、窒化ハフニウム(H
fN)、硼化バナジウム(VB意り硼化ニオブ(NbB
*)、硼化タンタル(’I’aBz)、硼化ハフニウム
(Hf Bへ戻化バナジウム(VC)−s炭化=、tプ
(NbC)、炭化タンタル(TaC)から選ばれる無機
化合物とを主体量とするものである。尚、従来のいわゆ
るSiC系セラミックス焼結体には導電性は無く、電気
的に抵抗体となるものであシ、本発明の電気的装置には
採用し得ない。
本発明の電気的装置はSiCの特性を改善して得られた
もので69、その特性改善の例は次の通シでるる。(1
)SiCの硬度を大きくする為に1SiCの母相中に硬
質物粒子を均質に分散させる方法が考えられる。硬質物
としてva族金属元素の炭化物、窒化物或いは備化物や
ハフニウム(Hf)の窒化物或いは硼化物が8iCの硬
it−大きくすることを見出した。(21SiCを耐熱
材料として利用する場合、断熱性が要求されるような箇
所へ応用するときは熱伝電率の低い方が好ましく、反対
に、熱交換が目的である用途へ応用するときは熱伝導率
の大きい方が好ましい。8iCの熱伝導率を制御する方
法として、SiCにVa族金属元素の炭化物、窒化物或
いは硼化物やHfの窒化物或いは硼化物を分散させるこ
とが有効であることを見出した。+31SiC構造用部
材として使用する場合、SiCと他のセラミックスおよ
びSiCと金属の接合が、エレクトロニクス材として利
用する場合は、SiCとガラスの接合が容易な程利用度
が高くなる。SiCと種々の材料との間の接合は高温で
行われるため、それぞれの熱膨張率の差が大きい程、冷
却後の残金応力が大きく、割れが発生しやすい。8iC
にVa族金属元素の炭化物、窒化物或いは硼化物やHt
の窒化物或いは硼化物を分散させた焼結体はSiCの熱
膨張率を大きくすることを見出した。(4)高融点金属
の中でVa族金属元素の会化物は溶融金属と反応し難い
ため金属溶解用るつぼに適していることを見出した。
また、SiCに新しい機能を付与した例として、Va族
金属元素の炭化物、窒化物或いは硼化物や、Hfの窒化
物或いは硼化物を分散させることKよってSiCが導電
性になることを見出した。
尚、S t CK 9合させたVa族金属元素硼化物は
、R’ at V aおよびWa族金属元素の炭化物、
窒化物、硼化物の中で耐酸化性が最もすぐれており、S
 s CV a族金属元素硼化物系複合セラミックスは
上記特長を利用して酸化雰囲気中で利用される場合には
好適でおる。
また、■a族金属元素の窒化物は、高融点化合物の中で
は、IVa族金属元素炭化物に次いで酸化しやすい欠点
があるため、使用環境が500Cを越える場合には、真
空中もしくは非酸化性雰囲気中での使用に制限されるが
、8iC−■a族金属元素窒化物複合セラミックスの場
合は、表面に耐スケール性のよい酸化物の保護皮膜が形
成されやすく、さらに高温での使用も可能である。Va
族金属元素炭化物は、高融点化合物の中ではIVaおよ
びVa族金属元素硼化物、■a族金属元素炭化物につい
で酸化しやすい欠点があるため、使用環境が5ooc以
上の場合には真空中もしくは非酸化性雰囲気中での使用
に制限されるが、5iC−pJa族金楓元素炭化物複合
セラミックスの場合には、表面に耐スケール性のよい酸
化物の保護皮膜が形成されやすく、さらに高温での使用
も可能である。
SiCに複合させたHfBsti、高融点化合物である
IVa、Vaおよび■a族金属元素の炭化物、窒化物、
硼化物の中で耐i化性がVa族金属元素の硼化物に次い
で優れておJy 、S x CHf Bx 系セラミッ
クスも酸化雰囲気中で利用される場合に適する。
更にHfN1j:対応するHjCよシ耐酸化性が優れて
お#)、5iC−HfN系セラミックスも酸化雰囲気中
で利用し得る。
本発明で用いるSiC系複合セラミックスの製造法は、
例えば粒径10μm以下のSiC粉末10〜90%とV
a族金属元素(V、Nb、Ta)の炭化物、窒化物或い
は硼化物の粉末、或いはHf N、e HfBzの粉末
1.0〜90重量%及び成形□バインダを適量加えて混
合しこの混合物を予備成形したのち非酸化性雰囲気中、
温度1800〜2200C1圧力100〜400に!4
/crAの条件でホットプレス焼結する。
本発明において、Va族金属元素の炭化物、□窒化物、
硼化物やHf ljJ、 HfBgの50%以下を少な
くとも181以上の融点が2000C以上の高融点化合
物で置換することによって、上記SiC系複合セラミッ
クスの熱伝導度、熱膨張率を用途に応じて制御すること
が可能である。また必要に応じてSiCの焼結助剤とな
るアルミニウム(At)、ホウ素(B)などの化合物を
At、Bに換算して0.1〜3%添加することも可能で
ある。
Va族金属元素の炭化物、゛窒化物、硼化物やHf N
、 HfBgを10〜90%に限定した理由は、10%
以下であると8iCの特性が著しく改善されず複合セラ
ミックスとしての特徴が現われず、90%以上になると
、SiCの特性が著しく損われるためである。尚、FJ
iC系複合セラミックスの特徴を有効に利用するために
は、■a族金属元素の炭化物、窒化物、硼化物やHf 
N # Hf B *を30〜70%にすることが望ま
しい。また、va族金属元素の炭化物、窒化物、硼化物
やHf N 。
Hf B zの置換材として、融点が2000C以上の
化合物に限定した理由は、該SiC系複合セラミックス
の高温硬度および高温強度を劣化させない為でるる。ま
た高融点化合物の置換iをVa族金属元素の炭化物、窒
化物、硼化物やl(f N 、 HfBzの50%以下
に限定した理由は、50%以上であると、該89複合セ
ラミックスの特徴が損われる為であシ、置換量を30%
以下にするとさらに望ましい。
尚、高融点化合物の例としては’l’ i C、Z r
 CtHfC,VC,NbC,TaC,Mo2C,WC
TiN、ZrN、klfN、VN、NbN、TaN。
51sN4e B4C,TiB2.ZrBzmHfBi
yVBzeNbB2 、 TaBz g CrB* 、
 MoB2 g WB、 Alx Os *Crabs
、ZrO2,Hf0i、希土類酸化物17 M ’ S
 ’ x eWS i2. TaS H,等が挙げらレ
ル。
本発明の電気的装置に使用するSiC系複合セラミック
スの焼結は、非酸化性篠囲気下で行うことが望ましい。
ホットプレス焼結時の温度は1800〜2300Cが有
効である。焼結温度が1sooc以上であれば相対密度
90%以上のち密な焼結体が得られる。また焼結温度が
2300tll’より低ければ結晶粒径が異常成長する
心配は無く、ボイドは発生しに<<、強度の低下も防止
できる。ホットプレス時の圧力は前記の焼結温度範囲で
おれば100〜400 Kg/ cr/lで高密度な焼
結体を得ることができる。
〔発明の実施例〕
実施例1 平均粒径1μmの黒色SiC粉末30%に平均粒径5μ
mのNbB意粉末70%を添加混合した。
次いで該混合粉末を1000Kg/iの圧力で成形後、
黒鉛製のダイスに入れ、真空度10−8〜lO″″fi
Torrの減圧下でホットプレス焼結した。焼結条件は
圧力300Kg/crdで、加熱は室温から2050C
まで約2hrで昇温し、2050Cでlhr保持後加熱
電源を切って放冷しだ。圧力は温度が1000C以下に
なってから解除した。このよう処して得た複合焼結体の
特性を表1の(1〕に示す。
実施例2 実施例1と同様に表1の(2)〜(3)に示す配合組成
−の焼結体を得た。これらの焼結体の特性を弐lの(2
)〜QIK示す。
実施例3 実施例1及び2でN b B zの粉末のかわシにTa
Ba粉末を使用して表2に示す配合組成の焼結体を実施
例1及び2と同様な方法で作製した。これらの焼結体の
特性を表2に示す。
実施例4 実施例1と同様な方法で5ic−VBz系の複合焼結体
を得た。焼結体の相対密度は90%以上であシ、室温で
比抵抗が0.52・m以下の導電性を示した。この焼結
体をガス点火器用の発熱体として応用したところ、従来
タイプの点火器よシ速く着火することができた。尚、第
1図はこの焼結体をヒータ材とするグロープラグ用ヒー
タの一実施例を示す平面図である。ヒータ材1に切溝2
を設けてU字形に加工成形し、その後両先端部A。
Bに例えばNi等の耐熱金属を接合して電源リード腺を
接続する電極3,4及び3/、4/を設ける。とのヒー
タではU字形の先端部5が僅かに狭幅となっておシこの
ためこの部分において最高温度になる。このヒータ材の
室温時における抵抗率は5X10’″4Ωmであシ、電
極A−B間の抵抗値(室温時)は約0.1Ωでめった。
第2図tま第1図に示すヒータエレメントを直流電源回
路に接続し、印加電圧を変えて通過した時の加熱スピー
ドを測走した結果を示している。自動車のバッテリと同
じ電圧の12Vを印加した場合900C1”t”2>f
約0.7秒、12oocまでが1秒前後で急速加熱し、
従来の金属シース型の加熱スピ−)”(900Utで5
〜lO秒)に比べて速熱性が格段に優れている。また通
電によシヒータの表面を1000Cに加熱した時のヒー
タ抵抗は約0.32で正の抵抗温度係数を有し、グロー
プラグ用ヒータとして好ましい特性となる。
第3図は本実施例になるヒータエレメントに直流8Vを
2秒間印加(2秒後表面温度は約1100Cに達する)
〜30秒間休止(この間強制風冷)を1サイクルとする
繰返し通電耐久試験における抵抗値(室温時)変化を示
した。1o万サイクル後でも抵抗値の劣化は全く認めら
れず、通電耐久に優れかつ約110Orの断続的加熱に
対しても耐久性のあることが分かる。
また第4図は本実施例のヒータエレメントを電気炉内で
大気中900〜1200cの熱処理を加える高温耐久試
験における抵抗値(室温時)の変化を示した。2000
時間熱処理(実車での使用条件に比べて相当に厳しい)
後の抵抗値変化は、1200C以下で熱処理したものが
+5%以内、1200C熱処理品が+10%程度であシ
、高温耐久性に優れることが判る。
このように本発明に用いる導電性セラミック焼結体は、
低抵抗率のため前記した如く急速加熱性に優れ、かつ抵
抗温度係数が正なので赤熱状態でも電流暴走による溶断
がなく、さらに高い融点と耐酸化性を有するな?の特徴
があるため、急速な昇温スピード並びに高温耐久性が要
求される直熱タイプのグロープラグ用ヒータ羽に好適と
なる。
更に本発明によるヒータ材は緻密質、低比重かつ扁強度
(室温〜1300U)の特性を有するため、ヒータエレ
メントは棒状、板状、U字形など単純な構造にすること
も可能でおハしたがって本発明のヒータ材を用いたグロ
ープラグは現流金属シース型グロープラグに比べて構造
が簡単で、しかも小形軽量化を図ることができる@ 尚、゛本発明の適用はグロープラグヒータに限定される
ものではなく、各種の発熱体、ガス点火器あるいは耐熱
性導体、導電スペーサ、抵抗器等各種の電気的装置に使
用できる。
実施例5 実施例1のNbB!の代わJ)KTaNを用い、更に表
3に示す各種配合組成の焼結体を得た。これらの焼結体
の特性を表3に示す。
実施例6 実施例5の試料(l)と同様な方法で5iC−VN糸の
複合焼結体を得た。焼結体の一対密度は90%以上でメ
ジ、室温で比抵抗が0.5Ωψ鋸以下の導゛亀性を示し
た。この焼結体をガス点火器用の発熱体として応用した
ところ、従来タイプの点火器よシ速く着火することがで
きた。
実施例7 実施例5の試料(1)と同様な方法で8fC−NbN糸
の複合焼結体を得た。焼結体の相対密門は90%以上で
アシ、室温での比抵抗が661Ω・ω以下の導電性を示
した。この焼結体をガス点火器用の発熱体として応用し
たところ、従来タイプの点火器よル迷〈着火するこ゛と
ができた。
実施例8 実施例1のNbBxの代わシにTaC粉末80%を用い
、更に表4に示す各種配合組成の焼結体を得た。これら
の焼結体の特性を表4に示す。
実施例9 実施例8でTaCの粉末の代わシにNbC粉末を使用し
て表5に示す配合組成の焼結体を実施例8と同様な方法
で作製した。これらの焼結体の特性を表5に示す。
実施例1O 実施例8と同様な方法で5iC−VC系の複合焼結体を
得た。焼結体の相対密度は90%以上であシ、室温で比
抵抗が0.59・(7)以下の導電性を示した。この焼
結体をガス点火器用の発熱体として応用したところ、従
来タイプの点火器よシ速く着火することができた。
実施例11 実施例1のNbBzの代わシにHfB!60%、或いは
)IfN60%を用いて得た5jC−HfB、系、−F
SjC−HfN系の複合焼結体の相対密度は夫夫90%
以上でメジ、室温で比抵抗が0.52・α以下の導電性
を示した。これらの焼結体をガス点火器用の発熱体とし
て応用したところ、いずれも従来タイプの点火器よル速
く着火することができた。
〔発明の効果〕
本発明の電気的装置に用いるSiC系セラミックスは硬
度が大きく、耐摩耗性、耐酸化性、耐食性に浚れている
。そして優れた導電体でるる為、グロープラグヒータ、
各種の発熱体、ガス点火器、工業用電極、抵抗器および
抵抗の変化を利用した各種センナ等の種々の電気的装置
に使用されることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になる電気的装置の一実施例としてヒー
タ材を用いたグロープラグ用ヒータの一実施例を示す平
面図、第2図は本発明の実施例になるグロープラグ用ヒ
ータの昇温スピードを示す特性図、第3図は本発明の実
施例になるグロープラグ用ヒータの繰返し通電耐久試験
における抵抗値変化を示す特性図、第4図は本発明の実
施例になるグローブ2グ用ヒータの高温耐久試験におけ
る抵抗値変化を示す特性図である。 1・・・ヒータ材、2・・・切溝、3.3’及び4,4
′乃1m       vztn 手続補正書(自発) 特許庁長官若杉和夫 殿 事件の表示 昭和57年特許願第210938  号発明 の 名 
称  セラミック導電材及びそれを用いた電気的装置 補正をする者 事件との関係  特許出腐i、へ 名 称(5101株式会召 日 立 製 イ乍 新名称
(508田立金属株式会社 代   理   人     。 居  脈〒向)東京都千代田区丸の内−丁目5番1号2
図面として別紙の通シ第5図を追加する。 明   細   書 発明の名称 セラミック導電材及びそれを用いた電気的
装置 特許請求の範囲 1、(a)炭化ケイ素と、 (b)窒化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタル、窒
化ハフニウム、硼化ハフニウム、硼化ニオブ、硼化タン
タル、硼化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化ニオブ、
炭化タンタルから選ばれる無機化合物とを主体量とする
導電性セラミック焼結体からなることを特徴とするセラ
ミック導電材。 2、特許請求の範囲第1項記載において、前記(a)成
分が約10〜90重量%でアリ、前記幅)成分が約90
〜10重量%であることを特徴とするセラミック導電材
。 3 、 (a)炭化ケイ素と、 (b)窒化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタル、窒
化ハフニウム、硼化バナジウム、硼化ニオブ、硼化タン
タル、硼化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化ニオブ、
炭化タンタルから選ばれる無機化合物とを主体量とする
導電性セラミック焼結体を部品とすることを特徴とする
セラミック導電体を用いた電気的装置。 4、特許請求の範囲第3項記載において、前記(ω成分
が約10〜90重量%でアシ、前記(b)成分が約90
〜10重量%であることを特徴とするセラミック纒鴬体
を用いた電気的装置。 5、特許請求の範囲第3項記載において、50重量%以
下の前記(b)成分は融点が20001:’以上の高融
点化合物で置換jることを特徴とするセラミック導電体
を用いた電気的装置。 6、特許請求の範囲第3項乃至第5項のいずれが記載に
おいて、前記焼結体の相対密度が90%以上であること
を特徴とするセラミック導電体を用いた電気的装置。 7、特許請求の範囲第3項乃至第6項の諭ずれが記載に
おいて、前記焼結体は温度1800〜2200C1圧力
100〜400〜/ cdの非酸化性雰囲気下でホット
プレスされたものであることを特徴とするセラミック導
電体を用いた電気的装置。 8、特許請求の範囲第3項乃至第7項のいずれか記載に
おいて、前記焼結体にニジヒータ材を形成することを特
徴とするセラミック導電体を用いた電気的装置。 発明の詳細な説明 〔発明の利用分野〕 本発明はセラミック導電材及びそれを用いた電気的装置
に関する。 〔発明の背景〕 炭化ケイ素は硬度、強度および耐酸化性、耐食性にすぐ
れている。また、炭化ケイ素は熱膨張率が低く、熱伝導
性にすぐれるため、高温での耐熱衝撃性の大きいことも
公知である、上記のすぐれた特性を持つ炭化ケイ素は工
業用材料として有望であり、自動車エンジン部材、ター
ビン部材、熱交換器用部材、金属溶解用るつは、高温用
治具等広範囲な分野で使用されることが期待できる。さ
らに炭化ケイ素の用途拡大を図るため、炭化ケイ素にセ
ラミックスあるいは金属間化合物を複合化させることに
よって、炭化ケ“イ素焼結体のある特性を著しく改善し
たシあるいは新しい機能を付与させる研究も盛んに行わ
れている。これらの研究の例は特開昭57−67296
号、同57−71677号、および同57−71677
号各公報に記載されている。 従来、たとえば周知のグロープラグとしては金属シース
型(間接加熱形)と裸コイル型(直接加熱形)の2種類
がある。シース型は金属チューブの中に、発熱コイル及
びその周囲に酸化マグネシウムなどの耐熱熱伝導性のセ
ラミックス粉末を充填して構成されている。一方、裸コ
イル型は、エンジン内に発熱コイルヲ露出させて構成さ
れたものである。 前者は堅固で燃焼ガスに対する耐久性が犬であるが、発
熱コイルの熱伝達が悪くシース表面温度が始動可能な温
度に達するまでに5秒以上を要し急速加熱性に欠ける欠
点がある。ま房加熱スピードを早めようとすると発熱コ
イル温度が高くなり、やがて発熱金属の融点に近くなり
耐久性が著しく低下する。このため、シース表面温度は
950cが限界となる制約を受けることになる。また、
後者は、急速加熱は可能であるが、燃焼ガスによる発熱
金属の劣化が大であり、カーボン付着によってショート
を生じやすい。また、高温腐食の点から発熱コイルの表
面温度は900Cが限界である等の欠点がある。したが
って現在では急速加熱性に欠ける問題があってもシース
凰が主流となっている。 しかしながら、近年ディーゼル車もガソリン車並の急速
始動性が強く要求されるようになり、このため直熱タイ
プ(表面加熱形)のグロープラグが見直され、昇温スピ
ードが早く、シかも高温耐久性に優れたグロープラグ用
ヒータエレメントの出現が強く望まれている。 〔発明の目的〕 本発明の目的は金属に近い導電性を示す導電性セラミッ
クを用いた電気的装置を提供するにある。 〔発明の概要〕 本発明の電気的装置に用いるセラミック焼結体は優れた
導電性を示し、(a)炭化ケイ素(SiC)と、(b)
窒化バナジウム(vN)、窒化=、1プ(NbN)、窒
化タンタル(TaN)、窒化ノ・フニウム(HfN)、
硼化バナジウム(VBり、硼化ニオブ(NbB*)、硼
化タンタル(’l’aBs)、硼化ノ・7ニウム(Hf
Bi)、炭化バナジウム(VC)、炭化ニオブ(NbC
)、炭化タンタル(TaC)から選ばれる無機化合物と
を主体量とするものである。尚、従来のいわゆるSiC
系セラミック焼結体には導電性は無く、電気的に抵抗体
となるものであり1本発明の電気的装置には採用し得な
い。 本発明の電気的装置はSICの特性を改善して得られた
ものでアシ、その特性改善の例は次の通りである。(す
8iCの硬度を大きくする為に、  ・SiCの母相中
に硬質物粒子を均質に分散させる方法が考えられる。硬
質物としてva族金属元素の炭化物、窒化物或いは硼化
物や)・フニクム(Hf)の窒化物或いは硼化物がSi
Cの硬度を大きくすることを見出した。(2)SiCを
耐熱材料として利用する場合、断熱性が要求されるよう
な箇所へ応用するときは熱伝導率の低い方が好ましく、
反対に、熱交換が目的である用途へ応用するときけ熱伝
導率の大きい方が好ましい。SICの熱伝導率を制御す
る方法として、8iCにVa族金属元素の炭化物、窒化
物或いは硼化物やHfの窒化物或いは硼化物を分散させ
ることが有効であることを見出した。ta)stc構造
用部材として使用する場合、SICと他のセラミックス
およびSiCと金属の接合が、エレクトロニクス材とし
て利用する場合は、StCとガラスの接合が容易な程利
用度が高くなる。SiCと種々の材料との間の接合は高
温で行われるため、それぞれの熱膨張率の差が大きい程
、冷却後の残留応力が大きく、割れが発生しやすい。S
iCにva族金属元素の炭化物、窒化物或いは硼化物や
Hfの・窒化物或いは硼化物を分散させた焼結体はSi
Cの熱膨張率を大きくすることを見出した。(4)高融
点金属の中でva族金属元素の窒化物は溶融金属と反応
し難いため金属溶解用るつぼに適していることを見出し
た。 また、SiCに新しい機能を付与した例として、■a族
金属元素の炭化物、窒化物或いは硼化物や、Hfの窒化
物或いは硼化物を分散させることによってSICが導電
性になることを見出した。 尚、SiCに複合させたva族金属元素硼化物は、N”
eVaおよび■a族金属元素の炭化物、窒化物、硼化物
の中で耐酸化性が最もすぐれておp、5iC−■a族金
属元素硼化物系複合セラミックスは上記特長を利用して
酸化雰囲気中で利用される場合には好適である。 また、■a族金属元素の窒化物は、高融点化合物の中で
は、■a族金属元素炭化物に次いで酸化しやすい欠点が
あるため、使用環境が500Cを越える場合には、真空
中もしくは非酸化性雰囲気中での使用に制限されるが、
5iC−■a族金属元素窒化物複合セラミックスの場合
は、表面に耐スケール性のよい酸化物の保護皮膜が形成
されやすく、さらに高温での使用も可能である。Va族
金属元素炭化物は、高融点化合物の中では■aおよびv
a族金属元素硼化物、■a族金属元素炭化物について酸
化しやすい欠点があるため、使用環境が800C以上の
場合には真空中もしくは非酸化性雰囲気中での使用に制
限されるが、SiC−■a族金属元素炭化物複合セラミ
ックスの場合には、表面に耐スケール性のよい酸化物の
保護皮膜が形成されやすく、さらに高温での使用も可能
である。 SiCに複合させたH f B xは、高融点化合物で
ある■a、 ■aおよび■a族金属元素の炭化物、窒化
物、硼化物の中で耐酸化性がva族金属元素の硼化物に
次いで優れておp、SiCHfBm第8mミックスも酸
化雰囲気中で利用される場合に適する。 更にHfNは対応するHfCよシ耐酸化性が優れており
、SIC−HfN系セラミックスも酸化雰囲気中で利用
し得る。 本発明で用いるSiC系複合セラミックスの製造法は、
例えば粒径10μm以下のSiC粉末10〜90%とv
a族金属元素(V、Nb、’l’a)の炭化物、窒化物
或いは硼化物の粉末、或いはHfN、HfBsの粉末1
0〜90fi量%及び成形バインダを適量加えて混合し
この混合物を予備成形したのち非酸化性雰囲気中、温度
1800〜2200C,圧力100〜400Kg/c4
の条件でホットプレス焼結する。 本発明において、va族金属元素の炭化物、窒化物、□
硼化物やHfN、HfBsの50%以下を少なくとも1
種以上の融点が2000C以上の高融点化合物で置換す
ることによって、上記SiC系複合セラミックスの熱伝
導度、熱膨張率を用途に応じて制御することが可能であ
る。また必要に応じてSICの焼結助剤となるアルミニ
ウム(At)、ホウ素(B)などの化合物をAt、Hに
換算して0.1〜3%添加することも可能である。 ■a族金属元素の炭化物、窒化物、硼化物やHfN、H
fBmを10〜90%に限定した理由は、10%以下で
あるとSiCの特性が著しく改善されず複合セラミック
スとしての特徴が現われず、90%以上になると、si
cの特性が著しく損われるためである。尚、SiC系複
合セラミックスの特徴を有効に利用するためには、■a
族金属元素の炭化物、窒化物、硼化物やHf N、 H
fBmを30〜70%にすることが望ましい。また、■
a族金属元素の炭化物、窒化物、硼化物やHfN。 Hf B、の置換材として、融点が20001:’以上
の化合物に限定した理由は、該SiC系複合セラミック
スの高温硬度および高温強度を劣化させない為である。 また高融点化合物の置換量をva族金属元素の炭化物、
窒化物、硼化物やHfN、HfBtの50%以下に限定
した理由は、50%以上であると、該SiC系複合セラ
ミックスの特徴が損われる為でアリ、置換量を30%以
下にするとさらに望ましい。 尚、高融点化合物の例としてはTic、zrc。 HfCl vc、 Nbc、’rac、Mo5s、wc
。 T tN、zrN、 HrN、VN、 NbN、TaN
。 5isNa I B4C,TfB意、 ZrBs e 
Hf1h * VBs eNbBz  *   TaB
s  t   C’Bt  s  MoBs  e  
WBe  AZtOs wCrtOs 、 Zr(h 
、 HfCl *希土類酸化物、Mo8’z*WSi、
、Ta81鵞 等が挙げられる。 本発明の電気的装置に使用するSiC系複合セラミック
スの焼結は、非酸化性雰囲気下で行うことが望ましい。 ホットプレス焼結時の温度は1800〜2300Cが有
効である。焼結温度が1soot:’以上であれば相対
密度90%以上の緻密な焼結体が得られる。また焼結温
度が2300Cよシ低ければ結晶粒径が異常成長する心
配は無く、ボイドは発生しに<<、強度の低下も防止で
きる。 ホットプレス時の圧力は前記の焼結温度範囲であれば1
00〜400Kg/allで高密度な焼結体を得ること
ができる。 〔発明の実施例〕 実施例1 平均粒径1μmの黒色SiC粉末30%に平均粒径5μ
mのNbBm粉末70%を添加混合した。 次いで該混合粉末を1000Kg/−の圧力で成形後、
黒鉛製のダイスに入れ、真空度10−3〜1O−IIT
Orrの減圧下でホットプレス焼結した。焼結条件は圧
力300助/cdで、加熱は室温から2050t:’ま
で約2hrで昇温し、2050Cでlhr保持後加熱電
源を切って放冷した。圧力は温度が1000以下になっ
てから解除した。このようにして得た複合焼結体の特性
を表1の(1)に示す。 実施例2 実施例1と同様に表1の(2)〜(3)に示す配合組成
の焼結体を得た。これらの焼結体の特性を表1の(2)
〜a騰に示す。 実施例3 実施例1及び2でNbB冨の粉末のかわシにTaBs粉
末を使用して表2に示す配合組成の焼結体を実施例1及
び2と同様な方法で作製した。 これらの焼結体の特性を表2に示す。 実施例4 実施例1と同様な方法で81CVBt系の複合焼結体を
得た。これらの焼結体の特性を表3に示す。この焼結体
をガス点火器用の発熱体として応用したところ、従来タ
イプの点火器よシ速く着火することができた。尚、第1
図はこの焼結体をヒータ材とするグロープラグ用ヒータ
の一実施例を示す平面図である。ヒータ材1に切溝2を
設けてU字形に加工成形し、その後両先端部A、Hに例
えばNi等の耐熱金属を接合して電源リード線を接続す
る電極3,4及び3Z4/を設ける。 このヒータでは17字形の先端部5が僅かに狭幅となっ
ておシこのためこの部分において最高温度になる。この
ヒータ材の室温時における抵抗率は5X 10”Ωαで
わシ、電極A−B間の抵抗値(室温時)は約0.19で
あった。 第2図は第1図に示すヒータエレメントを直流電源回路
に接続し、印加電圧を変えて通過した時の加熱スピード
を測定した結果を示している。自動車のバッテリと同じ
電圧の12Vを印加した場合900Cまでが約0.7秒
、1200Cまでが1秒前後で急速加熱し、従来の金属
シース臘の加熱スピード(900Cまで5〜10秒)に
比べて速熱性が格段に優れている。また通電によシヒー
タの表面を1000Cに加熱した時のヒータ抵抗は約0
.39で正の抵抗温度係数を有し、グロープラグ用ヒー
タ□として好ましい特性となる。 第3図は本実施例になるヒータエレメントに直流8vを
2秒間印加(2秒後表面温度は約1100Cに達する。 )〜30秒間休止(この間強制風冷)を1ザイクルとす
る繰返し通電耐久試験における抵抗値(室温時)変化を
示した。10万サイクル後でも抵抗値の劣化は全く認め
られず、通電耐久に優れかつ約1100t:’の断続的
加熱に対しても耐久性のあることが分かる。 また第4図は本実施例のヒータエレメントを電気炉内で
大気中900〜1200Cの熱処理を加える高温耐久試
験における抵抗値(室温時)の変化を示した。2000
時間熱処理(実車での使用条件に比べて相当に厳しい)
後の抵抗値変化は、12G(Ic以下で熱処理したもの
が+5%以内、1200t:’熱処理品が+10%程度
でオシ、高温耐久性に優れることが判る。 このように本発明に用いる導電性セラミック焼結体は、
低抵抗率のため前記した如く急速加熱性に優れ、かつ抵
抗温度係数が正なので赤熱状態でも電流暴走による溶断
がカ<、さらに高い融点と耐酸化性を有するなどの特徴
があるため、急速な昇温スピード並びに高温耐久性が要
求される直熱タイプのグロープラグ用ヒータ材に好適と
なる。 更に本発明によるヒータ材は緻密質、低比重かつ高強度
(室温〜130G1:’)の特性を有するため、ヒータ
エレメントは棒状、板状、U字形など単純な構造にする
ことも可能であシ、したがって本発明のヒータ材を用い
たグロープラグは現流金属シース型グロープラグに比べ
て構造が簡単で、しかも小形軽量化を図ることができる
。 尚、本発明の適用はグロープラグヒータに限定されるも
のではなく、各種の発熱体、ガス点火器あるいは耐熱性
電体、導電スペーサ、抵抗器等各種の電気的装置に使用
できる。 実施例5 実施例1のNbB*の代わシにTaNを用い、更に表4
に示す各種配合組成の焼結体を得た。これらの焼結体の
特性を表4に示す。 実施例6 実施例5の試料(1)と同様な方法で5ic−VN系の
複合焼結体を得た。これらの焼結体の特性を表5に示す
。この焼結体音ガス点火器用の奪熱体として応用したと
ころ、従来タイプの点火器より速く着火することができ
た。 実施例7 実施例5の試料(1)と同様な方法で5iC−NbN系
の複合焼結体を得た。これらの焼結体の特性を表6に示
す。この焼結体をガス点火器用の発熱体として応用した
ところ、従来タイプの点火器よシ速く着火することがで
きた。 実施例8 実施例1のNbBtの代わりにTaC粉末80%を用い
、更に表7に示す各種配合組成の焼結体を得た。これら
の焼結体の特性を表7に示す。 実施例9 実施例8でTaCの粉末の代わりにNbC粉末を使用し
て表8に示す配合組成の焼結体を実施例8と同様な方法
で作製した。これらの焼結体の特性を表8に示す。 実施例10 実施例8と同様な方法で5tc−vc系の複合焼結体を
得た。これらの焼結体の特性を表9に示す。この焼結体
をガス点火器用の発熱体として応用したところ、従来タ
イプの点火器より速く着火することができた。 実施例11 実施例1のNbBmの代わりにHfBs或いはHfNを
用いてaiCHfBm系、8 i C−HfN系の複合
焼結体を得た。表10及び表11は得られた焼結体の特
性である。これらの焼結体をガス点火器用の発熱体とし
て応用したところ、いずれも従来タイプの点火器よシ速
く着火することができた。 実施例12 第5図に本発明になる電気的装置の一実施例として面状
ヒータを示す。本実施例はほぼ円形の絶縁性セラミック
スからなる面状板6上に本発明の導電性セラミックスか
らなるヒータ材7を蛇行して接着形成し、ヒータ材70
両端一部にメタライズ8.8′を介してリード線9,9
1を接続したものである。 〔発明の効果〕 本発明の電気的装置に用いるSiC系セラミックスは硬
度が大きく、耐摩耗性1.耐酸化性、耐食性に優れてい
る。そして優れた導電体である為、グロープラグヒータ
、各種の発熱体、ガス点火器、工業用電極、抵抗器およ
び抵抗の変化を利用した各種センサ等の種々の電気的装
置に使用されることが期待できる。 図面の簡単な説明 第1図は本発明になる電気的装置の一実施例としてヒー
タ材を用いたグロープラグ用ヒータの一実施例を示す平
面図、第2図は本発明の実施例になるグローブ2グ用ヒ
ータの昇温スピードを示す特性図、第3図は本発明の実
施例になるグロープラグ用ヒータの繰返し通電耐久試験
における抵抗値変化を示す特性図、第4図は本発明の実
施例になるグローブジグ用ヒータの高温耐久試験におけ
る抵抗値変化を示す特性図、第5図は本発明になる材料
を用いた面状ヒータの実施例を示す平面図である。 1.7・・・ヒータ材、2・・・切溝、3.3’ 、4
゜41 、B、Bl・・・電極メタライズ、5・・・発
火部、$、5″ 月

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(aン炭化ケイ素と、 (b)窒化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタル、窒
    化ハフニウム、硼化バナジウム、硼化ニオブ、硼化タン
    タル、硼化ノ17ニウム、炭化バナジウム、炭化ニオブ
    、炭化タンタルから選はれる無機化合物とを主体量とす
    る導電性セラミック焼結体からなることを特徴とするセ
    ラミック導電材。 2、特許請求の範囲第1項記載において、前記(a)成
    分が約10〜90重量%であり、前記(b)成分が約9
    0〜10重量%であることを特徴とすSセラミック導電
    材。 3、  (a)炭化ケイ素と、 (b)窒化バナジウム、窒化二搾プ、窒化タンタル、窒
    化・・フニウム、硼化バナジウム、硼化ニオブ、硼化タ
    ンタル、硼化ノ・フニウム、炭化バナジウム、炭化ニオ
    ブ、炭化タンタルから選ばれる無機化合物とを主体量と
    する導電性セラミック焼結体を部品とすることを特徴と
    するセラミック導電体を用いた電気的装置。 4、特許請求の範囲第3項記載において、前記(a)成
    分が約10〜90重量%Fあシ、前記(b)成分が約9
    0〜10重蓋%であることを特徴とするセラミック導電
    体を用いた電気的装置。 5、特許請求の範囲第3項記載において、50重量%以
    下の前記(b)成分は融点が2000t:’以上の高融
    点化合物で置換することt−特徴とするセラミック導電
    体を用いた電気的装置。 6、特許請求の範囲第3項乃至第5項のいずれか記載に
    おいて、前記焼結体の相対密度が90%以上であること
    を特徴とするセラミック導電体を用いた電気的装置。 7、特許請求の範囲第3項乃至第1項のいずれか記載に
    おいて、前記焼結体は温度1800〜2200C1圧力
    100〜400 Kf/−の非酸化性雰囲気下でホット
    プレスされたものであることを特徴とするセラミック導
    電体を用いた電気的装置。 8、特許請求の範囲第3fA乃至第5項のいずれか記載
    において、前記焼結体によシヒータ材を形成することを
    特徴とするセラミック導電体を用いた電気的装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62131229U (ja) * 1986-02-05 1987-08-19
JPS62131227U (ja) * 1986-02-05 1987-08-19
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