JPS5897826A - 半導体製造装置およびその洗浄方法 - Google Patents
半導体製造装置およびその洗浄方法Info
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- JPS5897826A JPS5897826A JP56195640A JP19564081A JPS5897826A JP S5897826 A JPS5897826 A JP S5897826A JP 56195640 A JP56195640 A JP 56195640A JP 19564081 A JP19564081 A JP 19564081A JP S5897826 A JPS5897826 A JP S5897826A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- -1 fluorocarbon compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 244000144985 peep Species 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
- H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＳｉＨ４、ＳｉＦ４等を原料ガスとしプラズ
マ反応によシ作成する非晶質ケイ素（以下ａ−８ｉと略
す）の製造装置およびその洗浄方法に関する。
マ反応によシ作成する非晶質ケイ素（以下ａ−８ｉと略
す）の製造装置およびその洗浄方法に関する。
本発明は、ａ−８ｔを材料とする光導電素子、光起電力
素子を再現よく生産することができる製造装置およびそ
の洗浄方法を提供することを目的とする。
素子を再現よく生産することができる製造装置およびそ
の洗浄方法を提供することを目的とする。
従来ａ−８ｉ・の製造装置はａ−８ｔ堆積後、装置内壁
に付着し九ａ−８ｔをふき取るか、特別な処置をせずに
再びａ−８ｉを堆積させていた。同一反応管を複数回使
用していると反応管内壁に付着したａ−８ｉが堆積中に
はかれ落ちることがしばしば起こる。基板上には上記ａ
−８ｉ粉が乗るとその部分がピンホールとなシ、素子特
性に重大な影醤を与えていた。反応管を交換すれば良い
が反応管の交換にも、反応管の脱ガスにも時１間がかか
り生産には不向きである。
に付着し九ａ−８ｔをふき取るか、特別な処置をせずに
再びａ−８ｉを堆積させていた。同一反応管を複数回使
用していると反応管内壁に付着したａ−８ｉが堆積中に
はかれ落ちることがしばしば起こる。基板上には上記ａ
−８ｉ粉が乗るとその部分がピンホールとなシ、素子特
性に重大な影醤を与えていた。反応管を交換すれば良い
が反応管の交換にも、反応管の脱ガスにも時１間がかか
り生産には不向きである。
また、従来からプラズマ反応によって作るチッ化ケイ素
（以下Ｓｉ３Ｎ４と略す）の洗浄にプラズマ反応による
エツチングを行なっている製品が販売されている。この
場合エツチングがスはフッ化炭°素化合一であり、Ａｒ
７’ラズマ処理を除いて本発明と同一で方法も同じであ
る。しかし５ｉｓＮ４Ｎ＊は半導体保護用に用いられる
絶縁膜として使用される場合が多く、そういう場合は絶
縁特性が要求される王な特性である。一方ａ−８ｔ膜は
主に光導電素子または光起電力素子等に用いられるため
要求される生な特性は光導電特性、光起電力特性である
。
（以下Ｓｉ３Ｎ４と略す）の洗浄にプラズマ反応による
エツチングを行なっている製品が販売されている。この
場合エツチングがスはフッ化炭°素化合一であり、Ａｒ
７’ラズマ処理を除いて本発明と同一で方法も同じであ
る。しかし５ｉｓＮ４Ｎ＊は半導体保護用に用いられる
絶縁膜として使用される場合が多く、そういう場合は絶
縁特性が要求される王な特性である。一方ａ−８ｔ膜は
主に光導電素子または光起電力素子等に用いられるため
要求される生な特性は光導電特性、光起電力特性である
。
特に光起電力特性は炭素や酸素の汚染によって大きく劣
化する。フッ化炭素系ガスでエツチングを行なう場合は
炭素や酸素の汚染が大きく、このためａ−８ｉ製造装置
の洗浄は、フッ化炭素系ガスを用いていなかった。
゛ 本発明は、製造装置をきれいに保つためフッ化炭素化合
物を用いたエツチングを行なうが、それに伴なう特性劣
化のない光導電素子、光起電力素子を得る製造装置およ
びその洗浄方法を提供する覗のである。
化する。フッ化炭素系ガスでエツチングを行なう場合は
炭素や酸素の汚染が大きく、このためａ−８ｉ製造装置
の洗浄は、フッ化炭素系ガスを用いていなかった。
゛ 本発明は、製造装置をきれいに保つためフッ化炭素化合
物を用いたエツチングを行なうが、それに伴なう特性劣
化のない光導電素子、光起電力素子を得る製造装置およ
びその洗浄方法を提供する覗のである。
以下、図面に従って本発明による半導体製造装置の一実
施例を示す。
施例を示す。
図はグロー放電による単導体製造装置に本発明を適用し
たものである。ベルジャ１中にグロー放電を発生させる
ため電源２から対向電極３へ電力を供給する。４は適当
なマスクでおおわれた基板てあシ、基板加熱用ヒータを
内蔵したサンプルホルダ５に取り付けられている。Ｓｉ
Ｈ４，ＳｉＦ４等ａ−８ｉ−原料゛ガスは導入口６から
装置１に供給される。
たものである。ベルジャ１中にグロー放電を発生させる
ため電源２から対向電極３へ電力を供給する。４は適当
なマスクでおおわれた基板てあシ、基板加熱用ヒータを
内蔵したサンプルホルダ５に取り付けられている。Ｓｉ
Ｈ４，ＳｉＦ４等ａ−８ｉ−原料゛ガスは導入口６から
装置１に供給される。
ａ−８１を堆積させ基板をとり出した後、導入ロアから
例えばフッ化炭素と酸素の混合ガス等を導入し、装置１
内部のａ−８ｉをエツチングする０中分にエツチングし
た後さらに本発明であるＡｒのグロー放電を発生させる
ため導入口８からＡｒまたはＨ２を混合させたＡｒを装
置１に導入しグロー放電する。
例えばフッ化炭素と酸素の混合ガス等を導入し、装置１
内部のａ−８ｉをエツチングする０中分にエツチングし
た後さらに本発明であるＡｒのグロー放電を発生させる
ため導入口８からＡｒまたはＨ２を混合させたＡｒを装
置１に導入しグロー放電する。
このグロー放電に、よシ、フッ化炭素と酸素の混合ガス
を導入してａ −Ｓ’ｉをエツチングした際、装置内に
残る酸素や炭素の汚染物をさらにとり去ることができる
。グロー放電のノクワーはａ−ＢＳ堆積の時よシも通常
は大きくエツチングのときとほぼ同じである。真空度は
ａ＝ｓｉ堆積時より通常良くする。時間はエツチング時
間にも関係するが、１分間から３０分間であシ、放電停
止の目安は放電色および放電状態の変化である。すなわ
ち装置内が酸素や炭素で汚染されていると放電が白っぽ
くなり、放電が広がる。Ａｒでグロー放電した後は広が
りも小さくなり、赤紫のＡｒグロー放電になる◇Ａｒの
グロー放電を行なうか、行なわないかによって光起電力
素子の特性の平均値がどれｔなど改善されているかを示
したのが表１である。この表にはエツチングなしで反応
管内のａ−８ｉをふき取っただけの場合の素子特性も示
した。この場合、ピンホールが多いため、すなわち短絡
している素子が多いため平均値は出し難いため、ピンホ
ールがなく正常に動作する素子のみについての平均値を
出しである。
を導入してａ −Ｓ’ｉをエツチングした際、装置内に
残る酸素や炭素の汚染物をさらにとり去ることができる
。グロー放電のノクワーはａ−ＢＳ堆積の時よシも通常
は大きくエツチングのときとほぼ同じである。真空度は
ａ＝ｓｉ堆積時より通常良くする。時間はエツチング時
間にも関係するが、１分間から３０分間であシ、放電停
止の目安は放電色および放電状態の変化である。すなわ
ち装置内が酸素や炭素で汚染されていると放電が白っぽ
くなり、放電が広がる。Ａｒでグロー放電した後は広が
りも小さくなり、赤紫のＡｒグロー放電になる◇Ａｒの
グロー放電を行なうか、行なわないかによって光起電力
素子の特性の平均値がどれｔなど改善されているかを示
したのが表１である。この表にはエツチングなしで反応
管内のａ−８ｉをふき取っただけの場合の素子特性も示
した。この場合、ピンホールが多いため、すなわち短絡
している素子が多いため平均値は出し難いため、ピンホ
ールがなく正常に動作する素子のみについての平均値を
出しである。
表１ （９７，３ｍＷ／ｃｍ２太陽光下での太陽電池
の主な特性）このようにＡｒのグロー放電を行なうこと
により特性全体にわたってＡｒグロー放電を行なわない
素子に比べ１０％程度改善されることが゛わかる。さら
に装置をエツチングしなくて得た素子で、ピンホールの
ないものを選んだ素子特性の平均値とほぼ同じであるこ
とがわかる。装置をエツチングしなかった場合のピンホ
ールによる短絡の確率は条件によって大きく違うが１０
〜５０％程度であった０ 以上のように、本発明によってピンホールによる短絡の
確率が小さく、シかも特性の良い光起電力素子等が得°
られる半導体製造装置およびその洗浄方法を提供できる
ため、工業的に極めて価値が大きい。
の主な特性）このようにＡｒのグロー放電を行なうこと
により特性全体にわたってＡｒグロー放電を行なわない
素子に比べ１０％程度改善されることが゛わかる。さら
に装置をエツチングしなくて得た素子で、ピンホールの
ないものを選んだ素子特性の平均値とほぼ同じであるこ
とがわかる。装置をエツチングしなかった場合のピンホ
ールによる短絡の確率は条件によって大きく違うが１０
〜５０％程度であった０ 以上のように、本発明によってピンホールによる短絡の
確率が小さく、シかも特性の良い光起電力素子等が得°
られる半導体製造装置およびその洗浄方法を提供できる
ため、工業的に極めて価値が大きい。
図は、本発明による一実施例を示した図である。
１・・・ベルジャ、２・・・電源、３・・・対向電極、
４・・・基板、５・・・サンプルホルダ、６・・・原料
ガス導入口、７・・・エツチングガス導入口、８・・・
Ａｒ導入口。
４・・・基板、５・・・サンプルホルダ、６・・・原料
ガス導入口、７・・・エツチングガス導入口、８・・・
Ａｒ導入口。
Claims (1)
- （１） 気体状ケイ素化合物をプラズマ反応によって
堆積させる手段、気体状フッ化炭素化合物によるプラズ
マ反応によ゛って装置内壁および基板ホルダ等に付着し
た上記堆積物をとり除く手段、およびＡｒ等不活性ガス
によるプラズマを発生させる手段を有する半導体製造装
置。 ゛（２） 気体状ケイ素化合物をプラズマ反応によっ
て分解させた後、装置内壁に付着した上記分解物を気体
状フッ化炭素化合物による・プラズマ反応によってとり
除き、さらにＡｒ等不活性ガスによるプラズマを発生さ
せることを特徴とする半導体製造装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195640A JPS5897826A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体製造装置およびその洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56195640A JPS5897826A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体製造装置およびその洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897826A true JPS5897826A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16344524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56195640A Pending JPS5897826A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | 半導体製造装置およびその洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897826A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928156A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-02-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 露光マスクの製造方法 |
| JPH0250985A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 |
| JPH07254570A (ja) * | 1995-03-02 | 1995-10-03 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358490A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for film |
| JPS5433668A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-12 | Hitachi Ltd | Plasma deposition unit |
| JPS56121632A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-24 | Shunpei Yamazaki | Film formation |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP56195640A patent/JPS5897826A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5358490A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for film |
| JPS5433668A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-12 | Hitachi Ltd | Plasma deposition unit |
| JPS56121632A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-24 | Shunpei Yamazaki | Film formation |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928156A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-02-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 露光マスクの製造方法 |
| JPH0548464B2 (ja) * | 1982-12-29 | 1993-07-21 | Konishiroku Photo Ind | |
| JPH0250985A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 |
| JPH07254570A (ja) * | 1995-03-02 | 1995-10-03 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理方法 |
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